三氯氫硅的合成 第二組

三氯氫硅的合成匯報時間：2014、3、261三氯氫硅的性質(zhì)2三氯氫硅的合成原理3三氯氫硅的主要設(shè)備4三氯氫硅的工藝流程目錄Content567三氯氫硅的主要技術(shù)指標(biāo)

仿真過程中的問題及解決辦法三氯氫硅合成的影響因素三氯氫硅的性質(zhì)及用途Propertiesandusesofchemicalhydrogensilicon三氯氫硅又稱硅氯仿；物理性質(zhì)：爆炸極限：6.9～70%；毒性級別：3；易燃性級別：4化學(xué)性質(zhì)：在常溫常壓下為具有刺激性惡臭易流動易揮發(fā)的無色透明液體，在空氣中極易燃燒；在高溫條件下，三氯氫硅能被氫氣還原生成硅

用途多晶硅、單晶硅原料硅油化學(xué)氣相淀積硅酮化合物制造三氯氫硅的合成原理Chemicalhydrogensynthesisprincipleofsilicon硅粉和氯化氫反應(yīng)：Si

（s）+

3HCl（g）

→

SiHCl3

（g）+

H2（g）+Q該反應(yīng)為放熱反應(yīng)，為保持爐內(nèi)溫度在280-320℃的范圍內(nèi)，以提高產(chǎn)品質(zhì)量，必須將反應(yīng)熱及時帶出。Si（s）+4HCl（g）→SiHCl3(g)+H2(g)+Q

＜280℃Si（s）+2HCl（g）→SiH2Cl2（g）+Q

280℃～320℃≧350℃三氯氫硅的主要設(shè)備一、SiHCl3合成爐合成爐主要由爐筒、擴大部分、循環(huán)水套、氣體分布板（花板）和風(fēng)帽、錐底構(gòu)成Themainequipmentforchemicalhydrogensilicon三氯氫硅的主要設(shè)備二、布袋式過濾器和旋風(fēng)分離器Themainequipmentforchemicalhydrogensilicon三氯氫硅的主要設(shè)備三、空氣冷卻器Themainequipmentforchemicalhydrogensilicon側(cè)梁管束橫梁百葉窗管箱構(gòu)架通風(fēng)機三氯氫硅的工藝流程Chemicalprocessflowofhydrogensilicon硅粉料池電感加熱干燥爐硅粉計量罐SiHCl3合成爐合成HClHCl儲罐HCl加熱器定量水冷卻系統(tǒng)產(chǎn)品計量罐干法除塵系統(tǒng)濕法法除塵系統(tǒng)廢SiCl4去精餾系統(tǒng)回收系統(tǒng)回收HClN2加熱器PID圖三氯氫硅合成的PID圖ChemicalhydrogensiliconsynthesisofPIDdiagram三氯氫硅的主要技術(shù)指標(biāo)

硅粉轉(zhuǎn)化率

95%≥98%～83%～17%Normalindexofchemicalhydrogensilicon

三氯氫硅收率分凝產(chǎn)物組分：三氯化硅含量

四氯化硅含量99%HCl轉(zhuǎn)化率（1）、反應(yīng)溫度：溫度↑，SiHCl3的合成量↓，副產(chǎn)物SiH2Cl2

的含量↑，溫度控制在280～300℃較為合適(2)、反應(yīng)壓力：壓力↑，SiHCl3的合成量↓。應(yīng)控制在0.3MPa左右（3）、氧和水分：氧氣和水分的含量↑，SiHCl3的合成量↓。

即水分含量為0.05%（4）、氫氣與氯化氫的配比：氯化氫氣體通常用不參加反

應(yīng)的氫氣稀釋，其稀釋比為H2：HCl=1：3～5。（5）、硅粉粒度：硅粉粒度↑，SiHCl3的合成量↓。即采用80～120目的硅粉粒度三氯氫硅合成的影響因素Theinfluencefactorsofchemicalhydrogensiliconsynthesis三氯氫硅合成的事故及處理方法1.系統(tǒng)發(fā)生堵塞：除塵器堵塞，可開動備用除塵器，對已堵塞的過濾器進行氮氣反吹或拆開更換過濾布；氣體分布板堵塞也可用氮氣吹掃，如無效或其他部位堵塞時應(yīng)停車檢修。2.系統(tǒng)發(fā)生漏氣、跑料現(xiàn)象：跑料嚴(yán)重需立刻停車檢修。此時應(yīng)切斷所有電路、打開門窗，以防室內(nèi)氣體濃度過大，導(dǎo)致著火、爆炸的危險。3.料層壓差突然變化：打開防空管，使頂壓短時間內(nèi)迅速減小有助于壓力恢復(fù)正常。Chemicalhydrogensiliconsynthesisofaccidentandprocessingmethod仿真過程中的問題及解決辦法Theproblemsandsolutionsintheprocessofsi