與RF濺射沉積或三極管DC濺射沉積相結(jié)合的原位或順序PIII處理裝置_第1頁
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I半導(dǎo)礙,為張綻南組入均私R第8蓉佳摘譯自Nuc1.Instr.andMethinPhys.Res.,;B161—163:1118——j相結(jié)合的或PIII解決裝置丁發(fā)的Ti下面將描述一臺將PIII與含有三個RF/DC濺射陰極的濺射涂鍍和DC涂率為13.56MHz的RF發(fā)生器,最大電功率為1250W.是的直徑為lOOmm的平板加上一0.5V和一5kV之間的DC離對于RF/DC加上高DC偏壓或脈沖偏壓.開關(guān)是半導(dǎo)體型的.它傳送高壓脈沖的上升時間為時間為12/~s閥的借助氣流系統(tǒng)和閘閥,能夠擬定形成等離子體的兩種氣體混合物的適宜壓強.在本裝置上,可能有幾個與PIII相結(jié)合的涂鍍工藝模式.一般,通過加低偏壓(數(shù)l2等離子體應(yīng)用技術(shù)快報第8PIlI它可在生物醫(yī)學(xué),航空航天和其它方面得由于Ti6A14V,到3600s.用xps(x射線光電子譜術(shù)),結(jié)合3keVAr物薄膜的厚度和形態(tài)用剖面TEM(面.它大概為35at%剖面TEM顯微照片表明.含氮薄膜為持續(xù)的,其厚度近似為在大概1000.硬度值.早先已經(jīng)證明用PIII可在Si晶片上形成SiC烷等離子體,并對基體上的硅涂層加上60OHz脈沖偏壓至一5~3kV.電子的化學(xué)位移可能被認(rèn)定為c鍵.這表明.植入的碳已形成了與Si可能把濺射沉積和借助于PlIIPIII李丁摘譯宜Surfacean

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