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文檔簡介

1、電源MOS設備UIS故障和改進,2014.10,主要內容,UIS基本簡介,1,2,UIS故障機制,3,4,UIS改進方向,UIS測試原理,UIS簡介,UIS簡介UISUIS功能是衡量電源設備可靠性的重要指標。UIS失效機理和改進研究一直是電力MOS設備研究的重點。主要內容,UIS基本簡介,1,2,UIS失敗機制,3,4,UIS改進方向,UIS測試原理,UIS測試電路,a測試設備,b測試電路,UIS測試流程,示例打開狀態(tài)UIS基本簡介,1,2,UIS故障機制,3,4,UIS改進方向,UIS測試原理,電流相關故障能量相關故障:電源耗散引起的設備溫度上升達到材料的固有溫度。UIS失效機制,在實際應用

2、中,大部分是大電流導致UIS失效。集中在高電流上,使NPN管打開。條件:RB*I0.7V,A開放前電流路徑,B開放后電流路徑,UIS失效機制,NPN管道打開后特定失效模式實現兩個茄子:NPN牙齒打開,三極管放大后電流變大,溫度升高,高溫再次上升,形成正向反饋,使設備過熱失效。NPN牙齒打開,發(fā)生二次突破,BVCBO取代BVCBO,零件耐壓能力急劇下降,零件更容易穿孔或著火。a理論曲線,b模擬曲線,主要內容,UIS基本簡介,1,2,UIS故障機制,3,4,UIS改進方向,UIS測試原理,UIS改進方向,NPN管開口抑制,盡可能地零件RB*I0.7V改進思路:降低P基座和P plus區(qū)域電阻RB,以減少通過基礎區(qū)域的電流。I特定方法:減少電流方法減少電阻、減少電流、最優(yōu)化想法:減少雪崩時減少基區(qū)電阻流動電流。RB*I0.7V核心理念:雪崩時改變電流的流動通道,以防止阻塞電流打開默認區(qū)域電阻,NPN牙齒優(yōu)化結構,從而避免影響設備的其他性能參數。Fig現有結構中斷時電流流路徑,電阻減少方法,Fig現有結構中斷時電流流路徑,最優(yōu)化想法:雪崩電流通過基本區(qū)域的電阻減少RB*I0.7V核心想法:通過減少基本區(qū)域的側電阻,可以在

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