光芯片行業(yè)專題報(bào)告-從II~VI和Lumentum看光芯片國產(chǎn)化

光芯片行業(yè)專題報(bào)告：從II~VI和Lumentum看光芯片國產(chǎn)化1.光芯片：光進(jìn)銅退，光子領(lǐng)域核心元器件1.1.原理：三五族化合物主導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換1.1.1.光芯片為激光器、探測(cè)器核心組成激光應(yīng)用廣泛，其工作有賴于激光器與探測(cè)器。得益于方向性好、單色性好、能量密度高，激光不僅在光纖通信、工業(yè)制造等傳統(tǒng)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，更在3D傳感、車載激光雷達(dá)等新型領(lǐng)域日益普及。激光的輸出有賴于激光器，根據(jù)增益介質(zhì)的不同，激光器可分為氣體激光器、液體激光器與固態(tài)激光器，而半導(dǎo)體激光器是固態(tài)激光器的典型形態(tài)；激光的接收則有賴于探測(cè)器，其又被稱為光敏二極管。激光器、探測(cè)器的核心構(gòu)成部分為光芯片，光芯片核心功能為光電信號(hào)轉(zhuǎn)換。光芯片主要包括激光器芯片與探測(cè)器芯片：激光器芯片應(yīng)用于半導(dǎo)體激光器中，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)向光信號(hào)的轉(zhuǎn)換，將電信號(hào)蘊(yùn)含的信息通過激光輸出；探測(cè)器芯片則在探測(cè)器中不可或缺，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)向電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。1.1.2.激光器芯片1）工作原理：電激勵(lì)為泵浦源，半導(dǎo)體為增益介質(zhì)，輸出激光激光的發(fā)出有賴于泵浦源、增益介質(zhì)、諧振腔三大部件。激光的輸出需要外界提供能量，泵浦源（又稱激勵(lì)源）即負(fù)責(zé)向增益介質(zhì)中的粒子提供能量，常見的泵浦方式有電泵浦、光學(xué)泵浦、核能泵浦等；增益介質(zhì)用來提供向高能級(jí)躍遷的粒子，常用材料有氖氣、有機(jī)染料、紅寶石、半導(dǎo)體、光纖等；諧振腔指使光波在其中來回反射從而提供光能反饋的空腔，其作用是使腔內(nèi)的光子具有一致的頻率、相位和運(yùn)行方向，使激光具有良好的方向和相干性，同時(shí)還能放大受激輻射的強(qiáng)度。激光器芯片將電激勵(lì)作為泵浦源，以半導(dǎo)體材料為增益介質(zhì)，通過諧振腔選模放大，進(jìn)而輸出激光，完成光電轉(zhuǎn)換。2）激光器芯片分類：諧振腔制造工藝差異，適用不同場(chǎng)景按照諧振腔制造工藝差異，激光器光芯片可分為邊發(fā)射激光器芯片（EEL）與面發(fā)射激光器芯片（VCSEL）兩類。EEL在芯片兩側(cè)鍍光學(xué)膜形成諧振腔，光子經(jīng)諧振腔選模放大后，將沿平行于襯底表面的方向形成激光；VCSEL在芯片上下兩面鍍光學(xué)膜形成諧振腔，由于諧振腔與襯底垂直，光子經(jīng)選模放大后將垂直于芯片表面形成激光。EEL與VCSEL各具優(yōu)勢(shì)，EEL的輸出功率、電光轉(zhuǎn)化效率更高，而VCSEL具有閾值電流低、單波長(zhǎng)工作穩(wěn)定、可高效調(diào)制、易二維集成、無腔面閾值損傷、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。EEL進(jìn)一步分為FP/DFB/EML三類，應(yīng)用場(chǎng)景相異。FP、DFB為獨(dú)立器件，通過控制電流的有無來調(diào)制信息輸出激光，故被稱為直接調(diào)制激光器芯片（DML）。在DML中，F(xiàn)P激光器誕生較早，主要用于低速率短距離傳輸；DFB在FP激光器的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，采用光柵濾光器件實(shí)現(xiàn)單縱模輸出，主要用于高速中長(zhǎng)距離傳輸。DML通過調(diào)制注入電流來實(shí)現(xiàn)信號(hào)調(diào)制，然而注入電流的大小會(huì)改變激光器有源區(qū)的折射率，造成波長(zhǎng)漂移（啁啾）從而產(chǎn)生色散，限制了傳輸距離；同時(shí)，DML帶寬有限，調(diào)制電流大時(shí)激光器容易飽和，難以實(shí)現(xiàn)較高的消光比。電吸收調(diào)制激光器芯片（EML）較好地緩解了啁啾色散問題，它由EAM電吸收調(diào)制器與DFB激光器集成而來，信號(hào)傳輸質(zhì)量高，易實(shí)現(xiàn)高速率長(zhǎng)距離的傳輸，不過價(jià)格與能耗相對(duì)較高。3）激光器芯片材料：三五族化合物為主流，光學(xué)特性較硅更優(yōu)三五族化合物泛指由元素周期表的三族與五族元素構(gòu)成的合金化合物，種類豐富，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、砷化銦鎵（InGaAs），根據(jù)所含元素種類數(shù)又可分為二元化合物如InP，三元化合物如1?，四元及更高化合物等。硅是目前工業(yè)中最主要的半導(dǎo)體材料，廣泛用于集成電路，但在光電器件領(lǐng)域，三五族化合物卻因具有更好的光學(xué)特性而更為重要。三五族化合物具有直接帶隙，進(jìn)而電子在高低能級(jí)間躍遷時(shí)效率更高，進(jìn)而使芯片輸出激光的效率更高。帶隙是電子從低能級(jí)（價(jià)帶）躍遷高能級(jí)（導(dǎo)帶）所需吸收的最小能量，對(duì)應(yīng)的是價(jià)帶頂部與能帶底部的能量差距。直接帶隙是指在能量-波矢圖中，元素電子的價(jià)帶底與導(dǎo)帶頂對(duì)應(yīng)的波矢相同，反之，若二者波矢有異，則稱為間接帶隙。對(duì)于直接帶隙結(jié)構(gòu)，電子在價(jià)帶與導(dǎo)帶間的躍遷只需滿足能量守恒；對(duì)于間接帶隙結(jié)構(gòu)，由于價(jià)帶頂與導(dǎo)帶底的波矢不同，需在水平方向施加動(dòng)量方可使電子完成躍遷，也即：電子躍遷過程涉及聲子的吸收與發(fā)射——一方面，由低向高能級(jí)的躍遷必須要有聲子參與，這導(dǎo)致躍遷發(fā)生的概率降低，間接帶隙結(jié)構(gòu)發(fā)生電子躍遷的概率約為直接間隙結(jié)構(gòu)的1/1000；另一方面，躍遷釋放的大部分能量會(huì)轉(zhuǎn)換為聲子而非光子。此二因素決定了直接間隙結(jié)構(gòu)中電子在高低能級(jí)間的躍遷效率更高。如前所述，對(duì)于激光器芯片而言，輸出激光的關(guān)鍵在于“半導(dǎo)體中的電子吸收能量，由低能級(jí)向高能級(jí)躍遷—電子由不穩(wěn)定的高能級(jí)回落至低能級(jí)，在這一過程中以光子形式釋放能量”，可見，電子躍遷的效率是激光輸出效率的本源，故直接帶隙結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體更適用于制作激光器芯片。三五族化合物大都為直接間隙半導(dǎo)體材料，如GaAs、GaN、InP等，少部分三五族化合物如GaP及Ge、Si則屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，這是GaAs、InP等三五族化合物在激光器芯片制備中應(yīng)用普遍的基礎(chǔ)。三五族化合物可形成三元及以上化合物作為外延材料，通過調(diào)整各組分元素的比例,可獲得期望的激光輸出波長(zhǎng)，滿足多樣化的場(chǎng)景需求。激光器芯片輸出的激光源于從導(dǎo)帶層回落至價(jià)帶層時(shí)釋放的光子，故激光的波長(zhǎng)主要由釋放光子的波長(zhǎng)決定，而光子的波長(zhǎng)與光子的頻率進(jìn)而光子的能量成反比，故輸出激光的波長(zhǎng)將主要由“電子由導(dǎo)帶底回落至價(jià)帶頂釋放的能量大小”決定，即半導(dǎo)體材料的帶隙。對(duì)于Si、Ge而言，除電子躍遷效率較低外，它們?yōu)閱我徊牧?，帶隙固定，故只能發(fā)出單一波長(zhǎng)的光；對(duì)三五族化合物而言，單個(gè)化合物的帶隙同樣固定，但它們可按照不同比例進(jìn)行混合，形成不同的三元及以上化合物，由此可得多種帶隙。需指出，光芯片的襯底通常還是二元化合物，三元及以上化合物一般作為從襯底上生長(zhǎng)出的外延材料。三五族化合物中，InP與GaAs兩類材料在激光器光芯片襯底中居于主流。GaAs是目前研究得最成熟、生產(chǎn)量最大的化合物半導(dǎo)體材料，具有電子遷移率高、禁帶寬度大等優(yōu)點(diǎn)，適合于制造高頻、高速的器件與電路；InP則具有高電光轉(zhuǎn)換效率與高電子遷移率、抗輻射等品質(zhì)，二者各具優(yōu)勢(shì)。前述VCSEL面發(fā)射激光器芯片主要以GaAs材料為襯底，而FP、DFB、EML三類邊發(fā)射激光器芯片主要以InP材料為襯底。1.1.3.探測(cè)器芯片1）工作原理：依托光電效應(yīng)將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)探測(cè)器芯片又稱光電二極管(PD)，通過光電效應(yīng)識(shí)別光信號(hào)，轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。光電效應(yīng)是指在光照下，材料中的電子吸收光子的能量，若吸收的能量超過材料的逸出功，電子將逸出材料形成光電子，同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)帶正電的空穴。光電二極管工作時(shí)，在其雙極加上反向電壓——無光照射時(shí)，由于二極管反向高電阻的特性，電路中只存在很小的反向電流；有光照射時(shí)，由光電效應(yīng)產(chǎn)生的空穴將前往外接電壓的負(fù)極，光電子前往外接電壓的正極，從而增大二極管中的反向電流，由此實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的探測(cè)。2）典型探測(cè)器芯片：PIN、APD、SPAD應(yīng)用最廣泛，靈敏度漸增PIN光電二極管（PIN-PD）、APD（雪崩光電二極管）、SPAD（單光子雪崩二極管）的使用最為廣泛，三者靈敏度逐次提升。傳統(tǒng)的PN-PD二極管的基礎(chǔ)部件是PN結(jié)，P層由P型材料構(gòu)成，空穴居多（帶正電），N層由N型材料構(gòu)成，電子居多（帶負(fù)電），當(dāng)PN結(jié)受到光照時(shí)即可產(chǎn)生光電效應(yīng)。PIN-PD則是在P層與N層間引入了I層——I層為摻雜有極少量P型材料或N型材料的純凈本征半導(dǎo)體構(gòu)成。相較傳統(tǒng)的PN-PD，當(dāng)施加反向電壓時(shí)，I層將為PIN-PD提供更寬的耗盡區(qū)，從而提高光電轉(zhuǎn)化的效率。APD在PIN基礎(chǔ)上增添了高摻雜的P+與N+層，該結(jié)構(gòu)容易發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)。APD在較高的反向電壓下工作，吸收了光子形成的自由電子與空穴能被加速，進(jìn)而能獲得更多能量，與晶格碰撞產(chǎn)生一對(duì)新的電子-空穴對(duì)，連鎖反應(yīng)，使光電流陡增——此即雪崩倍增效應(yīng)，從而帶來電流增益，提高了光電二極管的響應(yīng)度與信噪比，主要運(yùn)用在長(zhǎng)距離或光功率受其他限制而較小的光纖通信系統(tǒng)。SPAD在高于擊穿電壓的反向電壓下工作，這一狀態(tài)高度不穩(wěn)定，單個(gè)光子即可引發(fā)大量的電子-空穴對(duì)雪崩進(jìn)而產(chǎn)生電流，理論上可實(shí)現(xiàn)單光子探測(cè)。由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，當(dāng)給SPAD施加高于擊穿態(tài)的偏置電壓時(shí)，二極管將處于亞穩(wěn)態(tài)，信號(hào)放大作用很大，甚至只探測(cè)到單光子也會(huì)引起雪崩效應(yīng)進(jìn)而出現(xiàn)電流脈沖。3）探測(cè)器芯片襯底：Si/Ge/InGaAs占主流探測(cè)器光芯片材料的選擇以材料光譜響應(yīng)特性為基礎(chǔ)，Si/Ge/InGaAs占據(jù)主流。光譜響應(yīng)特性是指保持入射光強(qiáng)度不變的情況下，不同波長(zhǎng)的光照射材料產(chǎn)生的光電流與入射光波長(zhǎng)之間的關(guān)系，可以用響應(yīng)度刻畫一種光芯片材料面對(duì)各種波長(zhǎng)入射光時(shí)的工作效率——響應(yīng)度越高，材料對(duì)該種波長(zhǎng)的檢測(cè)就越靈敏。當(dāng)前激光器芯片工作波長(zhǎng)以800nm-1600nm居多，Si、Ge、InGaAs材料在探測(cè)器中占據(jù)主流，且由三種材料的光譜響應(yīng)曲線來看，Si材料適用于800-1000nm波長(zhǎng)的光探測(cè)，Ge、InGaAs適用于對(duì)1000-1600nm波長(zhǎng)的光探測(cè)中。1.2.產(chǎn)業(yè)鏈：襯底價(jià)值量大，外延為核心1.2.1.光芯片制造：工藝復(fù)雜，外延為核心，IDM模式為主流相較邏輯芯片，光芯片生產(chǎn)各工藝綜合性更強(qiáng)，龍頭廠商多采用IDM經(jīng)營(yíng)模式。對(duì)于邏輯芯片廠商，新進(jìn)入的企業(yè)多采用Fabless模式，以此減少大規(guī)模資本投入，從而將更多資源集中投入電路優(yōu)化、版圖設(shè)計(jì)等研發(fā)環(huán)節(jié)。對(duì)于光芯片行業(yè)，廠商多采用IDM模式，主要因?yàn)楣怆娮悠骷裱厣に?，器件價(jià)值提升不完全依靠尺寸的縮小，而有賴于功能的增加。而特色工藝所需能力更加綜合，包括工藝、產(chǎn)品、服務(wù)、平臺(tái)等多個(gè)維度。IDM模式使各環(huán)節(jié)相互配合，綜合提升芯片性能，更靈敏回應(yīng)客戶需求。光芯片制造工藝流程繁多，晶體外延環(huán)節(jié)最關(guān)鍵。光芯片的工藝流程可分為外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、晶圓制造（晶圓外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)、光柵制作、波導(dǎo)光刻與金屬化制程）、芯片加工和測(cè)試（解理鍍膜、自動(dòng)化芯片測(cè)試、芯片高頻測(cè)試、可靠性測(cè)試驗(yàn)證）三大部分。外延為光芯片生產(chǎn)最主要和技術(shù)門檻最高環(huán)節(jié)，難點(diǎn)源自工藝壁壘及時(shí)間投入壁壘。就外延工藝上而言，通過MOCVD進(jìn)行精準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料精準(zhǔn)堆疊控制時(shí)，尤其是在有源區(qū)中，常要求多層堆疊的結(jié)構(gòu)每層厚度在10納米以下級(jí)別，做到對(duì)這一厚度水平的均勻精準(zhǔn)控制是一大壁壘。從基礎(chǔ)性時(shí)間投入而言，外延開發(fā)需廠商投入大量時(shí)間調(diào)試機(jī)臺(tái)條件參數(shù)，國內(nèi)企業(yè)在這一領(lǐng)域大都仍處于基本工積累階段。外延工藝海外公司較為成熟，國內(nèi)外差距較大，國產(chǎn)加速追趕。海外領(lǐng)先光芯片公司可自行完成芯片設(shè)計(jì)、晶圓外延等關(guān)鍵工序，能量產(chǎn)25G及以上速率光芯片。國內(nèi)廠商普遍具有除晶圓外延環(huán)節(jié)外的后端加工能力，而在外延這一核心技術(shù)領(lǐng)域并不成熟，需向國際廠商采購高端外延片。我國25G激光器芯片僅少部分廠商實(shí)現(xiàn)批量供貨，25G以上速率激光器芯片大部分廠商尚處研發(fā)或小規(guī)模試產(chǎn)階段。1.2.2.光芯片上游：襯底為核心原材料，海外廠商仍為主導(dǎo)襯底為光芯片核心原材料，成本占比最高、對(duì)芯片品質(zhì)影響力最大。光芯片所需原材料包括襯底、金靶與特殊氣體等。從成本看，根據(jù)源杰科技招股書，襯底在光芯片原材料成本中的占比往往高于30%，其供需將在較大程度影響光芯片制造廠商的生產(chǎn)成本。從對(duì)芯片品質(zhì)影響力來看，襯底材料一方面決定了激光器芯片發(fā)射光的波長(zhǎng)，另一方面決定探測(cè)器芯片對(duì)入射光的響應(yīng)度，且核心工藝——外延生長(zhǎng)將在襯底材料上完成，故襯底材料的品質(zhì)將在很大程度上影響光芯片的參數(shù)與可靠性。襯底供應(yīng)以海外廠商為主，國內(nèi)廠商替代率逐步提升。由于襯底對(duì)光芯片品質(zhì)影響較大，光芯片廠商傾向于向海外廠商采購襯底，如住友電工。與此同時(shí)，海外領(lǐng)先的襯底公司也提供外延生長(zhǎng)等業(yè)務(wù)，故而受到國內(nèi)廠商青睞。但近年國內(nèi)襯底廠商逐步提升襯底品質(zhì)，優(yōu)化襯底制造技術(shù)，憑借其性價(jià)比優(yōu)勢(shì)受到越來越多國內(nèi)光芯片制造企業(yè)的青睞。根據(jù)源杰科技招股書，2018-2020年其采購襯底的單價(jià)從785.69元/片持續(xù)下降至2020年的754.57元/片，一大重要原因即是增大了國內(nèi)廠商在襯底采購中的占比。1.2.3.光芯片下游：光模塊應(yīng)用廣泛光芯片經(jīng)加工封裝后得到光器件/光模塊，集成程度提升，單位價(jià)值量升高。光芯片經(jīng)加工后形成激光器、探測(cè)器產(chǎn)品，同時(shí)可與其余電子器件、無源器件結(jié)合，封裝形成光發(fā)射組件（TOSA）與光接收組件（ROSA），進(jìn)一步加工形成光模塊。封裝為光模塊后，一個(gè)光模塊具備多個(gè)通道，進(jìn)而可搭載多個(gè)光芯片，由此使一個(gè)光模塊的信息傳遞速率將為光芯片信息傳輸速率的若干倍，更貼合下游客戶的需求。得益于優(yōu)良特性，光芯片下游應(yīng)用廣泛。由于信號(hào)傳輸速率快、損耗小且穩(wěn)定性高，光纖通信在電信與數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)中已不可或缺，而其基礎(chǔ)正是光芯片。與此同時(shí)，得益于激光波長(zhǎng)集中、能量高的特點(diǎn)，光芯片被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)制造、醫(yī)療、消費(fèi)、汽車電子等領(lǐng)域。當(dāng)前，光通信與消費(fèi)電子是光芯片主要的應(yīng)用下游，而隨著智能駕駛的普及，以激光雷達(dá)為主要產(chǎn)品的汽車電子將迎來需求的迅猛增長(zhǎng)。1.3.產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)：光子替代電子大勢(shì)所趨1）光通信領(lǐng)域：“光進(jìn)銅退”趨勢(shì)延續(xù)“光進(jìn)銅退”主要是指實(shí)現(xiàn)以“窄帶+銅纜”為主網(wǎng)絡(luò)向以“寬帶+光纖”的網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)變的模式，本質(zhì)是光纖寬帶設(shè)備端口不斷下移、不斷靠近用戶的建設(shè)思想。對(duì)比銅纜，光纖具有明顯的優(yōu)勢(shì)：頻帶寬，信息容載量更大；最大傳輸距離更遠(yuǎn)；原材料（石英,SiO2）資源豐富；光纜纖芯直徑比銅纜更?。粨p耗低，中繼距離遠(yuǎn)；光纖為非金屬材料，不受電磁及頻道干擾；傳輸保密性能更好。“光進(jìn)銅退”成為網(wǎng)絡(luò)升級(jí)下的大勢(shì)所趨。隨著國內(nèi)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的不斷升級(jí)，“光進(jìn)銅退”成為重要的戰(zhàn)略發(fā)展方向：

（1）2000-2010年以來，國內(nèi)上網(wǎng)以銅線為主，ADSL是當(dāng)時(shí)主流的上網(wǎng)方式，在該時(shí)期還短暫出現(xiàn)過VDSL技術(shù)，網(wǎng)速已經(jīng)達(dá)到10Mbps。提高基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)覆蓋率是這一時(shí)期的重點(diǎn)，到2009年，我國網(wǎng)民人數(shù)已有3.84億，寬帶普及率達(dá)98.3%。（2）2011-2015年，F(xiàn)TTH開始滲透，2013年8月，國務(wù)院發(fā)布《“寬帶中國”戰(zhàn)略及實(shí)施方案》，首次在國家層面明確寬帶網(wǎng)絡(luò)的戰(zhàn)略性公共基礎(chǔ)設(shè)施地位。受益于“寬帶中國”戰(zhàn)略，該時(shí)期是“光進(jìn)銅退”發(fā)展最快的階段，光纖光纜滲透率在這一時(shí)期得到明顯提升。2015年底，國內(nèi)FTTH用戶數(shù)達(dá)1.2億戶，F(xiàn)TTH/O滲透率達(dá)59.3%。（3）2016年以來，“光進(jìn)銅退”趨勢(shì)依然在不斷演進(jìn)，光纖接入已步入成熟階段，F(xiàn)TTH/O對(duì)xDSL的替代已基本完成。2021年底，我國互聯(lián)網(wǎng)寬帶接入端口達(dá)10.2億個(gè)，F(xiàn)TTH/O用戶達(dá)5.06億戶，滲透率為94.3%。2）光傳感領(lǐng)域：硅光芯片+FMCW技術(shù)路線賦能車規(guī)市場(chǎng)硅光的高度集成性和超高兼容性非常契合激光雷達(dá)的制造需求，硅材料的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和集成工藝有助于降低激光雷達(dá)成本。全球范圍內(nèi)，Aeva、Mobileye以及Aurora（收購Blackmore）是三家硅光芯片+FMCW技術(shù)路線的激光雷達(dá)代表企業(yè)，Mobileye在2021年宣布將自主研發(fā)硅光FMCW技術(shù)路線，Aeva已于今年年初發(fā)布首款汽車級(jí)4D激光雷達(dá)傳感器。而在中國市場(chǎng)，洛微科技已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品化和驗(yàn)證階段，2021年初，洛微科技發(fā)布了第二代FMCWSoC芯片，為實(shí)現(xiàn)硅光FMCW4D激光雷達(dá)產(chǎn)品提供了核心技術(shù)。隨著相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，硅光芯片有望持續(xù)賦能汽車自動(dòng)駕駛，帶動(dòng)激光雷達(dá)產(chǎn)品的性能提升和成本優(yōu)化。此外，光能夠照射到組織和血管上以監(jiān)測(cè)、檢測(cè)和量化生物標(biāo)記，因此光子學(xué)還能夠賦能無創(chuàng)醫(yī)療監(jiān)測(cè)解決方案，用于小尺寸醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)電子市場(chǎng)的可穿戴設(shè)備。3）光計(jì)算領(lǐng)域：看好硅光計(jì)算長(zhǎng)期替代在計(jì)算領(lǐng)域，據(jù)OpenAI統(tǒng)計(jì)，自2012年起，每3-4個(gè)月人工智能算力需求就會(huì)翻倍，電子芯片的發(fā)展已日趨逼近摩爾定律極限，難以滿足高性能計(jì)算不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)吞吐需求。而硅光芯片用光子替代電子進(jìn)行傳輸，可以承載更多信息、傳輸更遠(yuǎn)距離，同時(shí)光子彼此間干擾少，能夠提供相較于電子芯片高兩個(gè)數(shù)量級(jí)的計(jì)算密度和低兩個(gè)數(shù)量級(jí)的能耗，能夠作為突破傳統(tǒng)微電子計(jì)算極限的解決方案。因而，從趨勢(shì)上看，以硅光芯片為基礎(chǔ)的光計(jì)算有望持續(xù)取代電子芯片在部分計(jì)算場(chǎng)景中的應(yīng)用。目前，光計(jì)算的相關(guān)研究仍然處于初期階段，解決方案和系統(tǒng)架構(gòu)仍然在探索中。如何將光計(jì)算融合到現(xiàn)有的通用計(jì)算中，并且更好地將光計(jì)算芯片化、集成化，是未來的研究方向，實(shí)現(xiàn)成熟的光計(jì)算技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈仍需時(shí)日。當(dāng)前，Intel、IBM等巨頭以及MIT、UCSB等機(jī)構(gòu)都在積極開發(fā)大規(guī)模光子集成芯片，國內(nèi)也涌現(xiàn)出曦智科技、光子算數(shù)等行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)。隨著硅基光子學(xué)技術(shù)的不斷成熟，光計(jì)算的優(yōu)勢(shì)將逐步彰顯。2.市場(chǎng)空間：數(shù)通領(lǐng)域復(fù)蘇，激光雷達(dá)支撐遠(yuǎn)期成長(zhǎng)2.1.概覽：激光雷達(dá)市場(chǎng)接力數(shù)據(jù)中心需求電信、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子、車載激光雷達(dá)是光芯片最主要的應(yīng)用領(lǐng)域。電信領(lǐng)域技術(shù)已較為成熟，國內(nèi)市場(chǎng)相關(guān)產(chǎn)品覆蓋率較高，未來增量空間主要來自速率升級(jí)需求；

數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)方興未艾，云計(jì)算廠商加大投資的步伐未減，市場(chǎng)中短期將維持較快增速；

消費(fèi)電子領(lǐng)域當(dāng)前市場(chǎng)參與者主要為蘋果，安卓廠商應(yīng)用3D傳感仍有空間；車載激光雷達(dá)領(lǐng)域潛力較大，隨著智能駕駛技術(shù)成熟、激光雷達(dá)成本下降，激光雷達(dá)裝車量有望大幅提升，遠(yuǎn)期需求星辰大海。2.2.電信領(lǐng)域：光纖入戶、5G基站建設(shè)、現(xiàn)有基站升級(jí)三大驅(qū)動(dòng)力電信領(lǐng)域光芯片發(fā)揮的主要作用為光電信號(hào)轉(zhuǎn)換。激光器芯片將電信號(hào)調(diào)制為光信號(hào)，探測(cè)器芯片的功能則相反，通過光電轉(zhuǎn)換，信息可經(jīng)由光纖實(shí)現(xiàn)高速穩(wěn)定的傳遞。光纖通信在不同層級(jí)通信網(wǎng)絡(luò)中均不可或缺，為光芯片創(chuàng)造廣闊應(yīng)用需求。由于傳輸距離較長(zhǎng)，骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)中的匯聚層一般采用光纖通信。對(duì)于有線接入網(wǎng)，其可分為銅纜接入、光纖同軸混合接入、光纖接入，由于光纖具有信息損耗小、帶寬高的特性，“光進(jìn)銅退”亦已成為有線接入網(wǎng)的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于無線接入網(wǎng)，基站內(nèi)部有源天線單元（AAU）與分布單元（DU）的連接同樣需要使用光纖，這一連接被稱為前傳網(wǎng)絡(luò)。2.2.1.下游趨勢(shì)：國內(nèi)光纖入戶、5G基站高滲透，全球仍具發(fā)展?jié)摿饫w入戶國內(nèi)普及率已處高位，存量市場(chǎng)速率升級(jí)。光纖接入可分為FTTB（光纖到樓）、FTTC（光纖到路邊）、FTTH（光纖入戶）等，統(tǒng)稱為FTTx，其中光纖入戶FTTH是用戶接入光纖的最直接方式，被用以衡量光纖接入的成熟程度。我國光纖入戶普及率已處高位——截至2022年9月底，我國光纖接入（FTTH/O）端口在所有寬帶接入端口中的占比已達(dá)95.5%，且根據(jù)Omida發(fā)布的光纖發(fā)展指數(shù)報(bào)告，中國已連續(xù)兩年排行全球第四。光纖入戶安裝保持著10%的同比增速，但隨著普及率逐步攀高，需求的增量空間較小。從存量升級(jí)看，我國正實(shí)施“雙千兆”發(fā)展戰(zhàn)略，截至2022年9月底，千兆光纖寬帶用戶數(shù)為7603萬，在所有固定寬帶用戶中占比13.1%，仍存較大發(fā)展空間。光纖入戶速率升級(jí)將是短期內(nèi)的需求推動(dòng)力。全球市場(chǎng)光纖入戶占比相對(duì)不高，光纖網(wǎng)絡(luò)發(fā)展空間較大。截至2021年9月底，德國有95%的固定寬帶用戶仍采用電纜接入，法國、英國的光纖接入用戶占有線接入的比例分別為34%、56%，美國光纖接入用戶占比則為14%。光纖入戶能大幅提升通信速率與安全性、穩(wěn)定性，是有線接入的必然發(fā)展趨勢(shì)，各國政府、企業(yè)也均擬定時(shí)間表完善光纖入戶布局，譬如歐盟計(jì)劃在2030年使千兆光纖網(wǎng)絡(luò)覆蓋所有家庭，美國預(yù)計(jì)在2027年使光纖入戶覆蓋家庭數(shù)由當(dāng)下的4400萬戶增長(zhǎng)至8200萬戶。由此來看，歐洲及美國兩大主要市場(chǎng)的光纖網(wǎng)絡(luò)還具有較大擴(kuò)張空間。5G基站建設(shè)領(lǐng)域，國內(nèi)整體滲透率已處較高水平，但各個(gè)城市內(nèi)的覆蓋率尚存提升空間，小基站建設(shè)推動(dòng)城市內(nèi)覆蓋率提升，也使5G基站新增數(shù)目維持高速增長(zhǎng)。2020年我國新增5G基站超60萬站，21年凈新增超65萬站、2022年前三季度已凈新增79.5萬站，基站數(shù)目的高速增長(zhǎng)為光芯片創(chuàng)造了廣闊需求。2020年我國已宣布所有地級(jí)以上城市實(shí)現(xiàn)5G全覆蓋，2021年時(shí)實(shí)現(xiàn)5G覆蓋超過98%的縣城城區(qū)與80%的鄉(xiāng)鎮(zhèn)街區(qū)，基站建設(shè)正由宏基站向小基站過渡，實(shí)現(xiàn)區(qū)域內(nèi)部更深度的5G覆蓋。2.2.2.應(yīng)用種類：光纖入戶2.5G占主流，移動(dòng)通信10G/25G占主流以工藝劃分，電信領(lǐng)域激光器主要采用VCSEL、DFB、EML三種光芯片，VCSEL主要用于500米以內(nèi)的短距離傳輸，DFB主要用于中長(zhǎng)距離傳輸，如FTTx接入網(wǎng)、無線基站等，EML主要用于長(zhǎng)距離傳輸，如高速率遠(yuǎn)距離的骨干網(wǎng)與城域網(wǎng)等。目前EML激光器芯片大規(guī)模商用的最高速率已達(dá)到100G，DFB、VCSEL激光器芯片大規(guī)模商用的最高速率為50G。以速率劃分，光纖接入主要應(yīng)用2.5G光芯片，移動(dòng)通信領(lǐng)域主要應(yīng)用10G、25G光芯片。從市場(chǎng)規(guī)?？?，2021年全球移動(dòng)通信領(lǐng)域光模塊的應(yīng)用情況為：10G及以下速率光模塊占比33.3%，25G及以上速率光模塊占比66.7%，這一占比與移動(dòng)通信領(lǐng)域10G/25G光芯片的分布大體一致。2021年國內(nèi)5G建設(shè)為10G光芯片創(chuàng)造的需求最多，但展望未來，25G光芯片創(chuàng)造的需求或?qū)⒒嘏?020年5G基站建設(shè)伊始，對(duì)25G光芯片的需求提升；但由于電信運(yùn)營(yíng)商基站建設(shè)目標(biāo)的調(diào)整，2021年5G基站建設(shè)所需的光芯片逐漸從以25G高速率為主變成以10G為主，對(duì)25G光芯片的采購減少。各運(yùn)營(yíng)商逐步在小基站領(lǐng)域展開建設(shè)布局。小基站旨在中短距離下提供較高帶寬，從而為醫(yī)院、酒店、大型商場(chǎng)等場(chǎng)所提供信號(hào)輔助。其對(duì)覆蓋范圍要求較低，對(duì)所需帶寬則提出更高標(biāo)準(zhǔn)，25G光芯片或與小基站建設(shè)的需求更為契合。2.2.3.電信領(lǐng)域光芯片市場(chǎng)規(guī)?；贚ightcounting對(duì)FTTx（光纖接入）、移動(dòng)通信光模塊市場(chǎng)規(guī)模的計(jì)算，以及源杰科技、中際旭創(chuàng)等公司披露的成本資料，電信領(lǐng)域光芯片市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算如下，我們預(yù)計(jì)2025年電信領(lǐng)域光芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)13.96億美元，2021-2025CAGR達(dá)8.1%。2.3.數(shù)據(jù)中心：光模塊速率持續(xù)提升，資本開支驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)數(shù)據(jù)中心是一種擁有許多存儲(chǔ)并處理大量信息的計(jì)算機(jī)的設(shè)施，基于數(shù)據(jù)中心云計(jì)算商可為客戶提供云服務(wù)，例如使用戶無需購買、擁有和維護(hù)數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器即可獲得計(jì)算能力、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)庫等技術(shù)服務(wù)。云計(jì)算廠商會(huì)努力在全球各地布置基礎(chǔ)設(shè)施，例如在全球各地設(shè)立可用區(qū)，于其中布置邊緣站點(diǎn)與區(qū)域性緩存站點(diǎn)，而客戶可以在位于當(dāng)?shù)氐臄?shù)據(jù)中心上運(yùn)營(yíng)服務(wù)，從而取得更快的響應(yīng)速度，同時(shí)確保運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)能保留在國內(nèi)。在這一領(lǐng)域，光芯片主要用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在大型數(shù)據(jù)中心內(nèi)部、數(shù)據(jù)中心間的傳輸，這與光芯片在電信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)的功能十分相近。2.3.1.下游趨勢(shì)：云計(jì)算廠商營(yíng)收與CAPEX高速增長(zhǎng)受益于經(jīng)濟(jì)回暖、數(shù)字化趨勢(shì)、更多產(chǎn)業(yè)逐漸上云，云計(jì)算巨頭營(yíng)收規(guī)模增長(zhǎng)迅猛。2016-2021年，Amazon/Google/Microsoft/阿里云的營(yíng)收規(guī)模CAGR分別為38.5%/47.5%/21.2%/69.7%。一方面，數(shù)字化正成為越來越多的產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，云可以使各種公司輕松調(diào)用已有技術(shù)，更快地進(jìn)行創(chuàng)新，還能根據(jù)實(shí)際需求預(yù)置資源，將公司原本用于數(shù)據(jù)中心和物理服務(wù)器等設(shè)備的固定支出轉(zhuǎn)變?yōu)榘磳?shí)際用量付費(fèi)的可變支出，優(yōu)化公司的成本；另一方面，各公司力求在后疫情時(shí)代擴(kuò)大規(guī)模并提高靈活度，故加緊行動(dòng)，比原來更積極地使用云基礎(chǔ)設(shè)施與云服務(wù)產(chǎn)品。云計(jì)算巨頭CAPEX維持較高增速，且各廠商大量投資數(shù)據(jù)中心的態(tài)度堅(jiān)定，這將為光芯片創(chuàng)造出大量需求。2015-2021年，Amazon/Google/Microsoft/阿里云CAPEX的CAGR分別為52.6%/19.3%/20.4%/39.4%，數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，光芯片增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力主要有：

第一，新建可用區(qū)、增添基站帶來的數(shù)據(jù)中心數(shù)目增量；第二，數(shù)據(jù)中心升級(jí)改造，服務(wù)器與交換機(jī)速率提升創(chuàng)造的增量。而各巨頭大多認(rèn)為當(dāng)前云計(jì)算尚處產(chǎn)業(yè)早期，表示會(huì)繼續(xù)加大投資，進(jìn)而將為光芯片帶來穩(wěn)定的需求增量。2.3.2.應(yīng)用種類：VCSEL與EEL互補(bǔ)，速率需達(dá)到50G及以上從襯底與工藝看，InP襯底用于制作FP、DFB、EML邊發(fā)射激光器芯片和PIN、APD探測(cè)器芯片，它們適用于中長(zhǎng)距離的數(shù)據(jù)中心間傳輸。GaAs用于制作VCSEL芯片，主要用于數(shù)據(jù)中心之內(nèi)的傳輸。從速率看，數(shù)據(jù)中心對(duì)光芯片的要求在通信領(lǐng)域排名最高。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所需光芯片以25G、50G、100G的速率為多。隨著數(shù)據(jù)中心流量快速增長(zhǎng)，更高速率光模塊的市場(chǎng)需求將不斷凸顯，而傳統(tǒng)技術(shù)主要通過多通道方案實(shí)現(xiàn)100G以上光模塊速度的提升，而若數(shù)據(jù)中心進(jìn)入400G及更高速率的平臺(tái)，每一通道所需的激光器芯片速率也將隨之提升至100G。傳統(tǒng)的DFB激光器芯片短期內(nèi)無法同時(shí)滿足高帶寬、高良率的要求，故需考慮采用EML激光器芯片，從而實(shí)現(xiàn)單波長(zhǎng)100G的高速傳播。當(dāng)前國內(nèi)云計(jì)算公司與國外公司使用的光模塊速率尚存差距，進(jìn)而影響該領(lǐng)域國內(nèi)外下游市場(chǎng)對(duì)光芯片的需求。海外互聯(lián)網(wǎng)公司前期主要使用100G及光模塊，2020年起開始大規(guī)模向200G/400G光模塊過渡。國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)公司目前主要使用40G/100G光模塊，并從2022年開始推進(jìn)200G/400G光模塊批量部署。2.3.3.數(shù)通領(lǐng)域光芯片市場(chǎng)規(guī)模受益于數(shù)據(jù)中心增量需求與存量升級(jí)改造的需求，我們預(yù)測(cè)光模塊總銷售額在2021-2027間或?qū)崿F(xiàn)CAGR=14%。光模塊需求維持較快增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，一是廠商服務(wù)地域擴(kuò)大，可用區(qū)、數(shù)據(jù)中心數(shù)目增多；二是數(shù)據(jù)中心升級(jí)改造，迭代為更高速率光模塊。我們預(yù)測(cè)2021-2027年云計(jì)算公司為光芯片創(chuàng)造的需求將穩(wěn)步增長(zhǎng)，CAGR=16%，2027年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.2億美元。這一計(jì)算包含兩類假設(shè)：①隨著25G及以上高速率光模塊國產(chǎn)化率提升，其價(jià)格下降，毛利率有所下降；②直接材料占光模塊成本比例、光芯片及組件占光模塊材料成本比例、光芯片占光芯片及組件的成本比例變化較小。2.4.消費(fèi)電子：蘋果主導(dǎo)，940nmVCSEL為主流相較普通攝像頭，3D傳感（包含雙目立體測(cè)距、結(jié)構(gòu)光、TOF）可探測(cè)環(huán)境的深度特征，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域。3D傳感通常由多個(gè)攝像頭與深度傳感器組成，通過投射特殊波段的主動(dòng)式光源、計(jì)算光線發(fā)射和反射時(shí)間差等方式，獲取物體的深度信息。3D傳感攝像頭可實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別、手勢(shì)識(shí)別、三維建模等多項(xiàng)功能，可適用于移動(dòng)設(shè)備、機(jī)器人、安防監(jiān)控等多種終端，人臉識(shí)別為當(dāng)前3D傳感攝像頭最主流的功能。光芯片用于發(fā)射激光作為測(cè)距基礎(chǔ)，在結(jié)構(gòu)光方案、TOF方案中均不可或缺。對(duì)于結(jié)構(gòu)光傳感器，其主要由激光投影模組、光學(xué)成像模組、圖像處理芯片組成，其中激光投影模組用于向待測(cè)物體投射光斑，包含激光發(fā)射器、透鏡、衍射光學(xué)元件等部件，光芯片即用于構(gòu)成激光發(fā)射器。對(duì)于TOF方案，激光器芯片主要用于發(fā)射激光脈沖，同時(shí)SPAD等探測(cè)器光芯片也有應(yīng)用。2.4.1.下游趨勢(shì)：蘋果主導(dǎo)，安卓陣營(yíng)中滲透率有望提升蘋果產(chǎn)品為3D傳感消費(fèi)電子市場(chǎng)增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力。2016、2017年前后，蘋果與安卓陣營(yíng)的華為、聯(lián)想引入3D傳感攝像頭，后不同的安卓廠商也作此嘗試，但只有蘋果堅(jiān)持迭代發(fā)展至今。蘋果在手機(jī)前后均采用3D攝像頭，并使旗下產(chǎn)品具有超高精度3D面部識(shí)別的功能。2021年，蘋果銷量大漲，推動(dòng)3D傳感消費(fèi)電子領(lǐng)域的銷售達(dá)36億元/3.26億臺(tái)，安卓則未有明顯推進(jìn)。當(dāng)前3D傳感器在安卓產(chǎn)品中滲透率不高，但消費(fèi)者習(xí)慣將逐漸養(yǎng)成，滲透率將逐漸提升。根據(jù)Yole分析，安卓當(dāng)前未廣泛采用3D傳感的原因主要是1）對(duì)特定的功能，如生物識(shí)別，屏下指紋比3D傳感對(duì)應(yīng)的人臉識(shí)別性價(jià)比更高；2）后置攝像頭上的3D傳感器暫無足夠優(yōu)秀的應(yīng)用與之匹配，當(dāng)前只有少量AR游戲和功能不常用的APP。未來隨著消費(fèi)者認(rèn)同感增強(qiáng)，安卓陣營(yíng)3D傳感有提升空間。我們預(yù)計(jì)受蘋果銷量增加及3D傳感滲透率上升驅(qū)動(dòng)，消費(fèi)電子3D傳感市場(chǎng)規(guī)模將穩(wěn)步增長(zhǎng)。2.4.2.應(yīng)用種類：940nmVCSEL芯片在消費(fèi)電子領(lǐng)域占主流從工藝看，結(jié)構(gòu)光方案中多用EEL、VCSEL光芯片。EEL產(chǎn)品一般體積較大，用于較大測(cè)量范圍的應(yīng)用場(chǎng)景；VCSEL體積小，用于較小測(cè)量范圍應(yīng)用場(chǎng)景。TOF方案也多以VCSEL芯片充當(dāng)激光器，SPAD芯片作探測(cè)器。從波長(zhǎng)看，應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域光芯片以940nm的VCSEL光芯片為主流；但未來若更多移動(dòng)設(shè)備廠商發(fā)展屏下攝像頭，13xx/14xxnm波長(zhǎng)將成為主流，這一波長(zhǎng)的VCSEL芯片將以InP作為襯底。2.4.3.消費(fèi)電子光芯片市場(chǎng)規(guī)?；趯?duì)安卓、蘋果產(chǎn)品未來3D傳感滲透率的分析及2020-2022蘋果的銷量數(shù)據(jù)，對(duì)消費(fèi)電子領(lǐng)域光芯片的市場(chǎng)規(guī)?？勺龀鰷y(cè)算。我們預(yù)計(jì)2025年消費(fèi)電子領(lǐng)域光芯片將有13.70億美元的市場(chǎng)規(guī)模，2021-2025年CAGR=14.6%。2.5.車載激光雷達(dá)：光芯片的新藍(lán)海光芯片為激光雷達(dá)提供激光脈沖發(fā)射與接收。激光雷達(dá)是一種綜合的光探測(cè)與測(cè)量系統(tǒng)——激光器激勵(lì)源驅(qū)動(dòng)激光器向目標(biāo)發(fā)射激光脈沖，掃描系統(tǒng)以穩(wěn)定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)平面的掃描，而光電探測(cè)器接收目標(biāo)反射回的激光，接收信號(hào)經(jīng)處理系統(tǒng)放大處理、轉(zhuǎn)換、計(jì)算后得到目標(biāo)物體表面形態(tài)、物理屬性等特征。激光雷達(dá)主要包括激光發(fā)射、掃描系統(tǒng)、激光接收和信息處理四大系統(tǒng)，相輔相成，其中激光發(fā)射系統(tǒng)主要包括半導(dǎo)體激光器、激光器激勵(lì)源、激光調(diào)制器，是激光雷達(dá)的核心系統(tǒng)。而半導(dǎo)體激光器作為激光發(fā)射系統(tǒng)的核心器件，為整個(gè)激光雷達(dá)提供激光脈沖。2.5.1.下游趨勢(shì)：車載雷達(dá)為光芯片最快增速支點(diǎn)受益于高級(jí)輔助駕駛/自動(dòng)駕駛技術(shù)逐漸成熟，激光雷達(dá)前景廣闊，大勢(shì)所趨。高級(jí)輔助駕駛/自動(dòng)駕駛的實(shí)現(xiàn)方案中，當(dāng)前存在“純視覺”與“多傳感器融合”兩種方案，其中特斯拉采用前者,其余車企大都采用后者。首先，隨著高級(jí)輔助駕駛/自動(dòng)駕駛技術(shù)逐漸成熟，搭載自動(dòng)駕駛功能的汽車將不斷放量，從總量上為激光雷達(dá)創(chuàng)造大量需求。其次，純視覺方案需要極強(qiáng)的數(shù)據(jù)與算法積累，故除特斯拉外，其余車企較難選擇這一方案，再加上多傳感器融合方式將為汽車增添安全冗余——少許傳感器的故障能由互補(bǔ)傳感器彌補(bǔ)，故“多傳感器方案”或?qū)⒊蔀槲磥碥嚻笾髁?。?dāng)前囿于成本，搭載高精度激光雷達(dá)的產(chǎn)品不多，但隨著激光雷達(dá)成本下降，高品質(zhì)激光雷達(dá)滲透率將進(jìn)一步提升。2.5.2.應(yīng)用種類：EEL/VCSEL應(yīng)用廣泛，905/1550或?qū)⒐泊姘垂に噭澐郑珽EL、VCSEL激光雷達(dá)光芯片中應(yīng)用最為廣泛。EEL采用納米堆疊技術(shù)（P-N結(jié)相互堆疊），主要優(yōu)點(diǎn)是在小區(qū)域/小尺寸內(nèi)提供高功率激光輸出，這使其成為遠(yuǎn)程激光雷達(dá)的首選技術(shù)。從供應(yīng)廠商來看，歐司朗的EEL光芯片在汽車電子中獲主流應(yīng)用，Lumentum的EEL芯片則主要用于消費(fèi)級(jí)別。VCSEL芯片也具備激光雷達(dá)所需的優(yōu)良性質(zhì)，同時(shí)制造工藝與EEL相兼容，大規(guī)模制造的成本較低。由于歐司朗掌握著EEL光芯片的重要專利技術(shù)，其余光芯片廠商主要從VCSEL芯片尋求突破，Lumentum、Finisar、II-VI、長(zhǎng)光華芯等國內(nèi)外巨頭在這一領(lǐng)域均有布局。按波長(zhǎng)劃分，905nm為激光雷達(dá)光芯片首選波長(zhǎng)