TCASAS 025-2023 8英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸

ICS29.045CCSH80/84團(tuán) 體 標(biāo) 準(zhǔn)T/CASAS025—20238英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸8-inchsiliconcarbidewaferreferencemarkinganddimensions版本：V01.002023-06-19發(fā)布 2023-06-19實(shí)施第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 發(fā)布T/CASAS025—2023T/CASAS025—2023目 次前言 III引言 范圍 1規(guī)性用件 1術(shù)和義 18寸化基標(biāo)明 1規(guī)定 1口關(guān)數(shù) 1化標(biāo)記 3參考獻(xiàn) 4I前 言本文按照GB/T1.1—2020《準(zhǔn)工導(dǎo)則 第1部：準(zhǔn)文的構(gòu)和草則定起。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。CASASCASASCASAS北京）IIIT/CASAS025—2023T/CASAS025—2023引 言6（notch）8IVT/CASAS025—2023T/CASAS025—20238英寸碳化硅襯底片基準(zhǔn)標(biāo)記及尺寸范圍8注：碳化硅襯底片主要用于制作電力電子器件的外延襯底。本文件沒有規(guī)范性引用文件。本文件沒有需要界定的術(shù)語和定義。88英寸碳化硅襯底片的直徑、厚度參數(shù)如表1所示，直徑為200mm±0.5mm，厚度為500μm±25μm。表1 8英碳硅底參數(shù)參數(shù)數(shù)值直徑/mm200直徑允許偏差/mm±0.5厚度/μm500厚度允許偏差/μm±25規(guī)定821.0+0.59+50 -1取向?yàn)閇1100]±5°。表2 切口關(guān)數(shù)參數(shù)數(shù)值深度/mm1.00+0.250角度/(°)90+5-11T/CASAS025—2023T/CASAS025—2023參數(shù)數(shù)值取向[11圖1為23圖1 8英碳硅底的口及向硅朝上圖2 切口狀圖3 切口關(guān)寸標(biāo)為口）2T/CASAS025—2023T/CASAS025—2023圖4 切口物圖圖5 切口大圖對硅面拋光的碳化硅襯底片，襯底片碳面用與OCR兼容的字體進(jìn)行激光標(biāo)記，類似于SEMIM12中的定義和特征。圖6為激光標(biāo)記位置，觀察面為碳面，缺口向下，激光標(biāo)記向右偏移。圖6 激光記置碳朝上3T/CASAS025—2023T/CASAS025—2023參 考 文 獻(xiàn)GB/T12965—2018 GB/T26067—2010 GB