微電子工藝學(xué)A智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年上海大學(xué)

微電子工藝學(xué)A智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年上海大學(xué)不同晶向的襯底外延生長速率也不相同，（100）面最快。（）

答案:對封裝工藝不需要很高的潔凈度。（）

答案:對分子束外延是一種化學(xué)沉積過程。()

答案:對Intel公司只設(shè)計(jì)芯片，不制造芯片。（）

答案:錯(cuò)硅的解理面為（111）面。（）

答案:對沒有化學(xué)機(jī)械拋光就沒有現(xiàn)代集成電路的發(fā)展。（）

答案:對將單個(gè)芯片從晶圓整體中分離出來后：（）

答案:作為多芯片模塊的一部分###置入一個(gè)保護(hù)性的封裝體中###直接安裝在印制電路板上硅外延層的好處（）

答案:提高電路速度###完美的可控硅層###提高器件集成度###提高了少子壽命硅的解理面為（）

答案:（111）Al的電阻率為（）

答案:下面哪種材料屬于下一代互連材料（）

答案:碳納米管拋光墊的分類中不包括的是哪個(gè)？（）

答案:金屬下面哪個(gè)工藝適合微米級器件的摻雜？（）

答案:擴(kuò)散美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E規(guī)定中，空氣級別數(shù)是指在一立方英尺中所含直徑為（）微米或更大的顆?？倲?shù)。

答案:0.3微米分子束外延是一種物理沉積過程。()

答案:對離子注入工藝可以實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)摻雜（）

答案:對封裝工藝中引線框架的主要材料是銅。（）

答案:對離子注入是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（）

答案:對擴(kuò)散工藝會(huì)對器件產(chǎn)生嚴(yán)重?fù)p傷。（）

答案:錯(cuò)反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。（）

答案:錯(cuò)中子嬗變摻雜方法的工業(yè)應(yīng)用是硅中摻硼。()

答案:錯(cuò)引線焊接是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。（）

答案:對離子注入提供了一種向硅中摻入具有精確劑量或能量的特定雜質(zhì)原子的方法。()

答案:對熱氧化過程中產(chǎn)生的界面電荷不影響器件的可靠性。（）

答案:錯(cuò)一級封裝按材料分（）

答案:陶瓷封裝###塑料封裝###金屬封裝銀漿在封裝中的作用（）

答案:散熱作用###導(dǎo)電作用###將裸片固定在電路板上化學(xué)氣相沉積方法有（）

答案:常壓化學(xué)氣相沉積###低壓化學(xué)氣相沉積###等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積光刻機(jī)工藝因子或分辨率常數(shù)為（）。

答案:0.5~0.7用于刻蝕的離子束能量范圍是（）。

答案:E＜10KeV注入損傷與以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)（）？

答案:注入離子的溫度浸沒式光刻機(jī)中，第一代浸沒液體為（）

答案:水投影光刻物鏡的數(shù)值孔徑為（）。

答案:0.28~0.82離子注入工藝所用的液態(tài)離子金屬源是（）

答案:Ga化學(xué)氣相沉積可制作金屬，非金屬及多成分合金薄膜。（）

答案:對反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，但它不能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。（）

答案:對替位式擴(kuò)散的速度比間隙式擴(kuò)散的速度快得多。()

答案:錯(cuò)優(yōu)質(zhì)單晶材料的制備是第一個(gè)晶體管發(fā)明的基礎(chǔ)。（）

答案:對掃描電鏡測不準(zhǔn)樣品中氫元素的含量。（）

答案:對封裝工藝中，去溢料的目的在于去除固化后在管體周圍引線之間多余的溢料。（）

答案:對以降解反應(yīng)為主的光刻膠稱為負(fù)性光刻膠。（）

答案:錯(cuò)

答案:錯(cuò)二道光檢主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。（）

答案:錯(cuò)摩爾定律是基于一定的物理理論提出的。()

答案:錯(cuò)集成電路制造工藝過程中，Cu的制備是采用濺射法。（）

答案:錯(cuò)芯片越厚，封裝后越不容易碎裂。（）

答案:錯(cuò)目前應(yīng)用較廣泛的接觸材料是硅化物。（）

答案:對離子注入工藝產(chǎn)生的橫向擴(kuò)散比較大。（）

答案:錯(cuò)主流工藝平臺(tái)化工藝是化學(xué)機(jī)械拋光。()

答案:對離子注入后，大多數(shù)注入離子聚集在硅材料表面附近，可通過退火向下擴(kuò)散。（）

答案:錯(cuò)

答案:物理測量###光學(xué)測量###電學(xué)測量IC互連金屬化引入銅的優(yōu)點(diǎn)有（）

答案:電阻率的減小###功耗的減少###更高的集成密度###更少的工藝步驟Al/Si接觸的改進(jìn)方法有：（）

答案:鋁-摻雜多晶硅雙層金屬化結(jié)構(gòu)###鋁-阻擋層結(jié)構(gòu)###鋁-硅合金金屬化引線離子注入改變材料的（）

答案:光學(xué)性質(zhì)###化學(xué)性質(zhì)###物理性質(zhì)影響封裝的芯片特性的有（）。

答案:物理的脆弱度###集成度###晶片厚度###尺寸直拉法生長單晶硅時(shí)，坩堝的要求（）

答案:高強(qiáng)度###不熔解或微熔###高物理穩(wěn)定性，以下哪個(gè)公司是高端光刻機(jī)的主要供應(yīng)商？（）

答案:ASML光刻機(jī)中承載掩模版運(yùn)動(dòng)的設(shè)備，運(yùn)動(dòng)控制精度是（）

答案:納米級常用的MOSFET柵電極材料是（）

答案:重?fù)诫s多晶硅1mil（密爾）等于（）

答案:0.0254毫米低壓化學(xué)氣相沉積方法的氣壓范圍（）

答案:1torr＞P＞10mtorr；特種氣體的純度要求為（）。

答案:6個(gè)9以下關(guān)于離子注入臨界計(jì)量的說法爭確的是：（）

答案:注入離子的能量越大，則臨界劑量越小下面哪個(gè)選項(xiàng)不是擴(kuò)散的工藝參數(shù)？（）

答案:橫向分布濃度下面缺陷類型中不屬于面缺陷的是()

答案:位錯(cuò)集成電路制造中所涉及的器件主要是（）。

答案:CMOS晶體管碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。（）

答案:對IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

答案:特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,電路速度可增加α倍,###特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,單元電路的功耗下降α2倍,###特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍,而單位芯片面積的功耗不變CE定律發(fā)展面臨的問題（）。

答案:閾值電壓不可能縮的太小###工藝實(shí)現(xiàn)存在問題###電源電壓標(biāo)準(zhǔn)的改變會(huì)帶來很大的不便###源漏耗盡區(qū)寬度不可能按比例縮小納米器件的基本特征有（）。

答案:量子尺寸限域效應(yīng)###量子遂穿效應(yīng)###庫倫阻塞效應(yīng)下面哪個(gè)不是單電子晶體管的特點(diǎn)？（）

答案:制備工藝簡單三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。（）

答案:對去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高壓水沖洗。（）

答案:對下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？()

答案:二光檢查芯片粘接的工藝過程包括（）。

答案:銀漿固化###點(diǎn)銀漿###芯片粘接影響封裝芯片特性的溫度有（）。

答案:集成度###熱敏感度###物理的脆弱度###熱的產(chǎn)生封裝工藝中，銀漿固化的溫度為()。

答案:175度金屬化中可選用的金屬材料有（）。

答案:鋁###銅###銀###金最早使用的金屬化材料是（）。

答案:鋁互連工藝中AL的制備可選用（）。

答案:PVD###CVD進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

答案:鎢互連工藝中鋁和硅可以互溶。（）

答案:對CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

答案:夾持設(shè)備###拋光液###拋光墊新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

答案:固結(jié)磨料CMP技術(shù)###無應(yīng)力拋光技術(shù)###電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)###無磨粒CMP技術(shù)化學(xué)機(jī)械拋光是一種全局性的拋光技術(shù)。（）

答案:對沒有化學(xué)機(jī)械拋光，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。（）

答案:對化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

答案:還原劑光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括：（）。

答案:轉(zhuǎn)動(dòng)###X或Y方向的平移光刻工藝的特點(diǎn)包括：（）

答案:決定特征尺寸的關(guān)鍵工藝###光刻與芯片的價(jià)格和性能密切相關(guān)###復(fù)印圖像和化學(xué)作用相結(jié)合的綜合性技術(shù)曝光波長越短約好。（）

答案:對進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

答案:HF結(jié)尾的清洗工藝光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

答案:對準(zhǔn)和曝光干法刻蝕工藝中不存在化學(xué)反應(yīng)。()

答案:錯(cuò)刻蝕過程中聚合物形成的來源有：（）。

答案:光刻膠###刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物下列選項(xiàng)哪個(gè)不是干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)？（）

答案:設(shè)備便宜刻蝕參數(shù)有：（）。

答案:刻蝕速率###均勻性###刻蝕偏差###選擇比刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()

答案:光刻化學(xué)氣相沉積是在超高真空條件下進(jìn)行反應(yīng)。()

答案:錯(cuò)分子束外延制備薄膜主要是在襯底上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（）

答案:對蒸發(fā)最大的缺點(diǎn)是不能產(chǎn)生均勻的臺(tái)階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分。（）

答案:錯(cuò)常壓的硅外延方法有（）：

答案:四氯化硅氫還原法###硅烷熱分解法###二氯氫硅烷法###三氯氫硅氫還原法物理氣相沉積方法有（）。

答案:磁控濺射###電子束蒸發(fā)###熱蒸發(fā)低劑量離子注入不會(huì)產(chǎn)生損傷。（）

答案:錯(cuò)注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)?（）

答案:溫度如果注入離子的半徑較小，它沿著敞開的晶體方向注入時(shí)，溝道效應(yīng)更加顯著。（）

答案:對當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

答案:臨界劑量摻雜后，退火的目的是（）。

答案:提高摻雜均勻性###實(shí)現(xiàn)電激活###修復(fù)損傷摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

答案:30~60分鐘下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

答案:Ag###Au###Cu摻雜的濃度范圍為（）。

答案:只有存在空位擴(kuò)散時(shí)，才能發(fā)生推填隙擴(kuò)散。（）

答案:對填隙擴(kuò)散的特點(diǎn)有（）。

答案:對硅摻雜水平無直接貢獻(xiàn)###填隙型雜質(zhì)擴(kuò)散很快空位擴(kuò)散是替位型雜質(zhì)的主要擴(kuò)散機(jī)制之一。（）

答案:對擴(kuò)散工藝用于形成（）。

答案:深結(jié)濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

答案:95度重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速度快。（）

答案:對晶向（111）硅單晶氧化速率將比（100）稍慢。（）

答案:錯(cuò)鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

答案:有效柵寬變窄###電容增加消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

答案:硅暴露在空氣中，則在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）

答案:25nm下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

答案:濃度美國用離子交換法制取95%純水。（）

答案:對如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？()

答案:融解的氧氣美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E按一立方英尺中存在的顆粒大小和密度定義空氣凈化標(biāo)準(zhǔn)。()

答案:對目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

答案:注氧隔離法###智能剝離法###鍵合再減薄技術(shù)物理提純法制備多晶硅過程中，硅參加了化學(xué)反應(yīng)。（）

答案:對金剛石結(jié)構(gòu)的立方晶胞空間利用率為74%。（）

答案:對硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

答案:精餾金剛石結(jié)構(gòu)的立方晶胞空間利用率為34%。（）

答案:錯(cuò)下列哪個(gè)雜質(zhì)允許在硅中存在的？()

答案:Cu硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）

答案:離子注入###原位摻雜###擴(kuò)散摻雜法###中子嬗變摻雜如下選項(xiàng)那個(gè)不是離子注入工藝過程中，減少溝道效應(yīng)的措施（）