太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介

1、太陽(yáng)能電池製程簡(jiǎn)介,1,步驟一：晶片入料檢驗(yàn),粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),金屬化網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),進(jìn)行入料檢驗(yàn)：TTV 、阻值、厚度等，合規(guī)者入庫(kù)，不合規(guī)者退貨或MRB審查 PL (光致激發(fā))可當(dāng)作入料檢驗(yàn)工具，PL強(qiáng)度 / impurity跟電池效率具有正相關(guān),正常單晶PL檢驗(yàn)結(jié)果,異常單晶PL檢驗(yàn)結(jié)果 (造成低Voc),步驟二：表面粗糙化去除晶片切割造成的Saw damage&降低反射率,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),金屬化網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),Raw wafer測(cè)視圖,Raw wafer正視圖,酸蝕刻後,蝕刻後表面較暗,一般而言多

2、晶矽晶片使用酸蝕刻(HF+HNO3)，單晶矽晶片使用鹼蝕刻(KOH) 蝕刻後可降低晶片表面反射率及提高表面積，有助提升光電流,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)蝕刻異常,4,來(lái)料晶片髒污或油汙導(dǎo)致酸蝕刻不完全 來(lái)料晶片暗裂破片導(dǎo)致連續(xù)生產(chǎn)追撞或表面殘酸殘留,正常蝕刻後外觀(guān) 米粒大小完整,髒汙導(dǎo)致蝕刻異常 米粒形狀破碎,表面殘酸,生產(chǎn)異常破片,步驟三：形成P/N Junction在晶片表面進(jìn)行n型參雜，形成P-N junction,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),金屬化網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),Pre-deposition : 4POCl3 + 3O2 2P2O5 + 6Cl2 Cap

3、Oxidation : 2P2O5 + 5Si 4P + 5SiO2,磷擴(kuò)散前 外觀(guān)較淺,磷擴(kuò)散後 外觀(guān)較深,電池廠(chǎng)採(cǎi)用熱擴(kuò)散方式形成p-n junction，此為關(guān)鍵製程之一 多晶片電阻為8090 ，若搭配選擇性射極(LDSE)可達(dá)110120 ,步驟四：晶邊絕緣利用化學(xué)蝕刻晶邊絕緣 ，避免正背面漏電,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),金屬化網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),早期電池廠(chǎng)是採(cǎi)用雷射絕緣晶邊，但因效率較低已逐漸淘汰 後期電池廠(chǎng)均採(cǎi)用化學(xué)晶邊絕緣(可提升0.2%)，已成目前市場(chǎng)主流,雷射晶邊絕緣 (效率較低),化學(xué)晶邊絕緣 (效率較高),蝕刻後表面,步驟五：沉積抗反射層利

4、用PECVD沉積SiN薄膜，降低入射光反射率,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),金屬化網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),利用不同SiN薄膜厚度可呈現(xiàn)不同外觀(guān)顏色，但以藍(lán)色系為主流 可藉由提高SiN折射率來(lái)改善太陽(yáng)能模組的PID問(wèn)題 (電勢(shì)誘發(fā)衰減),常見(jiàn)太陽(yáng)能電池 藍(lán)色系(效率較高),彩色太陽(yáng)能電池 (效率較低),Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)CVD異常,8,Wafer髒汙或油汙：外觀(guān)異常導(dǎo)致CVD站點(diǎn)重工 CVD機(jī)臺(tái)通常裝設(shè)有自動(dòng)視覺(jué)檢察系統(tǒng)(AOI)，會(huì)挑出沉積後異常外觀(guān)，因此大部分的晶片髒污或者油污會(huì)在CVD站點(diǎn)挑出並重工 Wafer表面刮傷：外觀(guān)異常導(dǎo)致CVD站點(diǎn)重工,步驟六：電極網(wǎng)

5、印利用網(wǎng)版印刷(Screen Printing)形成正背面電極,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),鋁膠,銀鋁膠 : 背面Busbar,正面銀膠形成busbar和finger,網(wǎng)印耗材(膠料 /網(wǎng)版/刮刀)為太陽(yáng)能電池第二大成本支出 早期電池廠(chǎng)發(fā)展Double printing，近期已經(jīng)逐漸走向Dual printing技術(shù),Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)網(wǎng)印異常,Wafer尺寸偏?。簩?dǎo)致正面網(wǎng)印偏移而降BIN 正常晶片尺寸為156 0.5mm，各電池廠(chǎng)的網(wǎng)印面積尺寸介於154155mm，因此wafer尺寸若偏小155.5mm，將會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)印偏移降BIN。 Wa

6、fer暗裂：造成碎晶片黏著網(wǎng)版，導(dǎo)致網(wǎng)印缺陷降BIN 若晶片本身容易暗裂，網(wǎng)印過(guò)程會(huì)導(dǎo)致碎晶片黏著在網(wǎng)版而導(dǎo)致網(wǎng)印缺膠 Saw mark ：晶片表面高低落差導(dǎo)致finger結(jié)塊 電池已經(jīng)走向finger細(xì)線(xiàn)化，因此切痕造成的finger點(diǎn)狀結(jié)塊將會(huì)比以往更明顯 Wafer表面穿孔(Pinhole)：網(wǎng)印漏膠導(dǎo)致正面銀膠汙染 (常見(jiàn)於單晶),尺寸異常導(dǎo)致網(wǎng)印偏移,暗裂導(dǎo)致碎晶片黏版,切痕導(dǎo)致finger點(diǎn)狀結(jié)塊,切痕導(dǎo)致網(wǎng)印擴(kuò)線(xiàn),步驟七：快速燒結(jié)利用高溫?zé)Y(jié)形成形成歐姆接觸及背電場(chǎng)(BSF),粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),利用紅外線(xiàn)高溫?zé)Y(jié)方式(7

7、50800)，將導(dǎo)電膠料和矽晶片進(jìn)行結(jié)合。 電池?zé)Y(jié)後會(huì)形成BSF(鋁矽共晶)，有助於提升P-type wafer的效率,鋁矽共晶,Wafer厚度偏?。簾Y(jié)後cell翹曲過(guò)大會(huì)容易導(dǎo)致傳送破片 多晶矽太陽(yáng)能電池經(jīng)過(guò)燒結(jié)後會(huì)形成鋁矽共晶，因?yàn)殇X、矽晶格差異導(dǎo)致電池翹曲，正常燒結(jié)後的翹曲值(bowing)大約12mm 薄晶片的翹曲值會(huì)更大，單晶電池翹曲值(1.52mm)又比多晶電池(11.5mm)大 Wafer尺寸偏大導(dǎo)致cell燒結(jié)後邊緣脫晶 太陽(yáng)能晶片出貨規(guī)格不可有邊緣脫晶，但太陽(yáng)能電池出貨規(guī)格卻可允許 燒結(jié)爐所使用鍊條為金屬材質(zhì)，燒結(jié)後會(huì)跟矽晶片接觸導(dǎo)致外觀(guān)脫晶。 Wafer尺寸偏大會(huì)導(dǎo)致傳

8、異偏移正常接觸點(diǎn)，增加邊緣脫晶比例,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)燒結(jié)異常,12,正常翹曲值,異常翹曲值,步驟八：產(chǎn)品分類(lèi)依照外觀(guān)顏色和效率進(jìn)行分BIN,粗糙化蝕刻,磷擴(kuò)散,晶邊絕緣,抗反射層,進(jìn)料檢驗(yàn),網(wǎng)印,快速共燒,測(cè)試並分級(jí),利用視覺(jué)檢驗(yàn)系統(tǒng)進(jìn)行外觀(guān)分色：淺藍(lán)、藍(lán)、深藍(lán)、錠藍(lán) (昱晶標(biāo)準(zhǔn)) 利用視覺(jué)檢驗(yàn)系統(tǒng)進(jìn)行外觀(guān)分類(lèi)：A-grade 、B-grade等 利用太陽(yáng)光模擬器區(qū)分效率：0.1%或0.2%分BIN,多晶外觀(guān)顏色,單晶外觀(guān)顏色,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異常外觀(guān)：晶邊導(dǎo)角導(dǎo)致外觀(guān)降BIN,14,圓弧導(dǎo)角 ，需降BIN,導(dǎo)角斜切 ，不降BIN但需重測(cè)而影響產(chǎn)能,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異

9、常外觀(guān)：尺寸不均導(dǎo)致降BIN或重測(cè),15,離邊1mm,離邊0.60.7mm,Wafer尺寸異常會(huì)導(dǎo)致離邊距離超規(guī)，輕微者可重測(cè)回A-grade (影響tester產(chǎn)能)，嚴(yán)重者必須降BIN,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異常電性：Crack導(dǎo)致hot spot降BIN,晶片本身的暗裂除了會(huì)造成生產(chǎn)過(guò)程中破片率偏高，還會(huì)造成A-grade產(chǎn)品的暗裂片偏高，進(jìn)而導(dǎo)致模組端異常。,Micro crack導(dǎo)致hot spot Cell廠(chǎng)必需電性降BIN,模組端造成玻璃和back sheet燒毀,EL可檢測(cè)出cell暗裂,IR可檢測(cè)出cell熱點(diǎn),Temp100,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異常電性：Grai

10、n Boundary造成低效電池片,17,Wafer含過(guò)多的金屬雜質(zhì)(Fe, Ti.)導(dǎo)致Voc開(kāi)路電壓偏低和Irev逆向電流值偏高,Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異常電性：SiC導(dǎo)致hot spot降BIN,Wafer裡面的SiC若沒(méi)有切除乾淨(jìng)，在cell端會(huì)造成 Rsh (並聯(lián)電阻)偏低和Irev (逆向電流)偏高導(dǎo)致hot spot疑慮必需降BIN cell正面外觀(guān)會(huì)有小白點(diǎn),利用EDS偵測(cè)到C元素,cell正背面均可以看到小白點(diǎn),Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)分類(lèi)異常電性：邊角料導(dǎo)致效率偏低,19,Ingot的B區(qū)和C區(qū)通常會(huì)含有較多雜質(zhì)，因此若切除部分太少導(dǎo)致carrier lifetime偏低，會(huì)導(dǎo)致電池片效率偏低，通常Voc / Isc / Rs會(huì)呈現(xiàn)下降趨勢(shì),Wafer不良導(dǎo)致常見(jiàn)電池異常電性：LID導(dǎo)致效率衰退,20,Test condition：60