掃描電子顯微鏡 SEM 和能譜分析技術(shù) EDS

主要內(nèi)容

掃描電鏡（SEM）掃描電鏡的作用掃描電鏡的工作原理掃描電鏡的主要構(gòu)造掃描電鏡對樣品的作用

能譜儀（EDS）能譜的工作原理能譜的結(jié)構(gòu)能譜的特點(diǎn)JEOL-6380SEM和EDAXEDS的主要功能樣品的制備目前一頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)1掃描電鏡的作用：顯微形貌分析：應(yīng)用于材料、醫(yī)藥以及生物等領(lǐng)域。成分的常規(guī)微區(qū)分析：元素定性、半定量成分分析目前二頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)2掃描電鏡的工作原理

電子源電磁透鏡聚焦掃描電子信號探測信號屏幕顯像陰極控制極陽極電子束聚光鏡試樣目前三頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)

樣品表面激發(fā)的電子信號特征X射線目前四頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)二次電子、背散射電子和特征X射線SEM:二次電子

背散射電子

二次電子它是被入射電子轟擊出來的樣品核外電子.背散射電子它是被固體樣品中原子反射回來的一部分入射電子。特征X射線它是原子的內(nèi)層電子受到激發(fā)之后，在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長的一種電磁波輻射EDS:特征X射線目前五頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)背反射電子：產(chǎn)生范圍在100nm-1μm深度

能量較高，小于和等于入射電子能量E0二次電子：產(chǎn)生范圍在5-50nm的區(qū)域

能量較低，約50eV特征X射線：在試樣的500nm-5μm深度能量隨元素種類不同而不同

原子序數(shù)產(chǎn)率目前六頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)3掃描電鏡的主要構(gòu)造掃描電鏡由六個(gè)系統(tǒng)組成

(1)電子光學(xué)系統(tǒng)（鏡筒）

(2)掃描系統(tǒng)

(3)信號收集系統(tǒng)

(4)圖像顯示和記錄系統(tǒng)

(5)真空系統(tǒng)

(6)電源系統(tǒng)3目前七頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)收集二次電子時(shí)，為了提高收集有效立體角，常在收集器前端柵網(wǎng)上加上+250V偏壓，使離開樣品的二次電子走彎曲軌道，到達(dá)收集器。這樣就提高了收集效率。收集背散射電子時(shí)，背散射電子仍沿出射直線方向運(yùn)動，收集器只能收集直接沿直線到達(dá)柵網(wǎng)上的那些電子。信號收集目前八頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)4掃描電鏡對樣品的作用－－加速電壓、電子束與樣品之間的關(guān)系目前九頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)4掃描電鏡對樣品的作用－－

二次電子與背散射電子之間的區(qū)別二次電子當(dāng)樣品中存在凸起小顆?；蚣饨菚r(shí)對二次電子像襯度會有很大影響，其原因是，在這些部位處電子離開表層的機(jī)會增多。背散射電子由一對硅半導(dǎo)體組成，對于原子序數(shù)信息來說，進(jìn)入左右兩個(gè)檢測器的信號，大小和極性相同，而對于形貌信息，兩個(gè)檢測器得到的信號絕對值相同，其極性相反。成分有差別，形貌無差別

成分無差別形貌有差別成分形貌都有差別

目前十頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)

二次電子圖像VS.背散射電子圖像AlSn目前十一頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)4掃描電鏡對樣品的作用－－

物鏡光欄、工作距離與樣品之間的關(guān)系

物鏡光欄的影響目前十二頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)工作距離的影響目前十三頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)5能譜儀（EDS）的工作原理能譜儀（EDS）是利用X光量子有不同的能量，由Si(li)探測器接收后給出電脈沖訊號，經(jīng)放大器放大整形后送入多道脈沖分析器，然后在顯像管上把脈沖數(shù)－脈沖高度曲線顯示出來，這就是X光量子的能譜曲線。

目前十四頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)6能譜儀（EDS）的結(jié)構(gòu)目前十五頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)

1）快速并且可以同時(shí)探測不同能量的X-光能譜

2）接受信號的角度大。

3）儀器設(shè)計(jì)較為簡單

4）操作簡單

7能譜儀（EDS）的特點(diǎn)性能EDS分析時(shí)間幾分鐘檢測效果100％譜鑒定簡單試樣對檢測影響較小探測極限700ppm定量分析精度±5－10％缺點(diǎn)1）能量解析度有限

2）對輕元素的探測能力有限3）探測極限

4)定量能力有限目前十六頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)8儀器功能介紹及應(yīng)用

型號日本電子JEOL-6380LV美國EDAXGENESIS2000目前十七頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)SEM/EDS的主要性能指標(biāo)

SEM分辨率：高真空模式：3.0nm；低真空模式：4.0nm低真空：1－270Pa加速電壓：0.5KV-30KV放大倍數(shù)：5倍-30萬倍電子槍：W發(fā)卡燈絲式檢測器：高真空模式和低真空模式下的二次電子檢測，背散射電子檢測EDS能量分辨率：132eV分析范圍:Be-U目前十八頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)JEOL-6380/SEM的工作界面目前十九頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)顆粒10，0000-Au6，0000-納米晶金剛石目前二十頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)薄膜及涂層材料目前二十一頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)昆蟲頭發(fā)生物材料目前二十二頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)EDAX-EDS的工作界面---譜線收集目前二十三頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)ElementWt%At%CK50.8570.14OK16.5817.17AlK09.9206.09SiK00.2500.15MoL01.9200.33CrK01.8200.58MnK00.2200.07FeK18.4405.47能譜譜線收集實(shí)例目前二十四頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)EDAX-EDS的工作界面---區(qū)域分析目前二十五頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)ElementWt%At%CK07.2923.57OK04.5511.03AlK01.5102.17SiK02.1302.94PK05.5506.96SnL04.2901.40FeK74.6951.93區(qū)域分析實(shí)例－顆粒目前二十六頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)EDAX-EDS的工作界面---面掃描目前二十七頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)面掃描實(shí)例-Cu網(wǎng)SEI掃描圖CuAl＋目前二十八頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)線掃描實(shí)例-Cu網(wǎng)目前二十九頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)9電鏡樣品的制備(1)基本要求：送檢樣品為干燥的固體一定的化學(xué)、物理穩(wěn)定性不會揮發(fā)或變形無強(qiáng)磁性、放射性和腐蝕性(2)塊狀試樣的制備：用導(dǎo)電膠把待測試樣粘結(jié)在樣品座上樣品直徑和厚度一般從幾毫米至幾厘米樣品高度不宜超過30mm，樣品最大寬度不能超過100mm

目前三十頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)(3)粉末樣品的制備：導(dǎo)電膠－－粘牢粉末－－吸耳球－－觀察懸浮液－－滴在樣品座上－－溶液揮發(fā)－－觀察(4)不導(dǎo)電樣品：通常對不導(dǎo)電樣品進(jìn)行噴金、噴碳處理或使用導(dǎo)電膠形貌觀察：噴金處理成分分析：噴碳處理

目前三十一頁\總數(shù)三十四頁\編于十九點(diǎn)a顯露出所欲