1+X集成電路理論復(fù)習(xí)題與參考答案

1+X集成電路理論復(fù)習(xí)題與參考答案

1、在集成電路中，將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工

藝是O。

A、薄膜制備

B、光刻

C、刻蝕

D、金屬化

答案：B

在集成電路中，將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝

是光刻。

2、晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，完成晶圓信息的輸入后，需要核對(duì)（）上的信息,

確保三者的信息一致。

A、MAP圖、探針臺(tái)界面、晶圓測(cè)試隨件單

B、MAP圖、測(cè)試機(jī)操作界面、晶圓測(cè)試隨件單

C、MAP圖、軟件版本、晶圓測(cè)試隨件單

D、MAP圖、軟件檢測(cè)程序、晶圓測(cè)試隨件單

答案：B

3、在制備完好的單晶襯底上，沿其原來(lái)晶向，生長(zhǎng)一層厚度、導(dǎo)電類(lèi)型、

電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層，該薄膜制備方法是（）。

A、外延

B、熱氧化

C、PVD

D、CVD

答案：A

外延是在制備完好的單晶襯底上，沿其原來(lái)晶向，生長(zhǎng)一層厚度、導(dǎo)電類(lèi)

型、電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層。

4、重力式外觀檢查是在（）環(huán)節(jié)之前進(jìn)行的。

A、編帶

B、測(cè)試

C、分選

D、真空包裝

答案：D

重力式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝流程：上料一測(cè)試一分選一編帶（SOP）一

外觀檢查一真空包裝。

5、使用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行粗拋時(shí)，拋光區(qū)域溫度一般控制在（）

A、3850°C

B、20~50°C

C、20~30°C

D、20~38°C

答案：A

一般拋光區(qū)的溫度控制在38~50。C（粗拋）和20~30。C（精拋）。

6、在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，N710S管的源極接（），漏極接（），P-M0S管的

源極接（），漏極接（）。

A、地、高電位、電源、低電位

B、地、高電位、GND、高電位

C、地、高電位、GND、低電位

D、電源、高電位、GND、低電位

答案：C

7、若遇到需要編帶的芯片，在測(cè)試完成后的操作是（）。

A、測(cè)試

B、上料

C、編帶

D、外觀檢查

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料一測(cè)試一編帶一外觀檢查一真空包

裝。

8、使用測(cè)編一體的轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，如果遇到需要編帶的

芯片，在測(cè)試完成后的操作是（）。

A、外觀檢查

B、編帶

C、測(cè)試

D、上料

答案：B

9、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)之前，需要進(jìn)行的操作是（）。

A、外檢

B、扎針調(diào)試

C、打點(diǎn)

D、扎針測(cè)試

答案：D

晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片一上片一加溫、扎針調(diào)試一扎針測(cè)試一打點(diǎn)一烘

烤一外檢一真空入庫(kù)。

10、元器件的引線直徑與印刷焊盤(pán)孔徑應(yīng)有（）的合理間隙。

A、0.l~0.4mm

B、0.2~0.4mm

C、0.l~0.3mm

D、0.2~0.3mm

答案：B

11、芯片封裝工藝中，下列選項(xiàng)中的工序均屬于前段工藝的是（）。

A、晶圓切割、引線鍵合、塑封、激光打字

B、晶圓貼膜、芯片粘接、激光打字、去飛邊

C、晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接、引線鍵合

D、晶圓切割、芯片粘接、塑封、去飛邊

答案：C

封裝工藝流程中前段工藝包括晶圓貼膜、晶圓切割、芯片粘接以及引線鍵

合，后段工藝則包括塑封、激光打字、去飛邊、電鍍以及切筋成型。

12、晶向?yàn)椋?11〉、8英寸P型半導(dǎo)體材料的定位方式是沿著硅錠長(zhǎng)度方向

研磨出（）。

A、一個(gè)基準(zhǔn)面

B、兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈45度角

C、兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈90度角

D、定位槽

答案：D

8英寸的晶圓直徑為200mln,當(dāng)硅片直徑等于或大于200mm時(shí)，往往不再研

磨基準(zhǔn)面，而是沿著晶錠長(zhǎng)度方向磨出一小溝作為定位槽。

13、封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱

中進(jìn)行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。

A、150

B、200

C、225

D、175

答案：D

14、平移式分選機(jī)設(shè)備分選環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、分選一吸嘴吸取芯片一收料

B、吸嘴吸取芯片一分選一收料

C、吸嘴吸取芯片一收料一分選

D、分選一收料一吸嘴吸取芯片

答案：B

平移式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：吸嘴吸取芯片一分選一收料。

15、在用萬(wàn)用表測(cè)量晶體管、電解電容等有極性元件的等效電阻時(shí)，必須

注意（）。

A、選擇歐姆擋位

B、選擇較大量程

C、注意兩支筆的極性

D、以上都是

答案：C

16、晶圓進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，其操作步驟正確的是（）。

A、輸入晶圓信息一測(cè)試一清零一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處理

一繼續(xù)測(cè)試一記錄測(cè)試結(jié)果

B、輸入晶圓信息一檢查扎針情況（無(wú)異常）一測(cè)試一清零一繼續(xù)測(cè)試一記

錄測(cè)試結(jié)果

C、輸入晶圓信息一清零一測(cè)試一檢查扎針情況（無(wú)異常）一繼續(xù)測(cè)試一記

錄測(cè)試結(jié)果

D、輸入晶圓信息一測(cè)試一檢查扎針情況（有異常）一異常情況處理一清零

一繼續(xù)測(cè)試一記錄測(cè)試結(jié)果

答案：C

17、下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

A、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng)，表示在單元下建立電路

圖視圖

B、在電路編輯窗口中，利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖

C、在cadence軟件界面上，單擊Tools菜單，選擇LibraryManager命令,

出現(xiàn)“庫(kù)文件管理器”

D、用戶(hù)可以在庫(kù)文件里新建單元，但不能在新建的單元下新建視圖

答案：D

18、濕法刻蝕中，（）的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。

A、硅

B、鋁

C、二氧化硅

D、種化錢(qián)

答案：C

二氧化硅腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。

19、封裝工藝中，在晶圓切割后的光檢中環(huán)節(jié)發(fā)現(xiàn)的不良廢品，需要做（）

處理。

A、修復(fù)

B、剔除

C、降檔

D、標(biāo)記

答案：B

20、下列對(duì)重力式分選描述錯(cuò)誤的是（）。

A、重力式分選機(jī)為斜背式雙工位或多工位自動(dòng)測(cè)試分選機(jī)

B、可以分選BGA封裝芯片

C、測(cè)試方式為夾測(cè)

D、重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成

答案：B

21、平移式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：（）。

A、吸取、搬運(yùn)芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一搬運(yùn)、吹放

芯片

B、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運(yùn)芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一搬運(yùn)、吹放

芯片

C、入料梭轉(zhuǎn)移芯片一搬運(yùn)、吹放芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一吸取、搬運(yùn)

芯片

D、搬運(yùn)、吹放芯片一入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運(yùn)芯片一壓測(cè)一記錄測(cè)試

結(jié)果

答案：B

平移式分選機(jī)設(shè)備測(cè)試環(huán)節(jié)的流程是：入料梭轉(zhuǎn)移芯片一吸取、搬運(yùn)芯片

一壓測(cè)一記錄測(cè)試結(jié)果一搬運(yùn)、吹放芯片。

22、編帶外觀檢查的步驟正確的是（）。

A、檢查外觀一歸納放置一固定卷盤(pán)一編帶回料一編帶固定

B、歸納放置一固定卷盤(pán)一檢查外觀一編帶回料一編帶固定

C、固定卷盤(pán)一歸納放置一檢查外觀一編帶回料一編帶固定

D、編帶固定一固定卷盤(pán)一歸納放置一檢查外觀一編帶回料

答案：B

編帶外觀檢查的步驟：歸納放置一固定卷盤(pán)一檢查外觀一編帶回料一編帶

固定。

23、用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過(guò)（）可以得到高純度的四氯化

硅。

A、高溫還原爐

B、精儲(chǔ)塔

C、多晶沉積設(shè)備

D、單晶爐

答案：B

用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通常使用精鐳法，精鐳法是在精僧塔

中實(shí)現(xiàn)的。

24、該圖是（）的版圖。

A、一位全加器

B、與非門(mén)

C、D觸發(fā)器

D、傳輸門(mén)

答案：C

25、晶圓檢測(cè)工藝中，6英寸的晶圓進(jìn)行晶圓墨點(diǎn)烘烤時(shí)，烘烤時(shí)長(zhǎng)一般

為（）分鐘。

A、10

B、1

C、20

D、5

答案：D

26、平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第三個(gè)環(huán)節(jié)是（）。

A、分選

B、上料

C、測(cè)試

D、外觀檢查

答案：A

平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料一測(cè)試一分選一

外觀檢查一真空包裝。

27、S0P封裝的芯片一般采用（）形式進(jìn)行包裝。

A、卷盤(pán)

B、編帶

C、料管

D、料盤(pán)

答案：B

SOP封裝因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝形式。

28、濕度卡的作用是（）。

A、去潮濕物質(zhì)中的水分

B、可以防止靜電

C、起到防水的作用

D、顯示密封空間的濕度狀況

答案：D

濕度卡是用來(lái)顯示密封空間濕度狀況的卡片。

29、單晶硅生長(zhǎng)完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中不是物理性能檢驗(yàn)的參

數(shù)的是（）。

A、直徑

B、外觀

C、電阻率

D、晶向

答案：C

30、Cadence中庫(kù)管理由高到低分別是（）。

A、庫(kù)-單元-視圖

B、庫(kù)-視圖-單元

C、單元-庫(kù)-視圖

D、單元-視圖-庫(kù)

答案：A

31、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-2清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可

以去除的物質(zhì)是（）。

A、光刻膠

B、顆粒

C、金屬

D、自然氧化物

答案：C

32、防靜電點(diǎn)檢的目的是（）。

A、檢測(cè)進(jìn)入車(chē)間人員的體重與身體狀況

B、指紋檢測(cè)

C、檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車(chē)間的標(biāo)準(zhǔn)

D、防止灰塵或靜電的產(chǎn)生

答案：C

防靜電點(diǎn)檢的目的是檢測(cè)人體帶有的靜電是否超出進(jìn)入車(chē)間的標(biāo)準(zhǔn)，沒(méi)有

A、B、D選項(xiàng)所述的功能；規(guī)范著裝的目的是防止人體灰塵的散落或靜電的產(chǎn)

生。

33、｛在扎針測(cè)試時(shí)，需要記錄測(cè)試結(jié)果，根據(jù)以下入庫(kù)晶圓測(cè)試隨件單的

信息，如果剛測(cè)完片號(hào)為5的晶圓，那么下列說(shuō)法正確的是：（）。）

A、T0TAL=5968,PASS=5788

B、T0TAL=6000,PASS=5820

C、T0TAL=5820,FAIL=180

D、T0TAL=5788,FAIL=212

答案：B

入庫(kù)晶圓測(cè)試隨件單中的合格數(shù)指的是除去測(cè)試不合格及外觀不合格的合

格數(shù)量，因此，總數(shù)TOTAL="合格數(shù)”+“測(cè)試不良數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測(cè)

試合格數(shù)PASS="合格數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測(cè)試不合格數(shù)FAIL="測(cè)試不良

數(shù)”。所以對(duì)于片號(hào)為5的晶圓，TOTAL=6000,PASS=5820,FAIL=180o

34、編帶過(guò)程中，在進(jìn)行熱封處理后，需要進(jìn)行（）環(huán)節(jié)。

A、芯片放入載帶

B、密封

C、編帶收料

D、光檢

答案：C

轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行編帶的步驟是：芯片光檢一載帶移動(dòng)一熱封處理一編帶

收料一清料。

35、使用重力式分選機(jī)進(jìn)行模塊電路的串行測(cè)試時(shí)，假設(shè)A,B軌道測(cè)試合

格，C軌道測(cè)試不合格，芯片移動(dòng)的路線是（）。

A、A測(cè)試軌道一分選梭1-B測(cè)試軌道一分選梭2-C測(cè)試軌道一分選梭

3-D合格軌道一分選梭4一不良品料管；

B、A測(cè)試軌道一分選梭1—B測(cè)試軌道一分選梭2—C不合格軌道一分選梭

3-D不合格軌道一分選梭4一不良品料管；

C、A測(cè)試軌道一分選梭1一B測(cè)試軌道一分選梭2—C不合格軌道一分選梭

3—D不合格軌道一分選梭4一不良品料管

D、A測(cè)試軌道一分選梭1-B測(cè)試軌道一分選梭2-C測(cè)試軌道一分選梭

3—D不合格軌道一分選梭4一不良品料管

答案：D

36、當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌（）時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴吸取芯片。

A、首端

B、中端

C、末端

D、任意位置

答案：C

當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌末端時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方，吸嘴

產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起，升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺(tái)，上料完成。

37、平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行分選時(shí)，可以根據(jù)測(cè)試結(jié)果將合格芯片分為（）。

A、A檔

B、B檔

C、C檔

D、不合格檔

答案：AB

平移式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行分選時(shí)，可以根據(jù)測(cè)試結(jié)果將芯片分為合格品和不

合格品，其中合格的芯片根據(jù)測(cè)試條件的不同可分為A/B兩檔。

38、封裝工藝前期的晶圓研磨的主要目的是（）和（）。

A、減小晶圓體積，節(jié)省空間

B、提高晶圓散熱性

C、降低后續(xù)工藝中的設(shè)備損害和原料成本

D、使晶圓表面保持光滑規(guī)整

答案：BC

晶圓磨片后不僅可以提高晶圓散熱性，而且可以降低對(duì)切割機(jī)造成的損害

以及降低引線鍵合和塑料封裝過(guò)程中原材料成本。

39、工業(yè)上用二氧化硅和碳在高溫下以一定的比例混合發(fā)生置換反應(yīng)得到

的單質(zhì)硅純度約為98%,主要含有的雜質(zhì)有（）。

A、Fe

B、Al

C、B

D、Cu

答案：ABCD

將二氧化硅和焦炭在高溫下發(fā)生反應(yīng)生成粗硅，此時(shí)的硅純度約為98%,

主要含有：Fe、Al、C與B、Cu等雜質(zhì)。

40、在進(jìn)入集成電路制造車(chē)間前注意著裝規(guī)范，其目的是為了防止人體、

衣物等產(chǎn)生（）和（）對(duì)芯片造成損害。

A、灰塵

B、潮氣

C、熱量

D、靜電

答案：AD

在著裝方面，進(jìn)入車(chē)間前都需穿戴對(duì)應(yīng)的無(wú)塵衣或防靜電服，其目的是為

了防止人體、衣物等產(chǎn)生灰塵、靜電對(duì)芯片造成損害。

41、以下元器件屬于數(shù)字電路的是（）。

A、數(shù)據(jù)選擇器

B、定時(shí)器

C、計(jì)數(shù)器

D、驅(qū)動(dòng)器

答案：ACD

42、解決鋁的電遷移的方法有（）。

A、可做鋁銅合金

B、采用三層夾心結(jié)構(gòu)

C、在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸?/p>

D、采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)

答案：ABD

解決鋁的電遷移的方法有采用鋁銅或鋁銅合金、采用三層夾心結(jié)構(gòu)、采用

“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)。

43、封裝按材料分一般可分為（）等封裝形式。

A、橡膠封裝

B、金屬封裝

C、塑料封裝

D、泡沫封裝

E、玻璃封裝

F、陶瓷封裝

答案：BCEF

按照封裝材料的不同，IC封裝可分為塑料封裝、金屬封裝、陶瓷封裝、和

玻璃封裝等，其中塑料封裝為常用的封裝形式，約占IC封裝市場(chǎng)的90虬

44、重力式分選機(jī)日常保養(yǎng)項(xiàng)目有（）。

A、測(cè)試壓座灰塵清理

B、分粒區(qū)

C、軌道入口

D、梭子出入口的傳感器維護(hù)

答案：BCD

45、最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括（）。

A、氫氟酸

B、氟化鏤

C、去離子水

D、磷酸

答案：ABC

二氧化硅的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。為了控制反應(yīng)速率不能過(guò)

快，在腐蝕液中會(huì)加入氟化鏤作為緩沖劑。

46、在8個(gè)LED燈閃爍實(shí)驗(yàn)中"PB->OUT=OxffOO；”表示（）。

A、PB0~PB7為輸出

B、PB8~PB15為輸出

C、輸出高電平，點(diǎn)亮LED燈

D、輸出低電平，點(diǎn)亮LED燈

答案：AD

47、在單片機(jī)程序裝載中，使用SW串口下載程序需注意（）。

A、需要在魔法棒按鈕的debug中選擇sw串口而不是j-link

B、需要在魔法棒按鈕的outout中設(shè)置生成batch文件

C、需要在魔法棒按鈕的debug中選setting設(shè)置地址范圍

D、需要在魔法棒按鈕的output中設(shè)置生成hex文件

答案：BC

48、切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅

片的四個(gè)重要參數(shù)，即晶向、（）、（）、（）。

A、平行度

B、直徑

C、翹度

D、厚度

答案：ACD

切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的

四個(gè)重要參數(shù)，即晶向、厚度、平行度、翹度。直徑是在外形整理中的徑向研

磨環(huán)節(jié)確定的。

49、在薄膜制備的過(guò)程中，需要檢驗(yàn)薄膜的質(zhì)量，以下屬于氧化層表面缺

陷的是（）。

A、層錯(cuò)

B、針孔

C、斑點(diǎn)

D、白霧

答案：CD

50、以下說(shuō)法正確的是（）。

A、編帶機(jī)的上料方式與重力式分選機(jī)相似，都是根據(jù)芯片自身重力。將待

裝有測(cè)芯片料管推出，上料夾具夾起料管，芯片根據(jù)自身重力沿軌道下滑

B、編帶機(jī)的光檢區(qū)運(yùn)用高速高精度視覺(jué)處理技術(shù)自動(dòng)檢測(cè)芯片，將管腳不

良或印章異常的芯片進(jìn)行剔除；若光檢合格，顯示區(qū)則顯示“0K”，反之則顯

示“NG”

C、光檢區(qū)檢測(cè)不合格的芯片，會(huì)從光檢區(qū)滑落至不良品料管內(nèi)；而檢測(cè)合

格的芯片，則會(huì)由真空吸嘴自動(dòng)吸取，并將其精準(zhǔn)地放到空載帶內(nèi)，載帶內(nèi)每

放置一顆芯片便會(huì)向前傳送一格

D、在芯片測(cè)試分選完成后，需要對(duì)合格芯片進(jìn)行外觀檢查。所采用的方式

的是機(jī)器目檢，從而保證產(chǎn)品包裝的合格率

答案：ABC

51、塑料封裝的主要特點(diǎn)有（）、（）和（）。

A、材料柔和，不損害芯片

B、成本低廉、質(zhì)量輕

C、外殼堅(jiān)硬防劃傷

D、防水、耐高溫

E、便于自動(dòng)化生產(chǎn)

F、工藝簡(jiǎn)單

答案：BEF

52、AltiumDesigner系統(tǒng)可以載入自定義元件庫(kù)，下列是自定義元件庫(kù)

的是（）。

A、MiscellaneousDevices.IntLib

B、MotorolaAnalogTimerCircuit.IntLib

C、MiscellaneousConnectors.IntLib

D、MotorolaAmplifierOperationalAmplifier.IntLib

答案:BD

53、重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)由（）組成。

A、料斗

B、上料夾具

C、氣軌

D、上料槽

E、收料架

F、送料軌

答案：BDF

重力式分選機(jī)的上料機(jī)構(gòu)主要由上料槽、上料夾具和送料軌組成。

54、在繪制總體電路圖的過(guò)程中，對(duì)電路圖的要求是（）。

A、反映出電路的工作原理

B、表現(xiàn)出電路各部分的關(guān)系

C、清楚地反映出電路的組成

D、表現(xiàn)出各個(gè)信號(hào)的流向

答案：ABCD

55、晶圓制造過(guò)程中，檢測(cè)刻蝕質(zhì)量的好壞，一般通過(guò)以下幾個(gè)方面體現(xiàn)

出來(lái)：（）。

A、刻蝕均勻性

B、圖形保真度

C、刻蝕選擇比

D、刻蝕的潔凈度

答案：ABCD

56、整批料盤(pán)全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行的操

作是（）。

A、清點(diǎn)數(shù)量

B、打印標(biāo)簽

C、臨時(shí)捆扎

D、抽檢

答案：ABCD

整批料盤(pán)全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎、

數(shù)量清點(diǎn)、打印標(biāo)簽、放到“已檢查品貨架”上等待外驗(yàn)人員進(jìn)行抽檢等操作。

57、為了驗(yàn)證所布線的電路板是符合設(shè)計(jì)規(guī)則的，現(xiàn)在設(shè)計(jì)者要運(yùn)行設(shè)計(jì)

規(guī)則檢查DesignRuleCheck（DRC）O

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

58、以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，在上片過(guò)程中，需注意花籃位置放置準(zhǔn)確，否

則有可能導(dǎo)致晶圓探針錯(cuò)位、破片。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

59、抽真空操作時(shí)，可以不用踩真空包裝機(jī)的踏板。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

抽真空時(shí)，腳踩踏板進(jìn)行抽真空操作。

60、晶圓貼膜過(guò)程中，若晶圓背面存在顆粒物會(huì)使藍(lán)膜和晶圓之間產(chǎn)生氣

泡。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

61、風(fēng)淋時(shí)到達(dá)設(shè)定時(shí)間后風(fēng)淋結(jié)束，風(fēng)淋室自動(dòng)解鎖，此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)淋室

內(nèi)門(mén)，進(jìn)入車(chē)間。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

風(fēng)淋到達(dá)設(shè)定值后，風(fēng)淋室的門(mén)］自動(dòng)由關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟，此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)

淋室的門(mén)進(jìn)入車(chē)間。

62、封裝工藝中要先進(jìn)行晶圓切割，根據(jù)切割工具的形式，晶圓切割的方

式只有機(jī)械切割，一般采用砂輪劃片的方法。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

63、設(shè)計(jì)相同電路的版圖，全定制設(shè)計(jì)通常比半定制設(shè)計(jì)占用更多面積。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B

64、集成電路制作工藝的車(chē)間需要定期進(jìn)行除塵清掃，其可以有效減少生

產(chǎn)環(huán)境的變化對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

由于車(chē)間內(nèi)設(shè)備、通風(fēng)、空調(diào)等的運(yùn)行會(huì)逐漸帶入灰塵，經(jīng)過(guò)累積會(huì)使車(chē)

間內(nèi)的微粒數(shù)超過(guò)該車(chē)間的無(wú)塵指標(biāo)，此時(shí)電路和設(shè)備易被灰塵污染、損壞，

造成一定的損失，所以定期對(duì)車(chē)間進(jìn)行除塵清掃是必不可少的環(huán)節(jié)，防止生產(chǎn)

環(huán)境的變化而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

65、輸入差分對(duì)版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，采用的是二維共質(zhì)心方式設(shè)計(jì)。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

66、切筋成型模具上的刀片將連筋切斷后，成型沖頭繼續(xù)下壓，使管腳彎

成所需的形狀。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

67、測(cè)試夾具常見(jiàn)故障包括：接觸不良、開(kāi)路短路不良；、表面嚴(yán)重磨損

等。（）

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：A

68、調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。

A、正確

B、錯(cuò)誤

答案：B