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文檔簡介

1、systemsystem第三代化學機械法齲齒無痛微創(chuàng)祛腐技術系統(tǒng)武漢伢典生物科技有限公司齲齒治療技術發(fā)展使用高速手機上的車針來獲取達到齲損的入口,用低速手機祛除牙本質(zhì)齲壞。傳統(tǒng)的祛腐方法傳統(tǒng)的祛腐方法車針高速旋轉(zhuǎn)會對牙髓造成有害的溫度和壓力刺激,而且鉆牙過程中產(chǎn)生的細微粉塵和飛沫可能導致對醫(yī)生的交叉感染。這對于許多患者來講是不舒適的,甚至會帶來疼痛,所以通常需要采用局部麻醉來止痛。因此這種方法使用這么長時間以來,仍為廣大患者難以接受,人們對治牙有著莫名的恐懼感。齲齒傳統(tǒng)治療方法不足之處疼痛: 牙鉆產(chǎn)生的壓力和溫度使患者感覺疼痛難忍,極不舒適,有時難以配合完成治療,尤其是兒童。創(chuàng)傷性: 使用牙鉆

2、切割去腐無法控制工作的深度,在去除齲壞的同時部分健康的牙體組織或可以恢復的組織(再礦化)也被去除,使剩余牙體組織薄弱,容易折裂,縮短牙齒使用壽命;另外,在近髓區(qū)操作很容易造成露髓??謶指? 鉆牙過程中的噪音、麻醉、疼痛使患者對齲齒的治療極度恐懼。交叉感染的隱患:鉆牙過程中產(chǎn)生的細微粉塵會造成醫(yī)生和患者間的交叉感染。微創(chuàng)技術的發(fā)展以及患者對舒適度要求的提高,傳統(tǒng)祛腐方法和窩洞預備體系受到了越來越大的質(zhì)疑和挑戰(zhàn)。齲齒無痛微創(chuàng)治療是牙科技術齲齒無痛微創(chuàng)治療是牙科技術發(fā)展的必然趨勢發(fā)展的必然趨勢為了確保天然牙齒的最長壽命,必須注意防止損壞健康牙體組織。同時治療過程中應盡量減輕患者的疼痛,以適應個性化治

3、療的原則。無痛微創(chuàng)技術必然成為醫(yī)療領域的發(fā)展趨勢,隨著現(xiàn)代修復材料不斷完善和發(fā)展以及對齲病發(fā)病機理認識的深入,無痛、微創(chuàng)治療齲齒的技術已成為可能。一個改變傳統(tǒng)牙鉆切割牙齒全新無痛微創(chuàng)齲齒祛腐技術系統(tǒng)產(chǎn)生了!? 80 年代以商品名“ Caridex ”上市? 1975 年NMAB 系統(tǒng)在美國獲得專利? 1984 年得到 FDA 的認可批準?NATIONAL PATENT DEVELOPMENT CORP.? 2012 年? 武漢伢典生物科技有限公司? 氯代技術與酶法去齲技術完美結(jié)合? 安全 方便 高效第三代化學去齲技術Carisolv 第二代化學去齲技術Carisolv13化學微創(chuàng)祛腐技術發(fā)展歷

4、程第一代化學去齲技術Caridex? 1998 年? 瑞典MediTeam Dental AB公司?首個微創(chuàng)無痛祛齲產(chǎn)品和技術? 2004 年進入中國2組成組成齲齒微創(chuàng)祛腐凝膠齲齒指示劑微創(chuàng)祛腐工具systemsystem第三代化學機械法齲齒無痛微創(chuàng)祛腐技術系統(tǒng)第三代化學機械法齲齒無痛微創(chuàng)祛腐技術系統(tǒng)齲齒微創(chuàng)祛腐凝膠Carisolv 第二代齲齒祛腐技術(伢典二代)Carisolv 第三代齲齒祛腐技術(伢典三代)齲齒微創(chuàng)祛腐凝膠Carisolv 第二代齲齒祛腐技術(伢典二代)齲齒微創(chuàng)祛腐凝膠Carisolv 第三代齲齒祛腐技術(伢典三代)齲齒微創(chuàng)祛腐工具刀口鋒利但支撐面廣,切角為鈍角,無向下方向

5、的力,因此可以精確 掌握工具到達的深度,不損傷健康的牙體組織。齲齒微創(chuàng)祛腐工具的特殊設計號工具:清理齲質(zhì)的基本工具多棱花頭清除堅硬的齲壞,旋轉(zhuǎn)運動。(不可在近髓處使用)中扁圓頭將軟化的齲壞組織挖出來,挖掘動作??捎糜诮浪杼幍牟僮?。號工具:用于去除一些小的齲壞 ,如根面齲等三棱頭(大)三棱頭(小)使用時均做旋轉(zhuǎn)運動。根據(jù)齲壞的大小酌情選用合適的工作頭。號工具:用于近牙髓部位軟化牙質(zhì)的清除工具6#四棱頭祛除大的,易接近的齲壞牙本質(zhì),旋轉(zhuǎn)運動5#大扁圓頭將軟化的齲壞組織挖出來,挖掘動作。可用于近牙髓處的操作。號工具:用于去除釉牙本質(zhì)界處的齲壞7#小扁圓頭8#扁平頭主要用于挖掘動作號工具:用于牙冠部

6、位及不易進入的部位10#特彎扁平頭釉牙本質(zhì)界處9#特彎四棱頭祛除大的,易接近的齲壞牙本質(zhì),旋轉(zhuǎn)運動齲齒指示劑齲齒指示劑可用于Carisolv system在祛齲后檢查是否將齲壞祛除干凈,也可用于根管定位。工作原理system第三代化學機械法齲齒無痛微創(chuàng)祛腐技術系統(tǒng)第三代化學機械法齲齒無痛微創(chuàng)祛腐技術系統(tǒng)Carisolv ststem齲齒微創(chuàng)祛腐凝膠作用原理三種氨基酸三種氨基酸次氯酸鈉次氯酸鈉氯代氨基酸氯代氨基酸膠原膠原CarisolvCarisolv與傳統(tǒng)車針祛腐優(yōu)勢對比使用Carisolv伢典祛腐療法使用傳統(tǒng)的車針祛腐療法微創(chuàng)性的,減少并發(fā)癥創(chuàng)傷性的,有時會有并發(fā)癥高度選擇性,精確祛除齲壞牙

7、本質(zhì),不損傷健康牙質(zhì),更長的充填體壽命不具選擇性,會損傷健康牙組織廣譜抗菌,有效殺滅細菌及清除牙菌斑需通過其它滅菌方式不必使用麻醉劑往往需要使用麻醉劑輕柔刮除齲壞,動作細致,減少了牙髓暴露的風險強力祛除齲壞,有露髓風險對牙髓和軟組織無毒副作用和刺激性鉆針產(chǎn)生有害的溫度和壓力,容易傷及牙髓無交叉感染有交叉感染風險更好的牙本質(zhì)黏結(jié)力,減少充填物脫落可能性牙質(zhì)連接好溫和、患者無痛感,無不適感患者有痛麻感,患者有強烈恐懼感產(chǎn)品優(yōu)勢總結(jié)無痛: 治療無痛苦,無噪音,患者感覺舒適。微創(chuàng): 徹底去除齲壞組織,不損傷健康牙體組織,有效延長牙齒壽命。無恐懼感: 避免或減少牙鉆和麻醉的使用,患者不會感到恐懼,使患者

8、可以在輕松、友好的環(huán)境下接受治療。無并發(fā)癥: 治療過程安靜、溫和,從而減少并發(fā)癥的危險。減少繼發(fā)齲:高效滅菌,消除牙菌斑,減少繼發(fā)齲的發(fā)生。充填效果好: 祛腐后牙體組織表面粗糙,與充填材料粘結(jié)力強,可預防補牙后充填材料脫落。使用牙鉆洞型對稱,健康牙體組織被清除,牙髓暴露。(左圖)使用伢典牙洞表面不平坦,健康牙質(zhì)被保留,牙髓沒有暴露(右圖)放大75倍對比放大1500倍對比注:A為車針去腐B為伢典去腐ABAB車針去腐伢典去腐微觀效果美觀精致,堅固持久伢典微創(chuàng)祛腐效果Carisolv祛腐的齲齒治療步驟步驟步驟方法方法I.患者健康需求聯(lián)合國世界衛(wèi)生組織警告:全球 50億人有齲齒問題。中國衛(wèi)生部信息中心

9、 2001年公布的資料顯示我國齲齒總數(shù) 20億顆,充填率只有 3.7%。Carisolv開發(fā)必然性II.牙鉆祛腐技術的不足過多的健康牙質(zhì)被去除 ,近髓區(qū)極易造成露髓 ;疼痛、牙髓并發(fā)癥 ;很多患者尤其是兒童極度恐懼 ;有交叉感染風險 。.科技發(fā)展使微創(chuàng)、美觀、無痛齲病治療成為現(xiàn)實齲病的病理學知識、美容修復材料的進展、粘結(jié)劑和粘結(jié)技術進展。齲病的病理學知識、美容修復材料的進展、粘結(jié)劑和粘結(jié)技術進展。Carisolv適用范圍Carisolv伢典可適用于各種牙本質(zhì)齲壞組織的去除,但在以下領域具有其獨到的優(yōu)越性 :根面齲的治療深齲洞的治療兒童齲病的治療Carisolv祛腐有效性及安全評價選擇性軟化不飽

10、和牙本質(zhì),對健康牙本質(zhì)和牙釉質(zhì)沒有影響B(tài)anerjee A, et al. Caries Research, 2000,34:144-150.Cederlund A, et al. J. Acta Odontol Scand, 1999,57:185-189.無牙髓副作用Carisolv 伢典對牙髓沒有不良影響。如果作用時間短,即使直接作用于牙髓,也沒有副作用。Young C,et al.J Dental,2001;29(4):275-281Lumbau A, et al. Abstract 138, 5:th EAPD meeting, Bergen, June 2000.Braun A,

11、et al.Quintessenz 2000;51(5):461-469.對細菌的影響Carisolv 伢典可以有效地殺死根面齲的微生物。Baysan A,et al. Abstract58,82:nd IADR/NOF, Naantali, August 1999.對軟組織(粘膜)無不良影響Carisolv 伢典對口腔粘膜沒有不良影響。Wennerberg A, et al. Abstract 257, 4:th joint meeting CED / NOF, Warsaw, August 2000.Carisolv 伢典伢典NaClO良好的牙本質(zhì)粘接性現(xiàn)代牙科充填材料與Carisolv 伢典祛腐后的牙本質(zhì)粘接性和它與牙鉆祛腐后的牙本質(zhì)粘接性相當或更好。Haak R, et al. Eur J Oral Sci 2000;108:449-455Frank

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