茂捷M5358替代OB2358

1、典型應(yīng)用電路圖：輸出功率表產(chǎn) 品230VAC±15%85-265VAC開放式開放式M5358PR27W16W說明:連續(xù)工作的最大功率是在開放的50度環(huán)境中，且轉(zhuǎn)換器有有足夠的散熱條件下測(cè)得。特點(diǎn)n 開關(guān)軟啟動(dòng)可降低MOSFET的VDS壓力n 改善EMI的頻率抖動(dòng)技術(shù)n 極低啟動(dòng)電流和工作電流n 改善效率和待機(jī)功率最小化的擴(kuò)展burst模式nn 消除音頻噪聲nn 50KHZ開關(guān)頻率nn 完善的各種保護(hù)以及自恢復(fù)功能nn 逐周期電流限流n 芯片供電欠壓保護(hù)n 自動(dòng)重啟功能n 采用DIP-8 封裝應(yīng)用nn 離線式AV-DC反激變換器nn 手機(jī)充電器，上網(wǎng)本充電器nn 筆記本適配器，機(jī)頂盒電

2、源nn 各種開放式開關(guān)電源概述M5358是一款高度集成的電流模式PWM控制芯片，,內(nèi)置高壓MOS,適合應(yīng)用于高性能、低待機(jī)功耗，低成本,離線AC-DC反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，推薦應(yīng)用于功率27瓦以內(nèi)的各種變換器。M5358提供完善的各種保護(hù)以及自恢復(fù)功能，包括逐周期電流限制（OCP）,過載保護(hù)(OLP),VDD電壓鉗位和低電壓鎖定(UVLO)。電路具有抖頻功能以及軟開關(guān)技術(shù)，保證了優(yōu)秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音頻噪聲。M5358采用DIP8封裝。管腳封裝圖管腳描述：管腳名稱I/O描述GNDP芯片地INVI反饋信號(hào)輸入端，PWM占空比由該腳的電壓以及SEN腳的電流決定VDD-GP內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)

3、電壓SENI電流采樣信號(hào)輸入端VDDP芯片電源DrainO內(nèi)部高壓功率管漏極， 該腳連接到變壓器的初級(jí)繞組輸出端定購(gòu)信息：定購(gòu)型號(hào)封裝溫度范圍包裝形式M5358PRDIP8-40 到 105 管裝 50 顆/管 2000/盒最大極限參數(shù)：參數(shù)數(shù)值內(nèi)部高壓功率管漏極（啟動(dòng)）-0.3V BVdss芯片電源電壓-0.3V 30 V內(nèi)部柵極驅(qū)動(dòng)電壓-0.3V 30 VVDD鉗位電流10mAINV輸入電壓-0.3 7VSEN輸入電壓-0.3 7V最低/最高工作結(jié)溫-20 150最低/最高儲(chǔ)存溫度-55 to 150過錫爐溫度（10S）260注：最大極限值是指超出該工作范圍，芯片有可能損壞。推薦工作范圍是

4、指在該范圍內(nèi)，器件功能正常，但并不完全保證滿足個(gè)別性能指標(biāo)。電氣參數(shù)定義了器件在工作范圍內(nèi)并且在保證特定性能指標(biāo)的測(cè)試條件下的直流和交流電參數(shù)規(guī)范。對(duì)于未給定上下限值的參數(shù)，該規(guī)范不予保證其精度，但其典型值合理反映了器件性能。電氣參數(shù) （無特別說明情況下，VCC=16V, TA=25）符號(hào)參數(shù)描述條件最小值典型值最大值單位工作電壓I_start upVDD啟動(dòng)電流VDD=14.5V520uAI_VDD_OperationVDD工作電流V_INV = 3V1.6mAVDD_UVLO(ON)VDD欠壓保護(hù)（開啟）8.79.710.7VVDD_UVLO(OFF)VDD欠壓保護(hù)（關(guān)閉）14.615.8

5、17.0VOVP（ON）VDD過壓保護(hù)（開啟）CS=0V,INV=3V,增大VDD直到GATE時(shí)鐘關(guān)閉2728.530VVDD_ClampVDD 鉗位電壓IDD=10mA30VINV反饋VINV_OPENINV開環(huán)電壓5.45.76VIINV_ShortINV短路電流INV接到地1.45mAVTH_OD過零點(diǎn)門檻電壓0.8VVTH_PL功率限制門檻電壓3.7VTD_PL功率限制延遲時(shí)間50m SecZINV_IN輸入阻抗4K ohm電流采樣Soft_start_time軟啟動(dòng)時(shí)間4m ST_blanking電流采樣前沿消隱時(shí)間270n sZ SEN_IN輸入阻抗40K ohmTD_OC過電流檢

6、測(cè)遲滯時(shí)間從過流開始到驅(qū)動(dòng)信號(hào)關(guān)閉120n sVTH_OC內(nèi)部電流限制門檻電壓0.720.770.82V時(shí)鐘COMP下鉗位電壓1.5VF_osc正常振蕩頻率455055KHZ f_Temp頻率溫飄5% 芯片框圖符號(hào)參數(shù)描述條件最小值典型值最大值單位 f_VDD頻率電壓調(diào)整率5%D_MAX最大占空比V_INV=3.3V，CS=0V708090%F_BurstBurst模式基準(zhǔn)頻率22KHZ功率MOSBVdss功率管擊穿電壓600VR ds_on功率管導(dǎo)通阻抗 靜態(tài) Id=1.0A4.45.5頻率抖動(dòng) f_osc-44%注4：典型參數(shù)值為25C下測(cè)得的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。注5：規(guī)格書的最小、最大規(guī)范范圍由測(cè)

7、試保證，典型值由設(shè)計(jì)、測(cè)試或統(tǒng)計(jì)分析保證。 特性曲線（常溫TA= 25） 應(yīng)用信息M5358是一款內(nèi)部高度集成多個(gè)處理單元、低功耗、應(yīng)用于離線反擊式拓?fù)涞拈_關(guān)控制器。適合于27瓦以內(nèi)的各種電源應(yīng)用，其獨(dú)有的擴(kuò)展burst模式，能有效的降低功耗，輕松的面對(duì)各種輕便、簡(jiǎn)潔、低功耗的設(shè)計(jì)要求啟動(dòng)電流和啟動(dòng)控制由于M5358極低的啟動(dòng)電流，VDD能夠迅速地達(dá)到芯片啟動(dòng)電壓，使電路能夠快速的啟動(dòng)。一個(gè)大阻值的啟動(dòng)電阻就能夠保證電路穩(wěn)定的啟動(dòng)，并將功耗降到最低。對(duì)于常規(guī)輸入電壓的一般AC-DC變換器，阻值為2M的啟動(dòng)電阻連同一個(gè)VDD旁路電容就能夠滿足裝置快速的啟動(dòng)要求，并將啟動(dòng)功耗控制在極低的水平。工作

8、電流M5358的工作電流低至2mA,加上特有的擴(kuò)展burst模式，使整個(gè)轉(zhuǎn)化器一直保持在高效率工作狀態(tài)。軟啟動(dòng)為減少在上電過程中變壓器應(yīng)力，防止變壓器飽和，電路內(nèi)部設(shè)置了4mS的軟啟動(dòng)時(shí)間，上電時(shí)，電流檢測(cè)端的反饋電壓值（決定輸出電流的峰值）緩慢增加，直到達(dá)到限流閾值電壓(0.77V)時(shí)，軟啟動(dòng)結(jié)束。每次啟動(dòng)時(shí)都執(zhí)行軟啟動(dòng)。頻率抖動(dòng)以及EMI優(yōu)化為分散諧波干擾能量，降低 EMI 發(fā)射的峰值，芯片內(nèi)部集成頻率抖動(dòng)功能，振蕩頻率在一個(gè)很小的范圍內(nèi)（2KHz 左右）變動(dòng)，使得開關(guān)電源的振蕩頻率出現(xiàn)周期性變化，從而簡(jiǎn)化 EMI 設(shè)計(jì)，更容易滿足要求。擴(kuò)展burst模式（綠色工作模式）在輕載或空載條件下

9、，電路進(jìn)入綠色工作模式，工作頻率降低，頻率的變化有取自電壓反饋環(huán)的反饋電壓VINV控制，當(dāng)反饋電壓低于內(nèi)部門限電壓時(shí)，振蕩器頻率線性降低到最小綠色工作頻率（22KHZ）左右，在此振蕩頻率工作時(shí)，MOSFET的開關(guān)損耗和磁芯、電感、脈沖吸收回路的損耗均減少，從而減少了總的損耗。在正常工作或重載時(shí)，振蕩器的工作頻率提高（50KHz）,工作頻率不受綠色工作模式的影響。工作頻率M5358的內(nèi)部設(shè)定的工作頻率為50KHZ,無需外部元件重新設(shè)置。電流檢測(cè)和前沿消隱M5358內(nèi)部設(shè)置有逐周期電流限制電路，開關(guān)電流由CS腳上的采樣電阻檢測(cè)。在功率MOS管打開初期，內(nèi)部的前沿消隱電路可以消除采樣信號(hào)中的電壓尖峰

10、，所以在CS輸入上不再需要外接RC濾波器，PWM占空周期由CS腳輸入電壓和EA輸出電壓決定。 內(nèi)部同步斜坡補(bǔ)償電流型的控制器一般是檢測(cè)變換器/電感的峰值電流，在變換器/電感電流連續(xù)時(shí)，由于峰值電壓正比于平均電流而不是峰值電流，所以當(dāng)輸入電壓變化時(shí)，容易產(chǎn)生振蕩，加斜坡補(bǔ)償可以有效地防止振蕩的產(chǎn)生。 M5358在每個(gè)三角波的上升沿斜坡補(bǔ)償，有效地改善了電流控制環(huán)的特性，同時(shí)減少輸出紋波。柵極驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的功率MOSFET采用圖騰柱結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行輸出功率控制，柵極驅(qū)動(dòng)能力太弱，會(huì)引起MOSFET的開關(guān)損耗過大，柵極驅(qū)動(dòng)能力太強(qiáng)又會(huì)導(dǎo)致EMI超標(biāo)。帶有驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和死區(qū)時(shí)間控制的柵極驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，能在開關(guān)

11、損耗和EMI方面取得折中，另外，通過Vcc與Vcc-G之間的電阻，也可以調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)度，大大提高了EMI設(shè)計(jì)的靈活性。保護(hù)芯片自帶各種保護(hù)功能，提高了開關(guān)電源系統(tǒng)的可靠性。包括逐周期電流限制(Cycle-by-cyclecurrent limit)、過載保護(hù)(Over load protection)、過電流保護(hù)、輸入電壓的過壓及欠壓鎖定保護(hù)、最大功率限制以及功率開關(guān)管柵極電壓鉗位保護(hù)等。逐周期電流限制在 每 一 個(gè) 周 期 ， 峰 值 電 流 值 由 比 較 器 的 比 較 點(diǎn) 決 定 ，該 電 流 值 不 會(huì) 超 過 峰 值 電 流 限 流 值 ，保 證 MOS上 的 電 流 不 會(huì) 超

12、 過 額 定 電 流 值 。當(dāng) 電 流 達(dá) 到 峰 值 電 流 以 后 ，輸出 功 率 就 不 能 再 變 大 ， 從 而 限 制 了 最 大 的 輸 出 功 率 。過載保護(hù)當(dāng) 電 路 發(fā) 生 過 載 ，會(huì) 導(dǎo) 致 INV 電 壓 升 高 ，當(dāng) INV 電 壓 升 高 到 反 饋 關(guān) 斷 電 壓 時(shí) ，通 過 延遲 50 ms 時(shí) 間 后 ， 輸 出 關(guān) 斷 。 該 狀 態(tài) 一 直 保 持 ， 直 到 電 路 發(fā) 生 上 電 重 啟 。輸入電壓的過壓及欠壓鎖定保護(hù)當(dāng) VCC 上 的 電 壓 超 過 過 壓 保 護(hù) 點(diǎn) （ 30V） 電 壓 時(shí) ， 表 示 負(fù) 載 上 發(fā) 生 了 過 壓 ， 此 時(shí)關(guān) 斷 輸 出 。