等效電路法在放大電路研究中的應(yīng)用

1、個(gè)人收集整理僅供參考學(xué)習(xí)等效電路法在放大電路分析中地應(yīng)用以晶體管放大電路為例，闡述放大電路等效模型地建立過程.分析證明，該結(jié)論適用于場(chǎng)效應(yīng)管及其組成地放大電路中.等效電路法，又稱為低頻小信號(hào)模型，即在低頻小信號(hào)作用下地放大電路中，將放大電路中地基本元件看成一個(gè)線性雙口網(wǎng)絡(luò)，利用該網(wǎng)絡(luò)地 h參數(shù)來表示放大電路地輸入與輸岀特性便可得到一個(gè)等效線性電路，所以也稱為h參數(shù)等效模型.1模擬電路中地常用放大電路1. 1晶體管放大電路晶體管放大電路地主要構(gòu)成元件為pnp型、npn型硅晶體管及若干電阻組成.它主要利用晶體管地特性對(duì)電路中電流進(jìn)行放大，通過對(duì)該電路地輸入特性與輸岀特性地分析，得岀該放大電路包含3

2、種工作狀態(tài)，即飽和區(qū)、放大區(qū)及截止區(qū)，正常情況下應(yīng)使放大電路工作在放大區(qū).常見電路形式如圖1所示.8 / 8常見電建形扎二1. 2場(chǎng)效應(yīng)管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管也是作為一種最基本地放大電路，它地主要組成為場(chǎng)效應(yīng)管及若干電阻，其工作原理與電路形式和晶體管放 大電路相同，相比晶體管放大電路，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn).常見電路形式如圖2所示.1. 3差分放大電路差分放大電路地主要構(gòu)成為晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管及若干電阻，它地主要特點(diǎn)在于采用完全對(duì)稱地電路結(jié)構(gòu)形式，以此來 抑制基本放大電路產(chǎn)生地零點(diǎn)漂移，使得工作點(diǎn)更加穩(wěn)定，常見電路形式如圖3所示.陽3常兀咄尬冊(cè)幾二1. 4有源負(fù)載放大電路有源負(fù)載放

3、大電路主要構(gòu)成元件為晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管及若干電阻，這種放大電路以電流源電路作為有源負(fù)載，這樣在電源電壓不變地情況下，既可獲得合適地靜態(tài)電流，對(duì)于交流信號(hào)，又可以得到較大地等效電阻，從而提高電壓增益.常見電路形式如圖4所示.4*見電毎如成石2等效電路法在放大電路分析中地應(yīng)用實(shí)例為了研究等效電路法在實(shí)際放大電路分析中地應(yīng)用，下面以晶體管放大電路分析為例2. 1等效電路法地具體應(yīng)用過程首先將晶體管作為一個(gè)雙口網(wǎng)絡(luò)，如圖5所示.以B-E作為輸入端口，以C-E作為輸出端口，則網(wǎng)絡(luò)外部地端電壓和電流之間地關(guān)系就是晶體管地輸入特性和輸出特 性，如圖6和圖7所示.5根據(jù)特性曲線，可以將輸入特性、輸岀特性寫成關(guān)系

4、式=/（ it t1）*忸（2）式中，t 心叱” g均為各齧數(shù)的麟時(shí)總hU為 了研究低頻小信號(hào)作用下各變間的關(guān)系*對(duì)式（1） 和式（R求全徽分，可得由于叫需代表變化的部分*可以用小信號(hào)交 流分量聽雲(yún)代替,同理血、占血門分別可以用d S %代替。根據(jù)電路原理網(wǎng)絡(luò)分析知識(shí)*從以上兩 式得岀h參數(shù)方程“ =hB + 咕(6)h參數(shù)地下標(biāo)e表示共發(fā)射極接法，i表示輸入；r表示反向傳輸；f表示正向傳輸；o表示輸岀，其中(7)由h參數(shù)方程可知，電壓 vBE由兩部分組成，第一項(xiàng)表示由iB產(chǎn)生一個(gè)電壓，所以 hie為一電阻；第二項(xiàng)vCE由產(chǎn)生一個(gè)電壓，因而hre無量綱；所以B-E間可以等效成一個(gè)電阻與一個(gè)受控

5、電壓源串聯(lián).電流iC也由兩部分組成，第一項(xiàng)表示由 iB控制產(chǎn)生一個(gè)電流，因而 hfe無量綱；第二項(xiàng)表示由vCE產(chǎn)生一個(gè)電流，因而hoe為電導(dǎo)；所以C-E間可以等效為一個(gè)受控電流源與一個(gè)電阻并聯(lián).這樣得到地晶體管地等效模型如圖8所示.由于hr Ucth參數(shù)方程中地4個(gè)h參數(shù)地量綱都不同，故稱為 h參數(shù)等效模型. $4 胡 2 %I6圖8晶體管的尋效叔芟2. 2等效電路法地簡化模型輸入回路：從前面對(duì)晶體管地特性分析可知，當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，C-E間地電壓對(duì)輸入特性曲線地影響很小，即管子地內(nèi)反饋可以忽略不計(jì)，可以vCEVBE用地任意一條特性曲線取代vCEVBE地所有特性曲線.因此，認(rèn)為hre=0

6、，則晶體管地輸入回路只等效為一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻rBE (hie ).輸岀回路：當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，C-E間電壓地變化對(duì)iC地影響很小，即在放大區(qū)輸岀特性曲線幾乎是橫軸地平行線，可以認(rèn)為C-E間地動(dòng)態(tài)電阻1/hoe無窮大.因此，hoe近似為0，晶體管地輸出回路只等效為一個(gè)電流iB控制地電流源B iB ( hfeiB ).簡化后地h參數(shù)等效模型如圖9所示.S=j+%1陽O +%d*占6圖9簡化后的人賽數(shù)爭(zhēng)蛙杭衛(wèi)3結(jié)束語分析了晶體管等效模型，其分析結(jié)論可直接用于分析由晶體管所構(gòu)成放大電路地各種動(dòng)態(tài)參數(shù)，該結(jié)論完全可以適用 于場(chǎng)效應(yīng)管及其組成地放大電路中，而其他類型放大電路如差分放大電路、功率放大電路，

7、還有由許多基本電路構(gòu)成地集 成運(yùn)算放大電路，由于其基本構(gòu)成與晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路相同，所以同樣可以采用等效電路法來分析 .版權(quán)申明本文部分內(nèi)容，包括文字、圖片、以及設(shè)計(jì)等在網(wǎng)上搜集整理版權(quán)為個(gè)人 所有This article in eludes some parts, in cludi ng text, pictures, anddesig n. Copyright is pers onal own ership.b5E2RGbCAP用戶可將本文地內(nèi)容或服務(wù)用于個(gè)人學(xué)習(xí)、研究或欣賞，以及其他非商業(yè) 性或非盈利性用途，但同時(shí)應(yīng)遵守著作權(quán)法及其他相關(guān)法律地規(guī)定，不得侵犯 本網(wǎng)站及相關(guān)權(quán)利人地合

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