GB-T4585-2004 交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

ICS29.080.10

K48

I0

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T4585-2004/IEC60507:1991

代替GB/T4585.1-1984,GB/T4585.2-1991

交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systems

GEC60507:1991，IDT)

2004-05-14發(fā)布

2005-02-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

發(fā)布

GB/T4585-2004/IEC60507:1991

目次

月J舀······························?！ぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁ?。?！ぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁ?。?！ぁぁぁぁぁぁぁ??！ぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁぁ??班

第一節(jié)總則

1范圍··············································································································??1

2目的···············································································································??1

3定義··············································································································??1

第二節(jié)一般試驗(yàn)要求

4試驗(yàn)方法·······································································································??2

5被試絕緣子的準(zhǔn)備···········································??，..·········...........................??3

6對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求··························································.....········...................??3

第三節(jié)鹽霧法

7鹽溶液···········································································································??4

8噴霧系統(tǒng)········································································································一5

9試驗(yàn)開始前的條件······················.........··......................................................??6

10預(yù)處理過程··················································································..···??，...·??6

11耐受試驗(yàn)·······································································································??6

12耐受試驗(yàn)的接收準(zhǔn)則·······························································........···............??6

第四節(jié)固體層法

污液的組成····································································································??6

惰性材料的主要特性································································..·········..........??8

污層的涂覆··············，······················································································??8

被試絕緣子污穢度的測(cè)定········，································，·········......??，...........??‘.9

污層濕潤的一般要求····················，···················，，··················.....······.............??10

試驗(yàn)程序··········································································..·····??，.········.·??10

耐受試驗(yàn)和接收準(zhǔn)則(對(duì)程序A和B都通用的........................................................?11

勺曰d.尸0﹄b7尸卜乙0目

111，1，11es，we，土

附錄A(資料性附錄)

附錄B(資料性附錄)

附錄C(資料性附錄)

附錄D(資料性附錄)

評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否要求的補(bǔ)充資料·..................................................14

絕緣子耐受特性的測(cè)定···，·············，··········································??15

檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測(cè)量···············，···················.....··??17

與固體層法程序有關(guān)的補(bǔ)充推薦············，····················，······.······??19

GB/T4585-2004/IEC60507:1991

911舀

本標(biāo)準(zhǔn)等同采用IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)》(英文版)。

為便于使用，本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改:

a)用小數(shù)點(diǎn)“’，代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)“，”;

b)刪除IEC60507:1991的前言。

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T4585.1-1984《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法鹽霧法》和

GB/T4585.2-1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法固體層法》

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4585.1-1984和GB/T4585.2-1991相比主要變化如下:

—對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的短路電流要求不同。GB/T4585.1和GB/T4585.2規(guī)定短路電流不小于10A,

而本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定短路電流與被試絕緣子爬電比距有關(guān)，當(dāng)爬電比距在16mm/kV至25mm/kV

之間變化時(shí)，最小短路電流應(yīng)在6A至15A之間變化才能滿足要求;

—本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣子鹽霧法試驗(yàn)時(shí)應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理(本標(biāo)準(zhǔn)的第10章)，而GB/T4585.1無此

規(guī)定。

—GB/T4585.2規(guī)定的染污方法包括有定量涂刷法，而本標(biāo)準(zhǔn)未規(guī)定此方法。

—GB/T4585.2規(guī)定染污的污液有兩種，其中的惰性材料一為硅藻土，另一為硅藻土和高度分

散的二氧化硅本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的染污污液有兩種，其中一種與GB/T4585.2相同，所含惰性材

料為硅藻土和高度分散二氧化硅，另一種所含惰性材料為高嶺土(或砒石粉)。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B、附錄C、附錄D均為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:西安電瓷研究所、武漢高壓研究所、重慶大學(xué)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李大楠、吳光亞、蔣興良、丘志賢。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

—GB/T4585.1-1984,GB/T4585.2-1991.

GB/T4585-2004/IEC60507:1991

交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

第一節(jié)總則

范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于系統(tǒng)最高電壓1kV-765kV范圍內(nèi)的交流系統(tǒng)用戶外和暴露在污穢大氣中的瓷和

玻璃絕緣子的工頻耐受特性的測(cè)定。

這些試驗(yàn)不能直接應(yīng)用于涂油絕緣子和特殊型式的絕緣子(具有半導(dǎo)電釉的絕緣子或覆蓋有任何

有機(jī)絕緣材料的絕緣子)。

2目的

本標(biāo)準(zhǔn)的目的是規(guī)定適用于架空線路、變電站、牽引線路絕緣子以及套管的人工污穢試驗(yàn)程序。

定義

為本標(biāo)準(zhǔn)的目的，規(guī)定了下列定義。

3.1

試驗(yàn)電壓testvoltage

在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加到絕緣子上的電壓的方均根值。

3.2

試驗(yàn)設(shè)備的短路電流(人)short-circuitcurrent(人)ofthetestingplant

試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給的電流的方均根值。

3.3

絕緣子的爬電比距(Ls)specificcreepagedistance(Ls)ofaninsulator

絕緣子的總爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與萬的積;它通常以mm/kV來表示。

3.4

絕緣子的形狀因數(shù)(F)formfactorofaninsulator(F)

形狀因數(shù)是由絕緣子尺寸確定的。為了圖解估算此形狀因數(shù)，應(yīng)將絕緣子圓周的倒數(shù)值(1/P)對(duì)

從絕緣子一端到所考慮點(diǎn)的局部爬電距離Z畫出。

形狀因數(shù)由這個(gè)曲線下的面積給出并按下式計(jì)算:

七產(chǎn)!﹄0

一一

F

鹽度(民)salinity(凡)

鹽在自來水中的溶液的濃度，它由鹽量除以溶液體積來表達(dá);它通常以k郊mz來表示。

3.6

污穢層pollutionlayer

由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。

在絕緣子上污穢層的電導(dǎo)按16.1條測(cè)量。

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3.7

污層電導(dǎo)率(K)layerconductivity

污層的電導(dǎo)與形狀因數(shù)的乘積;它通常以t}S表示。

3.8

附鹽密度(SDD)saltdepositdensity(SDD)

沉積在絕緣子一給定表面(金屬部分和膠合材料不計(jì)人此表面)上的鹽量除以該表面的面積(見

16.2);它通常以mg/Cm,表示。

3.9

污穢度degreeofpollution

表征施加在被試絕緣子上的人工污穢的量(鹽度、污層電導(dǎo)率、附鹽密度)的值

3.10

基準(zhǔn)鹽度referencesalinity

表征某一試驗(yàn)所使用的鹽度值。

3.11

基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率referencelayerconductivity

表征某一試驗(yàn)所使用的污層電導(dǎo)率的數(shù)值;它定義為僅僅在進(jìn)行電導(dǎo)測(cè)量時(shí)才帶電的一絕緣子的

潮濕污層的電導(dǎo)率的最大值

3.12

基準(zhǔn)附鹽密度referencesaltdepositdensity

表征某一試驗(yàn)所使用的附鹽密度的數(shù)值:它定義為從進(jìn)行任一試驗(yàn)前污染了的絕緣子中選取的幾

個(gè)絕緣子(或它的幾個(gè)部分)上測(cè)得的附鹽密度的平均值。

3.13

規(guī)定的耐受污穢度specifiedwithstanddegreeofpollution

絕緣子在相關(guān)的第11章或第19章規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定試驗(yàn)

電壓的絕緣子的基準(zhǔn)污穢度。

3.14

最大耐受污穢度maximumwithstanddegreeofpollution

在相關(guān)的第11章或第19章規(guī)定的條件下，在規(guī)定的試驗(yàn)電壓下四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣?/p>

受住的最高污穢度

3.15

規(guī)定耐受電壓specifiedwithstandvoltage

施加到絕緣子上的試驗(yàn)電壓，絕緣子在此試驗(yàn)電壓和相關(guān)的第11章或第19章規(guī)定的條件下，四次

試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定的污穢度

3.16

最大耐受電壓maximumwithstandvoltage

在相關(guān)的第11章或第19章規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定污穢度的最

高試驗(yàn)電壓。

第二節(jié)一般試驗(yàn)要求

試驗(yàn)方法

下列兩種類型的污穢試驗(yàn)方法推薦為標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)法:

—鹽霧法(第三節(jié))，使用此法時(shí)絕緣子遭受到一確定的環(huán)境污染;

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—固體層法(第四節(jié))，使用此法時(shí)在絕緣子表面上覆蓋有一規(guī)定的固體污穢物，覆蓋層相當(dāng)

均勻

注:在這些試驗(yàn)方法中，電壓在至少為幾分鐘的一段時(shí)間內(nèi)保持不變。電壓連續(xù)升高至閃絡(luò)的方法不作為標(biāo)準(zhǔn)化

的方法，但可以應(yīng)用于特殊目的

5被試絕緣子的準(zhǔn)備

5.1試驗(yàn)布置

絕緣子應(yīng)直立于試驗(yàn)室內(nèi)，并完整地裝上固定裝在其上的金屬附件。通常推薦采用垂直位置以比

較不同型式的絕緣子。模擬實(shí)際運(yùn)行條件的其他位置(傾斜、水平)條件下的試驗(yàn)經(jīng)供需雙方協(xié)議也可

以進(jìn)行。當(dāng)有特殊的原因不應(yīng)在垂直位置試驗(yàn)絕緣子(例如穿墻套管和電力斷路器的縱向絕緣)時(shí)，最

好考慮運(yùn)行位置。

除絕緣子的支持結(jié)構(gòu)物以及噴嘴柱(當(dāng)用時(shí))以外，絕緣子的任一部件與任何接地物體之間的最小

間距為每100kV試驗(yàn)電壓不應(yīng)小于0.5m，并且在任何情況下不應(yīng)小于1.5m.

支持結(jié)構(gòu)以及帶電金屬部件的布置，至少在絕緣子的最小間距內(nèi)應(yīng)模擬運(yùn)行中的預(yù)計(jì)情況。噴嘴

的安排以及它的結(jié)構(gòu)在第8章中敘述。

至于電容效應(yīng)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響，根據(jù)有效的經(jīng)驗(yàn)可作如下考慮:

—可認(rèn)為附件不會(huì)明顯影響試驗(yàn)結(jié)果，至少對(duì)450kV及以下試驗(yàn)電壓時(shí)是如此;

—內(nèi)部的大電容對(duì)表面性能會(huì)有某些影響，特別是用固體層法試驗(yàn)時(shí)是如此。

5.2絕緣子的清洗

絕緣子應(yīng)仔細(xì)地清洗以除去所有污物和油脂的痕跡。清洗后，手不應(yīng)觸及絕緣子的絕緣部件。

注:如有必要，金屬部件和膠合材料可以涂以抗鹽水涂料以保證試驗(yàn)期間不致將銹蝕生成物洗落在絕緣表面上

應(yīng)使用加有磷酸三鈉或其他清洗劑的水(最好將其加熱到500C)進(jìn)行清洗，然后將絕緣子用自來水

徹底沖洗。如果看到了大片連續(xù)的濕表面就可以認(rèn)為絕緣子表面已充分清潔并沒有任何油脂了

以后每次染污前，僅需用自來水對(duì)絕緣子再次進(jìn)行徹底的清洗，以除去污穢物的所有痕跡。

6對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求

6.，試驗(yàn)電壓

試驗(yàn)電壓的頻率應(yīng)在48Hz至62H:間。

通常要求試驗(yàn)電壓應(yīng)與絕緣子在正常運(yùn)行條件下能耐受住的最高電壓(相對(duì)地值)相一致。對(duì)于設(shè)

備，該值等于Um/，其中U}是設(shè)備的最高電壓(見IEC60071-1《絕緣配合第1部分:術(shù)語、定義、原

理和規(guī)則)})。當(dāng)試驗(yàn)相對(duì)相配置或中性點(diǎn)絕緣的系統(tǒng)用絕緣子時(shí)，試驗(yàn)電壓可高于此值。

6.2最小短路電流

人工污穢試驗(yàn)時(shí)要求試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)比其他型式的絕緣子的試驗(yàn)有較高的短路電流(I-)。這意味著

此I,應(yīng)具有隨試驗(yàn)條件而變的一最低值;此外，對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的其他參數(shù)也有要求。

I-最低值((1-1.)以試驗(yàn)中的絕緣子的表面電應(yīng)力的函數(shù)的形式給出在圖1，此表面電應(yīng)力以爬電

比距L，來表達(dá)。

除了I--的上述要求值以外，試驗(yàn)設(shè)備還應(yīng)滿足下面兩個(gè)條件:

電阻/電抗比(R/X)等于或高于。.1;

電容電流/短路電流比(Idi)在。.001-0.1范圍內(nèi)。

評(píng)定是否符合上述要求的判據(jù)的更詳細(xì)的資料列于附錄A,

雖然試驗(yàn)設(shè)備的人值高于6A，但仍不能滿足在圖1中給出的極限值，污穢絕緣子規(guī)定耐受特性的

檢驗(yàn)(見第11和18章)或它的最大耐受特性的測(cè)定(見附錄B)也還可以進(jìn)行，只要電源的有效性能已

用下面的檢驗(yàn)方法直接確認(rèn)

GB/T4585-2004/IEC60507:1991

在該項(xiàng)研究的每個(gè)單獨(dú)試驗(yàn)中應(yīng)記錄其最高泄漏電流脈沖的幅值，并從在耐受條件下能耐受住的

三次試驗(yàn)結(jié)果中確定它的最大值((Ihm..)a

此Ihm。值應(yīng)符合下面的表達(dá)式:

Isc/Ihm。二)11

式中Isc是方均根值，而Ihm..是峰值。

更進(jìn)一步的細(xì)節(jié)見附錄A.

由于泄漏電流可用來解釋試驗(yàn)結(jié)果，推薦配備適宜的裝置以記錄人工污穢試驗(yàn)期間泄漏電流。

第三節(jié)鹽霧法

鹽溶液

鹽溶液應(yīng)由商業(yè)純氯化鈉(NaCl)和自來水配制。

注:高硬自來水，例如等值Caco。含量高于350g/m'的自來水，可能會(huì)在絕緣子表面產(chǎn)生石灰石沉積物，此時(shí)推薦

使用去離子水制備鹽溶液。

自來水的硬度以等值Caco,含量來測(cè)定.。

鹽度應(yīng)從下列數(shù)值中選用:2.5,3.5,5,7,10,14,20,28,40,56,80,112,160和224kg/m'.

鹽度最大允許誤差為規(guī)定值的士5%.

鹽度推薦使用測(cè)量其電導(dǎo)率或密度并經(jīng)溫度校正的方法來測(cè)定。

表1給出了溫度20℃時(shí)，溶液的鹽度、體積電導(dǎo)率和密度值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

當(dāng)溶液溫度不是20℃時(shí)，電導(dǎo)率和密度值應(yīng)校正。

鹽溶液的溫度應(yīng)介于((5^-30)℃之間，因?yàn)檫€沒有經(jīng)驗(yàn)來證明在這個(gè)溶液溫度范圍以外進(jìn)行的試驗(yàn)

的有效性。

表1鹽霧法:溫度20℃時(shí)溶液的鹽度、體積電導(dǎo)率和密度值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系

鹽度

S,/

kg/m'

體積電導(dǎo)率

氣o/

S/m

密度

么no/

kg/耐

2.5

3.5

5

7

10

14

20

28

40

56

80

112

160

224

0.43

0.60

0.83

1.15

1.6

2.2

3.0

4.1

5.6

7.6

10

13

17

20

1018.0

1025.9

1037.3

1052.7

1074.6

1104.5

1140.0

依據(jù)由G.Hawley修訂的簡(jiǎn)明化學(xué)辭典—化學(xué)百科全書;VanNostrandReinhold公司。紐約(美國),1971,

GB/T4585-2004八EC60507;1991

電導(dǎo)率的校正可使用下列公式:

。11=a,[1一b叨一20)]

式中:

0溶液溫度，單位為度(℃);

ao-溫度0℃時(shí)的體積電導(dǎo)率，單位為西門子每米((S/m);

6,o-溫度20℃時(shí)的體積電導(dǎo)率，單位為西門子每米((S/m);

b—取決于溫度0的系數(shù)，給出于下:

B/0Cb

5

10

20

30

0.03156

0.02817

0.02277

0.01905

注:在5'C--30℃范圍內(nèi)的其他溫度值，系數(shù)b可用內(nèi)插法得到。

密度校正應(yīng)使用下列公式:

△。='I'[1+(200+1.3Se)(0一20)X10-s]

式中:

0溶液溫度，單位為攝氏度(℃);

△?！獪囟?℃時(shí)的密度，單位為千克每立方米((kg/m');

△。?！獪囟?0℃時(shí)的密度，單位為千克每立方米(kg/m');

S.鹽度，單位為千克每立方米((kg/m').

該校正公式僅對(duì)超過20k刃m“的鹽度是有效的。

8噴霧系統(tǒng)

霧在實(shí)驗(yàn)室中由規(guī)定數(shù)量的噴霧器產(chǎn)生，它通過垂直吹向溶液噴嘴的壓縮空氣氣流使溶液霧化。

噴嘴由耐蝕管制成，空氣噴嘴內(nèi)徑為1.2mm士。.02mm，而溶液噴嘴的內(nèi)徑為2.0mm士。.02mm。兩

種噴嘴的外徑均為3.0mm士0.05mm，并且噴嘴的末端應(yīng)切成直角并拋光。

溶液噴嘴的末端應(yīng)裝在空氣噴嘴軸線上，偏差在士0.05mm內(nèi)。壓縮空氣噴嘴的末端和溶液噴嘴

中心線間的距離應(yīng)為3.0mm士0.05mm。兩個(gè)噴嘴的軸線應(yīng)位于同一平面上，偏差在士。.05mm內(nèi)。

圖2示出了噴霧器噴嘴的一典型結(jié)構(gòu)。

噴霧器應(yīng)排成兩縱列，平行于絕緣子并排在其兩側(cè)，絕緣子的軸線在兩縱列所構(gòu)成的同一平面內(nèi)，

即對(duì)垂直的絕緣子試驗(yàn)時(shí)應(yīng)排成垂直的兩縱列，而對(duì)水平的絕緣子試驗(yàn)時(shí)排成水平的兩縱列。在傾斜

的絕緣子情況下(見圖3)，包含絕緣子和兩縱列的平面與水平面的交線應(yīng)垂直于絕緣子的軸線;在此情

況下，溶液噴嘴的軸線應(yīng)是垂直的。溶液噴嘴和絕緣子軸線間的距離應(yīng)為3.0m士。.05m.

兩個(gè)噴霧器間應(yīng)相隔0.6m的間隔，每一噴霧器應(yīng)與該縱列軸線的方向相垂直并朝向另一縱列的

相應(yīng)噴霧器，與噴霧器平面夾角在1“以內(nèi)。對(duì)垂直的噴霧器是否符合此要求可這樣核對(duì);將溶液噴嘴

降低，通水經(jīng)空氣噴嘴噴出，調(diào)節(jié)方向與對(duì)面噴來的方向一致，然后將溶液噴嘴升回至工作位置。絕緣

子的中點(diǎn)最為與兩縱列噴霧器的中點(diǎn)在一條直線上。兩縱列應(yīng)超出絕緣子每端至少。.6mo

對(duì)于長(zhǎng)度為H(以米計(jì))的絕緣子，每一縱列噴霧器的最小數(shù)量N應(yīng)為:

GB/T4585-2004八EC60507:1991

H

IN=6.6十3

應(yīng)供給噴霧器相對(duì)壓力為700kPa士35kPa的過濾無油空氣

試驗(yàn)期間每一噴霧器的溶液流量應(yīng)為。.5dm'/min士。.05dm'/min，并且全部噴霧器的總流量允

差應(yīng)為標(biāo)稱值的士5%。

9試驗(yàn)開始前的條件

當(dāng)絕緣子按5.2清洗后還完全潮濕時(shí)試驗(yàn)即應(yīng)開始。

試驗(yàn)開始時(shí)絕緣子應(yīng)與試驗(yàn)室空氣處于熱平衡。另外，周圍溫度既不應(yīng)低于5℃也不應(yīng)高于40'C,

并且它與水溶液的溫差不應(yīng)超過15K.

將絕緣子加上電壓，開動(dòng)鹽溶液泵和空氣壓縮機(jī)，一旦噴嘴處壓縮空氣達(dá)到正常操作壓力時(shí)試驗(yàn)就

可以開始

10預(yù)處理過程

對(duì)按正常方法準(zhǔn)備好的絕緣子在基準(zhǔn)鹽度下施加試驗(yàn)電壓持續(xù)20min或直至絕緣子閃絡(luò);如果絕

緣子不發(fā)生閃絡(luò)，則把電壓每隔5min按10%試驗(yàn)電壓逐級(jí)升高直至閃絡(luò)。

閃絡(luò)后，重新施加電壓并盡可能快地升高至先前得到的閃絡(luò)電壓的9000，然后每隔5min按初始

閃絡(luò)電壓的5%逐級(jí)升高直至閃絡(luò)。最后升壓過程應(yīng)再重復(fù)6次，每次都是將電壓迅速升高至上次得

到的閃絡(luò)電壓90%，然后每隔5min以5%的級(jí)差逐級(jí)升高至閃絡(luò)經(jīng)8次閃絡(luò)后，去霧，用自來水清

洗絕緣子，然后盡快開始進(jìn)行耐受試驗(yàn)(見第11章)。

預(yù)處理過程時(shí)電源的特性應(yīng)不低于耐受試驗(yàn)時(shí)基準(zhǔn)值(見第6章)。

如果在基準(zhǔn)鹽度下執(zhí)行預(yù)處理過程，要求有極高的電壓時(shí)，允許使用較高的鹽度值進(jìn)行預(yù)處理。如

果用這個(gè)方法所要求的電壓還太高，則允許將絕緣子分成較短的部分用合適的方法分別進(jìn)行預(yù)處理，以

避免內(nèi)絕緣(如果有的話，如在避雷器或套管的情況下)受到過電壓。

11耐受試驗(yàn)

本試驗(yàn)的目的是驗(yàn)證絕緣子在規(guī)定試驗(yàn)電壓下的規(guī)定耐受鹽度。

當(dāng)試驗(yàn)絕緣子和試驗(yàn)室條件滿足了第9章規(guī)定的要求并按第10章對(duì)絕緣子進(jìn)行預(yù)處理后，試驗(yàn)就

應(yīng)開始。

在規(guī)定試驗(yàn)電壓下使用符合第7章的規(guī)定試驗(yàn)鹽度的鹽溶液對(duì)絕緣子進(jìn)行一個(gè)系列的試驗(yàn)。如在

這段時(shí)間內(nèi)不出現(xiàn)閃絡(luò)的話，每一次試驗(yàn)的持續(xù)時(shí)間應(yīng)為1卜。每次試驗(yàn)前都應(yīng)用自來水對(duì)絕緣子進(jìn)

行仔細(xì)的清洗

12耐受試驗(yàn)的接收準(zhǔn)則

如按第11條規(guī)定的方法進(jìn)行一個(gè)系列的三次連續(xù)試驗(yàn)期間沒有出現(xiàn)閃絡(luò)，則認(rèn)為絕緣子滿足了本

標(biāo)準(zhǔn)。如果僅出現(xiàn)了一次閃絡(luò)，則應(yīng)進(jìn)行第4次試驗(yàn)，并且如不再出現(xiàn)閃絡(luò)則認(rèn)為絕緣子通過了本

試驗(yàn)。

注:為了研究的目的，可以測(cè)定絕緣子的耐受特性。評(píng)定或檢驗(yàn)該特性的作法列于附錄B。

第四節(jié)固體層法

13污液的組成

污液應(yīng)按下面的兩種混合物之一制備

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13.1硅藻土混合物

其組成為:

-100g硅藻土，見第14章;

-10g高度分散的二氧化硅，顆粒大小21cm-v20pm;

一一1000g自來水;

—適量的商業(yè)純NaCl

當(dāng)自來水的體積電導(dǎo)率高于0.05S/m時(shí)，推薦使用軟化水。

為了使試驗(yàn)時(shí)的絕緣子上達(dá)到其基準(zhǔn)污穢度并符合規(guī)定偏差士15%要求，可以將所提交試驗(yàn)的絕

緣子本身(或它的一部分)作初步的試驗(yàn)性的染污以確定所要制備的污液的體積電導(dǎo)率的適宜值所期

望的體積電導(dǎo)率可通過調(diào)整污液中的鹽量來達(dá)到。作為一個(gè)近似的參考值，后面的表2給出了絕緣子

基準(zhǔn)污穢度與溫度20℃時(shí)污液的體積電導(dǎo)率間的近似對(duì)應(yīng)關(guān)系。

表2硅藻土混合物:絕緣子上基準(zhǔn)污穢度和

溫度20℃時(shí)污液體積電導(dǎo)率間近似的對(duì)應(yīng)關(guān)系

硅藻土混合物的基準(zhǔn)污穢度

附鹽密度

SDD/

(m只/cm2)

污層電導(dǎo)率

K,,/1,S

污液的體積

電導(dǎo)率

氣/

(S/m)

既20

n內(nèi)巧內(nèi)口RO

弓︺八‘ql匕卜己

0.0176

0.025

0.0353

0.050

0.0705

0.1

0.141

02口

::

:，::

::

一:

13.2高嶺土(或硫石粉)混合物

其組成為:

—40g高嶺土(或砒石粉)，見第14章;

—1000g自來水;

—適量的商業(yè)純NaClo

當(dāng)自來水的體積電導(dǎo)率高于。.05S/m時(shí)，推薦使用軟化水

為了使試驗(yàn)時(shí)在絕緣子上達(dá)到其基準(zhǔn)污穢度并符合規(guī)定偏差士15%要求，可以將所提交試驗(yàn)的絕

緣子本身(或它的一部分)作初步的試驗(yàn)性的染污以確定所要制備的污液的體積電導(dǎo)率的適宜值所期

望的體積電導(dǎo)率可通過調(diào)整污液中的鹽量來達(dá)到。

作為一個(gè)近似的參考，后面的表3給出了正常的周圍條件下對(duì)標(biāo)準(zhǔn)盤形絕緣子垂直染污時(shí)的絕緣

子基準(zhǔn)污穢度與溫度20℃時(shí)污液的體積電導(dǎo)率間的近似對(duì)應(yīng)關(guān)系對(duì)其他絕緣子所要求的體積電導(dǎo)

率可能與表3中給出值不同。

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表3高嶺土(或礫石粉)混合物:絕緣子上的基準(zhǔn)污穢度

與溫度20℃時(shí)污液體積電導(dǎo)率間近似的對(duì)應(yīng)關(guān)系

高嶺土混合物的基準(zhǔn)污穢度

附鹽密度

SDD/

m"/gym

污層電導(dǎo)率

K,,/1,5

污液的體積

電導(dǎo)率

嘰。/

5廠m

025035

0.05

0.07

0.14

14.5

n28

11_2

14惰性材料的主要特性

制備污液用的典型的硅藻土、高嶺土和砒石粉的主要特性值范圍給出在下面的表4,

其他名稱的惰性材料，只要其特性能與上面提到材料型式之一的范圍相同，就可以用來代替那種型

式材料

表4固體層污液用惰性材料的主要特性

惰性材料

的型式

重量組成/

%

顆粒分析

(累積分布)/

產(chǎn)工們1

體積電導(dǎo)率

aZ。/

<S/->

Sio,Al,O,FezO,H,O16%50%

84

硅藻土70-905一250.5一6

7-14

0.1^0.20.4-1

2-10

0.0015-0.02

高嶺土40-5030-400.3-2

7-14

0.1-0.20.4-1

2-10

0.0015--0.02

砒石粉60^7010^-204^80.8--1.53-58-150.002^-0.01

注1:顆粒分布表示的值是表列總質(zhì)量百分?jǐn)?shù)值的顆粒能通過的篩孔直徑(p-).

注2:惰性材料特性中的體積電導(dǎo)率是使用軟化水測(cè)得的。

15污層的涂覆

將用第13章規(guī)定的混合物之一制備好的污液采用噴射或澆流的方法涂覆到預(yù)先按第5.2條清洗

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過的干的絕緣子上，以得到一適當(dāng)均勻的表層。也可以將絕緣子浸在污液中，只要其尺寸能適應(yīng)其

操作。

注1:當(dāng)目測(cè)檢查均勻性不滿意時(shí)，建議使用一種探頭(見附錄C)來檢驗(yàn)此濕層。

注2:人工污層可以經(jīng)商業(yè)型式的噴槍的一個(gè)或兩個(gè)噴嘴把制備的污液噴到絕緣子表面上來進(jìn)行涂覆。噴霧器噴

嘴的方向應(yīng)調(diào)整得使整個(gè)絕緣子表面有一適當(dāng)均勻的污層噴霧器噴嘴口與絕緣子傘緣間的距離約20cm

-40cm時(shí)，可得到滿意的結(jié)果。污液需要保持不斷攪拌。

所要求的絕緣子污穢度可通過反復(fù)地涂覆來得到

注3:涂覆時(shí)間可因絕緣子的預(yù)先加熱而減少。此時(shí)，染好的絕緣子應(yīng)與試驗(yàn)開始時(shí)試驗(yàn)室空氣處于熱平衡。涂覆

時(shí)間也可因在兩次連續(xù)的涂覆中對(duì)污層進(jìn)行烘干而縮短

也可以使用其他的適當(dāng)?shù)耐扛卜椒ā＠?，?dāng)使用高嶺土或砒石粉混合物時(shí)，可將準(zhǔn)備好的污液澆流在絕緣

子表面上直至它流出的作法(“澆染”技術(shù))，這特別適用于大型的或很長(zhǎng)的絕緣子.

注4:對(duì)鹽霧試驗(yàn)規(guī)定的預(yù)處理過程對(duì)固體層法是不需要的。詳見D.1條。

將絕緣子送去試驗(yàn)前應(yīng)使污層干燥。詳見D.2e

16被試絕緣子污穢度的測(cè)定

被試絕緣子的污穢度由污層電導(dǎo)率或附鹽密度表示，它們按下面的方法測(cè)定。

16.1污層電導(dǎo)率(K)

正如已經(jīng)提到的，污層電導(dǎo)率可通過在不帶電絕緣子上測(cè)得的表層電導(dǎo)與它的形狀因數(shù)的乘積

算得。

污層電導(dǎo)的測(cè)量在絕緣子濕潤期間應(yīng)反復(fù)進(jìn)行，其目地是確定最大值是否達(dá)到。

污層電導(dǎo)的每一次測(cè)量都由對(duì)該絕緣子施加按總爬電距離計(jì)每米不低于700V(r.m.s.)的電壓和

測(cè)量流過濕污層的電流兩部分所組成?！┘与妷旱臅r(shí)間只需維持至能讀出儀表讀數(shù)即可。

當(dāng)施加較高值電壓時(shí)，測(cè)量時(shí)間應(yīng)縮短至足以避免由于污層的發(fā)熱或干燥而引起嚴(yán)重的誤差。為

了這個(gè)目的應(yīng)該校檢脈沖波的頻度及波幅，使其變化都不應(yīng)影響到被測(cè)電流的波形。

污層電導(dǎo)率應(yīng)按下式換算至基準(zhǔn)溫度200C

K2。一Ke[I一b(0一20門

式中:

0一絕緣子表面的溫度(℃);

K,-溫度0℃時(shí)的污層電導(dǎo)率(IS);

K20-溫度20℃時(shí)的污層電導(dǎo)率(PS);

b—在第7章已經(jīng)定義過的因數(shù)。

16.2附鹽密度(SDD)

沉積物應(yīng)從與被試絕緣子相同的并按相同方法染污的一單獨(dú)的絕緣子(或它的一部分)上取下，并

仔細(xì)地收集起來。為了這個(gè)目的，應(yīng)對(duì)該絕緣子的整個(gè)表面，或是上表面和下表面分別地清洗，但金屬

部件除外。詳見D.6條

當(dāng)僅有一個(gè)可供試驗(yàn)用的圓柱形絕緣子時(shí)，附鹽密度的測(cè)量可在它的幾個(gè)傘上進(jìn)行。測(cè)量后應(yīng)對(duì)

清洗過的表面用再涂覆污層的方法予以復(fù)原。

選作SDD測(cè)量用的絕緣子(或它的一部分)在染污操作以后在污層干燥前應(yīng)仔細(xì)地除去污滴，這

樣就可以避免由于污穢度評(píng)定對(duì)試驗(yàn)帶來實(shí)際影響的誤差

然后將沉積物溶解在已知量的水中，最好使用軟化水。得到的污液在溫度e(0C)下測(cè)最體積電導(dǎo)

率a,(S/m)前應(yīng)至少保持?jǐn)噭?dòng)2min。然后按與第7章相同的關(guān)系式從ae求得a2。的值。

當(dāng)ai。在((0.004^-0.4)S/m范圍內(nèi)時(shí)污液的鹽度S.(kg/ms)可按下式求得:

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5。=(5.7a,)

然后按下式算得附鹽密度SDD(m對(duì)cm'):

SDO=

S·V

式中:

V—污液的體積(cm');

A清洗表面的面積(cmz)o

17污層濕潤的一般要求

應(yīng)通過霧發(fā)生器來濕潤試品，此霧發(fā)生器應(yīng)能沿試品的整個(gè)長(zhǎng)度和圍繞試品提供均勻分布的霧。

濕潤開始時(shí)試品的溫度與試驗(yàn)室內(nèi)周圍溫度的差應(yīng)在士ZK內(nèi)?？捎脟@試品的一個(gè)塑料帳篷來限定

試驗(yàn)室的體積。

在試驗(yàn)室中，霧發(fā)生器應(yīng)保持一恒定的均勻的流速直至一次單個(gè)的試驗(yàn)結(jié)束。

當(dāng)污層達(dá)到一定的濕潤程度以后，水分開始從絕緣子傘緣滴落;這樣某些污穢就從污層中除去并預(yù)

料會(huì)逐漸地沖洗試品

18試驗(yàn)程序

建議了兩個(gè)供選擇的程序，其根本的差別在于當(dāng)試驗(yàn)電壓施加于試品上的瞬間試品的污層狀況不

同，一個(gè)是濕的，一個(gè)是干的。

關(guān)于這兩個(gè)試驗(yàn)程序的主要規(guī)則給出于后。

18.1程序A—帶電前和帶電期間濕潤

對(duì)于本程序，絕緣子使用硅藻土混合物(見13.1)或高嶺土(或砒石粉)混合物(見13.2)染污。污穢

度通常用污層電導(dǎo)率來表示，但也可以使用附鹽密度。

霧發(fā)生器起動(dòng)時(shí)，將按第15章為本試驗(yàn)準(zhǔn)備好的絕緣子置于試驗(yàn)室它的位置上。

最好應(yīng)使用蒸汽霧來濕潤污層

作為一個(gè)例子，圖4示出了一種蒸汽霧發(fā)生器，它由帶有等距離隔開的噴嘴的一個(gè)分配管構(gòu)成。

注:代替蒸汽霧也允許使用噴射熱水或冷水的噴嘴(作為這個(gè)裝置的一個(gè)例子見圖2)產(chǎn)生的霧。只要那種霧能給

出所推薦的均勻濕潤

當(dāng)使用這種噴霧方式時(shí)，開始試驗(yàn)前使試品冷卻可能是有利的。

為了計(jì)算污層電導(dǎo)率，應(yīng)按16.1測(cè)量被試絕緣子污層電導(dǎo)

在正常周圍溫度下，輸人霧室中的霧的流速應(yīng)足夠高，以使污層電導(dǎo)率在起霧開始后20min-

40min內(nèi)達(dá)到它的最大值口試驗(yàn)時(shí)測(cè)得的污層電導(dǎo)率的最大值作為基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率。

然后瞬時(shí)地或在不超過5s的時(shí)間內(nèi)對(duì)試品加上試驗(yàn)電壓并維持至閃絡(luò).如不出現(xiàn)閃絡(luò)則維持

15min

然后將絕緣子從霧室中取出并讓它干燥。將這個(gè)試品第二次放人霧室中，由霧再次濕潤直至污層

電導(dǎo)率達(dá)到它的最大值;如果此時(shí)污層電導(dǎo)率不低于上面提到的基準(zhǔn)值的90，可以再一次施加試驗(yàn)

電壓直至閃絡(luò)，如果不出現(xiàn)閃絡(luò)則維持15min邊口果低于90%，則應(yīng)按第15章對(duì)該絕緣子重新染污。

同一污層的一個(gè)絕緣子可以進(jìn)行不多于兩次的連續(xù)試驗(yàn)

18.2程序B—帶電后濕潤

對(duì)于本程序，絕緣子使用高嶺土(或砒石粉)混合物(見13.2)染污。污穢度通常用附鹽密度

(見16.2)來表示。

注:通常不要求測(cè)量污層電導(dǎo)。經(jīng)供需雙方協(xié)議，也可以對(duì)與被試緣子(或是它的一部分)相同的并用相同方式染

t口

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污的一個(gè)單獨(dú)的不帶電的絕緣子在濕潤期間測(cè)量其污層電導(dǎo)

將按第15章為本試驗(yàn)準(zhǔn)備好的絕緣子放人霧室中置于它的試驗(yàn)位置處，此時(shí)污層還是干的

污層濕潤應(yīng)使用蒸汽霧

霧發(fā)生器應(yīng)在試品的下面并盡可能接近地面在所有情況下，它離試品應(yīng)至少1m，并且霧的流動(dòng)

不應(yīng)直接朝向試品。

試驗(yàn)電壓施加前，霧室中蒸汽霧輸人速率應(yīng)為零，施加試驗(yàn)電壓后此速率應(yīng)保持恒定。在正常周圍

溫度下，蒸汽霧的輸人速率應(yīng)在(0.05士。.01)kg/h每立方米試驗(yàn)室體積范圍內(nèi)在特殊試驗(yàn)條件下，

通過D.3中敘述的方法直接檢驗(yàn)霧的濕潤效應(yīng)，這個(gè)值可能需要作某些調(diào)整。

試驗(yàn)電壓應(yīng)維持至出現(xiàn)閃絡(luò)。否則應(yīng)從試驗(yàn)開始算起維持100min，或是直至其電流峰值(如果測(cè)

量電流的話)持續(xù)下降至低于記錄到的最大峰值的70%0詳見D.4和D.5a

對(duì)于本程序，污層僅能使用一次。

19耐受試驗(yàn)和接收準(zhǔn)則(對(duì)程序A和B都通用的)

本試驗(yàn)的目的是檢驗(yàn)在規(guī)定試驗(yàn)電壓下的該規(guī)定耐受污穢度如果按18.1程序A或18.2程序B

進(jìn)行的三次連續(xù)的試驗(yàn)期間未發(fā)生閃絡(luò)，則認(rèn)為該絕緣子符合本標(biāo)準(zhǔn)。

如僅出現(xiàn)一次閃絡(luò)，則應(yīng)進(jìn)行第四次試驗(yàn)，如果不發(fā)生閃絡(luò)，則認(rèn)為該絕緣子符合本標(biāo)準(zhǔn)。

注:為了研究的目的可以測(cè)定絕緣子的耐受特性。評(píng)定或檢驗(yàn)這些特性的作法列于附錄Bo

占試/-1[11才瑞甚緒盛伶啊

爬電比距L八mm/kV)

圖1對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求的最小短路電流人。。與被試驗(yàn)絕緣子爬電比距L，的關(guān)系

(現(xiàn)有經(jīng)驗(yàn)不足以給出對(duì)爬電比距高于25mm/kV時(shí)試驗(yàn)用的人‘.值)

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尺寸以毫米表示

圖2噴霧器噴嘴的典型結(jié)構(gòu)

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a—傾斜角

圖3傾斜絕緣子的試驗(yàn)布置

1—低壓鍋爐容積約20L;

2—電加熱器12個(gè)加熱線圈，每個(gè)3kW;

3—給水調(diào)整器閥;

4—壓力補(bǔ)償管;

5—鍋爐給水泵,50L/h,10`Pa;

6—軟水連接管;

7—壓縮空氣連接管;

8—可調(diào)式壓縮空氣減壓閉;

9—壓力表。--5X105Pa;

10—壓縮空氣閥，電氣遙控;

11-噴氣嘴;7.5/16mm直徑;

12—多部件噴嘴管。三個(gè)噴嘴管，每個(gè)1.5m長(zhǎng)，一個(gè)沒有噴嘴的中間管，作升高裝置用。離地總高11m;下面的

管子內(nèi)徑120.-;管內(nèi)徑逐級(jí)地減小到上部管子的50mm;

13-噴嘴，內(nèi)徑1.6mm;相鄰噴嘴間距離30mm;

14-塑料帳篷;

15—試品。

圖4蒸汽霧發(fā)生器的典型布里

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附錄A

(資料性附錄)

評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否要求的補(bǔ)充資料

研究了許多試驗(yàn)室提供的污穢絕緣子在耐受條件下(見附錄B)所有單個(gè)耐受試驗(yàn)的整個(gè)期間出現(xiàn)

的最高泄漏電流脈沖值Ih。下表給出了各種表面電應(yīng)力水平和該試驗(yàn)設(shè)備規(guī)定的條件(第6章)下在

任何試驗(yàn)位置和所有型式絕緣子上記錄到的I、最大值(I-)。

爬電比距"L./"L,/

(mm/kV)

I,二a(峰值)/

A

16

20

25

0.55

0.85

1.35

1)爬電距離除以試驗(yàn)電壓與萬的積。

注:在比上面提到的條件更苛刻的條件，例如當(dāng)閃絡(luò)概率比耐受條件下一次耐受試驗(yàn)相應(yīng)的閃絡(luò)概率高的條件下

試驗(yàn)絕緣子時(shí)，該Inma值可能會(huì)被超過

在考慮I./I,、比值時(shí)(I,的定義見6.2)，發(fā)現(xiàn)在該比值超過某極限值時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果(即耐受電壓或

耐受污穢度，見附錄B)就不再受該比值影響，這就可以在現(xiàn)有的試驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上確定該極限值在

上表給出的表面電應(yīng)力范圍內(nèi)這個(gè)極限值估計(jì)等于ii.

至于比值I}/I,}，其規(guī)定極限一些試驗(yàn)設(shè)備通常都能符合。特別是其下限，會(huì)由于等值電源電容、

集中電容(套管和電壓分壓器)以及回路中的雜散電容加在一起而達(dá)到

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附錄B

(資料性附錄)

絕緣子耐受特性的測(cè)定

第二、三和四節(jié)都涉及到在規(guī)定試驗(yàn)電壓下規(guī)定耐受污穢度的檢驗(yàn)問題。但是，一個(gè)絕緣子的特性

也可以在一個(gè)電壓范圍內(nèi)或者換句話說可以在絕緣子本身的一個(gè)爬電比距范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)定。為了達(dá)到

此目的，就應(yīng)在不同電壓水平下測(cè)量最大耐受污穢度，或者在一些另外的情況下要在各種基準(zhǔn)污穢度值

下測(cè)定最大耐受電壓或50%耐受電壓。這樣一些評(píng)定方法的例子敘述于下。

如有要求檢驗(yàn)人工污穢試驗(yàn)室設(shè)備時(shí)，B.3給予了指導(dǎo)。

B.1在一給定試驗(yàn)電壓時(shí)最大耐受鹽度的測(cè)定

絕緣子應(yīng)在一給定試驗(yàn)電壓和按第7章列出的不同鹽度下進(jìn)行多次試驗(yàn)。試驗(yàn)應(yīng)按第n章進(jìn)行。

這些試驗(yàn)可按任何順序進(jìn)行，只要:

a)如任一鹽度下的閃絡(luò)總數(shù)達(dá)到2，就不應(yīng)在相同的或較高的鹽度下作進(jìn)一步的試驗(yàn);

b)如耐受總次數(shù)達(dá)到3,就不應(yīng)在相同的或較低的鹽度作進(jìn)一步的試驗(yàn)

測(cè)定最大耐受鹽度前，對(duì)絕緣子應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理(見第10章)。

注:當(dāng)要做長(zhǎng)時(shí)間的試驗(yàn)系列的試驗(yàn)時(shí)，每當(dāng)絕緣子狀況有需要時(shí)，可能有必要對(duì)絕緣子按5.2推薦的方法清洗并

隨后作預(yù)處理

如果在鹽度224kg/m'下記錄到了四次耐受，那么就認(rèn)為最大耐受鹽度等于或大于224kg/m',

如果在224kg/m'鹽度下記錄到一次閃絡(luò)和三閃耐受，那么此鹽度就應(yīng)考慮作為最大耐受鹽度。

B.2在一給定基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率或一給定基準(zhǔn)附鹽密度下最大耐受電壓或50耐受電壓的測(cè)定

B.2.1最大耐受電壓

對(duì)具有一給定基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率或基準(zhǔn)附鹽密度的絕緣子應(yīng)進(jìn)行一系列的試驗(yàn)。每次試驗(yàn)應(yīng)在幾個(gè)

電壓水平中取任一水平進(jìn)行。這些電壓水平中的每一個(gè)應(yīng)大約為下面一個(gè)較低值的1.05倍。

每次試驗(yàn)都應(yīng)按第18章進(jìn)行。

試驗(yàn)可以按任何順序進(jìn)行，只要:

a)如在任一電壓下的閃絡(luò)總次數(shù)達(dá)到2，就不應(yīng)在相同的或較高的電壓水平下作進(jìn)一步的試驗(yàn)。

b)如任一電壓下的耐受總次數(shù)達(dá)到3,就不應(yīng)在相同的或較低的電壓水平下作進(jìn)一步的試驗(yàn)。

B.2.250%耐受電壓

絕緣子應(yīng)在一給定基準(zhǔn)污穢度下經(jīng)受至少為10次的“有效的”試驗(yàn)，試驗(yàn)應(yīng)按18.2進(jìn)行。每一次

試驗(yàn)時(shí)的施加電壓水平應(yīng)按升降法來改變。電壓級(jí)差應(yīng)約為預(yù)期的50%耐受電壓的1000,

與先前一些試驗(yàn)產(chǎn)生的效果不同的第一個(gè)試驗(yàn)應(yīng)被選作第一個(gè)“有效的”試驗(yàn)。只有這一次試驗(yàn)和

隨后的至少9次試驗(yàn)才算作為有效的試驗(yàn)，并用它們來確定50%耐受電壓。50%耐受電壓應(yīng)按下式

計(jì)算:

U%

名(n,XU)

N

式中:

某一施加的電壓水平;

在相同施加電壓水平U，下進(jìn)行的試驗(yàn)的次數(shù)。

以縱

N—有效試驗(yàn)次數(shù)

有關(guān)升降法的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)以及該相關(guān)結(jié)果的處理見IEC60060-1((高電壓試驗(yàn)技術(shù)第1部分:

一般定義和試驗(yàn)要求》。

注50%耐受電壓常寫成“50%閃絡(luò)電壓”。

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B.3參考懸垂式絕緣子的耐受值

為了簡(jiǎn)化現(xiàn)有的或新的人工污穢試驗(yàn)室設(shè)備的檢驗(yàn)，表B.1給出了幾種參考懸垂式絕緣子的耐受

特性值范圍，這些值是基于海拔1000m以下地區(qū)的幾個(gè)試驗(yàn)室的結(jié)果。這些結(jié)果是按本標(biāo)準(zhǔn)給出的

推薦獲得的。

注給出在表B.I中的參考懸垂式絕緣子不能被看作它們的各自等級(jí)的代表品種。選取它們并不意味著對(duì)它們有

好評(píng)或設(shè)想它們可能在試驗(yàn)中或在運(yùn)行條件下會(huì)比其他類似型式有更好的性能

剛開始進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)的試驗(yàn)室或是地處海拔超過1000m的試驗(yàn)室或是通常不使用前面提到

的某一種試驗(yàn)方法的試驗(yàn)室，其相關(guān)結(jié)果可能會(huì)與表B.1給出的數(shù)值范圍有某些差別。

注:出版物IEC60060-1指出濕度校正不適用于人工污穢試驗(yàn)，并告知對(duì)那些試驗(yàn)的空氣密度校正正在考慮中

表B.1參考懸垂式絕緣子在人工污穢試驗(yàn)時(shí)的耐受特性值范圍

單串垂直布置

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附錄C

(資料性附錄)

檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測(cè)t

測(cè)量絕緣子表面上濕層的污層電導(dǎo)率(K)裝置主要由一個(gè)探頭和一個(gè)儀表所組成。作為一個(gè)提

示，下面敘述了這樣一個(gè)裝置的一種可能的結(jié)構(gòu)。

—探頭(圖C.1)

兩個(gè)球形的不銹鋼電極，直徑5mm，中心距14mm。這兩個(gè)球從探頭上伸出，用手把它們壓

向絕緣子表面。借助于一個(gè)能產(chǎn)生大約9N的力的彈