第5章放大電路的頻率響應(yīng)

1、多媒體教學(xué)課件多媒體教學(xué)課件模擬電子技術(shù)模擬電子技術(shù)Fundamentals of Analog Electronics 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)單級(jí)放大電路如圖：在輸入信號(hào)的中頻段C1、C2、C足夠大且對(duì)交流短路，試求：（1）該放大電路的IBQ，ICQ，VCEQ的表達(dá)式；（2）畫出該放大電路的交流小信號(hào)等效電路，并推導(dǎo)出AV、RI、RO的的表達(dá)式；（3）該電路為何能穩(wěn)定工作點(diǎn)？若要提高電壓增益，可采取哪些措施？ 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.1 頻率響應(yīng)概述5.2 晶體管

2、的高頻等效模型5.3 場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效模型 5.4 單管放大電路的頻率響應(yīng) 5.5 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) 本章內(nèi)容本章內(nèi)容 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.1 頻率響應(yīng)概述頻率響應(yīng)概述一一. 研究的問(wèn)題：研究的問(wèn)題： 放大電路對(duì)信號(hào)頻率的適應(yīng)程度，即信號(hào)頻率對(duì)放大電路對(duì)信號(hào)頻率的適應(yīng)程度，即信號(hào)頻率對(duì)放放 大倍數(shù)的影響。大倍數(shù)的影響。 由于放大電路中耦合電容、旁路電容、三極管極由于放大電路中耦合電容、旁路電容、三極管極間電容的存在，使放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)。間電容的存在，使放大倍數(shù)為頻率的函數(shù)。 在使用一個(gè)放大電路時(shí)應(yīng)了解其信號(hào)頻率的

3、適用在使用一個(gè)放大電路時(shí)應(yīng)了解其信號(hào)頻率的適用范圍，在設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，應(yīng)滿足信號(hào)頻率的范圍要范圍，在設(shè)計(jì)放大電路時(shí)，應(yīng)滿足信號(hào)頻率的范圍要求。求。 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)二、基本概念二、基本概念f2w RC1RCRC1RUUAujjjio1. 高通電路高通電路 信號(hào)頻率越高，輸出電壓越接近輸入電壓。信號(hào)頻率越高，輸出電壓越接近輸入電壓。Ui.Uo.I. 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 高通電路：頻率響應(yīng)高通電路：頻率響應(yīng)RCRCUUAuj1jiofL低頻段放大倍數(shù)表達(dá)式的特點(diǎn)

4、？下限截止頻率的特征？低頻段放大倍數(shù)表達(dá)式的特點(diǎn)？下限截止頻率的特征？LLLj1jffffARC21fu，則令)arctan(90)(1L2LLffffffAuffL時(shí)放大時(shí)放大倍數(shù)約為倍數(shù)約為1 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2. 低通電路低通電路 信號(hào)頻率越低，輸出電壓越接近輸入電壓。信號(hào)頻率越低，輸出電壓越接近輸入電壓。RCRCCUUAuj11j1j1io 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 低通電路：頻率響應(yīng)低通電路：頻率響應(yīng)HHj1121ffARCfu，則令fHRCUUAuj

5、11io)arctan()(11H2HffffAu高頻段放大倍數(shù)表達(dá)式的特點(diǎn)？上限截止頻率的特征？高頻段放大倍數(shù)表達(dá)式的特點(diǎn)？上限截止頻率的特征？ffH時(shí)放大時(shí)放大倍數(shù)約為倍數(shù)約為1 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)三、波特圖三、波特圖 為了在同一坐標(biāo)系中表示比較寬的變化范圍，在畫頻率特性曲線時(shí)采用對(duì)數(shù)坐為了在同一坐標(biāo)系中表示比較寬的變化范圍，在畫頻率特性曲線時(shí)采用對(duì)

6、數(shù)坐標(biāo)，稱為波特圖。標(biāo)，稱為波特圖。 (a) 高通電路波特圖高通電路波特圖 (b) 低通電路波特圖低通電路波特圖 lg f 波特圖由對(duì)數(shù)幅頻特性和波特圖由對(duì)數(shù)幅頻特性和對(duì)數(shù)相頻特性兩部分組成，它對(duì)數(shù)相頻特性兩部分組成，它們的橫軸采用對(duì)數(shù)刻度們的橫軸采用對(duì)數(shù)刻度 。uA 幅頻特性的縱軸采用幅頻特性的縱軸采用20lg 表示，單位是分貝（表示，單位是分貝（dB）；）；相頻特性的縱軸用相頻特性的縱軸用 表示。表示。 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)幾個(gè)結(jié)論幾個(gè)結(jié)論LLj1jffff 電路低頻段的放大倍數(shù)需乘因子電路低頻段的放大倍數(shù)需乘因子 當(dāng)當(dāng) f

7、=fL時(shí)放大倍數(shù)幅值約降到時(shí)放大倍數(shù)幅值約降到0.707倍倍，輸出相角相對(duì)于，輸出相角相對(duì)于輸入相角輸入相角超前超前45； 當(dāng)當(dāng) f=fH時(shí)放大倍數(shù)幅值也約降到時(shí)放大倍數(shù)幅值也約降到0.707倍倍，相角，相角滯后滯后45。 截止頻率決定于電容所在回路的時(shí)間常數(shù)截止頻率決定于電容所在回路的時(shí)間常數(shù)-3dB21L(H)f電路高頻段的放大倍數(shù)需乘因子電路高頻段的放大倍數(shù)需乘因子Hj11ff 頻率響應(yīng)有幅頻特性和相頻特性兩條曲線。頻率響應(yīng)有幅頻特性和相頻特性兩條曲線。 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.2 晶體管的高頻等效模型晶體管的高頻等效模型

8、 在低頻段，隨著信號(hào)頻率逐漸降低，耦合電容等的容抗在低頻段，隨著信號(hào)頻率逐漸降低，耦合電容等的容抗增大，使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失，放大能力下降。增大，使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失，放大能力下降。高通高通電路電路低通低通電路電路 在高頻段，隨著信號(hào)頻率逐漸升高，晶體管極間電容和在高頻段，隨著信號(hào)頻率逐漸升高，晶體管極間電容和分布電容、寄生電容等雜散電容的容抗減小，使動(dòng)態(tài)信號(hào)分布電容、寄生電容等雜散電容的容抗減小，使動(dòng)態(tài)信號(hào)損失，放大能力下降。損失，放大能力下降。下限頻率下限頻率上限頻率上限頻率LHbwfff放大電路的頻率參數(shù)放大電路的頻率參數(shù) 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電

9、子技術(shù)基礎(chǔ)一、晶體管的混合一、晶體管的混合模型模型 參數(shù)量綱各不相同參數(shù)量綱各不相同結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)：由體電阻、結(jié)電阻、結(jié)電容組成。由體電阻、結(jié)電阻、結(jié)電容組成。rbb：基區(qū)體電阻：基區(qū)體電阻rbe：發(fā)射結(jié)電阻：發(fā)射結(jié)電阻C：發(fā)射結(jié)電容：發(fā)射結(jié)電容re：發(fā)射區(qū)體電阻：發(fā)射區(qū)體電阻rbc：集電結(jié)電阻：集電結(jié)電阻C：集電結(jié)電容：集電結(jié)電容rc：集電區(qū)體電阻：集電區(qū)體電阻因多子濃因多子濃度高而阻度高而阻值小值小因面積大因面積大而阻值小而阻值小 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)混合混合模型模型：形狀像形狀像 gm為跨導(dǎo)，它不隨信號(hào)頻率為跨導(dǎo)，它不隨信號(hào)頻

10、率的變化而變。的變化而變。因在放大區(qū)因在放大區(qū)iC幾乎僅幾乎僅決定于決定于iB而阻值大而阻值大因在放大區(qū)承受反因在放大區(qū)承受反向電壓而阻值大向電壓而阻值大 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)混合混合模型：忽略大電阻的分流模型：忽略大電阻的分流 C連接了輸入回路連接了輸入回路和輸出回路，引入了和輸出回路，引入了反饋，信號(hào)傳遞有兩反饋，信號(hào)傳遞有兩個(gè)方向，使電路的分個(gè)方向，使電路的分析復(fù)雜化。析復(fù)雜化。通常情況下rbc,遠(yuǎn)大于容抗rce 電阻遠(yuǎn)大于負(fù)載電阻。 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)混

11、合混合模型的單向化（模型的單向化（即即使信號(hào)單向傳遞）使信號(hào)單向傳遞）Lmebceeb)1 (RgUUkXUkXUUIebceCCCLmeb 1RgXIUXCCCLm)1 (CRgC 1CkkC同理可得，等效變換后電流不變等效變換后電流不變 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)晶體管簡(jiǎn)化的高頻等效電路晶體管簡(jiǎn)化的高頻等效電路EQT0ebbb)1 (CCCIUrCCr可從手冊(cè)查得、TEQeb0mebbmebmb0 UIrgrIgUgI LRCC的容抗遠(yuǎn)大于模型中的參數(shù)？不考慮P. 227 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬

12、電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)二、電流放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)二、電流放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)CEbc UIILm 0CCCRgk所以，因?yàn)?( 21j1 )( j1 eb0ebebebmCCrfffCCrUUg為什么短路？為什么短路？p. 228 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電流放大倍數(shù)的頻率特性曲線電流放大倍數(shù)的頻率特性曲線ffffff1200tg )(1j1 -90 0 -45 707. 02 0000，時(shí)，；時(shí)，；，時(shí)，；時(shí)，fffffffffo 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)電流放大倍

13、數(shù)的波特圖電流放大倍數(shù)的波特圖: 采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系， lg20 采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系，橫軸為采用對(duì)數(shù)坐標(biāo)系，橫軸為lg f，可開闊視野；縱軸為，可開闊視野；縱軸為 單位為單位為“分貝分貝” （dB），使得），使得 “ ” “ ” 。lg fdB32lg2020dB/十倍頻折線化近似畫法折線化近似畫法ffffff1200tg )(1j1 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)三、晶體管的頻率參數(shù)三、晶體管的頻率參數(shù) 1 0TTffff 時(shí)的頻率為使)CC(rfffeb0 21 j1 。、)(obTCCfff共射截共射截止頻率止頻率共基截共基截

14、止頻率止頻率特征特征頻率頻率集電結(jié)電容集電結(jié)電容通過(guò)以上分析得出的結(jié)論：通過(guò)以上分析得出的結(jié)論： 放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)表達(dá)式；放大倍數(shù)的頻率響應(yīng)表達(dá)式； 截止頻率與時(shí)間常數(shù)的關(guān)系；截止頻率與時(shí)間常數(shù)的關(guān)系； 波特圖及其折線畫法；波特圖及其折線畫法；手冊(cè)手冊(cè)查得查得 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5.3 場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路可與晶體管高頻等效電流類比，簡(jiǎn)化、單向化變換?？膳c晶體管高頻等效電流類比，簡(jiǎn)化、單向化變換。很大，可忽略其電流很大，可忽略其電流單向化變換單向化變換極間電容極間電容CgsCgdCds數(shù)值數(shù)值/pF1

15、101100.11dgLmgsgs)1 (CRgCC忽略忽略d-s間等效電容間等效電容 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)一、單管共射放大電路的頻率響應(yīng)一、單管共射放大電路的頻率響應(yīng)適用于信號(hào)頻率從適用于信號(hào)頻率從0的的交流等效電路交流等效電路中頻段：中頻段：C 短路，短路， 開路。開路。CC低頻段：考慮低頻段：考慮C 的影響，的影響， 開路。開路。高頻段：考慮高頻段：考慮 的影響，的影響，C 短路。短路。C5.4 單管放大電路的頻率響應(yīng)單管放大電路的頻率響應(yīng)C的容抗大的容抗大C的容抗小的容抗小 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻

16、率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1. 中頻電壓放大倍數(shù)中頻電壓放大倍數(shù)eboiebsisosmUUUUUUUUAu)( LcmbeebisismRRgrrRRRAu帶負(fù)載時(shí)：帶負(fù)載時(shí)：)( cmbeebisismoRgrrRRRAu空載時(shí)：空載時(shí)：中頻段：中頻段：C 短路，短路， 開路。開路。C 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 低頻電壓放大倍數(shù)低頻電壓放大倍數(shù):定性分析定性分析0U.ooU.oI.o。超前，時(shí)，當(dāng)超前90UU0U0fUUooooooo )(cmbeebisismoRgrrRRRAuAu.Ui.Uoo.Uo.CR

17、LsURs)arctan(90)(1L2LLffffffAu低頻段：考慮低頻段：考慮C， 開路。開路。C空載放大倍數(shù) 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 低頻電壓放大倍數(shù)：定量分析低頻電壓放大倍數(shù)：定量分析 j1LcLsmoooosoososlRCRRAUUUUUUAuuCRRARRRRRCRRAAuuu)(j11j1LcsmLcLcLcLsmosl)(cmbeebisismoRgrrRRRAuC)RR(21f)ff1AAuuLcLLsmsl (jC所在回路的時(shí)間常數(shù)？所在回路的時(shí)間常數(shù)？Au.Ui.Uoo.Uo.CRLsURsRCRCU

18、UAuj1jio等效 p. 232 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2. 低頻電壓放大倍數(shù)：低頻段頻率響應(yīng)分析低頻電壓放大倍數(shù)：低頻段頻率響應(yīng)分析)arctan90(-180 )(11lg20lg20lg20L2LsmslffffAAuu-135 dB3lg20 slL，下降時(shí)，uAff)lg(20lg20 LsmsLffAAffuu時(shí)，。，時(shí)，90 0 0suAfsmslLlg20lg20 uuAAff時(shí)，CRRfffAAuu)(21 )(j1LcLLsmsl 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子

19、技術(shù)基礎(chǔ)3. 高頻電壓放大倍數(shù)：定性分析高頻電壓放大倍數(shù)：定性分析。滯后，時(shí)，當(dāng)，滯后)90(0 ssUUUfUUCCC)(sbbbebbeebisiiebsissRRrrRrrRRRUUUUUU，Au.Uo.RLsURbe)arctan()(11H2HffffAu高頻段：考慮高頻段：考慮 的影響，的影響，C 短路。短路。C戴維南p.234 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))(sbbbebRRrrR3. 高頻電壓放大倍數(shù)：定量分析高頻電壓放大倍數(shù)：定量分析 )( 21 21 j1sbbbebHHsmsoshCRRrrRCfffAUUAuu)

20、( j1 j1 LmbeebisiCosCsssoshRgCRCrrRRRUUUUUUUUAu 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 高頻電壓放大倍數(shù)：高頻段頻率響應(yīng)分析高頻電壓放大倍數(shù)：高頻段頻率響應(yīng)分析 )( 21 j1sbbbebHHsmsoshCRRrrfffAUUAuu-225 dB3lg20 shH，下降時(shí)，uAffH2Hmsharctan-180 )(1lg20lg20lg20ffffAAuu；下降倍，每增大時(shí)，dB20lg20 10 shHuAfff。，時(shí)，-270 0 shuAf；時(shí)，smshHlg20lg20 uuAAf

21、f 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4. 電壓放大倍數(shù)的波特圖電壓放大倍數(shù)的波特圖 )j1)( j1 ()j1)(j1 ()j (HLsmHLLsmsosffffAffffffAUUAuuu全頻段放大倍數(shù)表達(dá)式：全頻段放大倍數(shù)表達(dá)式：)(21 )(j1LcLLsmslRRfffAAuuPpt 11 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)二、增益帶寬積二、增益帶寬積fbw fH fL fH )( 21sbbbebHCRRrrfLm)1 (CRgCCHmbwm fAfAuu增益帶寬積mLmHLmu

22、ARgfCRg)( LcmbeebisismRRgrrRRRAu矛盾矛盾 當(dāng)提高增益時(shí)，當(dāng)提高增益時(shí)，帶寬將變窄；反帶寬將變窄；反之，增益降低，之，增益降低，帶寬將變寬。帶寬將變寬。定性分析定性分析smuA 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)帶寬增益積：定量分析帶寬增益積：定量分析 )( 21sbbbebHCRRrrfLm)1 (CRgCC)( LcmbeebisismRRgrrRRRAu若若rbeRb、 Rs fL1， fH fH1，頻帶變窄！，頻帶變窄！5.5 多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)21uuAAfL= fL1 第第5

23、 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng) ), 2 , 1( bbwHHLLnkffffffwkkknkknkkf.ff.f12HH12LL1111 11 對(duì)于對(duì)于N級(jí)放大電路，若各級(jí)的下、上限頻率分別為級(jí)放大電路，若各級(jí)的下、上限頻率分別為fL1 fLn、 fH1 fHn，整個(gè)電路的下、上限頻率分別為，整個(gè)電路的下、上限頻率分別為fL、 fH，則則nkknkukuAA11 lg20lg20由于由于求解使增益下降求解使增益下降3dB的頻的頻率，經(jīng)修正，可得率，經(jīng)修正，可得1.1為修正系數(shù)為修正系數(shù) 第第5 5章

24、章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)討論一：?jiǎn)栴}討論一：?jiǎn)栴} 1. 信號(hào)頻率為信號(hào)頻率為0時(shí)電壓放大時(shí)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式？倍數(shù)的表達(dá)式？ 2. 若所有的電容容量都相同，若所有的電容容量都相同，則下限頻率等于多少？則下限頻率等于多少？ 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)討論一：時(shí)間常數(shù)分析討論一：時(shí)間常數(shù)分析所確定的截止頻率。、分別考慮e21CCCC1beb2b1s1)(CrRRR2Lc2)(CRR eb2b1sbeee)1(CRRRrRCC)RRRr(rb2b1sbbebC2、Ce短路，短路， 開路，求

25、出開路，求出CC1、Ce短路，短路， 開路，求出開路，求出CC1、C2短路，短路， 開路，求出開路，求出CC1、 C2、 Ce短路，求出短路，求出 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)討論一：電壓放大倍數(shù)分析討論一：電壓放大倍數(shù)分析1beb2b1s1)(CrRRR2Lc2)(CRR eb2b1sbeee)1(CRRRrRCC)RRRr(rb2b1sbbeb)j(1)j(1)j(1)j(1jHL3L2L1L3L2L133mffffffffffffAAuu)2(1)2(1)2(1)2(1HeL32L21L1Cffff很??！很??！ 第第5 5章章 放大電路的頻率響應(yīng)放大電路的頻率響應(yīng) 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)討論二討論二1. 該放大電路為幾級(jí)放大電路該放大電路為幾級(jí)放大電路?2. 耦合方式耦合方式?3. 在在 f 104Hz 時(shí)，增益下降多少？附加相移時(shí)，增益下降多少？附加相移？4. 在在 f 105Hz 時(shí)，附加相移時(shí)，附加相移？5. 畫出相頻特性曲線；畫出相頻特性曲線；6. fH？?uA 已知某放大電路的幅頻已知某放大電路的幅頻特性如圖所示，討論下列問(wèn)特性如圖所示，