模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

1/22……最新資料推薦…………………模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一。半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.半導(dǎo)體——-導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。2。特性—-—光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導(dǎo)體————純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4。兩種載流子-—--帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體——-—在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。＊P型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素(多子是空穴，少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素(多子是電子，少子是空穴).6.雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性*載流子的濃度—-—多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān).*體電阻——-通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。*轉(zhuǎn)型—-—通過(guò)改變摻雜濃度,一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。7.PN結(jié)*PN結(jié)的接觸電位差——－硅材料約為0。6~0。8V，鍺材料約為0。2~0.3V．*PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?-正偏導(dǎo)通，反偏截止.導(dǎo)電性—－－-—－正向?qū)?反向截止。＊正向?qū)▔航怠?-——硅管0．6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。3.分析方法--—－—-將二極管斷開(kāi)，分析二極管兩端電位的高低：若V>V(正偏),二極管導(dǎo)通(短路);陽(yáng)陰若V＜V(反偏)，二極管截止(開(kāi)路)。陽(yáng)陰1)圖解分析法該式與伏安特性曲線的交點(diǎn)叫靜態(tài)工作點(diǎn)Q。2/22……最新資料推薦…………………2)等效電路法?直流等效電路法＊總的解題手段-———將二極管斷開(kāi),分析二極管兩端電位的高低:若V陽(yáng)〉V陰(正偏)，二極管導(dǎo)通(短路);若V陽(yáng)<V陰(反偏)，二極管截止(開(kāi)路)。*三種模型?微變等效電路法三.穩(wěn)壓二極管及其穩(wěn)壓電路*穩(wěn)壓二極管的特性—--正常工作時(shí)處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū),所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章§2-1三極管及其基本放大電路一.三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)2．特點(diǎn)—－-基區(qū)很薄,且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小;集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。1.三極管的三種基本組態(tài)3/222.組成原則--－-能放大、不失真、能傳輸。1。直流通路與靜態(tài)分析*畫(huà)法—-—電容視為開(kāi)路。＊共發(fā)射極電流放大系數(shù)(表明三極管是電流控制器件式子稱為穿透電流。*輸入特性曲線—-—同二極管。*輸出特性曲線(飽和管壓降,用UCES表示放大區(qū)--－發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)－－-發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏.4.溫度影響溫度升高,輸入特性曲線向左移動(dòng)．三。低頻小信號(hào)等效模型(簡(jiǎn)化)hie-—-輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，hfe－——輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比,4/22……最新資料推薦…………………＊作用－-—確定靜態(tài)工作點(diǎn)＊直流負(fù)載線—－－由VCC=ICRC+UCE確定的直線。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響2)改變Rc：Q點(diǎn)在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動(dòng)。CCQ2.交流通路與動(dòng)態(tài)分析＊概念—－－交流電流流通的回路＊畫(huà)法——-電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。＊作用--—分析信號(hào)被放大的過(guò)程.*交流負(fù)載線——-連接Q點(diǎn)和VCC'點(diǎn)VCC’=UCEQ＋I(xiàn)CQRL’的3.靜態(tài)工作點(diǎn)與非線性失真(1)截止失真*產(chǎn)生原因－－-Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)低*失真現(xiàn)象-—-NPN管削頂，PNP管削底。(2)飽和失真＊產(chǎn)生原因———Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高*失真現(xiàn)象———NPN管削底,PNP管削頂.*消除方法———增大Rb、減小Rc、增大VCC。4.放大器的動(dòng)態(tài)范圍(1)Uopp—-—是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值.(2)范圍＊當(dāng)(UCEQ-UCES)＞(VCC’-UCEQ)時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL'。(1)靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算5/(1)靜態(tài)工作點(diǎn)的近似估算……最新資料推薦…………………＊當(dāng)(UCEQ－UCES)＜(VCC’－UCEQ)時(shí),受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2(UCEQ－UCES)。*當(dāng)(UCEQ－UCES)＝(VCC’-UCEQ)，放大器將有最大的不失真輸出電壓。1.靜態(tài)分析(2)Q點(diǎn)在放大區(qū)的條件欲使Q點(diǎn)不進(jìn)入飽和區(qū)，應(yīng)滿足RB＞βRc。2.放大電路的動(dòng)態(tài)分析放大倍數(shù)輸入電阻*輸出電阻七.*輸出電阻放大電路的等效電路法1.靜態(tài)分析1.靜態(tài)分析6/1.靜態(tài)分析……最新資料推薦…………………2．動(dòng)態(tài)分析＊電壓放大倍數(shù)在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后輸出電阻2.動(dòng)態(tài)分析＊電壓放大倍數(shù)*輸入電阻輸出電阻7/22……最新資料推薦…………………*電壓放大倍數(shù)為正,且略小于1，稱為射極跟隨器,簡(jiǎn)稱射隨器．＊輸入電阻高，輸出電阻低?！?—2場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路一。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)1。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)2.輸出特性曲線(可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū))轉(zhuǎn)移特性曲線UU——--－截止電壓P二。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)分為增強(qiáng)型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩種。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)8/22……最新資料推薦…………………2.特性曲線*N-EMOS的輸出特性曲線**N—EMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線*N-DMOS的輸出特性曲線注意:uGS可正、可零、可負(fù)。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD＝0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場(chǎng)效。2。夾斷電壓Up3。開(kāi)啟電壓UTGS4．直流輸入電阻GS5。低頻跨導(dǎo)gm(表明場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件)若帶有Cs,五.共源極基本放大電路若帶有Cs,五.共源極基本放大電路1．自偏壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析則*動(dòng)態(tài)分析則*動(dòng)態(tài)分析2．分壓式偏置放大電路*靜態(tài)分析六。共漏極基本放大電路*靜態(tài)分析10/22或……最新資料推薦…………………或，，*動(dòng)態(tài)分析11/22……最新資料推薦…………………第三章多級(jí)放大電路第四章集成運(yùn)算放大電路一.級(jí)間耦合方式1。阻容耦合——-－各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立;能有效地傳輸交流信號(hào)；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差．2.變壓器耦合—－-各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)彼此獨(dú)立，可以實(shí)現(xiàn)阻抗變換。體積大,成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。3。直接耦合--－—低頻特性好，便于集成。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立,互相有影響。存在“零點(diǎn)漂移＂現(xiàn)象.*零點(diǎn)漂移—－-－當(dāng)溫度變化或電源電壓改變時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點(diǎn)＂而作隨機(jī)變動(dòng)。二.長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn)1。抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程-——-Re對(duì)溫度漂移及各種共模信號(hào)有強(qiáng)烈的抑制作用,被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析2)計(jì)算差放電路UCE.雙端輸出時(shí)...單端輸出時(shí)(設(shè)VT1集電極接RL)對(duì)于VT1:VT2:3.動(dòng)態(tài)分析11)差模電壓放大倍數(shù).雙端輸出..單端輸出時(shí)從VT1單端輸出:從VT2單端輸出:集成運(yùn)放的電壓傳輸特性集成運(yùn)放的電壓傳輸特性u(píng)IUimUim,運(yùn)放工作在線性區(qū)域：?雙端輸出:??雙端輸出:?單端輸出:2)差模輸入電阻3)差模輸出電阻三.集成運(yùn)放電路的基本組成1.輸入級(jí)———-采用差放電路，以減小零漂。2。中間級(jí)－———多采用共射(或共源)放大電路,以提高放大倍數(shù)。3.輸出級(jí)－-——多采用互補(bǔ)對(duì)稱電路以提高帶負(fù)載能力。4．偏置電路——-—多采用電流源電路，為各級(jí)提供合適的靜態(tài)電流。想集成運(yùn)放的參數(shù)及分析方法＊開(kāi)環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod→∞;*輸出電阻Ro→0;＊共模抑制比KCMR→∞;2．理想集成運(yùn)放的分析方法1)運(yùn)放工作在線性區(qū):＊電路特征——引入負(fù)反饋*電路特點(diǎn)——“虛短”和“虛斷"：““虛短”——－“虛斷”-——2)運(yùn)放工作在非線性區(qū)*電路特征——開(kāi)環(huán)或引入正反饋＊電路特點(diǎn)——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài)：兩輸入端的輸入電流為零:‘3．高頻段(f≥f‘3．高頻段(f≥fH)……最新資料推薦…………………第五章放大電路的頻率響應(yīng)大電路的頻率響應(yīng)1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖-——幅頻曲線是20lgAusm=常數(shù)，相頻曲線是φ=—180o。2.低頻段(f≤fL)4．完整的基本共射放大電路的頻率特性.波特圖14.波特圖……最新資料推薦…………………二．分壓式穩(wěn)定工作點(diǎn)電路的頻率響應(yīng)22．上限頻率的估算1.頻響表達(dá)式15/22＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)---A*閉環(huán)放大倍數(shù)－＊開(kāi)環(huán)放大倍數(shù)---A*閉環(huán)放大倍數(shù)－--Af＊反饋深度-－－1＋AF＊環(huán)路增益-－－AF:第六章放大電路中的反饋一.反饋概念的建立f1．當(dāng)AF>0時(shí),A下降，這種反饋稱為負(fù)反饋.f2.當(dāng)AF＝0時(shí)，表明反饋效果為零。f3.當(dāng)AF＜0時(shí),A升高，這種反饋稱為正反饋。f4．當(dāng)AF=-1時(shí)，A→∞。放大器處于“自激振蕩＂狀態(tài)。f二．反饋的形式和判斷2.反饋的性質(zhì)—－——交流、直流或交直流。直流通路中存在反饋則為直流反饋,交流通路中存在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋則為交、直流反饋.3。反饋的取樣—-—-電壓反饋:反饋量取樣于輸出電壓;具有穩(wěn)定輸出電壓的作用．(輸出短路時(shí)反饋消失)電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。(輸出短路時(shí)反饋不消失)4．反饋的方式—-——-并聯(lián)反饋:反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加.Rs越大反饋效果越好。反饋信號(hào)反饋到輸入端)串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。Rs越小反饋效果越好.反饋信號(hào)反饋到非輸入端)5.反饋極性—-—--瞬時(shí)極性法:(1)假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正(用+表示),并設(shè)信號(hào)的頻率在中頻段.(2)根據(jù)該極性,逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性(升高用+表示,降低用-表示).(3)確定反饋信號(hào)的極性.(4)根據(jù)Xi與Xf的極性,確定凈輸入信號(hào)的大小。Xid減小為負(fù)反饋；X增大為正反饋。id某反饋元件引入級(jí)間(本級(jí))直流負(fù)反饋和交流電壓(電流)串聯(lián)(并聯(lián))負(fù)反饋。四.負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性16/22……最新資料推薦…………………3.擴(kuò)展頻帶4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲5.改變放大電路的輸入、輸出電阻*串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍*并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1＋AF倍＊電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍＊電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件1.產(chǎn)生自激振蕩的原因附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。2.產(chǎn)生自激振蕩的條件若表示為幅值和相位的條件則為：17/22一.基本運(yùn)算電路1.反相比例運(yùn)算電路R2=一.基本運(yùn)算電路1.反相比例運(yùn)算電路R2=R1/／Rf第七章信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù)----——“虛斷”和“虛短”同相比例運(yùn)算電路R2＝R1//Rf反相求和運(yùn)算電路R4=R1/／R2//R3／/Rf同相求和運(yùn)算電路R1//R2//R3／/R4=Rf//R5加減運(yùn)算電路R1//R2//Rf=R3／/R4//R5積分和微分運(yùn)算電路積分運(yùn)算2.微分運(yùn)算18/22……最新資料推薦…………………第八章信號(hào)發(fā)生電路一.正弦波振蕩電路的基本概念1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件自激振蕩的平衡條件:即即幅值平衡條件:：幅幅值條件:相相位條件:3.正弦波振蕩器的組成、分類正弦波振蕩器的組成(1)放大電路-—-—-—-建立和維持振蕩。(2)正反饋網(wǎng)絡(luò)－-—-與放大電路共同滿足振蕩條件。(3)選頻網(wǎng)絡(luò)--—————以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)--——-－—使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。＊正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器-————振蕩頻率較低,1M以下;(2)LC振蕩器-———-振蕩頻率較高,1M以上；(3)石英晶體振蕩器-———振蕩頻率高且穩(wěn)定。2.RC移相式正弦波振蕩電路1.變壓器耦合式LC振蕩電路判斷相位的方法:斷回路、引輸入、看相位19/22……最新資料推薦…………………＊相位條件的判斷-———-－“射同基反＂或“三步曲法"(1)電感反饋三點(diǎn)式振蕩器(哈特萊電路)(2)電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(考畢茲電路)(3)串聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(克拉潑電路)(4)并聯(lián)改進(jìn)型電容反饋三點(diǎn)式振蕩器(西勒電路)1.并聯(lián)型石英晶體振蕩器2.串聯(lián)型石英晶體振蕩器20/22……最新資料推薦…………………第九章功率放大電路一。功率放大電路的三種工作狀態(tài)1.甲類工作狀態(tài)2。乙類工作狀態(tài)3。甲乙類工作狀態(tài)導(dǎo)通角為180o~360o,效率較高，失真較大．工作狀態(tài)?任意狀態(tài):Uom≈Uim?盡限狀態(tài):Uom=VCC—UCES?理想狀態(tài):Uom≈VCCc1m4.管耗P＝0．2Poc1m5．效率理想時(shí)為78.5%三。甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路問(wèn)題的提出在兩管交替時(shí)出現(xiàn)波形失真——交越失真(本質(zhì)上是截止失真)。?甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大器OCL-—-—利用二極管、三極管和電阻上的壓降產(chǎn)生偏置