模擬電子技術(shù)第一章知識要點(diǎn)

1、精品文檔第一章常用半導(dǎo)體器件1.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半回二星斗-鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。絕緣體卜-惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。半導(dǎo)體L硅（Si）、錯(cuò)（Ge）,均為四價(jià)元素，它們原子的最外層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。本征半導(dǎo)體桌純凈（無雜質(zhì)）的晶體（穩(wěn)定）結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%,常稱為“九個(gè)9”。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。1.1.1 本征半導(dǎo)體晶體中原子的排列方式

2、如圖所示:1、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)價(jià)電子自由電子的 產(chǎn)生使共價(jià) 鍵中留有一 個(gè)空位置， 稱為空穴共價(jià)鍵空穴由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子硅單晶中的硅原子通過共價(jià)健結(jié)構(gòu)與周圍的四個(gè)硅原子結(jié)合在一起，共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱為價(jià)電子。因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對。游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為整合。一定溫度下，自由電子與空穴對的濃度一定；溫度升高,熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對的濃度加大。載流子2、本征半導(dǎo)體中的兩種載流子運(yùn)載電荷的粒子稱為疏流子。外加電場時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，且運(yùn)動(dòng)

3、方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故電性很差。溫度升高，熱運(yùn)動(dòng)加劇，載流子濃度增大，導(dǎo)電性增強(qiáng)。熱力學(xué)溫度0K時(shí)不導(dǎo)電。自由電子的定向運(yùn)動(dòng)形成了電子電流，空穴的定向運(yùn)動(dòng)也可形成空穴電流，它們的方向相反。只不過空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來實(shí)現(xiàn)的，因此，空穴的導(dǎo)電能力不如自由電子。1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素。摻入雜質(zhì)后的本征半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。1. N型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素，例如磷，可形成N型半導(dǎo)體，也稱電子型半導(dǎo)體。自由電子是多數(shù)載流子，它主要由雜質(zhì)原子提供；空穴是少

4、數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因自由電子脫離而帶正電荷成為正離子，因此，五價(jià)雜質(zhì)原子也被稱為施主雜質(zhì)。磷（P）正離子多數(shù)載流子雜質(zhì)半導(dǎo)體主要靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。摻入雜質(zhì)越多，多子濃度越高，導(dǎo)電性越強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電性可控。2. P型半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、錢、錮等形成P型半導(dǎo)體、也稱為空穴型半導(dǎo)體。因三價(jià)雜質(zhì)原子與硅原子形成共價(jià)鍵時(shí)，缺少一個(gè)價(jià)電子而在共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴?？昭ㄊ嵌鄶?shù)載流子，主要由摻雜形成；電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成?？昭ê苋菀追@電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。三價(jià)雜質(zhì)因而也稱為受主雜質(zhì)。P型半導(dǎo)體主要靠空穴導(dǎo)電，摻入雜質(zhì)越多，空穴濃度越高，導(dǎo)電

5、性越強(qiáng)。麗在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,溫度變化時(shí)，載流子的數(shù)目變化嗎？少子與多子變化的數(shù)目相同嗎？少子與多子濃度的變化相同嗎?3、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦晕镔|(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、固體均有之空穴負(fù)高f正離子自由電子 / /P區(qū)空穴 濃度遠(yuǎn)高 于N區(qū)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)N區(qū)自由 電子濃度 遠(yuǎn)高于P 區(qū)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面N區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場，不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)精品文檔精品文檔的繼續(xù)進(jìn)行。1. pN結(jié)的形成由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使P區(qū)與N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場使空穴從N區(qū)向P區(qū)、自由電子從P區(qū)向N區(qū)運(yùn)動(dòng)。參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

6、和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)。o漂移運(yùn)動(dòng)Q。0 O 移運(yùn)動(dòng)。因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為漂2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦訮N結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況外加的正向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙減弱，擴(kuò)散電流加大。擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性。 七o qeg:日 精品文檔ph結(jié)變窄pif內(nèi)電場外電場精品文檔精品文檔圖1.6PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況外加的反向電壓有一部分降落在PN結(jié)區(qū)，方向與PN結(jié)

7、內(nèi)電場方向相同，加強(qiáng)了內(nèi)電場。內(nèi)電場對多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的阻礙增強(qiáng)，擴(kuò)散電流大大減小。此時(shí)PN結(jié)在一定溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。QQQ：Q QQ 1 9 9 Q Q QIQ)j0即處于正向特性區(qū)域。正向區(qū)又分為兩段:當(dāng)0VVon時(shí)，開始出現(xiàn)正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增長。硅二極管的死區(qū)電壓Von=0.5V左右，錯(cuò)二極管的死區(qū)電壓Von=0.1V左右。反向特性當(dāng)V0時(shí)，即處于反向特性區(qū)域。反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VbrVVbr時(shí)，反向電流急劇增加，Vbr稱為反向擊穿電壓。(3)溫度對二極管伏安特性的

8、影響S叫181TC20PJ乙1T(C)T-在電流不變情況下管壓降u；一反向飽和電流IsT,U(br)；T(C)T-正向特性左移，反向特性下移。1.2.3二極管的主要參數(shù)半導(dǎo)體二極管的參數(shù)包括最大整流電流If、反向擊穿電壓Vbr、最大反向工作電壓Vr、反向電流Ir、最高工作頻率fM和結(jié)電容Cj等。最大整流電流If：二極管長期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流值。最大反向工作電壓Ur：最大瞬時(shí)值。二極管工作是允許外加的最大反向電壓，超過此值，二極管有可能因反向擊穿而損壞。通常為擊穿電壓U(br)的一半。反向電流Ir：二極管未擊穿時(shí)的反向電流。最高工作頻率fM：二極管工作的上限頻率。因PN結(jié)有電容效

9、應(yīng)。結(jié)電容為擴(kuò)散電容(Cd)與勢壘電容(Cb)之和。1.2.4二極管的等效電路(a)理想二極管，理想開關(guān)，導(dǎo)通時(shí)Ud=0,截止時(shí)Is=0(b)近似分析中常用。導(dǎo)通時(shí)正向管壓降：硅0.60.7V、錯(cuò)0.20.3V,截止時(shí)Is=0。(c)正向?qū)〞r(shí)，端電壓與電流成線性關(guān)系。應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路!分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓Ud的正負(fù)。若丫陽V陰，二極管導(dǎo)通（正向偏置）若V陽V陰，二極管截止（反向偏置）2.二極管微變等效電路當(dāng)二極管在靜態(tài)基礎(chǔ)上有一動(dòng)態(tài)信號作用時(shí)，則可將二極管等效為一個(gè)電阻，稱為動(dòng)態(tài)電阻，也就是微變等效電路。1.2.5 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是

10、應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊硅二極管。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線與硅二極管的伏安特性曲線完全一樣，穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的反向區(qū)、符號和典型應(yīng)用電精品文檔穩(wěn)定電壓Uz(2)動(dòng)態(tài)電阻rz=AUz/AIz(3)最大耗散功率Pzm=IzmUz(4)最大穩(wěn)定工作電流Izmax和最小穩(wěn)定工作電流Izmin(5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù)口1.2.6 其它類型二極管(1)發(fā)光二極管有正向電流流過時(shí)，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似，正向電壓較一般二極管高，電流為幾幾十mA符號：(2)光電二極管利用半導(dǎo)體的光敏特性，其反向電流隨光照強(qiáng)度的增加精品文檔精品文檔而上升。符

11、號:例題1判斷電路中二極管的工作狀態(tài)，求解輸出電壓解：(a)斷開二極管，Ud=4V,則二極管為正偏處于導(dǎo)通狀態(tài)。所以，Ud=0.7V。(b)斷開二極管Di、D2,Udi=2V,Ud2=8V,則二極管D2先導(dǎo)通。則Ud2=0.7V,Udi=0.7-3-3=-5.3V。Di反向截止。例題21.V=2V、5V、10V時(shí)二極管中的直流電流各為多少？2.若輸入電壓白有效值為5mV,則上述各種情況下二極管中的交流電流各為多少?解：1. V =2V較小時(shí)應(yīng)實(shí)測伏安特性，用圖解法求IdV = 5V,V = 10V,V-UdR5- 0.7八- = 22001 .5 AV 10R 200= 50Ard二辿，Id=

12、5,Ui 5I d = = = 0.5mA rd10-iDIDQrdV=2V,lD=2.6mA,8=至=3，2.6V=5V,Id=21.5mA,rd=1.21C,Id=-i-=4.1mAId U =0.52 = 9.6mA rd21.5rd1.21V=10V, Id50mA,rd=-26=0.520,50在伏安特性上，Q點(diǎn)越高，二極管的動(dòng)態(tài)電阻越小!1.3雙極性晶體管1.3.1 晶體管管的結(jié)構(gòu)及類型三極管的主要類型精品文檔(1)根據(jù)結(jié)構(gòu)分：NPN型和PNP型(2)根據(jù)使用的半導(dǎo)體材料分：硅管和錯(cuò)管1.NPN型三極管和PNP型三極管結(jié)構(gòu)示意圖和符號:2、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(具有放大作用的內(nèi)部條

13、件)：晶體管又稱半導(dǎo)體三極管，是最重要的一種半導(dǎo)體器件。它的放大作用和開關(guān)作用促使電子技術(shù)飛躍發(fā)展。我們首先從管子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)開始，逐步了解它的特性及應(yīng)用。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：(1)發(fā)射區(qū)小，摻雜濃度大。(2)集電區(qū)摻雜濃度低，集電結(jié)面積大。(3)基區(qū)摻雜濃度很低，且很薄。1.3.2晶體管電流放大作用(以NPN型管為例)依據(jù)兩個(gè)PN結(jié)的偏置情況：發(fā)射結(jié)正向偏置、集電結(jié)反向偏置。-一、晶體管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)B1-TIN p Na.發(fā)射結(jié)正向偏置，發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子，形成發(fā)射極電流。b.基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散空穴，形成空穴電流。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)濃度，空穴電流忽略不記。C.擴(kuò)散到基區(qū)自由電子與空穴

14、形成基極電流復(fù)合Ib。d.集電結(jié)反向偏置，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流Ic。二、晶體管的電流分配關(guān)系三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律1E=1EN+1EP=1CN+1BN+1CBOIC=ICN+ICBOCEIB=IBN+IEP-ICBO=IB-1CBO總結(jié)：IE=IC+IB三、晶體管的共射電流放大系數(shù)ICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數(shù)：IC=IB(1)ICBO=IBICEO若IB=0,則Ic7ce0,稱集一射極穿透電流，當(dāng)溫度升高時(shí)，ICEO增大。忽略ICEO,有IC：IBIE(1丁)IB共射交流電流放大系數(shù):精品文檔jC-BB在一定范圍內(nèi)，可以：-一：取值為幾十至一百多倍。太小，放大能力不強(qiáng)，太大

15、，性能不夠穩(wěn)定。1.3.3 晶體管共射特性曲線晶體管的特性曲線即管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。為什么要研究特性曲線：1)直觀地分析管子的工作狀態(tài)2)合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路我們重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線，來看測量晶體管特性的實(shí)驗(yàn)線路：發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端。一、輸入特性曲線：是指當(dāng)集-射極電壓UcE為常數(shù)時(shí)，輸入電路中基極電流Ib與基-射極電壓Ube之間的關(guān)系曲線。iB=f(Ube)UcE卷數(shù)，特點(diǎn)：非線性。對硅管而言，當(dāng)UceAIV寸，集電結(jié)已反向偏置，而基區(qū)又薄，可以

16、把從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子幾精品文檔乎全部拉入集電區(qū)，此后，Uce對Ib就不再有影響，就是說,Uce1V后的特性曲線是重合的。與二極管特性曲線一樣，晶體管輸入特性曲線也有一段死區(qū)，只有當(dāng)發(fā)射結(jié)外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，才有電流ib正常工作時(shí)發(fā)射結(jié)電壓：NPN型硅管Ube=0.60.7VPNP型鑄管Ube0.20.3V。二、輸出特性曲線：/小慎)是指當(dāng)基極電流Ib為常數(shù)時(shí)，輸出電路(集電極電路)中集電極電流Ic與集-射極電壓UCE之間的關(guān)系曲線,ic=f(Uce)ib罷數(shù)。輸出特性曲線通常分三個(gè)工作區(qū)：(1)放大區(qū)：在放大區(qū)有Ic=(3Ib，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。在放大區(qū)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置

17、、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。(2)截止區(qū)：Ib0以下區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)，有Ic=0。在截止區(qū)發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。(3)飽和區(qū)：當(dāng)Uce&Ube時(shí)，晶體管工作于飽和狀態(tài)(輸出特性曲線上升段附近)。在飽和區(qū)，(3IbAIc,發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電結(jié)也處于正偏。此時(shí)，UCE,%=叱Rc深度飽和時(shí)，硅管Uces_0.3V,錯(cuò)管Uces=0.1V。1.3.4 晶體管的主要參數(shù):精品文檔精品文檔晶體管的特性除用特性曲線表示外，還可用一些數(shù)據(jù)表示，表示晶體管特性的數(shù)據(jù)稱為晶體管的參數(shù)，晶體管的參數(shù)也是設(shè)計(jì)電路、選用晶體管的依據(jù)。1 .共射電流放大系數(shù)8,

18、P：當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)時(shí)集電極電流IC與基極電流IB的比值稱直流電流放大系數(shù)：8=上。IB當(dāng)晶體管工作在動(dòng)態(tài)時(shí)，集電極電流變化量與基極電流變化量刈的比值稱交流電流放大系數(shù):%第8和P的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICEOft小的情況下，兩者數(shù)值接近。，常用晶體管的P值在20200之間例：在Uce=6V時(shí)，在Qi點(diǎn)=40mA,解：在Qi點(diǎn)，有8T二益55Ic=1.5mA;在Q2點(diǎn)lB=60mA,Ic=2.3mA。由Qi和Q2點(diǎn)，得1cI B2.3-1.50.06 -0.04二40在以后的計(jì)算中，一般作近似處理：一：=；2 .集-基極反向截止電流IcboICBO是當(dāng)發(fā)射極

19、開路時(shí)由于集電極反向偏置，集電區(qū)和基區(qū)的少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流，受溫度的影響大。ICBO越小越好。溫度升高，ICBO增大。3 .集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEO當(dāng)IB=0時(shí)，(將基極開路)，集電結(jié)處于反向偏置和發(fā)射結(jié)處于正向偏置時(shí)的集電極電流ICEO，ICEO受溫度的影響大。溫度升高，Iceo增大，所以Ic也相應(yīng)增加。三極管的溫度特性較差。二、極限參數(shù)1. 集電極最大允許電流ICM集電極電流Ic上升會(huì)導(dǎo)致三極管的b值的下降，當(dāng)b值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流即為IcM。2. 集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO當(dāng)集射極之間的電壓UcE超過一定的數(shù)值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿

20、。手冊上給出的數(shù)值是25c、基極開路時(shí)的擊穿電壓U(BR)cEo。3. 集電極最大允許耗散功耗PCMPcM取決于三極管允許的溫升，消耗功率過大，溫升過高會(huì)燒壞三極管。PC-PCM=ICUCE硅管允許2溫約為150C,錯(cuò)管約為7090Co1.3.5 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系1、溫度每增加10C,Icbo增大一倍。硅管優(yōu)于錯(cuò)管。2、溫度每升高1C,Ube將減小22.5)mV,即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。3、溫度每升高1C,P增加0.5%1.0%。1.3.6 半導(dǎo)體三極管的型號國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體三極管的命名如下：3DG110B第一位：三極管第二位：用字母表示材料。A錯(cuò)PNP管、B錯(cuò)NPN管、C硅PNP管、D

21、硅NPN管第三位：用字母表示器件的種類：X低頻小功率管、D低頻大功率管、G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管第五位：用數(shù)字表示同種器件型號的序號第六位：用字母表示同一型號中的不同規(guī)格1.4場效應(yīng)管1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管JFET的結(jié)構(gòu)如圖所示，它是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個(gè)PN結(jié)，形成兩個(gè)PN結(jié)夾著一個(gè)N型溝道的結(jié)構(gòu)。一個(gè)P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。精品文檔精品文檔結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)一、結(jié)型場效應(yīng)三極管的工作原理根據(jù)結(jié)型場效應(yīng)三極管的結(jié)構(gòu)，因它沒有絕緣層，只能工作在反偏的條件下，對于N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管只能工作在負(fù)柵壓區(qū)，P溝道的只能工作在正柵壓區(qū)，否則將會(huì)

22、出現(xiàn)柵流?，F(xiàn)以N溝道為例說明其工作原理。1 .柵源電壓對溝道的控制作用當(dāng)Vgs=0時(shí)，在漏極與源極之間加有一定電壓，在漏、源間將形成多子漂移運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生漏極電流。當(dāng)VgsVGS(Off),若漏源電壓Vds從零開始增加，則Vgd=Vgs-Vds將隨之減小。使靠近漏極處的耗盡層厚度加寬，溝道變窄，從左至右呈楔形分布。當(dāng)Vds增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)日寸，在緊靠漏極處精品文檔精品文檔出現(xiàn)預(yù)夾斷，當(dāng)Vds繼續(xù)增加，漏極處的夾斷繼續(xù)向源極方向生長延長。3 .結(jié)型場效應(yīng)三極管的特性曲線JFET的特性曲線有兩條，一是轉(zhuǎn)移特性曲線，二是輸出特性曲線。它與MOSFET的特性曲線基本相同，只不過MOSFET的柵壓可正、可負(fù)，而結(jié)型場效應(yīng)三極管的柵壓只能是P溝道的為正或N溝道的為負(fù)。JFET的特性曲線如圖所示。(a)漏極輸出特性曲線(b)轉(zhuǎn)移特性曲線N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管的特性曲線1.4.2絕緣柵場效應(yīng)三極管絕緣柵型場效應(yīng)管MOSFET分為：增強(qiáng)型tN溝道、P溝道耗盡型tN溝道、P溝道一、N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖。其中：D(Drain)為漏極，相當(dāng)于集電極C;G(Gate)為柵極，相當(dāng)于基極B;S(Source)為精品文檔源極，相當(dāng)于發(fā)射極E哂道箭頭向里 襯底斷開1.工作原理當(dāng)Vgs=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背