微電子工藝學(xué)A智慧樹知到期末考試答案2024年

微電子工藝學(xué)A智慧樹知到期末考試答案2024年微電子工藝學(xué)A美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E規(guī)定中，空氣級(jí)別數(shù)是指在一立方英尺中所含直徑為（）微米或更大的顆?？倲?shù)。

A:0.6微米B:0.5微米C:0.3微米D:0.4微米答案:0.3微米拋光墊的分類中不包括的是哪個(gè)？（）

A:金屬B:帶絨毛的無紡布C:無紡布D:聚氨酯答案:金屬硅的解理面為（）

A:（102）B:（101）C:（110）D:（111）答案:（111）下面硅中的雜質(zhì)沒有益處的是（）。

A:金屬B:氫C:氧D:氮答案:金屬低K介質(zhì)材料的介電常數(shù)一般小于（）

A:3.5B:2.5C:4.5D:1.5答案:3.5下面哪個(gè)工藝適合微米級(jí)器件的摻雜？（）

A:離子注入B:中子嬗變C:擴(kuò)散D:鍵合答案:擴(kuò)散用于刻蝕的離子束能量范圍是（）。

A:E＞20KeVB:E＜10KeVC:E＜20KeVD:10KeV＜E＜20KeV答案:E＜10KeV下面哪個(gè)選項(xiàng)不是擴(kuò)散的工藝參數(shù)？（）

A:結(jié)深B:表面濃度C:雜質(zhì)的分布D:橫向分布濃度答案:橫向分布濃度以下哪個(gè)公司是高端光刻機(jī)的主要供應(yīng)商？（）

A:CanonB:NikonC:IntelD:ASML答案:ASML離子注入工藝所用的液態(tài)離子金屬源是（）

A:LiB:CuC:GaD:Al答案:Ga化學(xué)氣相沉積方法有（）

A:低壓化學(xué)氣相沉積B:等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積C:常壓化學(xué)氣相沉積D:磁控濺射答案:常壓化學(xué)氣相沉積;低壓化學(xué)氣相沉積;等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積影響封裝的芯片特性的有（）。

A:集成度B:晶片厚度C:尺寸D:物理的脆弱度答案:集成度;晶片厚度;尺寸;物理的脆弱度光刻機(jī)的重要評(píng)價(jià)指標(biāo)是（）

A:套刻精度B:生產(chǎn)效率C:線寬D:場尺寸答案:線寬;套刻精度;場尺寸;生產(chǎn)效率離子注入改變材料的（）

A:化學(xué)性質(zhì)B:物理性質(zhì)C:光學(xué)性質(zhì)D:磁學(xué)性質(zhì)答案:物理性質(zhì);光學(xué)性質(zhì);化學(xué)性質(zhì)IC互連金屬化引入銅的優(yōu)點(diǎn)有（）

A:功耗的減少B:更少的工藝步驟C:更高的集成密度D:電阻率的減小答案:電阻率的減小;功耗的減少;更高的集成密度;更少的工藝步驟二次離子質(zhì)譜儀測量樣品組分的時(shí)候?qū)悠窌?huì)產(chǎn)生損傷。()

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)集成電路制造工藝過程中，Cu的制備是采用濺射法。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)答案:對(duì)離子注入提供了一種向硅中摻入具有精確劑量或能量的特定雜質(zhì)原子的方法。()

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確芯片越厚，封裝后越不容易碎裂。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤人是半導(dǎo)體制造工藝中最大的污染源。()

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確優(yōu)質(zhì)單晶材料的制備是第一個(gè)晶體管發(fā)明的基礎(chǔ)。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確離子注入是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18個(gè)月就翻一翻。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)分子束外延是一種化學(xué)沉積過程。()

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確主流工藝平臺(tái)化工藝是化學(xué)機(jī)械拋光。()

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:對(duì)沒有化學(xué)機(jī)械拋光就沒有現(xiàn)代集成電路的發(fā)展。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確封裝工藝不需要很高的潔凈度。（）

A:錯(cuò)誤B:正確答案:正確擴(kuò)散工藝會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生嚴(yán)重?fù)p傷。（）

A:正確B:錯(cuò)誤答案:錯(cuò)誤直拉單晶法制備單晶硅過程中不需要籽晶。()

A:錯(cuò)誤B:正確答案:錯(cuò)誤替位式擴(kuò)散的速度比間隙式擴(kuò)散的速度快得多。()

A:對(duì)B:錯(cuò)答案:錯(cuò)分子束外延是一種物理沉積過程。()

A:正確B:錯(cuò)誤答案:正確氧化誘生層錯(cuò)常存在于：（）

A:Si/界面附近一側(cè)B:Si/界面附近硅襯底一側(cè)C:Si層內(nèi)部D:層內(nèi)部答案:AI參考:正確選項(xiàng)是【B:Si/界面附近硅襯底一側(cè)】。\n\n氧化誘生層錯(cuò)是指硅表面經(jīng)過氧化處理后，由于界面處的化學(xué)環(huán)境改變而引起的結(jié)構(gòu)層錯(cuò)密度增加的現(xiàn)象。氧化誘生層錯(cuò)主要出現(xiàn)在Si/界面附近硅襯底一側(cè)，而非Si層內(nèi)部或界面附近一側(cè)。因此，B選項(xiàng)是正確答案。'離子注入退火的兩個(gè)目的：____、____。退火的方法有兩種：____、____。

答案:"AI參考:離子注入退火的兩個(gè)目的：減小應(yīng)力，提高結(jié)合力和耐蝕性；通過熱處理方式改變離子注入層的顯微組織，以改善性能。退火的方法有兩種：自然冷卻退火和強(qiáng)制冷卻退火。"分子束外延法由____實(shí)驗(yàn)室的和在____年發(fā)明。

答案:"AI參考:正確答案是：蘇聯(lián)，1960。分子束外延法由蘇聯(lián)的化學(xué)家巴索夫在1960年發(fā)明。因此，答案是蘇聯(lián)和1960。"凈化間的5類污染有：有機(jī)物污染，自然氧化層，靜電釋放，____和____。

答案:"AI參考:凈化間的5類污染有：有機(jī)物污染，自然氧化層，靜電釋放，化學(xué)污染和細(xì)菌污染。"KrF準(zhǔn)分子激光波長在____。

答案:"AI參考:正確答案是：457.997nm。KrF準(zhǔn)分子激光波長在457.997nm。"紫外光譜波長在____到____之間。

答案:"AI參考:正確答案為**200-400**納米之間。紫外光譜是分子吸收光譜，具有靈敏度高、選擇性強(qiáng)、測定快速等優(yōu)點(diǎn)，通常用于結(jié)構(gòu)解析。紫外光譜主要有三種類型：遠(yuǎn)紫外區(qū)（200～300nm）、近紫外區(qū)（250～400nm）和真空紫外區(qū)（180～250nm）。因此，紫外光譜波長在200-400nm之間。"按薄膜晶態(tài)分薄膜可以分為單晶膜，多晶膜和____。

答案:"AI參考:正確選項(xiàng)是：非晶膜。薄膜按其晶體結(jié)構(gòu)可以分為單晶膜、多晶膜和（非晶）膜。其中，單晶膜具有很高的導(dǎo)電性和化學(xué)穩(wěn)定性，多晶膜則具有較高的電導(dǎo)率，而（非晶）膜則沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)，是一種軟磁材料。因此，空格中應(yīng)該填寫“非晶膜”。"局部氧化會(huì)形成所謂的“____”。

答案:"AI參考:正確答案是：焊點(diǎn)根據(jù)問題可知，局部氧化會(huì)導(dǎo)致形成所謂的“焊點(diǎn)”。因此，選項(xiàng)中的“焊點(diǎn)”是正確答案。"二種解釋化學(xué)機(jī)械拋光的機(jī)理：____、____。

答案:"AI參考:正確答案是：“化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理是化學(xué)作用與機(jī)械研磨作用共同作用的結(jié)果”和“化學(xué)機(jī)械拋光是利用材料表面微小凸起部分對(duì)磨粒的反作用力而實(shí)現(xiàn)的”。這兩種解釋都是關(guān)于化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)理的常見說法。其中第一種解釋強(qiáng)調(diào)了化學(xué)作用和機(jī)械研磨作用的共同作用，而第二種解釋則側(cè)重于描述利用材料表面微小凸起部分對(duì)磨粒的反作用力來實(shí)現(xiàn)拋光。這兩種解釋都能較好地描述化學(xué)機(jī)械拋光的機(jī)理。"雜質(zhì)的擴(kuò)散方式機(jī)制包括____擴(kuò)散和____擴(kuò)散。

答案:"AI參考:正確選項(xiàng)是：分子擴(kuò)散和質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散。擴(kuò)散是指物質(zhì)分子從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域轉(zhuǎn)移，直到均勻分布的現(xiàn)象。擴(kuò)散的主要機(jī)制包括分子擴(kuò)散和質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散。分子擴(kuò)散是通過分子的隨機(jī)運(yùn)動(dòng)來傳遞物質(zhì)，而質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散則是通過物質(zhì)的質(zhì)點(diǎn)（如氣體中的分子