GB-T 16927.1-1997高電壓試驗技術(shù)

高電壓試驗技術(shù)1997-07-28發(fā)布1GB/T16927.1—1997前言 2引用標(biāo)準(zhǔn) 3術(shù)語 4對試驗程序和試品的一般要求 5直流電壓試驗 86交流電壓試驗 7雷電沖擊電壓試驗 8操作沖擊電壓試驗 9沖擊電流試驗 10聯(lián)合和合成電壓試驗 附錄A(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)試驗結(jié)果的統(tǒng)計評價 附錄B(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)污穢試驗程序 附錄C(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)用棒-棒間隙校核未認(rèn)可的測量裝置 本標(biāo)準(zhǔn)由IECTC4(高電壓試驗技術(shù))委員會批準(zhǔn)的，IEC在技術(shù)問題上正式?jīng)Q定或協(xié)定，各國家委員會都對此表示興趣。標(biāo)準(zhǔn)具有國際使用的推薦形式，并為各國所接受。IEC表示希望在所有國家委員會在國家允許的情況下，應(yīng)盡可能采用IEC推薦文本。本標(biāo)準(zhǔn)的原文是基于下面的文件六月法則投票報告42(CO)4042(CO)41在上面表中指出的投票報告中，可以找到認(rèn)可本標(biāo)準(zhǔn)投票的全部文件。1高電壓試驗技術(shù)High-voltagetesttechniquesPart1:Generaltestrequirements1范圍結(jié)果的處理方法和試驗是否合格的判據(jù)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于最高電壓Um為1kV以上設(shè)備的下列試驗：a)直流電壓絕緣試驗；b)交流電壓絕緣試驗；c)雷電沖擊電壓絕緣試驗；d)操作沖擊電壓絕緣試驗；e)聯(lián)合和合成電壓絕緣試驗；f)沖擊電流試驗。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB311.1—1997高壓輸變電設(shè)備的絕緣配合GB311.6—83高電壓試驗技術(shù)第五部分測量球隙GB/T2900.19—94電工術(shù)語高電壓試驗技術(shù)和絕緣配合GB4585.1—84交流系統(tǒng)高壓絕緣和人工污穢試驗方法鹽霧法GB4585.2—91交流系統(tǒng)高壓絕緣和人工污穢試驗方法固體層法GB7954—87局部放電測量GB11604—89高壓電器設(shè)備無線電干擾測量方法GB/T16927.2—1997高電壓試驗技術(shù)第二部分：測量系統(tǒng)本標(biāo)準(zhǔn)所用術(shù)語的定義見GB/T2900.19。4對試驗程序和試品的一般要求4.1對試驗程序的一般要求特定試品的試驗程序，例如使用的極性，用兩種極性試驗時極性的順序、加壓次數(shù)和加壓時間間隔應(yīng)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定；規(guī)定時需考慮以下因素：國家技術(shù)監(jiān)督局1997-07-28批準(zhǔn)1998-07-01實施2試驗結(jié)果的準(zhǔn)確度；被觀測現(xiàn)象的隨機(jī)性和被測特性與極性的關(guān)系；重復(fù)施加電壓引起逐漸劣化的可能性4.2試品的總體布置4.2.1試品試品應(yīng)完整、裝上對絕緣有影響的所有部件，并按有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法進(jìn)行處理。4.2.2試品與周圍接地體的距離試品或部件(如套管、絕緣子等)試驗時，其電場應(yīng)盡可能和運行情況相似。試品與接地體或鄰近物體的距離，一般應(yīng)不小于試品高壓部分與接地部分間最小距離的1.5倍在交流和正極性操作沖擊電壓高子750kV(峰值)的情況下，當(dāng)帶電電極對鄰近物體的距離不小于其對地距離時，則鄰近物體的影雨可以忽略一圖T給出子最高試驗電壓同實際允許距離下限的關(guān)系。圖1交流和正極性操作沖擊試驗時最高試驗電壓與試品高壓電極對接地體或外部帶電體間最小距離的關(guān)系在濕試驗和浸被試驗或試品上電壓分布顯然不受外部影響時，在保證對部近相件不發(fā)生閃絡(luò)的條件下，可取較小距離(注：如試品和鄰近物體址電離受到限制，允許在試品高壓出線端裝段特制的屏蔽和防暈裝置以防刷形放電，但是此類裝置應(yīng)不影響量品齒強(qiáng)緣的電場4.2.3試品的模擬在出廠試驗時，允許在模型上或未完全裝配好的設(shè)備上進(jìn)行外絕緣試驗，但是外絕緣的電場與完全裝配好的設(shè)備的電場應(yīng)沒有明顯差別。4.3干試驗試品應(yīng)干燥、清潔，為保證試驗結(jié)果的可靠性，戶內(nèi)試驗的環(huán)境溫度一般為5～40℃。試品溫度達(dá)到環(huán)境溫度后方可進(jìn)行試驗，保證此項要求的措施(試品在試驗環(huán)境中放置時間等)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。4.4大氣條件4.4.1標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件溫度t?=20℃壓力b?=101.3kPa絕對濕度ho=11g/m33外絕緣破壞性放電電壓與試驗時的大氣條件有關(guān)。通常，給定空氣放電路徑的破壞性放電電壓隨著空氣密度或濕度的增加而升高；但當(dāng)相對濕度大于80%時，破壞性放電會變得不規(guī)則(特別是當(dāng)破壞性放電發(fā)生在絕緣表面時)。利用校正因數(shù)可將測得的閃絡(luò)電壓值換算到標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件下的電壓值，反之，也可將標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件下規(guī)定的試驗電壓值換算到試驗條件下的電壓值。破壞性放電電壓值正比于大氣校正因數(shù)K。K.是下列兩個因數(shù)的乘積：——空氣密度校正因數(shù)K?——濕度校正因數(shù)K?K?=K?·K?實際加于試品外絕緣的電壓值U由規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件下的試驗電壓U。乘以K,求得：反之，可將測量的破壞性放電電壓值校正到標(biāo)準(zhǔn)參考大氣條件下的電壓值：試驗報告應(yīng)包含試驗期間的實際大氣條件和采用的校正因數(shù)。4.4.2.1空氣密度校正因數(shù)E:空氣密度校正因數(shù)K:取決于相對空氣密度δ,其表達(dá)式如下：指數(shù)m在4.4.2.3中給出。當(dāng)溫度為t(以攝氏度表示)和大氣壓力為b(以kPa表示)時，相對空氣密度是；8-6.+4.4.2.2濕度校工因數(shù)K?濕度校正因數(shù)可表未如下：指數(shù)W在4.4.2,中給出。K取決于試驗電壓類型并為絕對濕度h與相對穿氣密度δ的比率h/à的函數(shù)。為實用起見，可采用圖2的曲線來近似求取，但對h/δ值超過15g/m3的濕度校正仍在研究中。圖2中的曲線可認(rèn)為是K限。4.4.2.3指數(shù)m和W校正因數(shù)依賴于預(yù)放電型式，由此引入g式中U。是指實際大氣條件時的50%破壞性放電電壓值(測量或估算),kV;L為試品最小放電路徑，m;相對空氣密度δ和參數(shù)K均為實際值。耐受試驗時C?？梢约俣?.1倍試驗電壓值。指數(shù)m和W仍在研究中，其近似值在圖3中給出。GB/T16927.1—19974Kh/ò.g/m3wwg圖3空氣密度校正指數(shù)m值和濕度校正指數(shù)W與參數(shù)g的關(guān)系曲線4.4.3濕試驗，人工污穢試驗和聯(lián)合電壓試驗時的大氣校正濕試驗和人工污穢試驗不進(jìn)行濕度校正。這些試驗的空氣密度校正問題正在考慮中。聯(lián)合電壓試驗的校正見10.1.5條。GB/T16927.1—199754.4.5濕度測量R=R=干球溫度4.5濕試驗6淋雨條件的規(guī)定列于表1。表1標(biāo)準(zhǔn)濕試驗程序的淋雨狀態(tài)所有測量點的平均淋雨率垂直分量mm/min1.0～2.0水平分量mm/min單獨每次測量和每個分量的極限值mm/min平均值±0.5收集到的雨水溫度C周圍環(huán)境溫度±15收集的水校正到20C的電阻率雨水電阻率按下式校正到20℃時的值：P??=P,α雨水電阻率的溫度校衛(wèi)因數(shù)與溫度的關(guān)系見圖5,6圖6雨水電阻率的溫度校正因數(shù)a與溫度的關(guān)系淋雨率用量雨器測量，同器應(yīng)具有兩個隔開的開口均務(wù)100～50cm2的容器，其深度均不小于雨水的溫度和電阻率應(yīng)在收集到的即將達(dá)到試品的水的樣品中測量。若經(jīng)驗證在水從水箱達(dá)到試品的時候水溫沒有多大變化，可以由儲水箱取樣測量。試品應(yīng)按規(guī)定條件至少預(yù)淋15min。開始時也可以用自來水預(yù)淋15min,接著在試驗開始前需用規(guī)定條件的水連續(xù)預(yù)淋至少2min。雨水條件應(yīng)在試驗開始前進(jìn)行測量。量雨器要在靠近試品的地方緩慢地在足夠大的區(qū)域內(nèi)移動并求其雨量的平均值。為避免個別噴嘴噴射不均勻的影響，測量的寬度應(yīng)等于試品寬度，試品最大高度為1m。對于高度在1～3m之間的試品，應(yīng)在試品頂部、中部和底部進(jìn)行測量。對于高度超過3m的試品，測量段的數(shù)目應(yīng)增加至覆蓋試品的整個高度；對于水平尺寸大的試品采用類似作法。試品表面用活性洗滌劑洗凈有可能減少試驗的分散性，洗滌劑在開始淋濕之前必須擦凈。7試驗的結(jié)果可能受局部反常淋雨率的影響。如果需要的話，宜采用局部測量進(jìn)行檢驗以改進(jìn)噴射的均勻性。淋雨裝置必須調(diào)整以便在試品上產(chǎn)生表1中規(guī)定的淋雨條件。當(dāng)噴嘴朝上與水平約成15°~25°角時，可以得到比較大的噴射距離。應(yīng)注意水壓增加到某一限度時，水流可能過早地散開而影響噴淋。濕試驗時，試品的安裝位置應(yīng)與工作條件一致。在試品上降下均勻的滴狀雨。除非有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)另有規(guī)定，濕試驗的試驗程序和本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的干試驗程序(見5.3,6.4,7.2)相s。進(jìn)行交流和真流電壓濕耐受試驗時，允許閃絡(luò)一次，但在重復(fù)試驗時不得再發(fā)生閃絡(luò)。只要能滿足本標(biāo)準(zhǔn)表1規(guī)走的淋雨條件，任何形式的噴嘴均可采用圖6是實際應(yīng)用中認(rèn)為比較滿意的一種噴嘴。圖6噴嘴4.6人工污穢試驗人工污穢試驗是為了得到外絕緣在典型污穢條件下的性能，而不必模擬特定的運行條件。GB4585.1和GF/4596.2及其他有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。4.6.1試品的準(zhǔn)備試品的金屬部分和水混膠裝部分在第一次試驗以前可以涂上耐鹽水性涂料，以保證試驗期間腐蝕物不污染絕緣表面。試品用加入磷酸三鈉溶液或其他洗滌劑的自來水仔細(xì)清洗，并用干凈的自來水漂洗，此后不要用手觸摸試品的絕緣表面。如果在清洗期間觀察到大面積連續(xù)的濕表面，通常就可以認(rèn)為絕緣子表面已足夠試驗時試品采用的安裝方式，(垂直、水平或傾斜)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。4.6.2試驗程序人工污穢試驗包括污穢的涂覆和同時或在其后的電壓施加，通常僅推薦試驗電壓至少恒定數(shù)分鐘的試驗方法。除非有特殊目的，不推薦試驗電壓逐漸增加至閃絡(luò)的試驗方法。污穢試驗程序既可以是確定試品在一給定電壓下的最大污穢度；也可以是確定特定污穢度下的耐受電壓。為比較幾個試驗的結(jié)果或幾種試品的性能，前一種程序更好?？紤]到現(xiàn)象的統(tǒng)計特性，測量的次數(shù)應(yīng)足夠多以得到一致的平均值。試驗次數(shù)在有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。污穢試驗分兩類，鹽霧法和固體污層法。4.6.2.1鹽霧法試品按要求安裝在鹽霧室內(nèi)，鹽霧產(chǎn)生的方法見附錄B。試驗室的溫度在試驗開始時應(yīng)在5～30C8范圍內(nèi)，而且試品和鹽水的溫度應(yīng)和環(huán)境溫度保持熱平衡。試品用自來水徹底清洗，鹽霧系統(tǒng)在試品還保持濕潤時開通，同時對試品施加電壓，此時電壓應(yīng)迅速增加至規(guī)定值并在規(guī)定時間(通常為1h)內(nèi)保持恒定或至閃絡(luò)發(fā)生。這一過程重復(fù)數(shù)次，在每次試驗以前試品必須以自來水充分清洗以清除鹽跡。試品的任何部分和除噴嘴及試品的支持架以外的任何接地體之間的最小距離應(yīng)不小于每100kV試驗電壓為0.5m,但是任何情況下不小于2m。如果試驗是用來確定某一規(guī)定耐受電壓下的最大鹽度，則用不同的鹽度重復(fù)整個過程。在試驗開始以前，鹽霧產(chǎn)生期間，應(yīng)使試品產(chǎn)生一定次數(shù)的閃絡(luò)以進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理后的試品應(yīng)4.6.2.2固體污層法試品應(yīng)相當(dāng)均勻地涂覆導(dǎo)電懸浮液，并應(yīng)干燥。試驗室的環(huán)境溫度在試驗開始時應(yīng)在5～30℃范圍內(nèi)，且試品與環(huán)境應(yīng)保持熱平衡。蒸氣霧發(fā)生器產(chǎn)生分布于試品上下周圍的均勻霧使試品濕潤，試品附近霧的溫度不超過40℃。由相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定蒸汽發(fā)生速率。一種試驗方法是在試品被霧濕潤之前就施加電壓，直至閃絡(luò)或是維持約為兩倍于達(dá)到最大電導(dǎo)率的時間。另一種方法是僅在電導(dǎo)率達(dá)到最大值時施加電壓，最大電導(dǎo)率應(yīng)在20～40min之間出現(xiàn)，在規(guī)定的15min試驗時間內(nèi)，或閃絡(luò)發(fā)生之前電壓應(yīng)保持恒定。恰當(dāng)?shù)耐扛?，濕潤程序以及表面電阻率的測量見附錄B。當(dāng)試驗是用來確定某一耐受電壓下的最大污穢度時，必須用不同電阻率的懸浮液重復(fù)進(jìn)行涂污、濕潤和試驗。試品的任何部分與除支持試品的構(gòu)架以外的任何接地體之間的最小距離對每100kV試驗電壓應(yīng)不小于0.5m。4.6.3污穢度試品的污穢度由鹽霧的鹽度(g/L)、表面電導(dǎo)率(μS)或每平方厘米絕緣表面的鹽(NaCl)量(mg/cm2)來表征。后者通常稱為附鹽密度(S.D.D.)。詳見附錄B。5直流電壓試驗5.1試驗電壓5.1.1試驗電壓值試驗電壓值是指它的算術(shù)平均值。5.1.2對試驗電壓的要求除在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定外，試品上的試驗電壓應(yīng)是紋波系數(shù)不大于3%的直流電壓。要注意接入試品和試驗條件可能影響紋波系數(shù)，尤其是在濕試驗和污穢試驗時。5.1.3容許偏差如果試驗持續(xù)時間不超過60s,在整個試驗過程中試驗電壓測量值應(yīng)保持在規(guī)定電壓值的±1%以內(nèi)。當(dāng)試驗持續(xù)時間超過60s,在整個試驗過程中試驗電壓測量值則可保持在規(guī)定電壓值的±3%以內(nèi)。5.1.4試驗電壓的產(chǎn)生試驗電壓一般用整流裝置產(chǎn)生，也可用靜電發(fā)生器產(chǎn)生。對試驗電源的要求取決于試品的型式和試驗條件，這些要求主要由電源所提供的試驗電流的數(shù)值和特點確定。試驗電流的主要組成部分見5.2。電源的額定輸出電流應(yīng)使試品電容在相當(dāng)短的時間內(nèi)充電。但當(dāng)試品電容很大時，也允許長達(dá)幾分鐘的充電時間。電源(包括儲能電容)還應(yīng)能供給泄漏電流和吸收電流，以及任何內(nèi)部和外部的非破壞性9放電電流，其電壓降不應(yīng)超過10%;在做內(nèi)絕緣試驗時，這些電流通常很小，但作絕緣子濕試時，泄漏電流可達(dá)數(shù)十毫安，有時可遇到放電量為10-2C的預(yù)放電脈沖。直流污穢試驗電源的參數(shù)正在研究之中。5.1.5試驗電壓的測量5.1.5.1用按GB/T16927.2規(guī)定的認(rèn)可測量裝置測量。算術(shù)平均值、最大值、紋波因數(shù)和試驗電壓的瞬時壓降通常用按GB/T16927.2規(guī)定程序認(rèn)可的測量裝置測量。在測量紋波，瞬態(tài)電壓或電壓穩(wěn)定性時，測量裝置的響應(yīng)特性應(yīng)符合要求。5.1.5.2用認(rèn)可的測量裝置校準(zhǔn)未認(rèn)可的測量裝置這種方法通常是將與試驗電壓有關(guān)的某種儀器的顯示值和對同一個電壓進(jìn)行的測量之間建立一種關(guān)系。其電壓的測量可以是按5.1.5進(jìn)行的測量或是用符合GB311.6的球隙或符合5.1.5.1的棒-棒校準(zhǔn)和實際試驗過程中，這些條件應(yīng)保持相同，為防止火花放電，球隙和棒-棒間隙的距離應(yīng)拉開足夠大。應(yīng)注意將供電電壓與輸出電壓之間的關(guān)系用于測量可能不夠可靠。用球隙測量直流電壓時，由于纖維會引起在較低電壓下的放電，因此必須采取預(yù)防措施。應(yīng)施加多次電壓并以最高電壓值作為實際測量值。注校準(zhǔn)時，最好用100%或接近100%的試驗電壓，但對非自恢復(fù)絕緣的試品進(jìn)行試驗時，通?？捎貌坏陀?0%的試驗電壓值外推。如果試驗回路中的電流不隨外加電壓線性變化，外推法可能誤差較大。5.1.5.3棒-棒間隙作為認(rèn)可的測量裝置按照附錄C中給出的尺寸和有關(guān)規(guī)定使用的棒-棒間隙是測量直流電壓的一種認(rèn)可的測量裝置。5.2試驗電流的測量在測量流過試品的電流時，可以區(qū)分出幾個獨立的分量。對同一個試品和同一試驗電壓，各分量的大小可能差幾個數(shù)量級。這些分量是：a)電容電流：由于開始加上試驗電壓或由于試驗電壓上紋波或其他波動所引起。b)介質(zhì)吸收電流：由于絕緣中發(fā)生緩慢的電荷位移而引起。這個電流可持續(xù)幾秒至幾小時。該過程局部可逆。當(dāng)試品放電或短路時，可觀察到反極性電流。c)持續(xù)泄漏電流：當(dāng)a)、b)分量衰減到零后，在恒定電壓下該電流將是穩(wěn)態(tài)直流。d)局部放電電流。測量a)、b)、c)三個分量時需用量程較寬的儀器。應(yīng)注意保證儀器對某一個電流分量的測量不受其他分量的影響。對于非破壞性試驗，往往可以從觀測電流隨時間的變化規(guī)律中了解絕緣特性。每個電流分量的相對幅值和重要性取決于試品的型式和狀態(tài)，試驗的目的以及試驗的持續(xù)時間。當(dāng)特別需要區(qū)分某一特定分量時，相應(yīng)的測量程序應(yīng)在有關(guān)的設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。局部放電脈沖電流的測量，采用在有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的專用儀器。5.3試驗程序5.3.1耐受電壓試驗對試品施加電壓時應(yīng)從足夠低的數(shù)值開始，以防止瞬變過程引起的過電壓的影響；然后應(yīng)緩慢地升高電壓，以便能在儀表上準(zhǔn)確讀數(shù)，但也不應(yīng)太慢，以免試品在接近試驗電壓U時耐壓的時間過長。如果當(dāng)電壓高于75%U時以2%U/s的速率上升，通常能滿足上述要求。將試驗電壓值保持規(guī)定的時間后，通過適當(dāng)?shù)碾娮枋够芈冯娙荨ㄔ嚻冯娙莘烹妬硐妷?。?guī)定耐受電壓的持續(xù)時間應(yīng)考慮由試品的電阻和電容決定的達(dá)到穩(wěn)態(tài)電壓分布的時間。若在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中沒有規(guī)定，則耐受電壓試驗持續(xù)時間為60s。電壓的極性或每種極性電壓的施加次序，以及任何不同于上述規(guī)定的要求應(yīng)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)5.3.2破壞性放電電壓試驗按5.3.1的規(guī)定在試品上施加電壓并連續(xù)升壓直至試品上發(fā)生破壞性放電。應(yīng)記錄破壞性放電發(fā)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定施加電壓次數(shù)和評估試驗結(jié)果的方法(見附錄A)。5.3.3確保破壞性放電電壓試驗按4.3.1的規(guī)定在試品上施加電壓并連續(xù)升壓直至試品上發(fā)生破壞性放電。應(yīng)記錄破壞性放電發(fā)生瞬間的電壓值。如果在規(guī)定的加壓次數(shù)中與次淀錄的放電電壓值均不高于確保破味性放電電壓，則一般認(rèn)為滿足試驗要求。6交流電壓試驗6.1交流電壓試驗的有關(guān)定義6.1.1峰值交流電壓的峰值是指最大值，但不計由非破壞性放電引起的微小高頻振蕩。6.1.2方均根(有效)值交流電壓的方均根值是指一完整的周波中電壓值平方的平均值的平方根。6.1.3試驗電壓工試驗電壓值是指其峰值除以√2。6.2試驗電壓6.2.1對試驗電壓的6.2.1.1電壓波形試驗電壓一般應(yīng)是頻率為45～65Hz的交流電壓，通常稱為工頻試驗電壓。按有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)求頻多遠(yuǎn)低于或高于這一范圍。試驗電壓的波形為兩個半波和同的近似正弦波，且峰值和方均根(有效值之比應(yīng)用√Z土0.07以對某些試驗回路，須允許較大的畸變。應(yīng)注意到試品，特別是有非線性阻抗特性的試品可能使波形產(chǎn)生明顯畸變。6.2.1.2容許偏差如果有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)無其他規(guī)定，在整個試驗過程中試驗電壓的測量值應(yīng)保持在規(guī)定電壓值的±1%以內(nèi)；當(dāng)試驗持續(xù)時間超過60s時，在整個試驗過程中試驗電壓測量值可保持在規(guī)定電壓值的±3%以6.2.2試驗電壓的產(chǎn)生6.2.2.1一般要求試驗電壓一般用試驗變壓器產(chǎn)生，也有用串聯(lián)諧振回路的。試驗回路的電壓應(yīng)足夠穩(wěn)定，不致受泄漏電流變化的影響。試品上非破壞性放電不應(yīng)使試驗電壓降低過多及維持時間過長以致明顯影響試品上破壞性放電電壓的測量值。在非破壞性放電的情況下，除在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定外，只要表明試驗電壓值在相應(yīng)放電發(fā)生后的幾個周期時間內(nèi)變化不超過5%,并且非破壞性放電期間瞬時電壓降不超過電壓峰值的20%,則認(rèn)為耐壓試驗通過。試驗回路的特性必須滿足上述要求，它與試驗類型(干試驗，濕試驗),試驗電壓水平和試品性能有6.2.2.2對試驗變壓器回路的要求為了使試驗電壓實際上不受泄漏電流的影響，當(dāng)在試驗電壓下試品短路時，變壓器輸送的短路電流和電源頻率下的泄漏電流相比要足夠大，并且應(yīng)滿足下列數(shù)值的要求。 對固體、液體或兩者組合帶緣的小樣品上的于試驗，短路電流約為0.1A(r.m.s.)。 對自恢復(fù)外絕緣(,隔離開關(guān)等)的于試驗，短路電流不小我0.1A(r.m.s.);對于濕試驗不小于0.5A(r.m.s.;但是對于可能產(chǎn)生大泄漏電流的大尺寸試品的濕試驗，短路電流可能須達(dá)到為使測量的放電龜壓木受試品的非破壞性局部放電和預(yù)放電的影響，試品及附加電容器的電容量對于人工污穢試驗；十般需15A或以上的較大的短路電流值。試驗設(shè)備還應(yīng)滿足下列兩個條件：—電阻與電抗②(R/X)等于或大于0.1?！娙蓦娏髋c短路電流之比在0.001~0.1的范圍內(nèi)。電壓穩(wěn)定性應(yīng)可用合適的高壓測量裝置直接記錄加到試品上的電壓來驗證。串聯(lián)諧振回路主要田容性試品或容性負(fù)載和與之串聯(lián)的可調(diào)電感以及中壓電源組成。它還可由電容器與感性試品串聯(lián)而成敢變回路參數(shù)或電源頻率，回路即可調(diào)諧至諧振，同肘將有一個幅值遠(yuǎn)大于諧振條件和試驗電壓的穩(wěn)是性取決于電源頻率和試驗回路特性的穩(wěn)定性。當(dāng)試品(如電容器、電纜或氣體絕緣的試品)的外絕緣上泄漏電流同流過試品的電容電流相比很小或者形成破壞性放電的能量很小時，串聯(lián)諧振回路就特別有用，串聯(lián)諧振回路對試驗電抗器也實用。對淋雨和污穢條件下的外絕緣試驗;串聯(lián)諧振回路可能未適用·除非能滿足6.2.2.1的要求.6.3試驗電壓的測量6.3.1用GB/T16927.2規(guī)定的測量裝置進(jìn)行測量。電壓的峰值，方均根(有效)值和正弦波畸變以及瞬態(tài)電壓降的測量應(yīng)采用經(jīng)GB/T16927.2規(guī)定程序認(rèn)可的測量裝置。應(yīng)注意測量瞬態(tài)電壓降對所用測量裝置的響應(yīng)特性的要求。6.3.2用認(rèn)可的測量裝置校準(zhǔn)未認(rèn)可的測量裝置。這種方法通常是將與試驗電壓有關(guān)的某種儀器的顯示和對同一個電壓進(jìn)行的測量之間建立的一種關(guān)系；其電壓的測量可以是按6.3.1進(jìn)行的或用符合GB311.6的球隙進(jìn)行的測量。這種關(guān)系可能與試品和球隙的接入以及濕試驗時的雨量等因素有關(guān)，因此，在校準(zhǔn)和實際試驗時其他條件應(yīng)保持相同。但在試驗期間，球隙距離應(yīng)增至足夠大以防止放電。校準(zhǔn)時最好用100%或接近100%的試驗電壓。但對非自恢復(fù)絕緣的試品進(jìn)行試驗時，通?？捎貌坏陀?0%的試驗電壓值外推。如果試驗回路中電流不隨外加電壓線性變化，或者在校準(zhǔn)電壓和試驗電6.4試驗程序6.4.1耐受電壓試驗結(jié)果。試驗電壓施加時間由有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，并且在頻率為備標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定試驗電壓的施加時間，則電壓耐受時間為60s。6.4.2破壞性放電電壓試驗在試品上施加電壓并連續(xù)上升直到試品上發(fā)生破壞性放電，并記錄破壞性放電發(fā)生瞬間的試驗電壓值。在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)規(guī)定升壓速度，施加電壓次數(shù)和評價試驗結(jié)果的方法(見附錄A)。6.4.3確保放電電壓試驗在試品上施加電壓并連續(xù)上升直到試品上發(fā)生破壞性放電，并記錄破壞性放電發(fā)生瞬間的試驗電如果在規(guī)定的加壓次數(shù)中每一次記錄的放電電壓值均不高于規(guī)定的確保放電電壓，則一般認(rèn)為滿加壓次數(shù)和上升速度在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。7雷電沖擊電壓試驗7.1試驗電壓7.1.1試驗電壓值于0.5MHz或過沖的持續(xù)時間不大于1μs,應(yīng)作平均曲線，如圖7a和7b所示。測量時可取這條平均曲線的最大幅值作為試驗電壓值。對圖7c和7d,可取記錄波形的峰值作為試驗電壓值。對于7e～7h等其他沖擊波形，應(yīng)按試驗類型和試品情況在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定如何確定試驗電壓值。圖7含有振蕩或過沖的雷電沖擊示例GB/T16927.1—1997CCdhgha、b——試驗電壓值用平均曲線確定(圖中虛線);7.1.2標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊是指波前時間T:為1.2μs,半波峰值時間T?為50μs的雷電沖擊全波，如圖8所示。7.1.3標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波是指經(jīng)過2～5μs被外部間隙截斷的標(biāo)準(zhǔn)沖擊，如圖9。有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)可以規(guī)定不同的截斷時間。由于測量上的實際困難，電壓跌落的持續(xù)時間沒有標(biāo)準(zhǔn)化。7.1.4特殊雷電沖擊在某些情況下，可采用振蕩雷電沖擊，這能產(chǎn)生是波前時間較短的沖擊或者使發(fā)生器效率大于1。7.1.5標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓的容許偏差除有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)另有規(guī)定外，實際記錄的沖擊和1.2/50μs標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊的規(guī)定值之間的容許偏峰值波前時間半峰值時間注1:必須強(qiáng)調(diào)，峰值、波前時間、半峰值時間的允許偏差為規(guī)定值與測量值之間的允許偏差。它們與測量誤差不同，測量誤差為實際記錄值與真值之差。440T1=0.3T?=0.5T圖8雷電沖擊電壓波形A0Tc=2～5μsB0.950.90BA'0.55A00.30BBTA圖10確定波前振蕩最大允許值的示意圖峰值附近的過沖和振蕩是容許的，只要是其單個波峰的幅值不超過峰值的5%。對于通常使用的沖擊電壓發(fā)生器回路，在峰值的90%以下波前部分的振蕩對試驗結(jié)果的影響一般是可以忽略的。如果認(rèn)為這些振蕩和過沖很重要，則建議這些振蕩的幅值在A'B'的直線(見圖10)以下。圖中AB兩點作法如下：首先作出振蕩波的平均曲線(如虛線所示),并按波前時間的定義確定A、B兩點，然后由A、B作縱軸的平行線段AA'和BB'并使其分別等于峰值的25%和5%。這些沖擊基本上應(yīng)為單向的，特殊情況見注2。注2:在特殊情況下，例如在低阻抗試品或大尺寸特高壓試驗回路中，可能無法將沖擊波形調(diào)整在所規(guī)定的容許偏差之內(nèi)或無法保持振蕩或過沖在規(guī)定限值之內(nèi)或無法避免極性翻轉(zhuǎn)，這些情況均在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中處理。7.1.6試驗電壓的產(chǎn)生試驗電壓一般由沖擊電壓發(fā)生器產(chǎn)生，沖擊電壓發(fā)生器主要由許多電容器組成，電容器先由直流電源并聯(lián)充電，然后串聯(lián)對包含試品在內(nèi)的回路放電。7.1.7試驗電壓的測量和沖擊波形的確定7.1.7.1用按GB/T169272規(guī)定的認(rèn)可測量裝置測量測量試驗電壓峰值、各時間參量和振蕩或過沖時，用經(jīng)GB/T16927.2規(guī)定程序認(rèn)可的測量裝置。測量應(yīng)在試品接入回路放進(jìn)行，通常對每個試品都要校核中擊波形。但是具有相同設(shè)計和相同尺寸的幾個試品，在同一個條件而作試驗，只需校核一次。注3:由試驗回路參數(shù)計算確定沖擊波形是不準(zhǔn)桷的。7.1.7.2用認(rèn)可的測量裝置校準(zhǔn)未認(rèn)可的測量裝置測量這方法通常是將與試驗電壓有關(guān)的某種儀器的顯示(例如沖擊電壓發(fā)生器第一級的充電電壓的顯示)和對同一電壓進(jìn)行的測量之間建立一種關(guān)系。其電壓的測量可以是按7.1.7進(jìn)行的，或是用符合GB311.6球隙進(jìn)行的這個關(guān)系可能與武品和球隙的接入有關(guān)。因此在校準(zhǔn)時和實際試驗時其他條件應(yīng)保證相同。在試驗期間球隙距離應(yīng)增至足夠大以防止放電。對于自恢復(fù)絕緣的成晶作試驗時，應(yīng)在100%和接近100%的試驗電壓下進(jìn)行校準(zhǔn)，對非自恢復(fù)絕緣的試品作試驗時,通?？捎貌坏陀?0%試驗電壓外推。只有試驗電壓與有關(guān)參數(shù)成再比時,才能用外推法。7.1.8沖擊電壓試驗過程中電流的測量在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定在高壓沖擊試驗時是否測量流入試品的電流的特性。這類測量用于進(jìn)行比7.2試驗程序7.2試驗程序7.2.1耐受電壓試驗推薦的試驗程序與試品性質(zhì)有關(guān)。在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)規(guī)定采用哪一種程序。在程序A、B和C中，施加到試品上的電壓僅僅是規(guī)定的耐受值，而在程序D中，必須施加幾個電壓等級。7.2.1.1耐受電壓試驗程序A在試品上施加3次具有規(guī)定波形和極性的額定耐受電壓。如果按有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢測方法未注：這種程序被推薦用于非自恢復(fù)絕緣。7.2.1.2耐受電壓試驗程序B在試品上施加15次具有規(guī)定波形和極性的額定耐受電壓。如果在自恢復(fù)絕緣部分發(fā)生的破壞性放電不多于2次，按有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢測方法未發(fā)現(xiàn)非自恢復(fù)絕緣有損壞，則認(rèn)為通過試驗。7.2.1.3耐受電壓試驗程序C施加3次具有規(guī)定波形和極性的額定耐受電壓，如果沒有發(fā)生破壞性放電，則試品通過試驗；如果發(fā)生破壞性放電超過1次，則試品未通過試驗：如果在自恢復(fù)絕緣上發(fā)生1次破壞性放電，則再加9次如果在試驗期間按有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的檢測方法發(fā)現(xiàn)非自恢復(fù)絕緣部分有任何損壞，則試品未通過試驗。7.2.1.4耐受電壓試驗程序D自恢復(fù)絕緣的10%沖擊破壞性放電電壓U?由附錄A闡述的統(tǒng)計試驗程序估算。這些試驗方法允許直接估算U??和Us?或者間接估算U?o。對于后一種情況，U??可由關(guān)系式從Us?導(dǎo)出。U??=Us?(1-1.3z)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中應(yīng)規(guī)定破壞性放電電壓的慣用偏差z的假定值，對于不包含任何其他絕緣的空氣絕緣的干試驗取x=0.03。如果U?不低于規(guī)定沖擊耐受電壓值，則滿足試驗要求。有兩種試驗方法可確定50%放電電壓值：a)多級法(見A.1.1):電壓級數(shù)n≥4,每級沖擊次數(shù)m≥10。b)升降法(見A.1.2):每級沖擊次數(shù)m=1,有效沖擊次數(shù)n≥20。為估算U,可采用每級7次沖擊，至少8個有效電壓級的升降耐受法。在所有情況下，電壓級差△U約為Uso估算值的1.5%～3%。7.2.2確保放電電壓試驗程序確保放電電壓試驗程序類似于7.2.1中敘述的耐受電壓試驗程序，僅在放電和耐受條件間作相應(yīng)變化。在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中還可為特殊試品規(guī)定其他程序。8操作沖擊電壓試驗8.1試驗電壓8.1.1試驗電壓值除在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定外，試驗電壓值是指預(yù)期峰值。8.1.2標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊是波前時間Tp為250μs,半峰值時間T?為2500μs的沖擊電壓，稱之為250/2500μs沖擊(圖11)。8.1.3特殊操作沖擊為特殊目的，認(rèn)為用標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊不能滿足要求或不適合時，在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中可以規(guī)定其他非周期性或振蕩波形兩種特殊的操作沖擊。8.1.4標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊電壓的容許偏差如果在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中未作其他規(guī)定，對于標(biāo)準(zhǔn)和特種操作沖擊，規(guī)定值和實測值之間允許下列偏峰值±3%波前時間±20%半峰值時間±60%在某些情況下，如低阻抗試品，難以將波形調(diào)節(jié)到推薦的容許偏差。此時在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中可規(guī)定其他容許偏差或其他沖擊波形。GB/T16927.1—1997圖11操作沖擊電壓波形8.1.5試驗電壓的產(chǎn)生操作沖擊通常由常規(guī)的沖擊電壓發(fā)生器產(chǎn)生(7.1.6)。它也可用對試驗變壓器(或被試變壓器)的低壓繞組施加沖擊電壓的方法來產(chǎn)生。還可采用其他的產(chǎn)生操作沖擊的方法，例如采用快速切斷變壓器的繞組的勵磁電流以產(chǎn)生操作沖擊。在選擇產(chǎn)生操作沖擊回路的元件時，要避免由試品的非破壞性放電電流而引起沖擊波形畸變過大。特別是在高電壓下作外絕緣的污穢試驗時，這樣的電流可能達(dá)到相當(dāng)大的數(shù)值；如果試驗回路的內(nèi)阻抗8.1.6試驗電壓的測量和沖擊波形的確定試驗電壓的測量和沖擊波形的確定應(yīng)按7.1.7.1和7.1.7.2的規(guī)定進(jìn)行。球隙可作測量操作沖擊認(rèn)可的測量裝置。8.2試驗程序除非在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定，試驗程序一般與雷電沖擊相同，而且可采用與之類似的統(tǒng)計法(參照7.2和附錄A)。對于不帶任何其他絕緣的空氣絕緣的干試驗和濕試驗的破壞性放電的慣用偏差可假定為：當(dāng)應(yīng)用多級法和升降法時可使用較大的電壓級差△U。9沖擊電流試驗9.1試驗電流9.1.1試驗電流值試驗電流值通常是指峰值。在某些回路中，在電流上出現(xiàn)過沖或振蕩時，試驗電流值可用實際峰值或用通過這些振蕩畫出的平均值曲線的峰值表示。9.1.2標(biāo)準(zhǔn)沖擊電流第一類標(biāo)準(zhǔn)沖擊電流為指數(shù)波，見圖12a,有以下四種：第二類標(biāo)準(zhǔn)沖擊電流為方波沖擊電流，其峰值持續(xù)時間等于500μs、1000μs或2000μs或者在時間t峰值波前時間T?半峰值時間T?士10%在沖擊峰值附近，允許小的過沖或振蕩，但是單個幅值不應(yīng)超過其峰值的5%。當(dāng)電流下降到零后，反極性的振蕩幅值不應(yīng)超過峰值的20%。b)對于方波沖擊電流峰值0%～+20%峰值的持續(xù)時間0%～+20%允許有過沖或振蕩，但其單個幅值不超過峰值的10%,方波總持續(xù)時間應(yīng)不大于峰值持續(xù)時間的1.5倍，且反極性幅值要限制到峰值的10%。9.1.4試驗電流的測量試驗電流的測量應(yīng)采用經(jīng)GB/T16927.2規(guī)定程序認(rèn)可的測量裝置。9.1.5沖擊電流試驗時電壓的測量在進(jìn)行沖擊電流試驗時，有時要求測量試品上的電壓，此時，應(yīng)采用經(jīng)GB/T16927.2規(guī)定程序認(rèn)可的沖擊電壓的測量裝置。注：沖擊電流可能會在沖擊電壓測量回路中感應(yīng)出相當(dāng)高的電壓，因而產(chǎn)生較大誤差。為了校準(zhǔn)，推薦將分壓器接到試品高壓端的連結(jié)導(dǎo)線從高壓側(cè)斷開轉(zhuǎn)接到試品的接地端，但是要盡量保持原來的環(huán)路布置。另一種方法是將試品短接或用硬導(dǎo)體代替。應(yīng)該采取措施調(diào)整試驗回路的幾何布置，直到發(fā)生器放電時在這些條件下測量的10聯(lián)合和合成電壓試驗10.1聯(lián)合電壓試驗聯(lián)合電壓試驗是兩個單獨電源產(chǎn)生的電壓分別在試品(例如打開的斷路器。見圖13)的兩端施加對在開關(guān)設(shè)備上進(jìn)行聯(lián)合電壓試驗，是為了模擬打開的開關(guān)一端施加規(guī)定的工頻電壓，另一端承受雷電或操作過電壓。試驗回路應(yīng)在內(nèi)絕緣和外絕緣上模擬這種情況。在特殊情況下，在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中可規(guī)定合適的操作沖擊去模擬工頻電壓。10.1.1試驗電壓值D試驗電壓值是精礎(chǔ)品兩端最大的電位差，如圖14a聯(lián)合電壓時是是兩個電壓分量到達(dá)峰值時刻之間的時間間隔，以負(fù)峰值時刻作為時延計時起點(見圖14b)。，兩個分量的中的較大值。當(dāng)時延△t為零時測認(rèn)為聯(lián)合電壓試驗的兩個電壓是同步的。10.1.3實際電壓波地入由于兩個發(fā)生器系統(tǒng)公間的耦合、聯(lián)合電壓試驗時兩個分量的波形和痛值不同于單獨使用的同一電源所產(chǎn)生的波形和幅值。所以在聯(lián)合電壓試驗時最好由兩個單獨的對地的測量系統(tǒng)進(jìn)行測量。每個測量系統(tǒng)應(yīng)適合于測量兩個分量的波形，以避免在記錄它們時因相互影響而出現(xiàn)誤差。被測電壓波形與規(guī)定的電壓皮形的最大容許偏差在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。注：在聯(lián)合電壓試驗時，要考慮破壞性放電發(fā)生的情況，這時如果在回路中無附加的保護(hù)元件(例如電阻或保護(hù)間隙),則兩個電壓將直接作用。在低何情況下當(dāng)發(fā)生破壞性放電時，兩不電源之間的電壓分布將完全改變。10.1.4試品布置試品布置，特別是有關(guān)接地構(gòu)件的位置應(yīng)在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。10.1.5大氣校正因數(shù)在聯(lián)合電壓試驗時，須對最高分量的試驗電壓作大氣條件修正。10.2合成試驗由兩個適當(dāng)連接的不同電源產(chǎn)生的合成電壓施加于試品一端與地之間。合成試驗有關(guān)參數(shù)的定義在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。注：合成試驗也可以將電壓和沖擊電流共同施加于試品上。U=U++U-b1兩個沖擊電壓的聯(lián)合試驗b2一個工頻電壓波和一個沖擊電壓的聯(lián)合試驗圖14b時延△t的確定(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)試驗結(jié)果的統(tǒng)計評價A1試驗分類為對試驗結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計評價，可將破壞性放電試驗程序分為三類。A1.1第一類多級法試驗在第一類試驗中，對n個電壓等級心，(i=1,2.…….n)中的每一級施加m;次基本不變的電壓(例如雷電沖擊),這一類程序主要適用千沖擊試驗，但是某些交流和直流電壓試驗也屬于這一類。試驗結(jié)果為級數(shù)n、每級施相次數(shù)n,和每級電壓U,時的破壞性放電次數(shù)為d;。A1.2第二類升降法試驗在第二類試驗中，虎由等級U,施加n組，每組m次基本不變的電壓，每組加壓的電壓水平根據(jù)前一組試驗結(jié)果來確定增如或減少一個小量AU。通常采用兩種試驗程序；為找出相應(yīng)于低破壞性放電概率的電壓水平的耐受程序；為了找出相應(yīng)于高破壞性放電概率的電屋水平的放電程序。在耐受程序中，如果一組m次加壓中沒有破壞性放電發(fā)生，則電壓水平增加則減少同樣的。在放電程序中，如果一組m次加壓中商受住一次或一次以上則增加△U,否則減少同樣的△U。當(dāng)m=1時，兩種程序相同并相應(yīng)于50%破壞性放電電國升降法試驗用其他的m是行的試驗也用來確定相應(yīng)于其他破壞性放電概率的電壓。式驗量果用每級電壓U;所加電壓組次數(shù)以一第一級U;是在該電壓下至少施加了兩組的電壓?？偟慕M數(shù)為k。A1.3第三類續(xù)放電試驗在第3類試驗中，加壓n次，每次均引起試品上發(fā)生破壞性放電。試驗電壓可連續(xù)升高到發(fā)生破壞性放電或某個電壓動現(xiàn)下保持不變，直到觀察到破壞性放電。試驗結(jié)果表現(xiàn)為電壓U,下的破壞性放電次數(shù)n;或破壞性放電發(fā)生的時間t。這種試驗可用上、交流或沖擊電壓。在沖擊波前發(fā)生破壞性放電的式驗屬于此類。A2破壞性放電的統(tǒng)按生對一個給定的試驗程體公當(dāng)破壞性放電概率P僅取決于試驗電壓元時，品的特性可以由放電發(fā)展過程所確定的函數(shù)PC)表優(yōu)，實際上，這種破壞性放電概率函數(shù)在數(shù)學(xué)上可以由至少依賴于2個參數(shù)U和2的表達(dá)式來表示，其U,為50%放電電壓，P(U)端子0.5,為慣用偏差。z等于U減Ujs,U??為P(U)等于0.16時的電壓水平經(jīng)驗表明P處于0.15和0.85之間時可以認(rèn)為大多數(shù)理論分布是相等的。P處于0.02和0.98之間時，可以認(rèn)為韋伯分布和哥布爾分布與以U;和x為參數(shù)的高斯分布是近似的。注2:有時P是兩個或兩個以上參數(shù)的函數(shù)，例如U和dU/dt的函數(shù)，這時沒有簡單的表示P的函數(shù)。詳見有關(guān)文獻(xiàn)。只要在試驗期間試品的特性保持不變，則從大量試驗中可得到P(U)、U??和z。實際上，施加電壓次數(shù)是有限的，根據(jù)假定P(U)的形式而估算的U和z具有統(tǒng)計不確定度。A2.1置信度和統(tǒng)計誤差如果參數(shù)Y是根據(jù)n次試驗結(jié)果估算的，則可以確定置信限的上限Yu和下限Y?,Y的真值落于這些置信限內(nèi)的概率為C,C稱為置信度，置信限上限和下限之差值的一半稱為統(tǒng)計誤差e。通常C取為0.95(或0.90),相應(yīng)地稱為95%(或90%)置信度。統(tǒng)計誤差e;取決于n和慣用偏差z的值。在可能時，要根據(jù)實際試驗結(jié)果來估計z的值。一般來說，試驗次數(shù)愈多，z的估計就愈準(zhǔn)確。但是應(yīng)注意當(dāng)試驗時間相當(dāng)長時，可能因環(huán)境條件改變而抵銷增加試驗次數(shù)所提高的準(zhǔn)確度。由于從有限的試驗中不能準(zhǔn)確的估價z,在有關(guān)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)中經(jīng)常給出根據(jù)一般試驗結(jié)果所評估出統(tǒng)計誤差可與其他誤差估計(例如測量誤差)結(jié)合來得出確定實際參數(shù)的總誤差范圍。A3試驗結(jié)果的分析下列分析法適用于試驗結(jié)果是獨立的、即第n次試驗不受第m-1)次或第(n-j)次試驗的影響的情況。A3.1第一類試驗結(jié)果的分析在這種情況下，電壓水平區(qū)時的放電頻率f(f;等于d./m)取作電壓U;時放電概率P(U;)的估計和z。當(dāng)概率估計符合了種特是的概率分布函數(shù)P(D)時，則在專門設(shè)計的坐標(biāo)紙上畫出的f,和U;的關(guān)系是一直線。高斯(或正態(tài)》概率紙是一個熟悉的例子，對于估算符合高斯分布的函數(shù)，繪出一條直線。另外應(yīng)用最小一乘法或似然法(見A4)的解析擬合技術(shù)可以找出Uso,z和這些估算值的置信限。在任何情況下，要用適當(dāng)?shù)姆椒?例如慣用回歸系數(shù)或置信限)來檢查所假定的概率函數(shù)是否以足差與每一級所加電壓次數(shù)m,的平方根成反比，和所用的級數(shù)n成反比。如果所有的f;值既不是O也不是1,五級電壓(n等于5),每級加壓10(m對于Uso:對于z:0.4z·≤z≤2x*式中Uo和z·為試驗結(jié)果擬合到假定的放電概率分布函數(shù)P(0)對于P為0.5附近的Up估算值,統(tǒng)計誤差趨于較小的值A(chǔ)3.2第二類試驗結(jié)果的分析等于10)次，則96%置信限為：所得到的Us?和z的估算值。此外，Up=Z(K,U;)/n………………(A4)其中K;為電壓U;下施加電壓的組數(shù)。為了避免明顯的誤差，所考慮的最低電壓與U“的差不大于2AU。A1.2中所述的耐受程序提供了破壞性放電概率為P時的U”的值。P=1-(0.5)1/m…………………(A5)放電程序給出破壞性放電概率為P時的Up'的值升降法試驗中可以估計的U,的P值受到m應(yīng)為整數(shù)的限制，表A1給出了對于不同的m值的PGB/T16927.1—1997值。m74321耐受程序P放電程序PA3.3第三類試驗結(jié)果的分析第三類試驗結(jié)果一般是n個電壓值U;,根據(jù)它可以確定破壞性放電概率函數(shù)的參數(shù)U和z。按高斯分布，參數(shù)Us?和z的估算值為：U?=ZU;/n…………(A7)z*=[≥(U;-Uj)2/(n-1)]/2……………(A8)對于其他分布，可以用似然法來估計Us?和≥(見A4)。對于分析破壞性放電發(fā)生時間t;的情況則用同樣的表達(dá)式和方法。例如對高斯分布，根據(jù)n=20的試驗所得的Us和≥估計值的95%的置信限為：(Uio-0.47z*)≤Uso≤(Uji+0.47x)…(A9)0.76x*≤z≤1.46x*……………(A10)A4最大似然法的應(yīng)用可用最大似然法分析上述各類試驗的結(jié)果。只要選擇了破壞性放電分布函數(shù)P(U;U,z)就可用這些方法來估計Uso和Up。而且，可能使用所得到的全部結(jié)果并可求出相應(yīng)于任何要求的置信度的置信限。A4.1似然函數(shù)對于第1類和第2類試驗，在每個電壓水平的放電數(shù)d;和耐受數(shù)W;是已知的。如果已知或假定了放電概率分布函數(shù)P(U;Uo;z),則在電壓U,的放電概率為P(U;;U,2),耐受概率為[1-P(Uj;U?02)]。相應(yīng)于在電壓水平U,時的d;次放電和W,耐受的似然函數(shù)L?為：L;=P(U;Uso,z)?[1-P?(U;;Uso,z)]W;…(A11)因U;,d;和W;是已知的，則L;僅是Us和x的函數(shù)。包括n個U;的一套完整結(jié)果的似然函數(shù)為：L=L?L?…L;…L?=L(U?o,z)……(A12)對于第3類試驗，在結(jié)果中出現(xiàn)的每個電壓水平U,相當(dāng)于破壞性放電。通常電壓水平U;將出現(xiàn)mL=f(U;Uso,z)".f(U?;Uso,z)…f(Um;Uo,z)"……………(A13)A4.2Us?和z的估計U?和≥的最佳估計值是L為最大值時的U;和z*。通常使用計算機(jī)對于假定的Ux和x重復(fù)計算以逐步逼近得到這些值。固定U;和z‘相應(yīng)于所要求的放電概率P的Ur值可從假定的放電概率分布函數(shù)上使Uw等于Ui和z等于2’求出。確定U%和z*的置信限的方法可在有關(guān)文獻(xiàn)中找到，對于C為0.9,可用方程L(Uso,z)=0.1Lma,來確定這些置信(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)污穢試驗程序B1鹽霧的產(chǎn)生B1.1鹽溶液的準(zhǔn)備鹽溶液由鹽(商業(yè)純度的NaCl)和自來水按所要求鹽度配制。使用