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磁控濺射制備Ge納米點的研究的開題報告一、選題背景和意義納米材料是當前材料科學研究的熱點之一,具有廣泛的應用前景。其中,納米點由于其直徑在1-10nm的范圍內,具有量子尺寸效應和表面效應等獨特性質,因此表現出比大尺寸材料更優(yōu)異的光學、電學和磁學特性。磁控濺射技術是制備納米點的有效方法之一,通過在真空環(huán)境下將靶材濺射到基底上,可以制備不同材料的納米點。其中,Ge納米點是一種常見的材料,其具有優(yōu)異的光學和電學性質,被廣泛用于光電器件、太陽能電池等領域。因此,本文旨在探究磁控濺射制備Ge納米點的方法及其制備參數對納米點附著和形態(tài)的影響,并分析其光學和電學性質,為納米點的制備提供參考。二、研究內容和方案2.1研究內容本研究主要包括以下內容:(1)磁控濺射制備Ge納米點的方法;(2)不同制備參數(如氣壓、基底溫度、濺射功率等)對Ge納米點形態(tài)和附著性質的影響;(3)通過掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)等技術對Ge納米點形態(tài)進行表征;(4)通過紫外可見光譜儀(UV-Vis)、熒光光譜儀等技術對Ge納米點的光學性質進行研究;(5)通過電學測試儀等設備對Ge納米點的導電性進行測量。2.2研究方案(1)制備Ge納米點:使用磁控濺射技術,在真空環(huán)境下將Ge靶材濺射到Si基底上,控制濺射功率、氣壓、基底溫度等參數,制備Ge納米點。(2)SEM、TEM表征:使用SEM、TEM等技術對Ge納米點的形態(tài)進行表征,觀察其分布情況、形態(tài)大小等。(3)光學性質研究:使用UV-Vis、熒光光譜儀等設備對Ge納米點的光學性質進行研究,觀察吸收光譜、熒光光譜等。(4)電學性質測試:使用電學測試儀等設備對Ge納米點的導電性進行測量,觀察其導電性能。三、預期成果通過本次研究,預期獲得以下成果:(1)成功制備Ge納米點,并探究制備參數對納米點形態(tài)和附著性質的影響;(2)使用SEM、TEM等技術對Ge納米點的形態(tài)進行表征,觀察其分布情況、形態(tài)大小等;(3)使用UV-Vis、熒光光譜儀等設備對Ge納米點的光學性質進行研究,觀察吸收光譜、熒光光譜等;(4)使用電學測試儀等設備對Ge納米點的導電性進行測量,觀察其導電性能。四、參考文獻[1]ZhangJ.etal.MagnetronsputteringdepositionofnanostructuredGefilmswithlow-temperaturecrystallization.JMaterSci.2014;49(4):1784-1791.[2]WangD.etal.PhotoluminescenceofGenanocrystalsembeddedina-SiNx:Hfilmfabricatedwithlow-pressurechemicalvapordeposition.JLumin.2008;128(2):196-199.[3]AchouriM.etal.Formationofgermaniumquantumdotsbypulsedlaserablationinwater:Optimizationoflaserparametersforhigh

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