結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管及其放大電路

1、第八章：場(chǎng)效應(yīng)管第八章：場(chǎng)效應(yīng)管一、場(chǎng)效應(yīng)管概述一、場(chǎng)效應(yīng)管概述二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與原理二、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與原理三、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大器三、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大器四、四、MOS場(chǎng)效應(yīng)管介紹場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道溝道P溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道（耗盡型）（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型結(jié)型MOSFET絕緣柵型絕緣柵型(IGFET)IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor）MOS（Metal Oxide Semiconductor）vGS=0，iD=0，為增強(qiáng)型管；，為增強(qiáng)型管；vGS=0，iD 0

2、，為耗盡型管（有初始溝道）。，為耗盡型管（有初始溝道）。PMOS、NMOS、CMOS、VMOS、最新的、最新的MOS JFET (Junction Field Effect Transistor)現(xiàn)行有兩種命名方法現(xiàn)行有兩種命名方法第一種命名方法：第一種命名方法：與雙極型三極管相同，第三位字母與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料，材料，D是是P型硅，型硅，反型層是反型層是N溝道；溝道；C是是N型硅型硅P溝道。溝道。例如：例如：3DJ6D是結(jié)型是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3

3、DO6C 是絕緣是絕緣柵型柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。第二種命名方法：第二種命名方法：CS#，CS代表場(chǎng)效應(yīng)管，代表場(chǎng)效應(yīng)管，以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào)，#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。例如：例如：CS14A、CS45G等等 2、判定柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕

4、緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。3、估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力將萬用表撥到R100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當(dāng)于給場(chǎng)效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說明管子已經(jīng)損壞。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高，而不同的場(chǎng)

5、效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動(dòng)，也可能向左擺動(dòng)。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。無論表針的擺動(dòng)方向如何，只要能有明顯地?cái)[動(dòng)，就說明管子具有放大能力。本方法也適用于測(cè)MOS管。為了保護(hù)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，必須用手握住螺釘旋具絕緣柄，用金屬桿去碰柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極上，將管子損壞。MOS管每次測(cè)量完畢，G-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將G-S極間短路一下即可。4、場(chǎng)效應(yīng)、場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試管的測(cè)試1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏

6、極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每兩個(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)K時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用時(shí)應(yīng)注意分類，不能隨意互換。MOS場(chǎng)效場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括應(yīng)晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用集成電路）極易被靜電擊穿，使用時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：時(shí)應(yīng)注意以下規(guī)則：（1） MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中

7、，切勿自行隨器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝便拿個(gè)塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個(gè)引腳連接在一起，或用錫紙包裝（2）取出的）取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。（3）焊接用的電烙鐵必須良好接地。）焊接用的電烙鐵必須良好接地。（4）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再）在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后器件焊接完成后在分開。在分開。（5）MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。器件各引腳的焊接

8、順序是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)順序相反。（6）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，）電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)器的各接線端子，再把電路板接上去。再把電路板接上去。（7）MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管。在場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護(hù)二極管。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。 5、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)2.2.結(jié)型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)1. 1. 結(jié)型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管（JFET)分類：分類：輸入電阻約為

9、輸入電阻約為107 。P+P+NGSDN溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道P溝道：溝道：N溝道：溝道：現(xiàn)以現(xiàn)以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例討論外溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例討論外加電場(chǎng)是如何來控制場(chǎng)效應(yīng)管的電流加電場(chǎng)是如何來控制場(chǎng)效應(yīng)管的電流的。的。如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)它的兩個(gè)如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)它的兩個(gè)PN結(jié)始終要加反向電壓。對(duì)于結(jié)始終要加反向電壓。對(duì)于N溝道，溝道，各極間的外加電壓變?yōu)楦鳂O間的外加電壓變?yōu)閁GS0，漏源，漏源之間加正向電壓，即之間加正向電壓，即UDS0。當(dāng)當(dāng)G、S兩極間電壓兩極間電壓UGS改變時(shí)，溝道改變時(shí)，溝道兩側(cè)耗盡層的寬度也隨著改變，由于兩側(cè)耗盡層的寬度也隨著

10、改變，由于溝道寬度的變化，導(dǎo)致溝道電阻值的溝道寬度的變化，導(dǎo)致溝道電阻值的改變，從而實(shí)現(xiàn)了利用電壓改變，從而實(shí)現(xiàn)了利用電壓UGS控制控制電流電流ID的目的。的目的。NDGSPPIDUDSUDDUGGUGS3. 3. 場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)管工作原理（1）當(dāng)）當(dāng)UGS時(shí)，時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管兩側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管兩側(cè)的PN結(jié)均處于零偏置，結(jié)均處于零偏置，形成兩個(gè)耗盡層形成兩個(gè)耗盡層,如如圖（）所示。此圖（）所示。此時(shí)耗盡層最薄，導(dǎo)時(shí)耗盡層最薄，導(dǎo)電溝道最寬，溝道電溝道最寬，溝道電阻最小電阻最小。 1）UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響（2）當(dāng)）當(dāng)|UGS|值增值增大時(shí)，柵源之間反大時(shí)，柵源之間反偏電壓增大，

11、偏電壓增大，PN結(jié)結(jié)的耗盡層增寬，如的耗盡層增寬，如圖（圖（b）所示。導(dǎo)致）所示。導(dǎo)致導(dǎo)電溝道變窄，溝導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。道電阻增大。 1）UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響（3）當(dāng)）當(dāng)|UGS|值增大到值增大到使兩側(cè)耗盡層相遇時(shí)，使兩側(cè)耗盡層相遇時(shí)，導(dǎo)電溝道全部夾斷，導(dǎo)電溝道全部夾斷，如圖（如圖（c）所示。溝道）所示。溝道電阻趨于無窮大。對(duì)電阻趨于無窮大。對(duì)應(yīng)的柵源電壓應(yīng)的柵源電壓UGS稱為稱為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓，場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓，用用UGS(off)來表示。來表示。 1）UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響N溝道DGSNDGSUGGPPP(b)DGSUGG耗盡層(a)(c)

12、PPP a）導(dǎo)電溝道最寬）導(dǎo)電溝道最寬; （b）導(dǎo)電溝道變窄）導(dǎo)電溝道變窄; （c）導(dǎo)電溝道夾斷）導(dǎo)電溝道夾斷 1）UGS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響（2）當(dāng)）當(dāng)UDS增加時(shí)，漏極電增加時(shí)，漏極電流流ID從零開始增加，從零開始增加，ID流過流過導(dǎo)電溝道時(shí)，沿著溝道產(chǎn)生導(dǎo)電溝道時(shí)，沿著溝道產(chǎn)生電壓降，使溝道各點(diǎn)電位不電壓降，使溝道各點(diǎn)電位不再相等，溝道不再均勻?？吭傧嗟?，溝道不再均勻?？拷礃O端的耗盡層最窄，溝近源極端的耗盡層最窄，溝道最寬道最寬;靠近漏極端的電位靠近漏極端的電位最高，且與柵極電位差最大，最高，且與柵極電位差最大，因而耗盡層最寬，溝道最窄。因而耗盡層最寬，溝道最窄。由圖可知，

13、由圖可知，UDS的主要作用的主要作用是形成漏極電流是形成漏極電流ID。 2）UDS對(duì)導(dǎo)電溝道的影響對(duì)導(dǎo)電溝道的影響設(shè)柵源電壓設(shè)柵源電壓UGS=0（1）當(dāng)）當(dāng)UDS=0時(shí)，時(shí)，ID=0，溝道均勻，如圖所示。，溝道均勻，如圖所示。（3）當(dāng)）當(dāng)0UGSUGS(off)時(shí)，時(shí)，電流電流ID在零和最大值之間在零和最大值之間變化。變化。改變柵源電壓改變柵源電壓UGS的的大小，能引起管內(nèi)耗盡層大小，能引起管內(nèi)耗盡層寬度的變化，從而控制了寬度的變化，從而控制了電流電流ID的大小。的大小。場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣，可看作是和三極管一樣，可看作是受控電流源，但它是一種受控電流源，但它是一種電壓控制的電流源電壓

14、控制的電流源。3）UDS和和UGS 共同作用的情況：共同作用的情況：設(shè)漏源間加有電壓設(shè)漏源間加有電壓UDS：當(dāng)當(dāng)UGS變化時(shí)，電流變化時(shí)，電流ID將隨溝道電阻的變化而變化。將隨溝道電阻的變化而變化。（1）當(dāng)）當(dāng)UGS=0時(shí)，溝道電阻最小，電流時(shí)，溝道電阻最小，電流ID最大。最大。（2）當(dāng)）當(dāng)|UGS|值增大時(shí)，耗盡層變寬，溝道變窄，值增大時(shí)，耗盡層變寬，溝道變窄，溝道電阻變大，電流溝道電阻變大，電流ID減小，減小，直至溝道被耗盡層夾斷，直至溝道被耗盡層夾斷，ID=0。DP+P+NGSUDSIDUGS預(yù)夾斷預(yù)夾斷UGS=UP夾斷狀態(tài)夾斷狀態(tài)ID=03）UDS和和UGS 共同作用的情況：共同作用的

15、情況：轉(zhuǎn)移特性曲線是指在一定漏源電壓轉(zhuǎn)移特性曲線是指在一定漏源電壓UDS作用下，柵極電壓作用下，柵極電壓UGS對(duì)漏極電流對(duì)漏極電流ID的控制關(guān)系曲線，即：的控制關(guān)系曲線，即：ID / mA54321UGS / VUDS 10 VUGS(off)01234IDSS3.4常數(shù)GSUGSDUfI)(1）轉(zhuǎn)移特性曲線）轉(zhuǎn)移特性曲線VmAVUGGGUGSSDUDSUDDID測(cè)試電路：測(cè)試電路：特性曲線：特性曲線：4. 4. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線從轉(zhuǎn)移特性曲線可知，從轉(zhuǎn)移特性曲線可知，UGS對(duì)對(duì)ID的控制作用如下：的控制作用如下：ID / mA54321UGS / VUDS 10

16、VUGS(off)01234IDSS3.4VmAVUGGGUGSSDUDSUDDID（1）當(dāng)）當(dāng)UGS=0時(shí)，導(dǎo)電溝道最寬、溝道電阻最小。所以當(dāng)時(shí)，導(dǎo)電溝道最寬、溝道電阻最小。所以當(dāng)UDS為某為某一定值時(shí)，漏極電流一定值時(shí)，漏極電流ID最大，稱為飽和漏極電流最大，稱為飽和漏極電流,用用IDSS表示。表示。（2）當(dāng)）當(dāng)|UGS|值逐漸增大時(shí)，值逐漸增大時(shí)，PN結(jié)上的反向電壓也逐漸增大，耗盡結(jié)上的反向電壓也逐漸增大，耗盡層不斷加寬，溝道電阻逐漸增大，漏極電流層不斷加寬，溝道電阻逐漸增大，漏極電流ID逐漸減小。逐漸減小。（3）當(dāng)）當(dāng)UGS=UGS(off)時(shí)，溝道全部夾斷，時(shí)，溝道全部夾斷，ID=0

17、。輸出特性曲線是指在一定柵極電壓輸出特性曲線是指在一定柵極電壓UGS作用下，作用下，ID與與UDS之間的關(guān)系曲之間的關(guān)系曲線，即：線，即：常數(shù)GSUGSDUfI)(2）輸出特性曲線（或漏極特性曲線）輸出特性曲線（或漏極特性曲線）ID / mA54321UDS / V010203 .4V2 V1 VUGS0可變電阻區(qū)預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)夾斷區(qū)可分成以下幾個(gè)工作區(qū)：可分成以下幾個(gè)工作區(qū)：（1）可變電阻區(qū)）可變電阻區(qū)（2）恒流區(qū)（線性放大區(qū)）恒流區(qū)（線性放大區(qū)）（3）夾斷區(qū)）夾斷區(qū)（4）擊穿區(qū)（當(dāng)）擊穿區(qū)（當(dāng)UDS增加到一定增加到一定值時(shí)，值時(shí)，ID猛然增加，靠近漏極的猛然增加，靠近漏極的PN結(jié)擊穿。）

18、結(jié)擊穿。）詳情如下：詳情如下：4. 4. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線 （1）可變電阻區(qū)。當(dāng)）可變電阻區(qū)。當(dāng)UGS不變，不變，UDS由零逐漸增加且較小時(shí)，由零逐漸增加且較小時(shí)，ID隨隨UDS的增加而線性上升，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝的增加而線性上升，場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)電溝道暢通。漏源之間可視為一個(gè)線性電道暢通。漏源之間可視為一個(gè)線性電阻阻RDS，這個(gè)電阻在，這個(gè)電阻在UDS較小時(shí)，主要較小時(shí)，主要由由UGS決定，所以此時(shí)溝道電阻值近似決定，所以此時(shí)溝道電阻值近似不變。而對(duì)于不同的柵源電壓不變。而對(duì)于不同的柵源電壓UGS，則，則有不同的電阻值有不同的電阻值RDS，故稱為可變電阻，故稱為可變電阻區(qū)。

19、區(qū)。 （2）恒流區(qū)（或線性放大區(qū)）。圖）恒流區(qū)（或線性放大區(qū)）。圖3.29中間部分是恒流區(qū)，在此區(qū)域中間部分是恒流區(qū)，在此區(qū)域ID不不隨隨UDS的增加而增加，而是隨著的增加而增加，而是隨著UGS的的增大而增大，輸出特性曲線近似平行增大而增大，輸出特性曲線近似平行于于UDS軸，軸，ID受受UGS的控制，表現(xiàn)出的控制，表現(xiàn)出ID / mA54321UDS / V010203 .4V2 V1 VUGS0可變電阻區(qū)預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)夾斷區(qū)場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制電流的放大作用，場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制電流的放大作用，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路就工作在場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路就工作在這個(gè)區(qū)域。這個(gè)區(qū)域。（3）夾斷區(qū)。當(dāng)）夾斷區(qū)

20、。當(dāng)UGSU GS(off)時(shí)，時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道被耗盡層全部場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道被耗盡層全部夾斷，由于耗盡層電阻極大，因而夾斷，由于耗盡層電阻極大，因而漏極電流漏極電流ID幾乎為零。此區(qū)域類似幾乎為零。此區(qū)域類似于三極管輸出特性曲線的截止區(qū)，于三極管輸出特性曲線的截止區(qū)，在數(shù)字電路中常用做開斷的開關(guān)。在數(shù)字電路中常用做開斷的開關(guān)。（4）擊穿區(qū)。當(dāng)）擊穿區(qū)。當(dāng)UDS增加到一定增加到一定值時(shí)，漏極電流值時(shí)，漏極電流ID急劇上升，靠近急劇上升，靠近漏極的漏極的PN結(jié)被擊穿，管子不能正結(jié)被擊穿，管子不能正常工作，甚至很快被燒壞。常工作，甚至很快被燒壞。ID / mA54321UDS / V0102

21、03 .4V2 V1 VUGS0可變電阻區(qū)預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)夾斷區(qū)const.DSDGS)( vvfi轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 const.GSDDS)( vvfi)0()1(GSP2PGSDSSD vVVvIi 輸出特性輸出特性 VP夾斷區(qū)4. 4. 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線5.5.場(chǎng)效應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)管的主要參數(shù)（1）夾斷電壓）夾斷電壓VP（ 或或VGS(off) ） VP 是是MOS耗盡型和結(jié)型耗盡型和結(jié)型FET的參數(shù)，當(dāng)?shù)膮?shù)，當(dāng)VGS=VP時(shí)時(shí),漏極電流為零。漏極電流為零。 （2）飽和漏極電流）飽和漏極電流IDSS MOS耗盡型和結(jié)型耗盡型和結(jié)型FET, 當(dāng)當(dāng)VGS=0

22、時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。 （3）輸入電阻）輸入電阻RGS 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，RGS大于大于107，MOS場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管, RGS可達(dá)可達(dá)1091015。（4） 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm gm反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用，單位是反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用，單位是mS(毫西門子毫西門子)。（5） 最大漏極功耗最大漏極功耗PDM PDM= VDS ID，與雙極型三極管的，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。相當(dāng)。5.5.場(chǎng)效應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)管的主要參數(shù)5.5.場(chǎng)效應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)管的主要參數(shù)BJT 和和 FET 對(duì)照：對(duì)照：比較內(nèi)容比較內(nèi)容場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管雙極型晶體管雙

23、極型晶體管備注備注導(dǎo)電方式導(dǎo)電方式一種一種兩種兩種控制方式控制方式電壓控制電壓控制電流控制電流控制電極名稱電極名稱GDSBCED、S 有互換性有互換性電路組態(tài)電路組態(tài)CSCDCGCECCCB控制因子控制因子低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)導(dǎo)電類型導(dǎo)電類型P溝道溝道N溝道溝道PNPNPN輸入電阻輸入電阻很高很高107-15較低，較低，1K左右左右溫度特性溫度特性很好很好較差（少子影較差（少子影響）響）抗輻射性抗輻射性很好很好較差較差1. 直流偏置電路：直流偏置電路：三、場(chǎng)效應(yīng)三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路管放大電路（1）自）自偏壓電路偏壓電路vGSvGS =- iDR 注意：該電路產(chǎn)生負(fù)的柵源

24、電壓，所以只能用于需要負(fù)柵源電壓的電路。注意：該電路產(chǎn)生負(fù)的柵源電壓，所以只能用于需要負(fù)柵源電壓的電路。計(jì)算計(jì)算Q點(diǎn)：點(diǎn)：VGS 、 ID 、VDSvGS =2PGSDSSD)1(VvIi VDS =VDD- ID (Rd + R )已知已知VP ，由，由- iDR可解出可解出Q點(diǎn)的點(diǎn)的VGS 、 ID 、 VDS （2）分壓式自）分壓式自偏壓電路偏壓電路SGGSVVVRIVRRRDDDg2g1g22PGSDSSD)1 (VvIIVDS =VDD-ID(Rd+R)可解出可解出Q點(diǎn)的點(diǎn)的VGS 、 ID 、 VDS 計(jì)算計(jì)算Q點(diǎn)：點(diǎn)：已知已知VP ，由，由RIVRRRVDDDg2g1g2GS該電路產(chǎn)生的柵源電壓可正該電路產(chǎn)生的柵源電壓可正可負(fù)，所以適用于所有的場(chǎng)可負(fù)，所以適用于所有的場(chǎng)效應(yīng)管電路。效應(yīng)管電路。三、場(chǎng)效應(yīng)三、場(chǎng)效應(yīng)管放大電路管放大電路2 2. .場(chǎng)效應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的交流小信號(hào)模型管的交流小信號(hào)模型 與雙極型晶體管一樣，場(chǎng)效應(yīng)管也是一種非線性器