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DELININSTITUTEOFTECHNOLOGY羋導(dǎo)體制造技術(shù)第12章金屬化課程大綱解釋金屬化之專有名詞。2.能列出和說明晶圓制造中6種金屬。討論每一種金屬的特性要求及應(yīng)用。3.能解釋銅金屬化在晶圓制造中之優(yōu)點。描迒銅制程之挑戰(zhàn)性。4.敘逝濺鍍之優(yōu)點及缺點。5.敘迒濺鍍之物理特性及討論不同的濺鍍工具及應(yīng)用。6.敘此金屬CVD之優(yōu)點及應(yīng)用。7.解釋銅電鍍之原理8.描迒雙鑲嵌式制程之流程。多層金屬化「金屬內(nèi)聯(lián)機結(jié)構(gòu)金屬堆棧內(nèi)聯(lián)具有鎢插塞之介質(zhì)孔內(nèi)聯(lián)機結(jié)構(gòu)層間介電質(zhì)區(qū)域內(nèi)聯(lián)機(鎢)國初始金屬接觸0.25微米CMOS橫切面硅基板之?dāng)U散區(qū)傳統(tǒng)及鑲嵌式金屬化傳統(tǒng)內(nèi)聯(lián)機流程雙鑲嵌式流程蓋D層及CMP蓋LLD層及CMP氮化物蝕刻停止層案化及蝕刻氧化層介質(zhì)孔-2蝕刻第二ⅡD層沈積及蝕刻穿層鎢沈積+CMP銅無填金屬-2沈積+蝕刻銅CMP圖12.2銅金屬化lETAL5(Cu)sAL4(Cu)METAL3(Cu)METAL1(MMicrographcourtesyofIntegratedCircuitEngineering)照片12成功的金屬材料之需求導(dǎo)電性2.附著性3.沈積4.圖案及不坦化5.可靠度6.腐蝕性7.應(yīng)力及選用晶圓制造的金屬(在20C)材料熔點(°C)電阻率(uQ2-cm)1412≈10多晶矽(Dopedpoly)1412≈500-525鋁(AI)6602.65銅(Cu)0831.678鎢(W)鈇(Ti)67060鉏(Ta)2620金(Pt)177210表12晶圓制造中所用的金屬及合金鋁鋁銅鋁一銅合金■阻障層金屬■硅化金屬金屬插塞鋁內(nèi)聯(lián)機金屬-5接合墊(鋁)上層氮化物ILD-6金屬-4LD-5介質(zhì)孔-4金屬-3LD4K金屬-4是位于其他介質(zhì)孔、層間介電質(zhì)和金屬層之上圖1

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