半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-3部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則 四邊扁平封裝（QFP）的尺寸測量方法 征求意見稿

1半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-3部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則四邊扁平封裝（QFP）的封裝尺寸測量方法GB/T15879.4半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第4部分：半導(dǎo)體器件封裝外形的分類和編碼體系(GB/TIEC60191-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外則（Mechanicalstandardizationofsemiconductordevices-Part6:Genepreparationofoutlinedrawingsofsurfacemo4測量方法4.1測量方法說明本文件規(guī)定的測量方法，在滿足下列條件下，為用戶提供尺a)一般應(yīng)測量與印制電路板安裝相關(guān)的半導(dǎo)體封裝尺寸，確保滿足4.2參考特征和外形圖234.3測量基準(zhǔn)），ABABAB44.4總寬HE，總長HD，封裝寬度E，封裝長度D4.4.1概述a)關(guān)于總寬HE和總長HD，所有引線末端均位于與基準(zhǔn)線A及B理論距離分別為HE/2和HD/2、輪廓度公差為t的范圍內(nèi)，見圖5、圖6。54.4.2測量方法a)HE/HD3)確定基準(zhǔn)線A、B到封裝引線末端的b)E/D4.5封裝高度A4.5.1概述封裝高度是指安裝面到封裝頂部的距離，見圖7。在確定該尺寸時考慮了封裝傾斜和翹曲因4.5.2測量方法b)測得的距離即為封裝高度A。4.6支撐高度A14.6.1概述64.6.2測量方法4.7封裝體厚度A24.7.1概述封裝體厚度是指分別與封裝體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)相切、相互平行的兩個平面間的距離，見圖9。4.7.2測量方法a)將待測封裝放置于兩個平行的平板間，兩平板在水平方向上應(yīng)大于封裝尺寸。測量時兩平板不b)用千分尺測量包含兩平板的總厚度，然后從總厚度4.8引線寬度b、b1，引線厚度c、c14.8.1概述寸。引線寬度和厚度包含毛刺、缺口和塌陷部分圖10引線寬度b、b1和引線厚度c、c14.8.2測量方法a)引線寬度b、b17b)引線厚度c、c1b1、c1可在電鍍前測量。4.8.3注意事項a)可在引線處理前測量b1和c1。若出現(xiàn)這種情況，在引線處理后需再次測量上述位置的b1和c1。4.9焊接長度Lp4.9.1概述圖11焊接長度Lp4.9.2測量方法a)將封裝放置在平面上，確立參考基準(zhǔn)4.9.3注意事項4.10.1概述a)在距引線末端0.10mm處獲取引線末b)計算引線末端實(shí)際位置與理論位置的偏）；8e)引出端末端的位置度公差=(bmax-bnom+x)/2。4.10.2測量方法c)在距引線末端0.1mm處獲取引線94.11共面度y4.11.1概述為虛擬平面。在這種情況下，封裝中心必須位于由3個點(diǎn)構(gòu)成的三角形內(nèi)圖14共面度y4.11.2測量方法c)測得的最大距離即為共面度y。4.12.1概述4.12.2測量方法b)測量從引線末端向內(nèi)0.05mm處的最低點(diǎn)(1c