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甘肅省集成電路應(yīng)用開(kāi)發(fā)賽項(xiàng)樣題3集成電路應(yīng)用開(kāi)發(fā)賽項(xiàng)來(lái)源于集成電路行業(yè)真實(shí)工作任務(wù),由“集成電路設(shè)計(jì)與仿真”、“集成電路工藝仿真”、“集成電路測(cè)試”及“集成電路應(yīng)用”四部分組成。第一部分集成電路設(shè)計(jì)與仿真使用集成電路版圖設(shè)計(jì)軟件,根據(jù)圖1-1所示的狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖(狀態(tài)值隨機(jī)抽取),使用指定工藝PDK,設(shè)計(jì)集成電路原理圖和版圖,并進(jìn)行功能仿真。設(shè)計(jì)要求如下:芯片引腳:1個(gè)時(shí)鐘輸入端CP;3個(gè)信號(hào)輸出端Q2、Q1、Q0;1個(gè)電源端VCC;1個(gè)接地端GND。功能:CP上升沿觸發(fā)狀態(tài)遷移,輸出端Q2、Q1、Q0由高到低組成狀態(tài)S(Q2Q1Q0),S共包含8種不同的狀態(tài)S0~S7按圖1順序轉(zhuǎn)移,各狀態(tài)值由比賽現(xiàn)場(chǎng)裁判長(zhǎng)抽取的任務(wù)參數(shù)確定。仿真設(shè)置:VCC為+5V,CP為1kHz。通過(guò)DRC檢查和LVS驗(yàn)證。使用MOS管數(shù)量應(yīng)盡量少。所設(shè)計(jì)版圖面積應(yīng)盡量小?,F(xiàn)場(chǎng)評(píng)判要求:只允許展示已完成的電路圖、仿真圖、DRC檢查和LVS驗(yàn)證結(jié)果、版圖及尺寸。不能進(jìn)行增加、刪除、修改、連線等操作。狀態(tài)S狀態(tài)值Q2Q1Q0(由裁判長(zhǎng)現(xiàn)場(chǎng)抽取)S0例如:101S1S2S3S4S5S6S7圖1-1輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖
第二部分集成電路工藝仿真選擇題應(yīng)根據(jù)工藝問(wèn)題或視頻片斷選擇適合的答案,漏選、多選、錯(cuò)選均不得分。仿真操作題應(yīng)根據(jù)題目要求,按照集成電路工藝規(guī)范,在交互仿真平臺(tái)進(jìn)行仿真操作。(單選)視頻展示的是封裝工藝中引線鍵合的操作過(guò)程,其中現(xiàn)象②表示的環(huán)節(jié)是()。A.燒球B.植球C.走線D.壓焊(單選)在視頻中,標(biāo)注為③的芯片的偏移角度為多少度?A.無(wú)偏移B.偏移90度C.偏移180度D.偏移270度(單選)視頻中為裝片機(jī)的點(diǎn)膠區(qū),銀漿分配器正在給芯片座點(diǎn)漿,其中點(diǎn)漿合格的標(biāo)號(hào)是()。A.①B.②C.③D.④(單選)視頻中的操作屬于什么工藝環(huán)節(jié)?扎針測(cè)試前的導(dǎo)片扎針測(cè)試后的導(dǎo)片晶圓烘烤前的導(dǎo)片晶圓烘烤后的導(dǎo)片(單選)在顯影后檢查的視頻中,①標(biāo)注的現(xiàn)象是什么?個(gè)別點(diǎn)異常圖形異常脫膠圖形缺失或多余(多選)視頻中表述的是在晶圓外檢過(guò)程中使用油墨筆進(jìn)行打點(diǎn)的操作。在操作過(guò)程中,如果跳過(guò)標(biāo)注為①的操作,可能會(huì)出現(xiàn)怎樣的異?,F(xiàn)象?A.無(wú)影響B(tài).墨點(diǎn)沾污到其他合格晶粒C.墨點(diǎn)偏大D.墨點(diǎn)偏小(多選)涂膠過(guò)程中,哪些是造成圖中異常現(xiàn)象的可能原因?A.不適合的勻膠加速度B.光刻膠內(nèi)存在顆?;驓馀?C.不適合的托盤(pán)D.給膠量不足(多選)晶圓外檢過(guò)程中,若發(fā)現(xiàn)不良晶粒未正常打點(diǎn),則需要人工補(bǔ)墨點(diǎn)。視頻所示的補(bǔ)點(diǎn)方式其特點(diǎn)包括()。A.操作簡(jiǎn)單,技術(shù)要求較低B.技術(shù)要求較高 C.墨點(diǎn)較精確D.墨點(diǎn)大小不可控(多選)塑料封裝時(shí),視頻中的操作是模壓過(guò)程(傳統(tǒng)模)中不可或缺的一步,該操作的作用有()。A.去除塑封料中的水分 B.制作高質(zhì)量塑封料 C.提高塑封料的可重復(fù)使用率 D.加快模壓過(guò)程,提高塑封機(jī)工作效率(多選)激光打標(biāo)是為芯片打上標(biāo)識(shí)的過(guò)程,當(dāng)大量出現(xiàn)視頻中①標(biāo)注的現(xiàn)象時(shí),下列操作正確的有()。繼續(xù)完成本批次作業(yè)暫停設(shè)備作業(yè)將存在該問(wèn)題的芯片報(bào)廢處理技術(shù)人員檢修光路(仿真操作)氧化擴(kuò)散—領(lǐng)料與清洗:集成電路制造流片工藝薄膜制備部分的氧化前物料領(lǐng)取確認(rèn)和氧化前清洗(仿真操作)編帶外觀檢查—外觀檢查:集成電路制造芯片測(cè)試工藝編帶外觀檢查環(huán)節(jié)批次移入和芯片外觀檢查虛擬仿真交互。(仿真操作)晶圓烘烤—參數(shù)設(shè)置:集成電路制造晶圓測(cè)試工藝晶圓烘烤環(huán)節(jié)烘箱參數(shù)設(shè)置(仿真操作)離子注入—領(lǐng)料與參數(shù)設(shè)置:集成電路制造流片工藝摻雜部分的離子注入設(shè)備上料和參數(shù)設(shè)置(仿真操作)潔凈車(chē)間進(jìn)入準(zhǔn)備—防靜電與除塵:集成電路制造潔凈車(chē)間進(jìn)入操作規(guī)范部分的防靜電點(diǎn)檢和風(fēng)淋
第三部分集成電路測(cè)試參賽選手從現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的元器件中選取待測(cè)試芯片及工裝所需元件和材料,參考現(xiàn)場(chǎng)下發(fā)的技術(shù)資料(芯片手冊(cè)、元器件清單等),在規(guī)定時(shí)間內(nèi),按照相關(guān)電路原理與電子裝接工藝,設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試工裝板,搭建和配置測(cè)試環(huán)境,使用測(cè)試儀器與工具,實(shí)施并完成測(cè)試任務(wù)。集成電路測(cè)試共分為數(shù)字集成電路測(cè)試和模擬集成電路測(cè)試兩項(xiàng)子任務(wù)。子任務(wù)一:數(shù)字集成電路測(cè)試待測(cè)芯片:驅(qū)動(dòng)器(例如:ULN2003)參數(shù)測(cè)試(1)開(kāi)短路測(cè)試(2)VOL輸出低電平電壓測(cè)試(3)IOH輸出高電平電流測(cè)試(4)IIH輸入高電平電流測(cè)試功能測(cè)試設(shè)計(jì)、焊接、調(diào)試完成測(cè)試工裝,搭建并配置測(cè)試環(huán)境,測(cè)試芯片邏輯功能,應(yīng)設(shè)置輸入引腳、控制引腳狀態(tài),記錄輸出引腳電壓值及性能參數(shù)并標(biāo)注單位。子任務(wù)二:模擬集成電路測(cè)試待測(cè)芯片:TLC5615TLC5615是一個(gè)10位電壓輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),帶有緩沖參考輸入(高阻抗)。DAC的輸出電壓范圍是參考電壓的兩倍,并且DAC是單調(diào)的。該設(shè)備使用簡(jiǎn)單,單電源為5V。上電復(fù)位功能可確??芍貜?fù)啟動(dòng)條件參數(shù)測(cè)試最小有效位零點(diǎn)偏移誤差增益誤差差分線性誤差應(yīng)用電路測(cè)試?yán)帽荣惉F(xiàn)場(chǎng)提供的TL5615芯片、單片機(jī)、萬(wàn)能板、各類(lèi)阻容元件、熱敏電阻、晶體管器件等,搭建控制器。實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)控制恒流源輸出電流,并測(cè)試性能。附:TLC5615驅(qū)動(dòng)程序voidDelayms(unsignedintt){unsignedintx,y;for(x=t;x〉0;x--)for(y=120;y〉0;y--);}voidWriteTLC5615(unsignedintwdata)//寫(xiě)TLC5615數(shù)據(jù){unsignedchari;cs=0;//片選使能wdata<<=2;//將數(shù)據(jù)左移兩位,補(bǔ)擴(kuò)展位,組成12位數(shù)據(jù)寫(xiě)入for(i=0;i<12;i++)//寫(xiě)入12位數(shù)據(jù){sclk=0;din=(wdata&0x0800)?1:0;//取出最高位(第11位)寫(xiě)入sclk=1;//上升沿送數(shù)據(jù)wdata<<=1;//下一位移到最高位}cs=1;//片選禁止}
第四部分集成電路應(yīng)用集成電路應(yīng)用任務(wù)要基于單片機(jī)(LK32T102或stm32f103c8t6)及運(yùn)放(LM358)等設(shè)計(jì)一款頻率及幅度可調(diào)方波信號(hào)發(fā)生器。參賽選手利用LM358、LK32T102或stm32f103c8t6、AMS1117等集成電路芯片及4位8段數(shù)碼管模塊搭建方波信號(hào)發(fā)生器,編寫(xiě)控制程序,實(shí)現(xiàn)頻率、占空比可調(diào)等功能。1.?dāng)?shù)碼管顯示部分如圖4-1和圖4-2所示。00000000000000 圖4-1頻率顯示圖4-2占空比顯示2.實(shí)現(xiàn)過(guò)程開(kāi)機(jī)初始化PWM、定時(shí)器等相關(guān)資源;通過(guò)上下按鍵切換需要設(shè)置參數(shù)欄;圖4-1所示是設(shè)置頻率參數(shù),設(shè)置完成后按下確認(rèn)按鍵后立即生效;圖4-2所示設(shè)置占空比參數(shù);以上兩個(gè)參數(shù)設(shè)置全部通過(guò)數(shù)字按鍵輸入?yún)?shù),程序內(nèi)判斷輸入?yún)?shù)的范圍是否正確;設(shè)置完成后點(diǎn)擊打開(kāi)輸出按鍵,即可
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