模電習(xí)題打印綜述

1、、填空題1在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、 當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層 變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 小于 漂移電流，耗盡層 變寬 。3、 在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴 為少數(shù)載流子。1半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時(shí)，勢壘區(qū) 變窄，擴(kuò)散電流 大于漂移電流。2、 在常溫下，硅二極管的門限電壓約0.6 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約07V ;鍺二極管的門限電壓約0.1V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0.2 V。3、 在常溫下，發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭s1.22V， 高于 硅二極管的門限電壓:考慮

2、發(fā)光二極管的發(fā)光亮度和壽命，其工作電流一般控制在510 mA。4、 利用硅PN結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點(diǎn)而制成的二極管，稱為 普通（穩(wěn)壓）二極管。請寫出這種管子四種主要參數(shù),向電流和極間電容 。二、選擇題分別是 最大整流電流、反向擊穿電壓、反1、二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由（ a ）。a.多數(shù)載流子擴(kuò)散形成b.多數(shù)載流子漂移形成c.少數(shù)載流子漂移形成d.少數(shù)載流子擴(kuò)散形成2、 PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓，（c ）。a.其反向電流增大b.其反向電流減小c.其反向電流基本不變d.其正向電流增大3、 穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（d ）。a.單向?qū)щ娦詁.反偏截止特

3、性c.電容特性d.反向擊穿特性4、二極管的反向飽和電流在20C時(shí)是5A,溫度每升高10C，其反向飽和電流增大一倍,當(dāng)溫度為40C時(shí)，反向飽和電流值為（ c ）。a. 10A b. 15A c. 20 卩 A d. 40（iA5、變?nèi)荻O管在電路中使用時(shí)，其PN結(jié)是（b ）。a. 正向運(yùn)用b. 反向運(yùn)用一、填空題1. 三極管處在放大區(qū)時(shí)，其集電結(jié) 電壓小于零， 電壓大于零。2. 三極管的發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度很高，而基區(qū)很薄。3. 在半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí)少 數(shù)載流子的數(shù)量變化較大，而 多 數(shù)載流子的數(shù)量變化較小。4. 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基_區(qū)厚度要很

4、小:外部條件是：發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置。5. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是 少數(shù)載流 子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。6. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12增大到22 A時(shí)，lc從1mA變?yōu)?mA，那么它的B約為 100。7. 三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是飽和區(qū)、放大區(qū)和 截止區(qū)。8. 雙極型三極管是指它內(nèi)部的參與導(dǎo)電載流子有兩種。9. 三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。10. 某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為5V，接入12k啲負(fù)載電阻后，輸出電壓降為2.5V，這說明放大電路的輸出電阻為12k. *11. 為了使高內(nèi)阻信號源與低電阻負(fù)載能很好的

5、配合，可以在信號源與低電阻負(fù)載間接入_共集電極組態(tài)的放大電路。12. 題圖3.0.1所示的圖解，畫出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、交流 負(fù)載線。由此可以得出：(1 )電源電壓Vcc =6V ；(2) 靜態(tài)集電極電流I CQ = 1mA ;集電極電壓 U ceq = 3V ;(3) 集電極電阻 Rc = 3k Q ;負(fù)載電阻R_ = 3k Q ;(4) 晶體管的電流放大系數(shù)一：=50 ,進(jìn)一步計(jì)算可得電壓放大倍數(shù)Av= - 50 ; ( rbb取 200 I | );(5) 放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為1.06V ;(6) 要使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小

6、于20識 。13. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的常用方法有射極偏置電路 和 集電極基極偏置電路14. 有兩個(gè)放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B ,對同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的輸入電阻小 。15. 三極管的交流等效輸入電阻隨靜態(tài)工作點(diǎn)變化。16. 共集電極放大電路的輸入電阻很大 ，輸出電阻很小。17. 放大電路必須加上合適的直流偏置才能正常工作。18. 共射極、共基極、共集電極放大電路有功率放大作用;19. _共射極、共基極放大電路有電壓放大作用；20. 共射極、共集電極放大電路有電流放大作用；21. 射極輸出器的輸入電阻較

7、大 ，輸岀電阻較小。22. 射極輸出器的三個(gè)主要特點(diǎn)是輸出電壓與輸入電壓近似相同、輸入電阻大 、輸出電阻小 。23. 小信號等效電路”中的小信號”是指小信號等效電路”適合于微小的變化信號的分析，不適合靜態(tài)工作點(diǎn)和電流電壓的總值的求解，不適合大信號的工作情況分析。24. 放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)由它的直流誦路 決定，而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的交流通路決定。25. 圖解法適合于 求靜態(tài)工作 Q點(diǎn)；小、大信號工作情況分析，而小信號模型電路分析法則適合于求交變小信號的工作情況分析。26. 放大器的放大倍數(shù)反映放大器放大信號的能力;輸入電阻反映放大器索取信號源信號大小的能力；而輸出電阻則反映出

8、放大器帶負(fù)載能力。27. 對放大器的分析存在靜態(tài) 和 動(dòng)態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線上所對應(yīng)的點(diǎn)稱為 Q點(diǎn) 。28. 在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察V和V的波形，則V。和V的相位關(guān)系為 反相；當(dāng)為共集電極電路時(shí)，貝UV。和V的相位關(guān)系為 同相。29. 在由NPN管組成的單管共射放大電路中，當(dāng)Q點(diǎn)太高（太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出電壓的波形被削掉 波谷；當(dāng)Q點(diǎn)太低（太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生截止失真，其輸出電壓的波形被削掉波峰。30. 單級共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入截止區(qū)，產(chǎn)生飽和失真的原因是 放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入飽和區(qū)。31.

9、NPN三極管輸出電壓的底部失真都是飽和 失真。32. PNP三極管輸出電壓的 頂部部失真都是飽和失真。33. 多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有RC耦合,直接耦合,變壓器耦合。34. BJT三極管放大電路有共發(fā)射極、共集電極、 共基極 三種組態(tài)。35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。因此，這種BJT接入電路時(shí)，總要使它的發(fā)射結(jié)保持正向 偏置,它的集電結(jié)保持 反向 偏置。36. 某三極管處于放大狀態(tài)，三個(gè)電極A、B、C的電位分別為-9V、-6V和-6.2V，則三極管的集電極是 A ，基極是_C_，發(fā)射極是 _B_。該三極管屬于PNP型，由鍺半導(dǎo)

10、體材料制成。37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為1;電流跟隨器指共 基 極電 路，指電流的放大倍數(shù)為1。38. 溫度對三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)，Icbo 增加 ，1增加，正向發(fā)身寸結(jié)電壓Ube 減小 ，PcM 減小。39. 當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線將左移，輸出特性曲線將上移，而且輸出特性曲線之間的間隔將增大。40. 放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是三極管或場效應(yīng)管工作在非放大區(qū)。41. 在題圖3.0.2電路中，某一參數(shù)變化時(shí)，Vceq的變化情況（a.增加，b，減小，c.不變，(1)Rb增加時(shí)，VCEQ將增大。(2)Rc減小時(shí)，VCEQ將增大。(3)RC增

11、加時(shí)，VCEQ將減小。(4)Rs增加時(shí)，VCEQ將不變(5)1減小時(shí)（換管子）VCEQ 將-增大(6)環(huán)境溫度升高時(shí)，VCEQ 將減小OO將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。42. 在題圖3.0.3電路中，當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能 的變化。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填增大” 減小”或 基本不變”）（1 ）若Rb阻值減小，則靜態(tài)電流Ib將 增大，VCE將 減小，電壓放大倍數(shù) Av將 增大。(2 )若換一個(gè)值較小的晶體管,則靜態(tài)的Ib將 不變，VCF將 增大，電壓放大倍數(shù) A,將減小。(3 )若Rc阻值增大，則靜態(tài)電流I b將 不變，vce將減小，電壓放大倍數(shù) A將 增不同頻率信號 適

12、應(yīng)程度。表征頻率特性的主要指標(biāo) 上限截止頻率和 下限截止頻率。43. 放大器的頻率特性表明放大器對是中頻電壓放大倍數(shù)，_44. 放大器的頻率特性包括幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)兩個(gè)方面,產(chǎn)生頻率失真的原因是放大器對不同頻率的信號放大倍數(shù)不同45.46.47.48.O放大器對不同頻率的正弦信號的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 線性失真和非線性失真。截止頻率頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的情況下， 放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱為 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號時(shí)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在耦合電容和旁路電容的影響；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在放大器件內(nèi)部的極間電容的影

13、響。49.單級阻容耦合放大電路加入頻率為fH和fL的輸入信號時(shí)，電壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了 _3_dB，高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，分別為 .在單級阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為-20dB/十倍頻；附加相移高頻區(qū)的斜率為 移低頻區(qū)的斜率為.一個(gè)單級放大器的下限頻率為如果輸入一個(gè)15sin(100, 000二t) mV的正弦波信號，該輸入信號頻率為該電路不會產(chǎn)生波形失真。.多級放大電路與組成它的各個(gè)單級放大電路相比，其通頻帶變 大，高頻區(qū)附加相移增大 。、判斷題50.51.52.+45c/十倍頻 。fL =100Hz，上限頻率為fH-45o

14、禾廿 +45o 。-20dB/十倍頻，幅頻-45(/十倍頻，附加相=30kHz， Avm = 40dB，50kHz ，電壓增益1.下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識別其管腳、判斷其類型及材料，并簡要說明理由。(1) 3.2V，5V，3V ；解：鍺NPN型BJT管 Vbe=0.2 V所以為鍺管；5V為集電極，3.2V為基極，3V為發(fā) 射極，2) 9V，- 5V，- 5.7V解：硅PNP型BJT管；9V為集電極，5.7V為基極，5V為發(fā)射極(3) 2V，2.7V，6V ；解：硅NPN型BJT管；6V為集電極，2.7V為基極，2V為發(fā)射極(4) 5V，1.2V，0.5V ；解：硅NPN型BJT管；5V為

15、集電極，1.2V為基極，0.5V為發(fā)射極(5) 9V, 8.3V , 4V解：硅PNP型BJT管9V為發(fā)射極，8.3V為基極，4V為集電極(6) 10V , 9.3V , 0V解：硅PNP型BJT管，10V為發(fā)射極，9.3V為基極，0V為集電極(7) 5.6V , 4.9V , 12V ;解：硅NPN型BJT管，12V為集電極，5.6V為基極，4.9V為發(fā)射極，(8) 13V , 12.8V ,17V ;解：鍺NPN型BJT管，17V為集電極，13V為基極，12.8V為發(fā)射極,(9) 6.7V , 6V, 9V ;解：硅NPN型BJT管，9V為集電極，6.7V為基極，6V為發(fā)射極，2. 判斷三

16、極管的工作狀態(tài)和三極管的類型。1 管：Vb - -2V,Ve - -2.7V,Vc =4V;答：NPN管，工作在放大狀態(tài)。2 管：Vb =6V,Ve =5.3/,Vc =5.5/;答：NPN管，工作在飽和狀態(tài)。3 管：VB = 1V,Ve =-0.3V ,VC =7V;答：NPN管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。3. 題圖3.0.4所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)?43V6V右AG2.3V2.3V T題圖3.0.4答：題圖3.0.4所列三極管中，只有圖(D)所示的三極管處在放大區(qū)。4. 放大電路故障時(shí)，用萬用表測得各點(diǎn)電位如題圖3.0.5，三極管可能發(fā)生的故障是什么?答：題圖3.0.5所示的三極管，B、E極之

17、間短路，發(fā)射結(jié)可能燒穿。題圖3.0.55. 測得晶體管3個(gè)電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA，3.66mA和3.6mA，則該管的為。 為60。 為61。0.98。無法確定。6. 只用萬用表判別晶體管3個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是b極。e極b極c極7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對直流而言其 輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。 輸入和輸出均具近似的恒流特性。 輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。 輸入具有近似的恒流特性，而輸出具有恒壓特性。8.共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開路、短路、接電阻R時(shí)的c, e間的擊穿電壓分別用 V （BR）CEO , V（ BR）CES 和V

18、 （BR）CER表示，則它們之間的大小關(guān)系是V（BR）CEO V（ BR）CES V（ BR）CER。V （BR） CES V（BR）CER V（BR）CEO V （BR）CER V（BR）CES V（ BR）CEO V （BR）CES V（BR）CEO V（ BR）CER 9題圖3.0.6所示電路中，用 直流電壓表測出Vce0V有可能是因?yàn)镃或D 。A B C DRb開路Rc短路Rb過小過大+-%300kQGi+ J1 12 V4kQ cb2Ihr-填空題e題圖3.0.6-31. 場效應(yīng)管利用外加電壓產(chǎn)生的電2. 為了使結(jié)型場效應(yīng)管正常工作， 度，它的輸入電阻比 MOS管的輸入電阻 間的耗盡

19、層承受場 來控制漏極電流的大小, 因此它是電柵源間兩PN結(jié)必須加 反向 電壓來改變導(dǎo)電溝道的寬 小。結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵源壓控制器件。反 向電壓，才能保證其 Rgs大的特點(diǎn)。多數(shù) 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成。N溝道場效應(yīng)管的漏極電流由載JFET管中的漏極電流不能 穿過PN結(jié)（能，不能）。3. 場效應(yīng)管漏極電流由 流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成。4. 對于耗盡型 MOS管，Vgs可以為 正、負(fù)或者零 。5. 對于增強(qiáng)型 N型溝道MOS管，Vgs只能為 正，并且只能當(dāng)Vgs Vth時(shí)，才能形有l(wèi)d。6. P溝道增強(qiáng)型 MOS管的開啟電壓為 丄值。N溝道增強(qiáng)型 MOS管的開啟電壓為 二值。7. 場效應(yīng)管

20、與晶體管相比較，其輸入電阻高：噪聲 低：溫度穩(wěn)定性 好：飽和壓降大；放大能力 較差；頻率特性 較差（工作頻率低）；輸出功率 較小。8. 場效應(yīng)管屬于電壓 控制器件，而三極管屬于電流控制器件。9. 場效應(yīng)管放大器常用偏置電路一般有自偏壓電路 和 分壓器式自偏壓電路 兩種類型。10. 由于晶體三極管 是電子、空穴兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電，所以將它稱為雙極型的，由于場效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以將其稱為單極型的。11. 跨導(dǎo)gm反映了場效應(yīng)管柵源電壓 對 漏極電流控制能力，其單位為ms（毫西門子。12. 若耗盡型N溝道MOS管的Vgs大于零，其輸入電阻不 會明顯變小。13. 一個(gè)結(jié)型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)

21、移特性曲線如題圖4.1所示，則它是 旦溝道的效應(yīng)管，它的夾斷電壓Vp是4.5V，飽和漏電流Idss是 5.4mA。7 /mA1. 功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大交流功率。（交流功率直流功率平均功率）2. 與甲類功率放大器相比較，乙類互補(bǔ)推挽功放的主要優(yōu)點(diǎn)是能量效率高。（無輸出變壓器能量效率高無交越失真）3. 所謂功 率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指負(fù)載得到的有用信號功率和電源供給的直流功率之比。4. 在OCL乙類功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的集電極最大功耗約為 0.2W。5. 在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)當(dāng)特別注意的參

22、數(shù)有 （1） 最大允許功耗pcm ；（ 2） V（Br）ceO 集電極一發(fā)射極間的反向擊穿電壓； （3）最大集電極電流ICM6. 若乙類OCL電路中晶體管飽和管壓降的數(shù)值為|Vces|,則最大輸出功率Pom(Vcc -VcES )22Rl8. 電路如題圖5.1.1所示，已知T1和T2的飽和管壓降丨Vces | = 2V ,直流功 耗可忽略不計(jì)。R3、R4和T3的作用是 為T1和T?提供適當(dāng)?shù)钠珘海?之處于微導(dǎo)通狀態(tài)，消除交越失真。負(fù)載上可能獲得的最大輸岀功率 Pom 16W 和電路的轉(zhuǎn)換效率n=69.8% 。設(shè)最大輸入電壓的有效值為1V。為了使電路的最大不失真輸出電壓的峰值達(dá)到16V ,電阻

23、 R6至少應(yīng)取10.3千歐。題圖5.1.19. 甲類功率放大電路的能量轉(zhuǎn)換效率最高是50% （峰值功率）。甲類功率放大電路的輸出功率越大，則功放管的管耗越小，則電源提供的功率越大 。10. 乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路的能量轉(zhuǎn)換效率最高是78.5% 。若功放管的管壓降為 Vces乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路在輸出電壓幅值為_Vcc -Vces，管子的功耗最小。乙類互補(bǔ)功放電路存在的主要問題是輸出波形嚴(yán)重失真。在乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路中，每只管子的最大管耗為0.2Po。設(shè)計(jì)一個(gè)輸出功率為20W的功放電路，若用乙類互補(bǔ)對稱功率放大，則每只功放管的最大允許功耗vCcPcm至小應(yīng)有 4W 。雙電源乙類互補(bǔ)推

24、挽功率放大電路最大輸出功率為11.為了消除交越失真，應(yīng)當(dāng)使功率放大電路工作在甲乙類 狀態(tài)。12.單電源互補(bǔ)推挽功率放大電路中，電路的最大輸出電壓為Vcc/2。13.由于功率放大電路工作信號幅值大，所以常常是利用圖解法分析法進(jìn)行分析和計(jì)算的。1.差動(dòng)放大電路采用了 對稱 的三極管來實(shí)現(xiàn)參數(shù)補(bǔ)償，其目的是為了克服 零點(diǎn)漂移 。集成放大電路采用直接耦合方式的原因是集成工藝難于制造大容量電 容，選用差分放大電路作為輸入級的原因是利用其對稱性減小電路的溫 漂。差分放大電路的差模信號是兩個(gè)輸入端信號的 差，共模信號是兩個(gè)輸入 端信號的算術(shù)平均值。用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻 Re，將提高電

25、路的 共模抑制比。三極管構(gòu)成的電流源之所以能為負(fù)載提供恒定不變的電流，是因?yàn)槿龢O管 工作在輸出特性的放大區(qū)域；三極管電流源具有輸出電流恒定，直 流等效電阻小，交流等效電阻大的特點(diǎn)。6.在放大電路中，采用電流源作有源負(fù)載的目的是為了 提高 電壓放大倍數(shù)， 在含有電流源的放大電路中，判斷電路是放大電路還是電流源電路的方法 是：電流源是一個(gè) 單口 網(wǎng)絡(luò),而放大電路是一個(gè) 雙口 網(wǎng)絡(luò)。2.3.4.5.、判斷題1.2.在多級放大電路中，A阻容耦合，在多級放大電路中，A阻容耦合，即能放大直流信號，又能放大交流信號的是 B變壓器耦合，不能抑制零點(diǎn)漂移的B變壓器耦合，_c_多級放大電路。 c直接耦合，D光電耦

26、合。多級放大電路。c直接耦合，D光電耦合,集成運(yùn)放是一種高增益的、c的多級放大電路。A阻容耦合，B變壓器耦合，c直接耦合,通用型集成運(yùn)放的輸入級大多采用丄。A共射極放大電路，B射極輸出器，通用型集成運(yùn)放的輸出級大多采用D光電耦合,c差分放大電路，D互補(bǔ)推挽電路。3.4.5.。A共射極放大電路，B射極輸出器，C差分放大電路，D互補(bǔ)推挽電路。6. 差分放大電路能夠C 。A提高輸入電阻，B降低輸出電阻，C克服溫漂， D提高電壓放大倍數(shù)。7. 典型的差分放大電路是利用_C_來克服溫漂。A直接耦合，B電源，C電路的對稱性和發(fā)射極公共電阻，D調(diào)整元件參數(shù)。8. 差分放大電路的差模信號是兩個(gè)輸入信號的A和，

27、B差，C乘積，D平均值。9. 差分放大電路的共模信號是兩個(gè)輸入信號的A和， B差，C乘積，10. 共摸抑制比 Kcmr越大，表明電路 _C A放大倍數(shù)越穩(wěn)定， B交流放大倍數(shù)越低，D 。D平均值。C抑制零漂的能力越強(qiáng)，D輸入電阻越高。11. 差分放大電路由雙端輸出變?yōu)閱味溯敵?，則差模電壓增益_B_。A增加，B減小， C不變。12. 電流源電路的特點(diǎn)是：A 。A端口電流恒定，交流等效電阻大，直流等效電阻小。B端口電壓恒定，交流等效電阻大。C端口電流恒定，交流等效電阻大，直流等效電阻大。13. 在差分放大電路中，用恒流源代替差分管的公共射極電阻Re是為了 。A提高差模電壓放大倍數(shù)，B提高共模電壓放

28、大倍數(shù)，C提高共模抑制比,D提高偏置電流,一、填空題1. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)在放大電路中引入直流負(fù)反饋；2. 在放大電路中引入串聯(lián)負(fù)反饋后，電路的輸入電阻增加。3. 欲減小電路從信號源索取的電流，增大帶負(fù)載能力，應(yīng)在放大電路中引入 引入負(fù)反饋的類型是 電壓串聯(lián)負(fù)反饋；4. 欲從信號源獲得更大的電流，并穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)在放大電路中引入引入 負(fù)反饋的類型是電流并聯(lián)負(fù)反饋。5. 欲得到電流一電壓轉(zhuǎn)換電路，應(yīng)在放大電路中引入 電壓并聯(lián) 負(fù)反饋；6. 負(fù)反饋放大器自激振蕩的條件為Af 1_。7. 欲將電壓信號轉(zhuǎn)換成與之成比例的電流信號，應(yīng)在放大電路中引入負(fù)反饋 的類型是電流串聯(lián) 。二、選擇題1. 放大