量子阱結(jié)構(gòu)激光器件

量子阱結(jié)構(gòu)激光器件

1酸減量和量子級(jí)在三項(xiàng)技術(shù)（激光材料、顆粒數(shù)轉(zhuǎn)換器和振動(dòng)器）中，激光材料即源區(qū)一直受到人們的關(guān)注。人們對(duì)超級(jí)顏色和體積的概念得到了很好的理解，尤其是隨著體積結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步發(fā)展，最終成為一門240毫米的體積欺詐器。首先,量子阱的能帶結(jié)構(gòu)不再是體材料那樣的能帶,量子阱中的載流子受到一維的限制,能帶發(fā)生分裂;其次,這些量子結(jié)構(gòu)中,態(tài)密度分布被量子化了;第三,量子阱結(jié)構(gòu)使得載流子限制作用大為增強(qiáng),載流子的注入效率也大為增強(qiáng),因而可以獲得很高的增益;第四,基于上述幾點(diǎn),以量子阱為有源區(qū)的激光器在性能上獲得了很大的改善;諸如激射波長出現(xiàn)藍(lán)移,受激發(fā)射閾值電流明顯減小,溫度特性大為改善等,因而出現(xiàn)了閾值電流為亞毫安甚至只有幾微安的量子阱激光器.應(yīng)當(dāng)說,量子阱激光器的出現(xiàn)是半導(dǎo)體光電子學(xué)的一次引人注目的飛躍,它已成為光纖通信、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、固體激光器的抽運(yùn)光源、半導(dǎo)體光電子集成等應(yīng)用中的理想光源.2關(guān)于量子的測量要想弄清量子阱激光器的工作原理,必須對(duì)其結(jié)構(gòu)、量子化能態(tài)、態(tài)密度分布等作深入的了解,從而弄清量子尺寸效應(yīng)、量子阱結(jié)構(gòu)中的光吸收、注入和增益間的關(guān)系、粒子數(shù)反轉(zhuǎn)和受激發(fā)射的條件等.2.1量子態(tài)的載流子二維運(yùn)動(dòng)學(xué)半導(dǎo)體材料中,當(dāng)其吸收光子產(chǎn)生電子-空穴對(duì)或其電子-空穴對(duì)復(fù)合發(fā)射出光子時(shí),都會(huì)涉及載流子躍遷的能態(tài)及載流子濃度.載流子的濃度是由半導(dǎo)體材料的態(tài)密度和費(fèi)米能級(jí)所決定的,前者表征不同能態(tài)的數(shù)量的多少,后者表征載流子在具體能級(jí)上的占有幾率.在半導(dǎo)體的體材料中,導(dǎo)帶中電子的態(tài)密度可以表達(dá)為ρc(E)=4π(2m*eh)3/2E1/2,(1)ρc(E)=4π(2m?eh)3/2E1/2,(1)式中m*e為電子的有效質(zhì)量,h為普朗克常數(shù),E為電子的能量.由此可見,體材料中的能態(tài)密度同能量呈拋物線的關(guān)系.在量子阱中,設(shè)x方向垂直勢(shì)阱層,則勢(shì)阱中的電子在y-z平面上作自由運(yùn)動(dòng)(與體材料相同),而在x方向上要受兩邊勢(shì)壘的限制.假定勢(shì)阱層的厚度為Lx,其熱勢(shì)壘高度為無窮大,則量子效應(yīng)使得波矢kx取分立數(shù)值:kx=mπLx?(2)kx=mπLx?(2)式中的m=1,2,3…,是不為零的正整數(shù).對(duì)應(yīng)的能量本征值Em只能取一系列的分立值,第m個(gè)能級(jí)的能量Emc為Emc=h22m*emk2x=h22m*em(mπLx)2,(3)Emc=h22m?emk2x=h22m?em(mπLx)2,(3)式中m*em為導(dǎo)帶中第m個(gè)能級(jí)上電子的有效質(zhì)量.m=1時(shí),E1c為導(dǎo)帶第一個(gè)能級(jí)的能量.因此,電子能量小于E1c的能態(tài)不復(fù)存在,只有那些大于E1c的能態(tài)才會(huì)存在.對(duì)應(yīng)于E1c量子態(tài)的態(tài)密度為ρ(E1c)=(m*e1πh2Lx)Η(E-E1c).(4)ρ(E1c)=(m?e1πh2Lx)H(E?E1c).(4)依此類推,對(duì)于其他量子態(tài)Emc也有相應(yīng)的態(tài)密度表達(dá)式,因此量子阱中導(dǎo)帶的總體態(tài)密度為ρ(E)dE=1πh2Lx∞∑m=1m*emΗ(E-Emc),(5)ρ(E)dE=1πh2Lx∑m=1∞m?emH(E?Emc),(5)式中m*em為第m個(gè)能級(jí)上電子的有效質(zhì)量,H(E-Emc)為Heaviside函數(shù),其表達(dá)式為Η(E-Emc)={1E≥Emc,0E≤Emc.(6)H(E?Emc)={1E≥Emc,0E≤Emc.(6)從該式可以看出,導(dǎo)帶中的電子的態(tài)密度呈階梯狀.同樣地,我們也可以用類似的方式表達(dá)價(jià)帶中空穴的態(tài)密度.由于價(jià)帶通常是簡并的,同時(shí)存在有重空穴帶和輕空穴帶,其有效質(zhì)量分別以m*hh和m*lh表示.圖1示出了體材料和量子阱的電子和空穴的態(tài)密度分布.盡管量子阱中的電子和空穴態(tài)密度為階梯狀,其包絡(luò)線依然是拋物線.在該圖中可以看到多個(gè)子帶,對(duì)于第一個(gè)子帶來說,其態(tài)密度都是一個(gè)常數(shù).正是載流子二維運(yùn)動(dòng)的這種特性有效地改變了其能態(tài)密度和載流子的分布,因而有效地改進(jìn)了量子阱中載流子的輻射復(fù)合效率.2.2電子和空穴準(zhǔn)費(fèi)米能量的下限半導(dǎo)體激光二極管是通過p-n結(jié)注入載流子實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的.將電流通過p-n結(jié)注入到有源區(qū),使其導(dǎo)帶底附近的電子濃度和價(jià)帶頂附近的空穴濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于平衡態(tài)時(shí)的濃度,從而實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn).在平衡態(tài)時(shí),我們通常用費(fèi)米能級(jí)F來描述電子和空穴的分布狀態(tài).當(dāng)外加電壓注入電流時(shí),可以采用n區(qū)和p區(qū)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)Fn和Fp來描述電子和空穴在能級(jí)E上的占有情況,在能量為E處的電子和空穴的占據(jù)幾率分別為fn(E)=1exp[(E-Fn)/kΤ]+1,(7)fp(E)=1-1exp[(E-Fn)/kΤ]+1,(8)fn(E)=1exp[(E?Fn)/kT]+1,(7)fp(E)=1?1exp[(E?Fn)/kT]+1,(8)有源區(qū)中總的自由載流子電子和空穴的濃度分別為n=∫∞-∞fn(E)ρn(E)dE,(9)p=∫∞-∞fp(E)ρp(E)dE.(10)n=∫∞?∞fn(E)ρn(E)dE,(9)p=∫∞?∞fp(E)ρp(E)dE.(10)事實(shí)上,總的自由載流子濃度應(yīng)當(dāng)?shù)扔谄胶鈺r(shí)載流子濃度同注入載流子濃度之和,即n=n0+σn,p=p0+σp.注入載流子的濃度σn和σp大于平衡載流子濃度才可能實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),即σn>n0,σp>p0.注入的電流的密度決定準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的位置,因而也決定了電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)間距Fn-Fp的大小.在體材料中,要想實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),n區(qū)和p區(qū)的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)差必須大于禁帶寬度:Fn-Fp>Eg.(11)在量子阱中,帶隙不再是原來體材料的帶隙Eg,而應(yīng)當(dāng)以Eg1代之,即Eg1=E1c-E1v,(12)則得到量子阱中粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的條件為Fn-Fp>Eg11=E1c-E1v.(13)進(jìn)一步推廣至量子阱中各能級(jí),可以得出量子阱結(jié)構(gòu)受激發(fā)射必須滿足的條件為Fn-Fp>Egmn=Emc-Env,(14)式中的m和n為非零的正整數(shù),分別表示導(dǎo)帶和價(jià)帶中量子阱能量的級(jí)數(shù).該式的物理意義在于:要想實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),電子和空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)必須大于發(fā)生光學(xué)躍遷的兩個(gè)能級(jí)的能量之差.3分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)單量子陷阱激光器在雙異質(zhì)結(jié)激光器的有源區(qū)中,有源區(qū)兩邊的導(dǎo)帶差ΔEc和價(jià)帶差ΔEv分別對(duì)電子和空穴提供載流子限制.外加正向電壓會(huì)注入到有源區(qū)中數(shù)量相等的電子和空穴,ΔEc和ΔEv的作用使Fn和Fp分離得足夠大,從而滿足(14)式的條件而受激發(fā)射.對(duì)于量子阱結(jié)構(gòu)來說,由于阱寬很窄,注入效率大為提高,比雙異質(zhì)結(jié)更容易實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn).為了進(jìn)一步說明,我們以圖2所示的AlxGa1-xAs/GaAs單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)為例,其勢(shì)阱寬度以及載流子限制層和光限制層的寬度分別為Lx,Lb和Lc.有源區(qū)阱寬Lx=20nm的GaAs,其兩邊有一寬度為Lb=0.1μm\,Al組分為0.2的載流子限制勢(shì)壘層Al0.2Ga0.8As,在該勢(shì)壘層的兩面為Al組分更大(x=0.4)的光學(xué)限制層,Al0.4Ga0.6As.Al0.2Ga0.8As所提供的ΔEc和ΔEv就足以將載流子限制在勢(shì)阱中,而Al組分為0.4的Al0.4Ga0.6As層進(jìn)一步降低折射率n,為光場提供幾乎完全的限制.因此,我們將這種結(jié)構(gòu)稱之為分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(separatedconfinementheterostructure,SCH)單量子阱(singlequantumwell,SQW)激光器,簡稱SCH-SQW激光器.如果激光器的腔長為L,前后端面的反射率分別為R1和R2,激光器的內(nèi)部損耗為αi,那么激光器的總損耗為內(nèi)部損耗αi和前后端面的損耗12Lln(1R1R2)之和.注入電流引起的增益為g,只有增益大于損耗時(shí)才可能受激發(fā)射.正好等于損耗時(shí)的增益稱為閾值增益,用gth表示:gth=αi+12Lln(1R1R2).(15)在量子阱結(jié)構(gòu)中,由于阱寬很窄,常常為10—20nm,光場不再只局限在勢(shì)阱中,而是擴(kuò)展至載流子限制層(甚至光限制層)中.為此引進(jìn)光限制因子Γ這一概念,它等于量子阱有源層中的光強(qiáng)同整個(gè)激光器的總光強(qiáng)之比.所以,量子阱激光器的閾值增益的表達(dá)式被修正為Γgth=αi+12Lln(1R1R2),(16)激光二極管的增益同注入電流密度呈線性的關(guān)系:g=β(J-J0),(17)式中β為線性增益系數(shù),J0為透明電流密度,它是有源層中實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)[(18)式]所需的電流密度.由于增益是一個(gè)不太容易測量的物理量,通常以閾值電流密度來表征激光器的閾值,其定義為:閾值電流密度等于足以克服量子阱激光器內(nèi)部損耗和端面損耗[見(6)—(16)式]所需電流密度加上透明電流密度J0之和:Jth=J0ηi+1η1βΓ(αi+12Lln1R1R2),(18)式中ηi為內(nèi)量子效率,它等于電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生的光子數(shù)同注入的電子-空穴對(duì)數(shù)目之比.在量子阱激光器中,當(dāng)阱寬變薄、有源區(qū)體積變小時(shí),雖然透明電流密度J0略有增加,但是限制因子Γ會(huì)大大下降,因此,J0在總電流密度Jth中所占的比例變得比較小了.增益的非線性效應(yīng)變得明顯了,增益g不再同電流密度J呈正比關(guān)系,而代之以g=J0βln(J/J0)的方式表達(dá).結(jié)果閾值電流可以表達(dá)為Jth(A/cm2)=J0ηexp[1J0βΓ(αi+12Lln1R1R2)].(19)InGaAsP/InP單量子阱激光器中增益同注入載流子濃度、量子阱阱寬的關(guān)系如圖3所示.由圖3可以看出,隨著注入載流子濃度的增加,增益會(huì)迅速地增大,例如當(dāng)Lx=10nm,注入載流子濃度n=4×1018cm-3時(shí),增益高達(dá)1200cm-1,這比雙異質(zhì)結(jié)激光器中相同注入濃度時(shí)的增益提高1—2個(gè)數(shù)量級(jí).圖3中的增益呈起伏的曲線狀,這是由于導(dǎo)帶的不同子帶電子與價(jià)帶中相應(yīng)的重空穴或輕空穴的復(fù)合所造成的.當(dāng)量子阱的阱寬La很小時(shí),增益系數(shù)急劇下降,這是由于X帶谷中載流子的填充影響了對(duì)光增益有貢獻(xiàn)的Γ帶谷的載流子的填充,因而影響了對(duì)直接帶隙復(fù)合的貢獻(xiàn).4多量子由多量加大的m值和b在單量子阱(SQW)中,由于只有一個(gè)很窄的勢(shì)阱,光場大部分會(huì)擴(kuò)散至勢(shì)阱之外,導(dǎo)致光學(xué)限制因子Γs很小,由(6)—(19)式可知,Jth會(huì)受此影響而大為增加,因而激光器的閾值電流Ith也較高.對(duì)于SQW,若阱寬為La,勢(shì)阱層的折射率為na,勢(shì)壘層的折射率為nb,則光學(xué)限制因子?？山票磉_(dá)為Γs≈2π2(n2a-n2b)(Laλ)2,(20)式中的腳碼s表示單量子阱.例如:當(dāng)La=15nm,λ=1.55μm,na=3.54,nb=3.18時(shí),計(jì)算得到Γs≈0.045,可見單量子阱中的Γs值是相當(dāng)小的.由多個(gè)量子阱一起構(gòu)成多量子阱,簡稱MQWs(multiplequantumwells).如果勢(shì)阱層和勢(shì)壘層的數(shù)目分別為Na和Nb,它們的厚度分別為La和Lb,折射率分別為na和nb,則多量子阱的光學(xué)限制因子Γm可表達(dá)為Γm=rΝaLaΝaLa+ΝbLb,(21)式中r=2π2(ΝaLa+ΝbLb)2n2-n2bλ2,(22)n=ΝaLana+ΝbLbnbΝaLa+ΝbLb.(23)顯然,n為有源勢(shì)阱層和勢(shì)壘層總體的平均折射率,而r就是總厚度為(NaLa+NbLb)、折射率為n的等效層的限制因子.因此,多量子阱的光學(xué)限制因子Γm等于r乘以有源勢(shì)阱層總厚度在等效層總厚度中所占的比例.顯然,適當(dāng)選擇量子阱數(shù)目和各層厚度,可以很容易地使多量子阱的Γm值比單量子阱的Γs提高一個(gè)數(shù)量級(jí).Γm的增加使得模式增益大為增加.圖4示出了m=1(即單量子阱)和m=2,3的多量子阱的增益.可以看出,隨著注入電流的增大,多量子阱的增益的增大要快得多,而且m越大,這種效應(yīng)越明顯.當(dāng)然,這些曲線在g=0處的電流密度也隨m值變大而增大,這是因?yàn)槎嗔孔于寮す馄鞯耐该麟娏鱆0也隨著m增大而增大.分離限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(SCH)能夠有效地將載流子限制在有源層之內(nèi),而將光場有效地限制在光波導(dǎo)層之內(nèi).進(jìn)而人們將光波導(dǎo)層制成組分漸變的外延層,組分的變化可以是階梯狀變化的,也可以是拋物線形漸變的,其折射率也隨組分而變化,從而構(gòu)成了梯度折射率(grantedindex,GRIN)結(jié)構(gòu).由于這種結(jié)構(gòu)具有波導(dǎo)效應(yīng),因而提高了光學(xué)限制因子.即使在低注入的條件下,這類激光器也可以獲得很高的增益,因而降低閾值電流密度.5整粒型人才培養(yǎng)結(jié)構(gòu)同通常的半導(dǎo)體激光二極管一樣,量子阱激光器具有許多種條形結(jié)構(gòu):氧化物條形、掩埋條形和脊形波導(dǎo)條形等.在氧化物條形結(jié)構(gòu)中,注入電流通過氧化物上開的窗口流經(jīng)有源區(qū).由于有源區(qū)橫向上的組分和厚度是一樣的,只有電流注入時(shí)才會(huì)引起折射率微小的變化,橫向上的光波導(dǎo)是依靠光學(xué)增益來完成的,所以這是一種增益波導(dǎo)激光器.在掩埋條形和脊形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中,在有源區(qū)的橫向上,折射率的實(shí)部都有足夠大的差別,以便維持單模或低階模光波的傳輸,所以它們是折射率波導(dǎo)激光器.折射率波導(dǎo)激光器顯示出了閾值工作電流低、單模工作穩(wěn)定、特征溫度T0高等優(yōu)越性能.同常規(guī)的激光器相比,由于有源區(qū)為量子阱結(jié)構(gòu),器件特性便具有下列新特點(diǎn):首先,量子阱中態(tài)密度呈階梯狀分布,導(dǎo)帶中第一個(gè)電子能級(jí)E1c高于原導(dǎo)帶底Ec價(jià)帶中第一個(gè)空穴能級(jí)E1v低于原價(jià)帶頂Ev,因此有E1c-E1v>Eg.量子阱中首先是E1c和E1v之間電子和空穴參與的復(fù)合,所產(chǎn)生的光子能量hν=E1c-E1v>Eg,即光子能量大于材料的禁帶寬度.相應(yīng)地,其發(fā)射波長λ=1.24/(E1c-E1v)小于Eg所對(duì)應(yīng)的波長λg,即出現(xiàn)了波長藍(lán)移.其次,量子阱激光器中,輻射復(fù)合主要發(fā)生在E1c和E1v之間,這是兩個(gè)能級(jí)之間電子和空穴參與的復(fù)合,不同于導(dǎo)帶底附近和價(jià)帶頂附近的電子和空穴參與的輻射復(fù)合,因而量子阱激光器的光譜的線寬明顯地變窄了.第三,在量子阱激光器中,由于勢(shì)阱寬度Lx通常小于電子和空穴的擴(kuò)散長度Lc和Lh,電子和空穴還未來得及擴(kuò)散就被勢(shì)壘限制在勢(shì)阱之中,產(chǎn)生很高的注入效率,易于實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),其增益大為提高,甚至可高達(dá)兩個(gè)數(shù)量級(jí).此外,還有一個(gè)十分有趣的物理現(xiàn)象,即在量子阱結(jié)構(gòu)中,注入載流子通過同聲子的相互作用,使較高階梯能態(tài)上的電子或空穴轉(zhuǎn)移到較低能態(tài)上,從而出現(xiàn)“聲子協(xié)助受激輻射”.可見,聲子協(xié)助載流子躍遷是量子結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性.如果量子阱數(shù)為m,條型寬率為W,腔長為L,那么量子阱激光器的閾值電流為Ιth(A)=mWLJ0ηiexp[1J0βmΓ1Γ2(αi+12Lln1R1R2)],(24)式中Γ1為垂直方向的光學(xué)限制因子,也即此前所描述的光學(xué)限制因子,而Γ2為平行于結(jié)平面的光學(xué)限制因子,它計(jì)入了窄條寬度的影響.由于條寬有限,光場在橫向上會(huì)擴(kuò)展至條外.(6)—(24)式可看出,閾電流等于Jth同結(jié)面積WL的乘積.量子阱激光器的Jth可降至100A/cm2.條寬通常為2μm或更窄,如果腔長L～1μm,則Ith僅為微安量級(jí).這種腔長僅為μm量級(jí)的激光器便是現(xiàn)今人們正在熱心研究的微腔激光器.眾所周知,半導(dǎo)體器件對(duì)溫度十分靈敏,其特性常常因溫度升高而變壞.在激光器中,Ith=Ithoexp(T/T0),T0為特征溫度,它越大則器件性能越穩(wěn)定.對(duì)于AlGaAs激光器,T0通常為120K,而AlGaAs量子阱激光器的T0通常高于160K,甚至有的高達(dá)300K.對(duì)于InGaAsP激光器,由于其價(jià)帶的俄歇復(fù)合效應(yīng),使得電流泄漏較大,通常T0～50K.而采用量子阱結(jié)構(gòu)之后,其T0可達(dá)150K甚至更高.因而量子阱使InGaAsP激光器的溫度穩(wěn)定性大為改善,這在光纖通信等應(yīng)用中至關(guān)重要.6半導(dǎo)體激光器器件特性量子阱結(jié)構(gòu)的優(yōu)越性在可見光激光器和大功率激光器中得到進(jìn)一步的體現(xiàn),因此下面以它們?yōu)槔幼鬟M(jìn)一步的介紹.激射波長的同帶隙的關(guān)系為λ=1.24/Eg,λ的單位為μm,Eg的單位為eV.為了實(shí)現(xiàn)可見光(740—400nm)的受激發(fā)射,禁帶寬度Eg必須大于1.67eV.AlGaAs激光器是最早實(shí)現(xiàn)的可見光激光器(720—760mm).近年來引人注目的可見光激光器是發(fā)射630—670nm波段紅光的InGaAlP激光器和400—550nm波段的藍(lán)綠光InGaN激光器,它們?cè)赩CD和DVD光盤等電氣設(shè)備中被廣泛應(yīng)用,后者是當(dāng)前國內(nèi)外的研究熱點(diǎn).圖5示出了一個(gè)AlGaInP激光器的結(jié)構(gòu)示意圖,它是通過三次MOCVD法外延生長而成的.圖6示出了這種可見光激光器的P-I曲線的光譜特性.在室溫至90℃的范圍內(nèi),有相當(dāng)好的線性特性,器件以單縱模的方法穩(wěn)定地工作,25,80,90℃下的Ith分別為25,53,67mA.80℃下很容易獲得10mW的功率輸出,光譜特性證實(shí)了其單縱模工作.這就是目前我國自行研制、用于DVD光盤機(jī)上的器件的典型特性.由于量子阱激光器具有Ith低、ηi高和T0高等特點(diǎn),現(xiàn)在大功率激光器都是采用量子阱結(jié)構(gòu).至今,連續(xù)輸出的功率可達(dá)200W,準(zhǔn)連續(xù)(即占空比為1∶2或更大)輸出的功率可達(dá)數(shù)千瓦,而脈沖輸出功率可達(dá)數(shù)萬瓦.因此,對(duì)小小的半導(dǎo)體激光器再也不能小看了.大功率半導(dǎo)體激光器的器件結(jié)構(gòu)主要有四種:(1)寬接觸大功率激光器;(2)列陣激光器;(3)疊層式激光器;(4)單片集成的振蕩器——放大器.808nm大功率激光器主要用作固體激光器抽運(yùn)光源,它有AlGaAs和不含Al的InGaAsP兩大系列,都是將有源區(qū)制成單量子阱,再采用分別限制異質(zhì)結(jié)一同構(gòu)成SCH-SQW結(jié)構(gòu).利用寬接觸的注入方式,可以實(shí)現(xiàn)～10mW/μm的光輸出,若整個(gè)寬接觸的寬度為100μm時(shí)輸出達(dá)1.2W,寬度為500μm時(shí)輸出為10W.這類器件的外微分量子效率高達(dá)80%,由此推算出內(nèi)量子效率ηi接近100%.可見量子阱結(jié)構(gòu)為高注入量子效率和高增益帶來了多么大的好處.列陣半導(dǎo)體激光器有增益波導(dǎo)型和折射率波導(dǎo)型兩種結(jié)構(gòu).在增益波導(dǎo)型中,量子阱結(jié)構(gòu)上采用質(zhì)子轟擊并結(jié)合氧化層的隔離作用,使多個(gè)發(fā)射單元集成在同一襯底上