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文檔簡介

1、電源MOS設備UIS故障和改進，2014.10，主要內容，UIS基本簡介，1，2，UIS故障機制，3，4，UIS改進方向，UIS測試原理，UIS簡介，UIS簡介UISUIS功能是衡量電源設備可靠性的重要指標。UIS失效機理和改進研究一直是電力MOS設備研究的重點。主要內容，UIS基本簡介，1，2，UIS失敗機制，3，4，UIS改進方向，UIS測試原理，UIS測試電路，a測試設備，b測試電路，UIS測試流程，示例打開狀態(tài)UIS基本簡介，1，2，UIS故障機制，3，4，UIS改進方向，UIS測試原理，電流相關故障能量相關故障：電源耗散引起的設備溫度上升達到材料的固有溫度。UIS失效機制，在實際應用

2、中，大部分是大電流導致UIS失效。集中在高電流上，使NPN管打開。條件：RB*I0.7V，A開放前電流路徑，B開放后電流路徑，UIS失效機制，NPN管道打開后特定失效模式實現兩個茄子：NPN牙齒打開，三極管放大后電流變大，溫度升高，高溫再次上升，形成正向反饋，使設備過熱失效。NPN牙齒打開，發(fā)生二次突破，BVCBO取代BVCBO，零件耐壓能力急劇下降，零件更容易穿孔或著火。a理論曲線，b模擬曲線，主要內容，UIS基本簡介，1，2，UIS故障機制，3，4，UIS改進方向，UIS測試原理，UIS改進方向，NPN管開口抑制，盡可能地零件RB*I0.7V改進思路：降低P基座和P plus區(qū)域電阻RB，以減少通過基礎區(qū)域的電流。I特定方法：減少電流方法減少電阻、減少電流、最優(yōu)化想法：減少雪崩時減少基區(qū)電阻流動電流。RB*I0.7V核心理念：雪崩時改變電流的流動通道，以防止阻塞電流打開默認區(qū)域電阻，NPN牙齒優(yōu)化結構，從而避免影響設備的其他性能參數。Fig現有結構中斷時電流流路徑，電阻減少方法，Fig現有結構中斷時電流流路徑，最優(yōu)化想法：雪崩電流通過基本區(qū)域的電阻減少RB*I0.7V核心想法：通過減少基本區(qū)域的側電阻，可以在

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