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先根據(jù)英文Datasheet描述芯片各個(gè)引腳的功能。圖1UCC3895內(nèi)部原理框圖一、引腳功能表1引腳功能描述引腳名稱及序號(hào)I/O功能描述ADS11I自適應(yīng)延遲設(shè)定,即用于設(shè)定最大、最小可調(diào)輸出延遲死區(qū)時(shí)間的比例。CS12I用于逐周限流的電流采樣輸入以及作為過流比較器輸入。CT7I外接晶振定時(shí)電容以設(shè)定開關(guān)頻率。UCC3895的晶振通過一個(gè)可設(shè)定的電流給定時(shí)電容充電。DELAB9I在互補(bǔ)輸出端設(shè)定延遲。DELAB可調(diào)整OUTA和OUTB之間的死區(qū)時(shí)間。DELCD10I在互補(bǔ)輸出端設(shè)定延遲。DELCD可調(diào)整OUTC和OUTD之間的死區(qū)時(shí)間。EAOUT2I/O誤差放大器輸出。EAP20I誤差放大器的同相輸入端,為保證芯片正常工作,此引腳需保持3.6V以下。EAN1I誤差放大器的反相輸入端,為保證芯片正常工作,此引腳需保持3.6V以下。GND5-除輸出級(jí)外芯片所有電路的接地端。OUTA18O4個(gè)輸出,能輸出100mA電流的互補(bǔ)MOS驅(qū)動(dòng)器。OUTB17OOUTC14OOUTD13OPGND16-輸出級(jí)接地端。RAMP3IPWM比較器的反相輸入端。REF4O輸出電壓5V±1.2%,5mA的參考電壓。引腳需對(duì)GND接一個(gè)0.1uF的低ESR、低ESL的電容。使用的電容總?cè)萘坎荒艹^1.0uF。RT8I用于設(shè)定開關(guān)頻率的定時(shí)電阻引腳。SS/DISB19I軟啟動(dòng)/使能,此引腳包含兩個(gè)獨(dú)立的功能。SYNC6I/O晶振同步,引腳是即可作輸入也可作輸出。VDD15I芯片供電輸入引腳。VDD需對(duì)GND接一個(gè)最小為1.0uF的低ESR、低ESL的電容。二、各部分電路原理1.晶振工作原理圖2晶振原理框圖(1)芯片獲得供電前,電容CT電壓為0V,上電后U1、U2開始工作,其中U2輸入端差模電壓>0,因而其輸出端為高電平,即觸發(fā)器TR1的復(fù)位端R為高電平,其輸出端Q復(fù)位為低電平,因此MOS管Q2截止,Q1導(dǎo)通,此時(shí)VREF可通過Q1給定時(shí)電容CT充電;(2)定時(shí)電容CT上的電壓以恒定速率(充電電流恒定為8*IRT)開始上升,當(dāng)電容上升至2.5V時(shí),U1輸出端電平由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平,即觸發(fā)器TR1的置位端S為高電平,其輸出端Q置位為高電平。此時(shí),Q1截止,Q2、Q3導(dǎo)通,CT的電壓迅速被拉低至0.2V以下,使U2輸出端由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平,重復(fù)上述步驟(1)的動(dòng)作。通過步驟(1)、(2),晶振能輸出穩(wěn)定的方波,維持芯片開關(guān)頻率的正常。其流程圖及時(shí)序圖見圖3、圖4圖3晶振工作流程圖圖4晶振時(shí)序圖2.驅(qū)動(dòng)輸出的產(chǎn)生原理TR2、TR3、TR4是具有異步置位、復(fù)位端的維持阻塞D觸發(fā)器,其真值表如下所示:表2D觸發(fā)器真值表RSCPDQn+1功能10XX0復(fù)位01XX1置位11XXX不允許00↑00置000↑11置1000XQn保持芯片正常工作時(shí)有:(1)U5、U6、U7的輸出都是高電平,所以A4輸出低電平。(2)過流保護(hù)比較器U4輸出低電平。(3)供電正常,基準(zhǔn)正常,在SS腳電壓沒有上升到0.5V前,U5輸出低電平,A4輸出高電平,觸發(fā)器TR5被清零,即Q端輸出低電平,端輸出高電平。隨著SS腳電壓上升,U5輸出高電平,A4輸出低電平,TR5狀態(tài)保持。即芯片正常工作后,TR5保護(hù)前一時(shí)刻的輸出狀態(tài)始終為Q端輸出低電平,端輸出高電平。(4)綜合(1)(2)(3),或門O1的輸出端在正常工作時(shí)輸出低電平,所以,根據(jù)表2,可知TR2的Q端輸出低電平,端輸出高電平。(5)另外,U3、U9在正常工作時(shí)輸出都是高電平,因此用1表示。綜上所述,可以將正常工作時(shí)參與驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生的原理框圖簡化成下圖所示:圖5正常工作原理框圖簡化圖
為方便理解,忽略DELAYA、B、C、D的延遲功能。圖5中,輸出驅(qū)動(dòng)OUTA、OUTB的產(chǎn)生僅與TR1有關(guān),而OUTC、OUTD的產(chǎn)生則要復(fù)雜許多:首先,誤差放大器EAOUT與RAMP比較,產(chǎn)生PWM信號(hào)輸入至與非門A1的B端;然后,A1輸入端的三個(gè)信號(hào)進(jìn)行與的比較,產(chǎn)生的輸出送至與門A2的B端,A2的B端與TR3的Q端進(jìn)行與操作,在TR4S產(chǎn)生置位信號(hào);再之,A3的B端(TR3)與A1的輸出進(jìn)行與操作,在TR4R產(chǎn)生復(fù)位信號(hào);最后,根據(jù)不同時(shí)刻的RS,確定OUTC、OUTD信號(hào)。在沒有正常工作前,TR1S是高電平,根據(jù)TR2接法及表2,可知TR2Q是高電平,TR2為低電平,TR3Q高電平,TR3及TR3D為低電平。根據(jù)此狀態(tài),當(dāng)TR2S為低電平(即芯片開始有輸出)時(shí),其驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生時(shí)序如下圖6所示:圖6輸出時(shí)序圖(不包含延遲)3.驅(qū)動(dòng)延遲功能的實(shí)現(xiàn)原理根據(jù)圖7,可以推導(dǎo)出DELAB/DELCD的電壓值:(1)延遲時(shí)間由DELAB/DELCD所接的電阻RDEL及上式(1)的VDEL決定,公式如下:(2)由式(2)可知,電阻RDEL確定,延遲時(shí)間由帶載情況決定。帶載越大,VCS越大,那么VDEL就越大,而延遲時(shí)間tDELAY就越小,反之tDELAY越大。根據(jù)圖5的原理框圖可知,與門A9的B、C端存在延遲時(shí),其輸出的上升沿是在C端的上升沿開始,下降沿則是在B端的下降沿結(jié)束。OUTB則是輸出的上升沿是在B端的上升沿開始,下降沿則是在C端的下降沿結(jié)束。OUTC、OUTD的死區(qū)調(diào)整過程與OUTA、OUTB類似。因此,增加死區(qū)調(diào)整的OUTA、OUTB如下圖8所示:圖7自適應(yīng)延遲時(shí)間的設(shè)定原理框圖圖8死區(qū)調(diào)整時(shí)序圖4.PWM調(diào)制原理當(dāng)電源輸出帶載增大或減小時(shí),會(huì)帶導(dǎo)致U2的輸出電壓上升或下降,此時(shí),芯片占空比會(huì)增大或減小,這樣就起到了PWM調(diào)制的作用。5.異常保護(hù)原理保護(hù)電路框圖見圖9.(1)SS引腳拉低保護(hù)當(dāng)SS腳電壓被拉低至0.5V以下,U2的輸出將被關(guān)閉,導(dǎo)致U9輸出低電平,進(jìn)而導(dǎo)致A6~A9輸出被迅速關(guān)閉,此功能即為SS的Disable功能;同時(shí),SS腳低0.5V時(shí),會(huì)使A4輸出高電平,進(jìn)而或門O1輸出高電平,TR2為低電平,這樣A6~A9輸出也會(huì)被關(guān)閉。(2)供電欠壓及參考電壓異常保護(hù)當(dāng)供電欠壓(<9V)或參考電壓欠壓(<4V),那么U7或U
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