激光直接成像技術(shù)

1、接觸成像技術(shù)印制電路板L D I激光成像01CAD數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)CAD data02數(shù)據(jù)后處理數(shù)據(jù)后處理D a t a p o s t -processing03曝光曝光exposure123456 LDI設(shè)備原理圖設(shè)備要求紫外激光紫外激光直接成像直接成像可見激光可見激光直接成像直接成像YAG激光激光直接成像直接成像接觸成像技術(shù)直接成像的工藝和材料熱激光直熱激光直接成像接成像成熟的產(chǎn)品成熟的產(chǎn)品 ，設(shè)備多為平面臺面，單面，設(shè)備多為平面臺面，單面曝光，采用紫外光敏感抗蝕劑，可在黃光曝光，采用紫外光敏感抗蝕劑，可在黃光下工作下工作只能在暗室或低照度紅光下使用。其波長只能在暗室或低照度紅光下使用。其波長位

2、于位于488488納米，能源利用更加有效，必須納米，能源利用更加有效，必須采用專用可見光抗蝕劑采用專用可見光抗蝕劑可以在金屬抗蝕涂層上進(jìn)行選擇性蝕刻，可以在金屬抗蝕涂層上進(jìn)行選擇性蝕刻，不采用光致抗蝕劑不采用光致抗蝕劑, ,大大提高了成像的效大大提高了成像的效率和靈活性率和靈活性用于內(nèi)層和柔性印制電路板成像。設(shè)備采用于內(nèi)層和柔性印制電路板成像。設(shè)備采用外滾筒結(jié)構(gòu)。采用專用正性液態(tài)抗蝕劑用外滾筒結(jié)構(gòu)。采用專用正性液態(tài)抗蝕劑, ,成膜極薄，還可用于微孔制造成膜極薄，還可用于微孔制造, ,耐磨性好耐磨性好分類按照光源LDI設(shè)備原理圖二元選擇模型接觸成像技術(shù)直接成像的工藝和材料高的成像精度好的可操作性

3、較高的生產(chǎn)效率兼容性高可靠性合理的性價比具有具有5050 5 5微米線寬間距的精微米線寬間距的精度；達(dá)到度；達(dá)到4000DPI4000DPI以上以上(0.65(0.65微微米以下網(wǎng)格米以下網(wǎng)格) )的分辨率的分辨率對對1818英寸英寸24 24 英寸印制電路板英寸印制電路板，達(dá)到每小時，達(dá)到每小時120120面以上的產(chǎn)能面以上的產(chǎn)能把把 LDI LDI設(shè)備設(shè)計(jì)得如同激光打設(shè)備設(shè)計(jì)得如同激光打印機(jī)一樣，數(shù)據(jù)處理部分設(shè)計(jì)印機(jī)一樣，數(shù)據(jù)處理部分設(shè)計(jì)合理合理要求激光輸出穩(wěn)定、可靠，光源要求激光輸出穩(wěn)定、可靠，光源本身具有較長的正常工作壽命，本身具有較長的正常工作壽命，整套光路的組成部分堅(jiān)固，在高整套光

4、路的組成部分堅(jiān)固，在高速移動下保證定位準(zhǔn)確速移動下保證定位準(zhǔn)確分類按照光源設(shè)備要求二元選擇模型接觸成像技術(shù)LDI性能及評價圖形質(zhì)量直接成像的工藝和材料產(chǎn)能抗蝕劑在紫外光照射下，高分子聚合，不抗蝕劑在紫外光照射下，高分子聚合，不溶于顯影液中，但它通常的能量為溶于顯影液中，但它通常的能量為3939毫毫焦平方厘米。即對焦平方厘米。即對4646厘米厘米6161厘米印制厘米印制電路板成像需要電路板成像需要7272秒秒LDILDI專用抗蝕劑為專用抗蝕劑為1313毫焦平方厘米毫焦平方厘米常規(guī)抗蝕劑用于常規(guī)抗蝕劑用于LDILDI，難以確定它是否聚，難以確定它是否聚合完全、極易出現(xiàn)影不足或過顯影合完全、極易出現(xiàn)

5、影不足或過顯影常規(guī)干膜都有常規(guī)干膜都有層聚酯保護(hù)膜，若其中層聚酯保護(hù)膜，若其中含有少量不完全透明的微粒，在含有少量不完全透明的微粒，在LDILDI中易中易造成線條表面凹坑和側(cè)壁效應(yīng)造成線條表面凹坑和側(cè)壁效應(yīng) LDILDI專用抗蝕劑分為干膜與液態(tài)兩種液態(tài)專用抗蝕劑分為干膜與液態(tài)兩種液態(tài)抗蝕劑除了運(yùn)行成本低，適于不平整的抗蝕劑除了運(yùn)行成本低，適于不平整的印制電路板表面等原有的長處外，在印制電路板表面等原有的長處外，在 LDI LDI 中表現(xiàn)最突出的特點(diǎn)是其成膜很薄，可中表現(xiàn)最突出的特點(diǎn)是其成膜很薄，可達(dá)達(dá)8 8微米微米圖形質(zhì)量直接成像的工藝和材料紫外LDI專用抗蝕劑產(chǎn)能光線直射板面：任何散射或非垂直光的照射都可能引起成任何散射或非垂直光的照射都可能引起成像區(qū)域外的抗蝕劑聚合反應(yīng)，影響線條質(zhì)像區(qū)域外的抗蝕劑聚合反應(yīng)，影響線條質(zhì)量量能量高：高能量的光束對細(xì)導(dǎo)線形成起關(guān)鍵作用高能量的光束對細(xì)導(dǎo)線形成起關(guān)鍵作用 在高能光照射下，這種激活的分子濃度在高能光照射下，這種激活的分子濃度較低照度激活分子濃度高，當(dāng)較多分子處較低照度激活分子濃度高，當(dāng)較多分子處于激發(fā)態(tài)、抗蝕劑對光的吸收特性就發(fā)生于激發(fā)態(tài)、抗蝕劑對光的吸收特性就發(fā)生改變，光子可以輕易穿越到抗蝕劑更深部改變，光子可以輕易穿越到抗蝕劑更深部位。使之整體更易聚合位。使之整體更易聚合數(shù)據(jù)檢驗(yàn)紫外LDI專用抗蝕劑圖形質(zhì)量直接成像的工藝和