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文檔簡介

1、BGA(ball grid array) 0 k3 k9 l8 - : r6 6 g: J$ |球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用 以 代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的,首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用,今后在美國有 可 能在個人計算機中普及。最初,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數(shù)為225?,F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查。現(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 , 由于焊接的中心距較大,連接可以看作是穩(wěn)定的,只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 ) Q/ g# A, x% b4 A j/ o w0 M# c8 g& I# d2、BQFP(quad flat package with bumper) * C0 P1 o& X+ 帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一,在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。 5 D( M: g; % ; z$ s! |( F4 F2 R, Q# i) B- O9 N3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) ; v# |& J/ o# z& 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。: X( q/ o: ag* 0 q$ q- W9 m4 B! 4、C(ceramic) - U2 Y$ g$ W) g3 f, l7 q# O: S表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經(jīng)常使用的記號。 8 , & r1 2 ?/ - N9 g2 P& ( L/ |; v5、Cerdip . a* d1 Q/ I; Z/ P- v# d. w用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用于ECL RAM,DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm,引腳數(shù)從8 到42。在japon,此封裝表示為DIPG(G 即玻璃密封的意思)。 2 ) L) g/ H0 s: W3 bE4 n- 6 M$ u) % e6、Cerquad / o& g! R( wA x5 o$ _! z L. c表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好,在自然空冷條件下可容許1. 5 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高35 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。 7 L7 P B3 L8 C3 g3 v8 q0 D* D; ?) C. U8 g7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) % N2 j% M+ _0 c$ u7 I8 k( I帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側(cè)面引出,呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJG(見QFJ)。 ! X3 B$ D1 l# Z% X) X; D; W e, . |Y4 B3 9 # I& Y8、COB(chip on board) 5 M5 E( M# z3 u g4 x0 X5 V板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術(shù)之一,半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上,芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn),并用 樹脂覆 蓋以確??煽啃?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù),但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。 ( C 0 D K# e5 ?9 Q: T ( S# o4 T5 U% v9、DFP(dual flat package) 4 c0 6 e% K- ) K% i雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現(xiàn)在已基本上不用。 4 P m/ A* b# # X?. ; V1 u h; S) G. A10、DIC(dual in-line ceramic package) 0 e + z& I I陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP). 5 m% y& T1 w% s. V) G; v6 V3 v! + o* E! E: o11、DIL(dual in-line) , f- i) j2 v- 3 x+ EDIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。 0 b* Z6 q4 G; C) V2 O+ 8 C5 _: t h9 V Z; ( I12、DIP(dual in-line package) - C8 H/ L0 Y) y雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標準邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。 引腳中心距2.54mm,引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分, 只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。 7 ?) s! F4 S! W; | E: z$ Z/ c+ ; s- Q9 C3 A8 Q13、DSO(dual small out-lint) + 2 Q6 A2 B/ X雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。 5 V1 f L1 d* S x8 H; A( A3 j! K: A1 r7 B u, N7 14、DICP(dual tape carrier package) / + X|; d. N) f: W# 6 r0 W# Y雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù),封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI,但多數(shù)為 定制品。 另外,0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在japon,按照EIAJ(japon電子機 械工 業(yè))會標準規(guī)定,將DICP 命名為DTP。 N6 t8 & t( d# L6 z5 K/ F, , J6 m15、DIP(dual tape carrier package) 5 |/ / ( ?& Y$ z- M) L同上。japon電子機械工業(yè)會標準對DTCP 的命名(見DTCP)。 : I* g O# $ N9 C, O E; f+ |& V/ 0 V5 O. t2 Q* / X! % ?16、FP(flat package) : g7 W0 G; gh9 S9 N0 k* k扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 9 V3 L9 w. s. c u9 P/ D) H/ p1 c+ T j3 V- ; p0 7 ; 0 ) y; 17、flip-chip 5 w& O* R5 H( i3 b3 l倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一,在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點,然后把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區(qū)進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同,就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng),從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片,并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。) |& ; r) b/ I+ l, 2 S) . j$ T) K. 9 D18、FQFP(fine pitch quad flat package) * W3 f7 M1 Z; 2 _5 . a2 e小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 ) x3 Z, W/ _# X6 P% v3 g* w2 t7 B# w( e& N6 ?19、CPAC(globe top pad array carrier) : I2 b0 wA% U! L美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。 * u& c! c. p& b/ n- F2 J# d) g8 C20、CQFP(quad fiat package with guard ring) , o5 C8 O$ _7 S7 P帶保護環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護環(huán)掩蔽,以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前,從保護環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm,引腳數(shù)最多為208 左右。 + 1 x u% m& s6 Y) S, v( $ b) Q/ S* V% U5 f9 T$ Z21、H-(with heat sink) 1 y: o0 % H* e0 / q& , P表示帶散熱器的標記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。 * b; q; b) N Y: e) h, 0 R9 Y5 Z7 U) i22、pin grid array(surface mount type) 9 F6 g9 m( * q# d4 U; N6 d7 f; s表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA 小一半,所以封裝本體可制作得 不 怎么大,而引腳數(shù)比插裝型多(250528),是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。 + s/ f/ * n% a; r0 j3 A* E5 Z4 M- 5 ?% 3 u+ w) n23、JLCC(J-leaded chip carrier) I( W2 t6 X4 P u0 h _J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。 + 3 V8 u4 Q2 7 W& C) v5 K! s) t3 O0 w* o: A4 ( 5 U3 W24、LCC(Leadless chip carrier) 4 m& L- f. e; / ) T; L無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝,也稱為陶瓷QFN 或QFNC(見QFN)。 , q) K) g4 & E/ Q% , s( 1 T( uM h% z5 |% i0 n25、LGA(land grid array) z( s% k& r* f0 8 K觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可?,F(xiàn) 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻 抗 小,對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜,成本高,現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計 今后對其需求會有所增加。 & J* D. L; p6 _- C& D$ T2 L j# K# C4 t: a2 N/ ?26、LOC(lead on chip) , w5 W. g# r6 |) & H4 X% D3 M. J6 F芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一,引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu),芯片 的 中心附近制作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比,在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。 7 P7 K, f+ G$ ! b: Z! T+ R5 N9 C2 6 B5 L1 + A j27、LQFP(low profile quad flat package) z3 b: k0 F4 9 _: p薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP,是japon電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。 / S9 2 p m6 Y8 J2 M B( y, i5 q, W% e28、LQUAD $ L% H9 A B0 z) S& V陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁,基導(dǎo)熱率比氧化鋁高78 倍,具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝, 在自然空冷條件下可容許W3的功率?,F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝,并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。 : e% V7 Q2 % vv5 v5 O+ a9 P+ M* n2 w, W+ Q1 r1 V29、MCM(multi-chip module) : v* P$ D: u4 N& 8 M多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCML,MCMC 和MCMD 三大類。 MCML 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高,成本較低 。 MCMC 是用厚膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCML。 MCMD 是用薄膜技術(shù)形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。 / V* x6 O3 c( O: H4 v$ h: R7 hM% Fi. m5 V L8 i, x2 v% _30、MFP(mini flat package) % r# R6 k s) k5 m小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 & h+ I% B3 P9 J0 - T3 k. r% |0 P( D( S5 i& d31、MQFP(metric quad flat package) + U8 V0 R B( U/ T- H1 Y2 |+ x按照JEDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標準對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm2.0mm 的標準QFP(見QFP)。 7 s% D$ L+ V( S, z0 W) n! ? A+ J, p32、MQUAD(metal quad) & U! t. U L( W1 a$ G美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?;迮c封蓋均采用鋁材,用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W2.8W 的功率。japon新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。 % Y: X! ; # e9 l7 I* x( i, |. I7 z33、MSP(mini square package) # B! N7 S5 c: 1 r, PQFI 的別稱(見QFI),在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是japon電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。 # 0 qW! S& K2 r8 ; j/ i! Nh% X$ e. t/ S+ w3 t* k, U34、OPMAC(over molded pad array carrier) + f w5 H# _6 e0 K; 1 ( m模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。 2 u K$ m6 P6 r( B. x3 r k- Z35、P(plastic) 7 o# Q2 k, U+ y表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。 ; o) R2 v5 D% |- Z8 8 , t0 u7 b7 : E) M36、PAC(pad array carrier) + O% A5 E) S0 Z9 v# v凸點陳列載體,BGA 的別稱(見BGA)。 x7 v$ f# lj9 r7 a i5 f) U5 I! G, t+ O# A37、PCLP(printed circuit board leadless package) ! : u* Q, E6 I9 印刷電路板無引線封裝。japon富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引 腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。目前正處于開發(fā)階段。 5 j6 ?1 S! Q X U! r7 n* A/ V3 s8 F* P: # H9 cj$ w6 6 U38、PFPF(plastic flat package) + r( G0 % p o2 I7 l8 8 W塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。 1 v6 m Wp- b4 s4 _1 e& $ C; R1 + M% 5 x39、PGA(pin grid array) ! h. c# ?4 7 J# g 7 n( S3 V4 P# o陳列引腳封裝。插裝型封裝之一,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下,多數(shù)為陶瓷PGA,用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本,封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64256 引腳的塑料PG A。 另外,還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。 0 E0 X& r3 dX8 9 B4 R4 K6 Fi3 Y40、piggy back kw) U$ 5 Q# p: A. * u馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝,形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機的設(shè) 備時用于評價程序確認操作。例如,將EPROM 插入插座進行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品,市場上不怎么流通。 & O$ p% h8 1 _; E6 j l8 1 s F6 % d3 |- 5 v41、PLCC(plastic leaded chip carrier) % 4 ! 3 E) 帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側(cè)面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,現(xiàn)在已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形,比QFP 容易操作,但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P LCC 等),已經(jīng)無法分辨。為此,japon電子機械工業(yè)會于1988 年決定,把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ,把在四側(cè)帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。 - q3 q3 P, c5 3 t* n9 c, u+ 1 |. # J! e42、PLCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier) + H4 X# Q8 i* L有時候是塑料QFJ 的別稱,有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分 LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝,用PLCC 表示無引線封裝,以示區(qū)別。 h L3 N7 x6 B0 % v X3 |! q! p1 A* E43、QFH(quad flat high package) v- i2 D* w# 9 y/ O6 6 j四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種,為了防止封裝本體斷裂,QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 W2 o4 q; I/ M$ e0 + $ H7 F 2 S3 a6 G) B5 _44、QFI(quad flat I-leaded packgac) J: L$ e! ) q7 7 DV9 G1 Y, f四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出,向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由于引腳無突出部分,貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外,japon的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數(shù)從18 于68。 # H2 # x6 P) A$ w# 7 O0 P# ; e3 J K% / Y4 w45、QFJ(quad flat J-leaded package) - a+ m8 t, C# 8 j# 4 m, e# _四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側(cè)面引出,向下呈J 字形 。 是japon電子機械工業(yè)會規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。 : x. j% kM4 j9 K材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC),用于微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。 陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。# , Z0 g u. ?- 9 o! m- J2 6 j$ i5 W# H6 F( 46、QFN(quad flat non-leaded package) 9 s g6 O# l; y四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱為LCC。QFN 是japon電子機械工業(yè) 會規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點,由于無引腳,貼裝占有面積比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,當印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時,在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難于作到QFP 的引腳那樣多,一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。 $ f! F! ) X( z. W% s! B塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外, 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、PLCC 等。 + . J! C3 4 F8 D/ h9 X6 z, O3 j6 ) w. I* 47、QFP(quad flat package) 7 F2 O3 d! W6 X1 b5 K四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型?;挠?陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看,塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時, 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器,門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路,而且也用于VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。 8 e4 L& K! L! d# d+ z sjapon將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現(xiàn)在japon電子機械工業(yè)會對QFP 的外形規(guī)格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區(qū)別,而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。 p, |, z5 wX另外,有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是,當引腳中心距小于0.65mm 時,引腳容易彎曲。為了防止引腳變形,現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP);帶樹脂 保護 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP);在封裝本體里設(shè)置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面,不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。 - t$ 3 n- J6 c7 p4 f+ Tl _& ! a4 p8 b4 ! m6 |48、QFP(FP)(QFP fine pitch) ! D% ! 3 1 f$ x Q小中心距QFP。japon電子機械工業(yè)會標準所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。2 M- a! s; ?+ a$ J3 m3 t8 Y& E- DL J; C8 J& E* ?3 h! 49、QIC(quad in-line ceramic package) . 9 d, c3 f$ 7 f; y- M1 l4 M6 陶瓷QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。 x s9 y. K; p: Z t FU8 P E* 4 p7 s50、QIP(quad in-line plastic package) 1 ) f6 ?+ t# e1 gS7 d塑料QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。 ( D3 C. 3 s* _/ Q! e6 T+ P0 P+ u2 f# x, _! k51、QTCP(quad tape carrier package) b8 Y4 |. G: n* n# ?四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一,在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。7 Z+ V2 P 8 R; Z _ m& j5 y8 d/ d+ x0 ?& v6 h, U& i! V3 W: r52、QTP(quad tape carrier package) 4 B: 9 v4 M C2 o) U8 s h7 o8 四側(cè)引腳帶載封裝。japon電子機械工業(yè)會于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。 7 n: c5 w4 h4 u* S0 u5 y6 T/ E% X; In2 |: K7 4 |3 Q& k53、QUIL(quad in-line) 1 XZ1 m T3 s% G; J3 GQUIP 的別稱(見QUIP)。 ! C& O3 : ?$ pQ( d6 Q- m0 w+ N! 2 D0 / U54、QUIP(quad in-line package) , R. D- b4 G, H四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側(cè)面引出,每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm,當插入印刷基板時,插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標準印刷線路板 。是 比標準DIP 更小的一種封裝。japon電氣公司在臺式計算機和家電產(chǎn)品等的微機芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。 + d) N# l8 9 i! A& r, g& 3 j) U7 z2 J3 C55、SDIP (shrink dual in-line package) % $ s! x% o1 h; bFS收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm), 因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SHDIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。 : m+ S0 y1 G7 p1 a: z1 f) L5 v7 Z3 t / J8 n& M56、SHDIP(shrink dual in-line package) , d2 i p9 k4 3 N1 H: j同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 - l A) 9 a# O, Q8 N) j0 $ g* P Y57、SIL(single in-line) $ , S, _, h XSIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL 這個名稱。 6 C% J/ t. iZ8 p$ P H. m: ?4 q5 Z3 Y9 w7 J! h58、SIMM(single in-line memory module) $ & D2 Y1 o; v7 S單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個人 計算機、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有3040的DRAM 都裝配在SIMM 里。 , s$ & p! y# _- b1 p9 k8 d7 T8 2 L% |7 e& t% d3 c( N59、SIP(single in-line package) y. i Q4 / J( . M j. E! r6 R單列直插式封裝。引腳從封裝一個側(cè)面引出,排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數(shù)從2 至23,多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。 2 a1 j8 S- Y8 E% G& P( P8 l* E5 T3 v) K: Y60、SKDIP(skinny dual in-line package) ! L# B( m# d4 a& U; ?0 HDIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見 DIP)。 0 G, L8 r% c8 B$ 4 m9 R! i1 K/ d7 M! H v+ U! a1 M7 S61、SLDIP(slim dual in-line package) % O1 M$ L) I) B! Y, p% k, P4 l y7 yDIP 的一種。指寬度為10.16mm,引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。 . s l& H3 D$ e9 n+ |H G7 d ( Q! y. i62、SMD(surface mount devices) O1 5 _8 o. V. 2 w- d表面貼裝器件。偶而,有的半導(dǎo)體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。 / N9 u# x- I6 S$ l* W3 C b/ -

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