西電-微電子-復(fù)試題

西-子-試

微子論試1.么是N半體什是P型半體如獲？答①靠帶子電半體N型半體要過諸P、Sb施雜獲；依價空導(dǎo)的導(dǎo)叫P型導(dǎo)，主通摻如In等受主雜質(zhì)獲③雜式要擴和子入種經(jīng)質(zhì)償導(dǎo)的電型決其雜度者2.述體的流作理答根晶管兩PN結(jié)的偏置情況晶管工在向大飽截和向大式。實際用主是向大式此發(fā)結(jié)偏集結(jié)偏以NPN體為說載子動程①區(qū)基注電；偏發(fā)結(jié)以子散主發(fā)區(qū)向區(qū)入子，基向射注空，子遠于穴；②區(qū)自電邊散復(fù)。電子入?yún)^(qū)成非衡子故在流復(fù)，因區(qū)薄不重雜所大分子到集結(jié)緣③電收自電：于電反，而基擴來電子入電形電電，外存反飽電，要集區(qū)穴成但小可忽。3.述MOS效管工特。答以N溝增強型MOS為例把MOS管源和底地在極上一夠的電，從靜學(xué)觀來，這正柵電將要斥下P型底的動空電而引子電在

GSGSDSDSDSDSDSDSGSGSDSDSDSDSDSDSDSDSDS面集一濃時，柵下P型將成型，即呈現(xiàn)反N反層源兩的N擴層通就成電為流的電道。如果漏之有位，有流過。而且外加在極的電越，溝區(qū)電濃也高，導(dǎo)電況越。如加在極的電比小不以起道反，則件處不導(dǎo)狀起道產(chǎn)強面型最柵壓稱為值壓①止V于于此源之間電近為。②性V一的電形導(dǎo)電道此時I與V成比對應(yīng)線OA圍即性。③渡V大一程時道窄溝電增，隨增趨變，應(yīng)線BC范圍。④和：繼增到定使道斷此V續(xù)大I基保不，達飽。⑤穿：果V繼增，漏PN結(jié)偏壓大導(dǎo)致PN結(jié)擊穿，使體進擊區(qū)電路基版共層都哪層再述下COMS藝流。答:共7+1層，別N阱注光、氧源光、晶光、+源光、N+漏區(qū)刻引孔刻金互光、

壓點鈍）刻②要藝程：阱生、源的定場氧長氧層生多硅電形成P溝MOS晶管形MOS晶體管光引接孔、光金互線、光鈍空后序工5.用成路設(shè)方有些它有么別設(shè)計方門

門海P標準積木人工法

陣

陣LA

元

塊

設(shè)列復(fù)雜程

1

1

12

10

>1度

0

5從邏輯1

1

1

13月1年圖到掩月

月

月

以膜版所需間優(yōu)

設(shè)

集成設(shè)

芯設(shè)成芯點

計周期短

度

計者周期

計活高價電可雜短6.響Spice軟件精的素哪？

答Spice型兩分成模方式模參。Spice模型的析度要決電中表種器特的型數(shù)的來(數(shù)的確，及型程的用圍。而模方式與種同數(shù)仿器結(jié)時可會響析精。08微子試1.導(dǎo)內(nèi)有幾電？出流算式答主分擴電和移流①子散流②穴散流③子移流④穴移流總電電：總空電：2.體的極度影那參？什？答①響流益定分Wb越，區(qū)運數(shù)大從電增越；影基穿電Wb越，容發(fā)基穿通象③響征率

f

T

越，區(qū)越間小從可提特頻；影基串電阻Rb，Wb越，區(qū)聯(lián)Rb越，外基晶管易起流邊應(yīng)3.過些藝程以現(xiàn)選擇“雜？寫出藝程答摻主有種法即擴和子入①擴：溫境，于運雜原運到導(dǎo)內(nèi)形

22成定分。要兩工，預(yù)積恒表源散和分布有表源散通在表生氧層進光刻成蔽后以特區(qū)進摻。②子入將電、過電加具高量雜離射入半體片，經(jīng)火雜激，半體部成定雜分。要程：子產(chǎn)注離經(jīng)聚系聚離束向分器篩出需子加器得能，通偏板帶離打靶的片，成子入對定域行子入式雜以掩膜可不掩膜4.極ICMOSIC的離何同答①極IC隔a.PN隔，為準結(jié)隔離結(jié)通隔和電擴隔b.質(zhì)-混隔，要等面化隔c.介質(zhì)離有準-晶介隔和溝介隔；IC隔：a.自隔，于MOS源漏襯導(dǎo)類不，以身是結(jié)隔b.于準氧隔容使生效晶管啟所通采局氧工兩改工側(cè)掩的離藝淺隔。5.ROM有哪些程構(gòu)各和點答①膜程封密高其的息制時家入只讀，能變②編ROM可用寫信，但能入次③擦可程ROM（EPROM其的息以行次除改紫線除電寫入信④改ROM(EAROM)

TT和可除編ROM(E

PROM):均電除電入者單完成除后所單同擦。09微子試1.PN結(jié)寄電有種形機，PN結(jié)的工作性使的影？答有種勢電：著PN結(jié)加壓變，壘得度會生化，而現(xiàn)載子荷勢區(qū)存和出，相當于一電的放；擴電：PN結(jié)兩的散中由電性求其存的負荷數(shù)會外電發(fā)變，相于一電效，之擴電。般況，PN結(jié)電等兩之，偏擴電為，偏勢電為PN結(jié)容影響高特（開（度特。2.么基寬效，區(qū)變應(yīng)哪因影？答①區(qū)變應(yīng)由外電的化有基寬發(fā)變的象，又稱厄效②提厄電，減基寬效的響應(yīng)大區(qū)度，使基寬的對響小另如提基區(qū)雜度則于定Vce集結(jié)盡變較，可減小區(qū)變應(yīng)影，提高利壓但這條施與大流益要沖，該合慮集成路計，流哪因影？15'答主就寬比電電，藝數(shù)寄參這

集電版設(shè)中什是比設(shè)和比設(shè)，電參有些響答用路別現(xiàn)輸與門兩為聯(lián)兩P為聯(lián)設(shè)路關(guān)性求稱即升間Tr于降間，則圖構(gòu)不稱常為比的圖計。這要與PMOS的成一比，而響溝電和漏流5.出成極體和成MOSFET縱剖圖并明們工原的別答6.門路言高電噪容受些素響’答電電，件數(shù)寬比氧層度，電壓幅當

V

（關(guān)值）在壓幅中附時低平聲限高容噪容具相的。若望噪容最并到稱特性可使部比NMOS部寬均晶管驅(qū)強③益大，噪聲容越當益無大，噪容橫整電擺④當高源壓可提噪容但在TTL電中不行另，聲限與入式關(guān)5.雙集電制中為么采外和層藝

答①延：外生時制相應(yīng)的質(zhì)以便形不導(dǎo)類不雜濃且質(zhì)布峭外層，滿某特器件材結(jié)和質(zhì)布特要可提集結(jié)穿壓而且較地決雙集電中隔問。②層減集區(qū)串電，善頻特。什是價什特答共鍵共電對，依共自相的對價子形成結(jié)力。價具方性飽性共鍵向有面對稱特，角

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。成路分。答①電功分數(shù)集電、擬成路混信集電；按路構(gòu)類半體成路混集電；按源件構(gòu)工分雙型成路

集電、BiMOS集電；按路模：、、、、GSI；9.什是性源答線電是將流經(jīng)變器低壓值，經(jīng)整電路流得脈直電，后經(jīng)波到有小紋壓直電。達高度直電，須過壓路行壓的含及作。答即算輔設(shè)，大分成路計，要人主，時借于算幫人迅而確完設(shè)任務(wù)②用優(yōu)：輕工動縮設(shè)周；證計正

確；高計量節(jié)設(shè)費；VLSI設(shè)計不缺的具促集化術(shù)普。

反器圖短溝道應(yīng)：溝道長減小到定程度后出的一系二級物理效，如閾電壓的化。摩爾定：每隔3年，特征尺寸縮小，集成（每個片上集成的體管和元件的目）提高4倍。溝道長調(diào)制效應(yīng)：進入飽和時有效道長度隨漏電壓的化而變化，而漏電流略