高抗靜電集成電路封裝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化20111121

PAGEPAGEii高抗靜電集成電路封裝技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃書武漢芯寶科技有限公司目錄總論…………11.項目主要內(nèi)容…………………12.項目概述…………43.項目背景…………54．實施項目的優(yōu)勢和風(fēng)險………65.項目的計劃目標(biāo)…………………11項目的技術(shù)可行性和成熟性分析……121.技術(shù)基本原理……………………122.關(guān)鍵技術(shù)內(nèi)容……………………133.項目的技術(shù)創(chuàng)新點及先進(jìn)性…………………144.項目的知識產(chǎn)權(quán)………………16三、市場預(yù)測…………17四、項目實施方案………………201.技術(shù)方案…………212.執(zhí)行方案…………233.市場推廣方案……………………254.其它問題的解決方案……………30五．投資預(yù)算………………………31六．經(jīng)濟(jì)效益分析………………32產(chǎn)品成本分析…………………32產(chǎn)品單位售價與盈利預(yù)測……………………33七．項目資金保障………………34八．盈利模式………………………34PAGEPAGE35一．總論1、項目的主要內(nèi)容以現(xiàn)代導(dǎo)電高分子復(fù)合材料理論為基礎(chǔ)，以非線性導(dǎo)電聚合物在電路保護(hù)上的應(yīng)用為技術(shù)平臺，開發(fā)新一代的電路保護(hù)技術(shù)-集成電路芯片集成保護(hù)技術(shù)及產(chǎn)品。為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，市場化奠定堅實的基礎(chǔ)。高抗靜電集成電路封裝技術(shù)（摘要）1.集成電路抗靜電保護(hù)的必要性①IC高度集成化、微型化，使得IC芯片更容易受ESD損傷②集成電路元件的抗靜電（ESD）能力僅有2KV，人體所產(chǎn)生的ESD電通常會超過15KV。③IC塊需全方位ESD保護(hù)（保護(hù)每一個I/O引腳）才有實效。④三分之一的集成電路元件故障是被靜電放電（ESD）損壞造成的，使用過程中造成的電器設(shè)備損壞有35%是被靜電放電（ESD）損壞造成的。⑤所有銷往歐盟市場的電子設(shè)備都要求滿足IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)（抗靜電標(biāo)準(zhǔn)）。⑥工業(yè)界每年因ESD損失達(dá)近十億美元。2.目前采用的抗靜電保護(hù)的方法及缺點：（1）集成芯片上加入ESD保護(hù)電路缺點①占用較大的硅片面積，增加制造成本。②增大了IC設(shè)計的成本③抗ESD水平低（<2KV），不能抗擊芯片使用過程中的ESD。④保護(hù)組件的P-N節(jié)面會永久破壞（It2）⑤信號滯后現(xiàn)象⑥如保護(hù)所有引腳之間的ESD，需占用大量的芯片面積。成本極高。（2）在印刷電路板上加ESD保護(hù)元件目前用于印刷電路板抗靜電的元件有：多層可變電阻、多級SRD/二極管、TVS、聚合物ESD抑制器。缺點：①不能保護(hù)集成電路塊安裝過程中的ESD損傷。②一個元件只能保護(hù)一條I/O端。若對所有的I/O進(jìn)行保護(hù)，需大量的ESD保護(hù)元件。③除聚合物外，保護(hù)元件的寄生電容太高，不適合高頻電路。3.行業(yè)技術(shù)發(fā)展新趨勢將ESD保護(hù)技術(shù)集成到IC封裝塊中是當(dāng)前抗靜電保護(hù)的最前沿研究方向。目前，世界上電路保護(hù)方面的權(quán)威機(jī)構(gòu)和領(lǐng)軍企業(yè)都在加緊產(chǎn)品研發(fā)。Littelfuse有4專利，LSI有4專利，F(xiàn)reescalesemiconductor有1專利，Nationalsemiconductor有1專利，臺灣工業(yè)研究院有3專利，TexasInstrument有2專利和1項產(chǎn)品，Copper有2專利。以上專利存在一些無法克服的缺陷(如抗靜電保護(hù)效果不理想、體積太大、加工工藝太復(fù)雜無法進(jìn)行工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)、成本太高等)，所以無法實施。目前國際上尚無成熟的集成電路抗靜電保護(hù)產(chǎn)品上市。4.項目的創(chuàng)新方案①將智能高分子(VVM)集成到IC封裝塊中②可將集成電路塊的抗ESD能力提高6倍以上③同時保護(hù)IC塊的所有引腳④平衡載荷設(shè)計⑤超低寄生電容5.項目的技術(shù)優(yōu)勢①提高安全性：可將集成電路塊的抗ESD能力提高6倍以上,減少集成電路塊安裝和使用過程中損傷。②促進(jìn)微型化：不需使用分離的ESD抑制器，可節(jié)省PCB占用面積,電子產(chǎn)品微型化提供新的契機(jī)，減少芯片中ESD保護(hù)電路,可增加芯片中功能電路。③全方位保護(hù)：可保護(hù)集成電路塊所有的I/O引腳。理論上，每個IC塊都需要全方位保護(hù)。IC塊的可靠性由它的最弱的I/O引腳所限定。④有利于高頻化：平衡保護(hù)載荷有利于高速信號，IEEE1394，USB2.0，USB3.0；超低寄生電容有利于高頻信號保真，IEEE1394，USB2.0，USB3.0。6.項目的社會效益①集成電路保護(hù)技術(shù)的一次變革；②促進(jìn)形成一個上百億的集成電路保護(hù)新產(chǎn)業(yè)；③使我國的集成電路ESD保護(hù)技術(shù)領(lǐng)先世界；④給集成電路產(chǎn)業(yè)帶來數(shù)百億的經(jīng)濟(jì)效益。7.項目的經(jīng)濟(jì)效益為集成電路塊用戶帶來的經(jīng)濟(jì)效益①節(jié)省元件成本-不需使用分立的ESD保護(hù)元件；②節(jié)省材料成本–少用焊接材料，PCB；③節(jié)省安裝成本-人工，設(shè)備，電路設(shè)計；④節(jié)省管理費用-ESD保護(hù)元件采購，庫存；⑤節(jié)省環(huán)境成本-濕度、離子化控制，除靜電衣，抗ESD包裝；⑥提高IC塊在系統(tǒng)裝配過程破損率；⑦降低產(chǎn)品退貨率；⑧降低維修費用；2．項目概述隨著我們的世界進(jìn)入到信息時代，電子產(chǎn)品的總趨勢是小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復(fù)合化、高頻化、高性能化等趨勢。電路設(shè)計者采用了復(fù)合的超大規(guī)模集成電路（VLSI）及新的IC技術(shù)。目前，世界集成電路技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入納米時代，國際高端集成電路主流技術(shù)的線寬是0.13－0.25微米，國際高端集成電路領(lǐng)先技術(shù)的線寬是0.065－0.13微米。超大規(guī)模集成電路（VLSI）的晶體管數(shù)已超過10,0000。芯片集成度將達(dá)到10的8－9次方。然而,芯片也變得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越來越小，器件之間的連線寬度越來越窄，鈍化層越來越薄，使得集成電路芯片更易招受各種電氣過載（如電流過載、電壓過載、靜電放電等）的損傷。其中,靜態(tài)放電(ESD)是電子產(chǎn)品在裝配,使用過程中的一種最常見的電氣過載現(xiàn)象。ESD是一種快速,低能量,峰值壓電極高的能量形式。對電子元件，特別是高密度集成塊電子元件，有極大的威脅。當(dāng)靜電電壓較低時，ESD產(chǎn)生的電氣噪聲會對邏輯電路形成干擾，引發(fā)IC芯片內(nèi)邏輯電路死鎖（LatchUp），導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸或運(yùn)算出錯，也可能對芯片形成輕微的物理損傷而提前老化或潛在失效；當(dāng)靜電電壓超過250V時，ESD就能擊穿電腦芯片了。ESD作用于電腦芯片時，由于放電回路的電阻通常都很小，所以電荷釋放的瞬間放電電流會很大。例如將帶靜電的電纜插到電腦的接口上時，放電回路的電阻幾乎為零，形成高達(dá)幾十安培的放電電流，如此大的尖峰電流一旦從芯片的某個引腳流入，足以將芯片的局部熔化，燒斷芯片內(nèi)的晶體管和金屬連線，使芯片產(chǎn)生永久性的功能喪失，或者破壞芯片內(nèi)的鈍化層，使芯片性能降低。研究表明，有故障的IC元件三分之一是被靜電放電（ESD）損壞造成的。便攜式電子產(chǎn)品尤其容易受到人體接觸產(chǎn)生的ESD的損壞。因此，對高速芯片進(jìn)行直接ESD保護(hù)技術(shù)的需求日益劇增。因此，電子設(shè)備的抗ESD保護(hù)成為整個電子工業(yè)的一個重要課題。目前，歐盟采用國際電工委的IEC61000-4-2，建立起嚴(yán)格的瞬變沖擊抑制標(biāo)準(zhǔn)；所有銷往歐盟市場的電子設(shè)備都要求滿足IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)之后方能銷往歐盟的各個成員國。靜電危害造成了相當(dāng)嚴(yán)重的后果和損失。它曾造成全球電子工業(yè)每年的直接經(jīng)濟(jì)損失達(dá)上百億美元。而潛在的損失，如在航天工業(yè)，靜電放電造成火箭和衛(wèi)星發(fā)射失敗，干擾航天飛行器的運(yùn)行，戰(zhàn)場上電子設(shè)備失靈等，則無可估量。據(jù)估算各領(lǐng)域電子設(shè)備的失效有75%的原因是由電氣過載引起的。目前集成電路元件的抗靜電（ESD）能力僅有2KV，而在電子設(shè)備的裝配和使用過程中，由人體或機(jī)器所產(chǎn)生的ESD電通常會超過15KV。因此，需在印刷電路板（PCB）中加入多個ESD抑制元件來保護(hù)IC元件。但這已不適應(yīng)當(dāng)今電子產(chǎn)品小型化的需求。本項目在開發(fā)聚合物電壓誘變納米材料的基礎(chǔ)上，開發(fā)高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品，即，在IC芯片封裝電路中植入由聚合物電壓誘變納米材料組成的保護(hù)電路，可將集成電路元件的抗ESD能力提高6倍以上，使集成電路元件可直接抵抗各種ESD的危害，而不需要在PBCB上用分立的ESD抑制器來保護(hù)集成電路塊。從而大大節(jié)省PCB占用面積，不但降低電子產(chǎn)品制造成本，還為電子產(chǎn)品微型化提供了新的契機(jī)。同時，采用低電容的聚合物電壓誘變納米材料，可大大地改善IC電路對高速數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)保真度。在數(shù)字技術(shù)高頻化的發(fā)展趨勢下，具有重要的意義。文獻(xiàn)查新表明國際目前非線性導(dǎo)電高分子材料在IC方面的研究與開發(fā)還處于剛剛起步階段，尤其是對非線性導(dǎo)電聚合物材料與集成電路封裝在同一零件方面的應(yīng)用開發(fā)，在國際上僅有幾個產(chǎn)品設(shè)計專利，但尚未見商品化產(chǎn)品。由于在聚合物電壓誘變納米材料制造技術(shù)上的難度和少數(shù)發(fā)達(dá)國家對這一術(shù)的高度保密措施。這方面的研究與開發(fā)在國內(nèi)尚屬空白。在國際上也處于領(lǐng)先地位。開展該項目的技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化，將會給國際IC芯片制造業(yè)和電子封裝業(yè)帶來上百億的經(jīng)濟(jì)效益。有利于提升我國的整個電子工業(yè)的技術(shù)水平，縮小與世界先進(jìn)國家距離，使我國的集成電路ESD保護(hù)技術(shù)進(jìn)入世界最先進(jìn)行列。項目技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用，極大地改善電子產(chǎn)品的可靠性，成品率，將提高廣大用戶對國產(chǎn)電器的信任度，增強(qiáng)我國電子工業(yè)產(chǎn)品在國際市場上的競爭力。使我國在今后激烈競爭的的世界電路保護(hù)元件市場占有可觀的份額，帶來可觀的經(jīng)濟(jì)效益；對我國電子工業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生重大意義。3．項目背景本項目技術(shù)團(tuán)隊的核心技術(shù)人員曾在國際電路保護(hù)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)里，長期從事非線性導(dǎo)電聚合物在電路保護(hù)中的應(yīng)用研究，參與了建設(shè)以聚合物電壓誘變材料為基礎(chǔ)的聚合物ESD抑制器的生產(chǎn)線的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)工作。并擔(dān)任年產(chǎn)能力為1000萬件的聚合物ESD抑制器制造部經(jīng)理達(dá)4年之久。其產(chǎn)品已被以Intel，Apple，IBM等國際著名公司為代表的電子工業(yè)廣泛采用。項目核心技術(shù)人員，在這一工作經(jīng)歷中積累了在運(yùn)用非線性導(dǎo)電聚合物開發(fā)來電路保護(hù)產(chǎn)品的豐富經(jīng)驗。由于熟悉聚合物電壓誘變納米材料研發(fā)的世界前沿動態(tài)，掌握世界先進(jìn)水平聚合物電壓誘變納米材料生產(chǎn)技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，經(jīng)多年研究，發(fā)明了開發(fā)新一代的電路保護(hù)技術(shù)-高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品，已在美國申請發(fā)明專利，并正在申請多項中國專利。目前，已完成了針對DIP封裝,BGA封裝集成電路芯片的產(chǎn)品設(shè)計,并研制出產(chǎn)品樣品。初步測試結(jié)果表明，安裝了研發(fā)的樣品的集成電路塊，其抗靜電能力大大提高。本項目計劃從美國引進(jìn)技術(shù)專家團(tuán)隊，到國內(nèi)創(chuàng)業(yè)，進(jìn)行高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品的設(shè)計，生產(chǎn)工藝，測試技術(shù)的開發(fā)，以最終實現(xiàn)技術(shù)產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)。4．實施項目的優(yōu)勢和風(fēng)險（1）人材優(yōu)勢本項目將從國外引進(jìn)技術(shù)管理人才，組成創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新團(tuán)隊，團(tuán)隊成員由曾在多家國際著名跨國公司擔(dān)任中高級職務(wù)的多學(xué)科工程技術(shù)專家、經(jīng)營管理專家組成。其專業(yè)涵蓋高分子材料、聚合物工程、固體物理、電器工程、機(jī)械工程和計算機(jī)等領(lǐng)域。其主要成員的背景簡介如下。蔡峰現(xiàn)任PolymartInternational,LLC總裁、將出任本項目專家團(tuán)隊負(fù)責(zé)人。理學(xué)工學(xué)雙碩士（聚合物科學(xué)，聚合物工程專業(yè)）及工商管理碩士（項目管理專業(yè)），畢業(yè)于北京化工學(xué)院和世界著名的高分子學(xué)府-美國UniversityofAkron。曾就職于華中科技大學(xué)及多家財富500公司（Alcoa，3M）。歷任大學(xué)講師，資深化學(xué)家，高級工程師、資深科學(xué)家，項目經(jīng)理，制造部門經(jīng)理等職位。擅長于項目管理、營運(yùn)管理、新產(chǎn)品開發(fā)。作為項目的主要技術(shù)負(fù)責(zé)人，蔡峰先生在新型導(dǎo)電聚合物材料研究及其應(yīng)用方面的開發(fā)及管理方面取得了豐碩的成果。其成果獲得美國專利(USPatentNo.5，814，264)，歐洲專利(EPO0892980)。曾參與過國際電路保護(hù)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)的非線性導(dǎo)電聚合物在電路保護(hù)中的應(yīng)用研究，參與了年產(chǎn)能力為6000萬件PTC自復(fù)電路保護(hù)器和1000萬件聚合物ESD抑制器的生產(chǎn)線的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)工作。項目建成后,負(fù)責(zé)管理聚合物自復(fù)式電路保護(hù)器及聚合物ESD抑制器的工業(yè)化生產(chǎn)。積累了開展這項研究所需的大量實際研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。作為材料技術(shù)專家，蔡峰先生開發(fā)的高分子熱塑性彈性合金，工程高分子合金,用于汽車、電纜、辦公家具、電器電子、醫(yī)用、制鞋、食品包裝。用戶包括：GM，F(xiàn)ord，Chrysler三大汽車公司，Johnson-Johnson,NationalCan，CokeCole,Pepsi等國際著名公司。蔡峰先生還活躍于專業(yè)學(xué)術(shù)界，是美國化學(xué)會,國際聚合物加工學(xué)會會員，美國塑料工程師協(xié)會高級會員，國際工程項目管理學(xué)會會員。在國際學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表過多篇學(xué)術(shù)論文。并被美國《EI》(《工程索引》)和《CA》（《化學(xué)文摘》）檢索。榮獲湖北省優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文獎，美國發(fā)明專利獎。白燕美國賴特州立大學(xué)電機(jī)工程碩士，美國普渡大學(xué)EMBA,曾任教于華中科技大學(xué)無線電工程系。就職于多家著名的財富500公司。歷任Zybron公司任國防項目工程師，通用汽車公司（GM）電子部門系統(tǒng)工程師，美國康明斯（Cummins）公司柴油汽車發(fā)動機(jī)控制系統(tǒng)的高級工程師，軟件專家工程師，項目主管，勞斯萊斯（Rolls-Royce）公司系統(tǒng)，硬件，和軟件高級計術(shù)顧問，卡特彼勒（Caterpillar）公司設(shè)計主管。擅長于項目管理、營運(yùn)管理、新產(chǎn)品開發(fā)。作為項目的主要技術(shù)項目管理者，積累了管理多學(xué)科高科技項目研究所需的大量實際研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。曾參與汽車，重型柴油車發(fā)動機(jī)控制系統(tǒng)，軟件設(shè)計，并領(lǐng)導(dǎo)和管理了的車載自動診斷系統(tǒng)項目和GPS控制工程機(jī)械的定位與導(dǎo)航項目。白女士在電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計及其應(yīng)用方面的開發(fā)及管理方面取得了豐碩的成果。其成果獲得美國專利。2000被美國科學(xué)研究基金評為本年度最優(yōu)秀項目之一，授獎于白宮。除了技術(shù)管理方面的成就外，白女士還是一個積極的社會活動家，曾任碧城ToastmasterInternationalClub79俱樂部會員和教育副總裁，美國IEEE會員，美國網(wǎng)球協(xié)會會員，美國印州哥侖布市華人協(xié)會財務(wù)理事，海外華中科技大學(xué)校友會理事。張書華博士，畢業(yè)于清華大學(xué)工程物理專業(yè)。美國UniversityofOklahoma固體物理學(xué)專業(yè)，哲學(xué)博士(Ph.D)。張博士擅長電器結(jié)構(gòu)的有限元分析，統(tǒng)計實驗設(shè)計等現(xiàn)代工程設(shè)計工具。具有深厚的理論功底和豐富的電子元器件制造的實踐經(jīng)驗。曾在大型國企北京油泵油嘴廠擔(dān)任技術(shù)員，車間主任、技術(shù)科長等職務(wù)。主持過多項國家重點內(nèi)燃機(jī)技改項目。先后有兩種產(chǎn)品獲機(jī)電部優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品獎。赴美留學(xué)后，在半導(dǎo)體材料、元器件制造方面做了大量的研究工作，在國際上發(fā)表了多篇學(xué)術(shù)論文。張博士先后受聘于AdvancedDisplaySystems；Inc.,LittelfuseInc.；AmericancompetitiveInstitute等多家跨國公司和科研機(jī)構(gòu)，長期擔(dān)任高級工程師，高級科學(xué)家等職位，從事集成電路，電路保護(hù)元器件制造，光刻技術(shù)，半導(dǎo)體材料方面的研發(fā)工作。曾主持了多項IC，表貼式電路熔斷器的新產(chǎn)品設(shè)計，領(lǐng)導(dǎo)了投資上千萬美元的電路板生產(chǎn)線的設(shè)計和安裝項目。張博士在美工作期間還承擔(dān)了多項國防部，能源部的研究項目。雷華敏現(xiàn)任PolymartInternational，LLC高級工程師，本項目專利技術(shù)發(fā)明人，兼任美國愛默生公司（Emerson）工程技術(shù)顧問。雷女士畢業(yè)于華中理工大學(xué)自動控制系。擅長于電器產(chǎn)品的設(shè)計，CAD/CAM，產(chǎn)品應(yīng)用及市場營銷。出國前，任武漢汽車標(biāo)準(zhǔn)件廠設(shè)備科工程師。出國后，曾任職于多家國際著名跨國公司，美國電報電話公司（AT&T）,美國PowerConversionProduct,挪威ELTEKEnergy，美國鋁業(yè)（Alcoa）,美國愛默生（Emerson）公司。歷任產(chǎn)品設(shè)計師，產(chǎn)品工程師，，工程技術(shù)顧問，產(chǎn)品應(yīng)用工程師。負(fù)責(zé)程序電話交換機(jī)電路設(shè)計，遠(yuǎn)程通訊電源交換柜設(shè)計，微型電機(jī)設(shè)計。所設(shè)計的新型微型電機(jī)已申請美國發(fā)明專利。所設(shè)計“拼裝復(fù)合地板”，“組合藝術(shù)護(hù)攔”已獲國家專利?！癐nterlockingtilewithwoodgrainytopsurface”已申請美國設(shè)計專利。張雄博士，畢業(yè)于華中理工大學(xué)，工學(xué)博士。師從中科院院士周濟(jì)?，F(xiàn)就職于美國微軟(Microsoft)，高級設(shè)計師。張博士，曾就職于華中科技大學(xué)，美國TheUniversityofIowa，加拿大McMasterUniversity及多家跨國公司。歷任博士后研究員，大學(xué)講師，高級工程師，項目經(jīng)理，研發(fā)部技術(shù)主監(jiān)等職位。具有多年在高技術(shù)公司的技術(shù)部門領(lǐng)導(dǎo)經(jīng)驗，主管系統(tǒng)設(shè)計、技術(shù)規(guī)劃和產(chǎn)品開發(fā)。擅長于工程優(yōu)化設(shè)計，運(yùn)籌規(guī)劃管理。出國前，承擔(dān)國家機(jī)械工業(yè)部八五攻關(guān)項目，國家八六三高科技攻關(guān)項目設(shè)計和開發(fā)大規(guī)模工程優(yōu)化理論，算法的研究工作。出國后，承擔(dān)美國國家科學(xué)基金項目，領(lǐng)導(dǎo)四名研究生研究，設(shè)計和開發(fā)大規(guī)模優(yōu)化理論。承擔(dān)加拿大國防部攻關(guān)項目，領(lǐng)導(dǎo)三名研究生。研究設(shè)計，開發(fā)和完成飛行目標(biāo)跟蹤系統(tǒng),信號過濾和數(shù)據(jù)篩選；軌跡擬合與目標(biāo)呈象優(yōu)化。作為高級項目經(jīng)理，負(fù)責(zé)制訂技術(shù)研發(fā)計劃和預(yù)算；負(fù)責(zé)前瞻技術(shù)研究，開發(fā)和攻關(guān)；主管產(chǎn)品和系統(tǒng)技術(shù)規(guī)劃，更新以及可行性評估。（2）廣泛的國際合作優(yōu)勢本項目核心技術(shù)人員與國內(nèi)外一些重點高校和科研單位，如UniversityofAkron、PurdueUniversity、北京化工大學(xué)等建立了廣泛的聯(lián)系,保持良好的合作關(guān)系。世界著名高分子工程專家JamesWhite教授，A.V.Isayev教授是蔡峰先生在Akron大學(xué)的導(dǎo)師，他們對我們的研究工作給于了具體的指導(dǎo)和大力支持。我們還與一批國際上知名導(dǎo)電高分子的專家，如Dr.ChrisRauwendaal，Dr.LotharW.Kleiner，Dr.TomHall，Dr.AndrewThomlinson等保持著良好的私人關(guān)系（同事或同學(xué)），有利于及時掌握世界前沿研發(fā)動態(tài)，在聚合物電壓誘變材料及其應(yīng)用產(chǎn)品方面的研發(fā)與世界前沿同步。（3）風(fēng)險分析1）技術(shù)風(fēng)險：該項目技術(shù)核心是利用聚合物電壓誘變納米材料的非線性導(dǎo)電機(jī)理，來進(jìn)行電路保護(hù)。聚合物電壓誘變材料已成功應(yīng)用于聚合物ESD抑制器，現(xiàn)已為電子行業(yè)普遍采用。聚合物電壓誘變材料獨特的抗ESD的功能已得到市場的檢驗。本項目將通過納米技術(shù)對現(xiàn)有的聚合物電壓誘變材料改性，進(jìn)一步提升材料的電切換精準(zhǔn)度。項目從國外引進(jìn)的技術(shù)團(tuán)隊，是由聚合物電壓誘變材料，集成電路封裝產(chǎn)品設(shè)計，加工工藝，電性能測試方面的專家組成。對項目的技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)有著產(chǎn)業(yè)化的豐富經(jīng)驗。而且，原材料來源，專用設(shè)備均可在市場上獲得。因此，該項目實施的技術(shù)風(fēng)險很小。2）市場風(fēng)險：鑒于目前國際集成電路工業(yè)的發(fā)展趨勢和面臨的問題，高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品無疑有著巨大的市場需求。但作為一種全新產(chǎn)品，其風(fēng)險性也不應(yīng)忽視。作為全新的集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品，需要盡快地讓集成電路封裝業(yè)全面了解高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用特點和優(yōu)越性。目前國際上該類產(chǎn)品都處于研發(fā)試用階段，尚無廠家的產(chǎn)品投產(chǎn)上市。因此，本項目成果在集成電路封裝市場的應(yīng)用推廣時機(jī)和推廣速度能否與公司長遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略相一致。公司能否成功的進(jìn)行后續(xù)融資，使項目的成果能迅速市場化。都存在著一些不定因素。但是，由于高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品具有傳統(tǒng)產(chǎn)品無法替代的性能優(yōu)勢，該類產(chǎn)品將會被集成電路的制造商接受。但市場的培育需要時間和資金有可能超出項目計劃的預(yù)期。5．項目的計劃目標(biāo)（1）公司總體發(fā)展目標(biāo)建成世界一流的導(dǎo)電高分子材料及制品產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。以導(dǎo)電高分子為核心技術(shù)平臺，以高分子電路保護(hù)元器件為核心產(chǎn)品。建設(shè)以非線性導(dǎo)電高分子材料為基礎(chǔ)的電路保護(hù)元器件生產(chǎn)營銷體系，其中包括以聚合物電壓誘變材料為基礎(chǔ)的ESD抑制器，以聚合物正溫度系數(shù)(PTC)材料為基礎(chǔ)的片式自復(fù)式過電流保護(hù)器。本項目開發(fā)的高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品，作為公司核心戰(zhàn)略項目，為占領(lǐng)聚合物電路保護(hù)領(lǐng)域的高地打下堅實的基礎(chǔ)，對實現(xiàn)公司總體發(fā)展目標(biāo)具有至關(guān)重要的意義。公司將堅持走研究→開發(fā)→市場之路。跟蹤國際國內(nèi)最新高分子技術(shù)發(fā)展動態(tài)，不斷開發(fā)出中國市場所需的新型導(dǎo)電高分子材料及制品，并通過建立營銷網(wǎng)絡(luò)、與國外企業(yè)聯(lián)營等方式將產(chǎn)品推向國際市場。我們的終極發(fā)展目標(biāo)是產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化、國際化。本項目總投資2.1億元人民幣，建成以國際先進(jìn)設(shè)備為主體的聚合物電壓誘變納米材料研究室和生產(chǎn)線，高抗靜電集成電路封裝技術(shù)研究室，非線性電性能檢測中心，高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計中心，開發(fā)出系列具有高抗ESD性能的集成電路封裝產(chǎn)品。在一年內(nèi)建立完整的知識產(chǎn)權(quán)體系。二年內(nèi)建成年生產(chǎn)能力為2億件的高抗靜電集成電路封裝系列產(chǎn)品生產(chǎn)基地，研發(fā)中心及銷售體系，以滿足國際市場的需求。銷售額達(dá)3億人民幣。企業(yè)資產(chǎn)價值將達(dá)4億元人民幣（包括無形資產(chǎn)）。四年內(nèi)建成年生產(chǎn)能力為10億件的高抗靜電集成電路封裝系列產(chǎn)品生產(chǎn)基地，企業(yè)資產(chǎn)價值將達(dá)8億元人民幣（包括無形資產(chǎn)），累積銷售額達(dá)20億人民幣。5年后，爭取在Nasdac上市。（2）項目階段目標(biāo)第一階段：聚合物電壓誘變納米材料的實驗室制備及性能評估（3-6個月）利用本地資源，篩選出適合于制造高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的聚合物電壓誘變納米材料配方。對聚合物電壓誘變納米材料的流變性能，觸變性能進(jìn)行系統(tǒng)的研究，為應(yīng)用加工條件的優(yōu)化提供基本數(shù)據(jù)。測量聚合物電壓誘變納米材料的電性能行為(如介電性能，常態(tài)導(dǎo)電率，通路導(dǎo)電率，臨界電壓等)以及各種電場(靜電放電，電性快速暫態(tài)，閃電，雷擊等)對這些電性能的影響。第二階段：高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的設(shè)計及樣品制作（4-7個月）針對集成電路芯片的各種封裝形式，設(shè)計相應(yīng)的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品。申請中國和國際專利。并在實驗室里制造出樣品，供性能測試和客戶評估。第三階段：產(chǎn)品的市場推廣和客戶試用（3-6個月）通過各種渠道向集成電路制造推廣項目的技術(shù)產(chǎn)品的優(yōu)越性。提供樣品給潛在客戶試用。第四階段：產(chǎn)品的性能測試和定型（2個月）建立ESD特性研究測試能力，建立實驗室，測試方法，測試設(shè)備。測試實驗室產(chǎn)品樣品的使用性能，并送客戶試用，根據(jù)客戶反饋，進(jìn)行設(shè)計改進(jìn)，最后，產(chǎn)品設(shè)計定型。第五階段：建立產(chǎn)品的批量生產(chǎn)能力（6-9個月）根據(jù)市場需要，按定型的產(chǎn)品設(shè)計，研究和制定產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程，采購和安裝生產(chǎn)設(shè)備，優(yōu)化工藝參數(shù)。建立產(chǎn)品的質(zhì)量控制體系。第五階段：市場銷售及擴(kuò)展銷售高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品,擴(kuò)大市場份額。（3）質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（1）執(zhí)行期間將根據(jù)IEC61000－4－2、GB/T17626－1998、ASTM－D1084、GB5729－85、GB2693－85、SJ2885－88等標(biāo)準(zhǔn)，制定聚合物電壓誘變納米材料和高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。（2）執(zhí)行通過國際質(zhì)量體系ISO9001的認(rèn)證。二．項目的技術(shù)可行性和成熟性分析1.技術(shù)基本原理(2)聚合物電壓誘變納米材料高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品以聚合物電壓誘變材料為核心制成。聚合物電壓誘變材料是根據(jù)量子力學(xué)隧道原理設(shè)計，由經(jīng)特殊配方及工藝制成的聚合物新材料。其如圖1所示在復(fù)合型導(dǎo)電聚合物材料中，電流的傳導(dǎo)有兩種形式，其一是“歐姆”機(jī)理，即在導(dǎo)電填料內(nèi)部的電子流動。這將產(chǎn)生線性的電壓－電流關(guān)系。另一形式為“量子化”機(jī)理，即以電子跳躍，隧道穿透的方式在導(dǎo)電粒子間的聚合物中傳導(dǎo)，這種傳導(dǎo)將產(chǎn)生非線性的電壓－電流關(guān)系。在極端的情形下，即當(dāng)聚合物復(fù)合材料的形態(tài)結(jié)構(gòu)達(dá)到某種特殊的形態(tài)時，量子化的電傳導(dǎo)機(jī)理占據(jù)主要地位，電壓與電阻系數(shù)的關(guān)系為非線性關(guān)系，如圖2所示。由此可見，聚合物電壓誘變材料在低于臨界轉(zhuǎn)變電壓時,材料處于高電阻態(tài),是電絕緣體。而當(dāng)一聚合物樹脂導(dǎo)體聚合物樹脂導(dǎo)體納米半導(dǎo)體及填料納米半導(dǎo)體及填料圖1聚合物電壓誘變納米材料形態(tài)結(jié)構(gòu)圖2聚合物電壓誘變材料的電阻系數(shù)——電壓關(guān)系示意圖個高于臨界轉(zhuǎn)變電壓的瞬間電壓加在材料兩端時,材料的電阻率急劇降低，變成電導(dǎo)體。然而，當(dāng)瞬間高電壓脈沖過后，材料的電阻率有回到高阻態(tài)，又變成為電絕緣體。此現(xiàn)象可多次反復(fù)循環(huán)。因此，利用聚合物電壓誘變材料的這種非線性導(dǎo)電特性?？梢栽O(shè)計出新型的產(chǎn)品來保護(hù)IC元件免受ESD襲擊。聚合物電壓誘變材料的臨界轉(zhuǎn)變電壓與材料內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和制造技術(shù)有密切關(guān)系。納米技術(shù)運(yùn)用于此類非線性導(dǎo)電高分子材料，可以提高其電壓誘變的靈敏度，穩(wěn)定度和對信號的保真度等關(guān)鍵的電學(xué)特性。2.關(guān)鍵技術(shù)內(nèi)容（1）聚合物電壓誘變納米材料的配方設(shè)計聚合物電壓誘變納米材料的性能取決于其結(jié)構(gòu)，而配方設(shè)計是實現(xiàn)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與專利文獻(xiàn)中報道的包附粒子和熱固性聚合物體系不同，本項目采用了多種無機(jī)物粒子按粒徑分級、經(jīng)表面處理后，與導(dǎo)電填料，半導(dǎo)體粒子和熱塑性彈性體在高剪切場中復(fù)合而形成相互交替的貫穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)形態(tài)，在導(dǎo)電粒子間形成狹小間隙，從而為電子的“量子力學(xué)隧道”效應(yīng)創(chuàng)造條件，實現(xiàn)材料的非線性導(dǎo)電性。本項目在配方設(shè)計過程中，采用了正交統(tǒng)計實驗的優(yōu)化技術(shù)，對提高配方效率，減少實驗次數(shù)起了至關(guān)重要的作用。（2）聚合物電壓誘變納米材料的形態(tài)結(jié)構(gòu)的納米技術(shù)為實現(xiàn)和控制所設(shè)計的結(jié)構(gòu)，材料制備技術(shù)極其重要。專利文獻(xiàn)報道的聚合物電壓誘變材料制備技術(shù)都是間歇混煉法。本項目則主要采用的連續(xù)混煉技術(shù)，紊亂混煉技術(shù)。對混煉元件的組合設(shè)計優(yōu)化、精確在線加料等技術(shù)進(jìn)行了大量的研究。此外，篩分技術(shù)，表面處理技術(shù)、局部交聯(lián)技術(shù)也用來確保所設(shè)計的形態(tài)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和可重復(fù)性。（3）聚合物電壓誘變納米材料的結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的建立對聚合物電壓誘變納米材料的結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的了解，可為發(fā)展聚合物電壓誘變材料應(yīng)用提供堅實的實驗依據(jù)。本項目采用現(xiàn)代顯微技術(shù)(電子顯微鏡、原子能顯微鏡等)來表征導(dǎo)電聚合物材料的形態(tài)結(jié)構(gòu)；由于聚合物電壓誘變材料的反應(yīng)時間極短，專門的電磁干撓測量技術(shù)被用來測量材料的非線性導(dǎo)電性。由此來建立聚合物電壓誘變材料的形態(tài)結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系。（4）聚合物電壓誘變納米材料加工性能的優(yōu)化聚合物電壓誘變納米材料的流變性能會直接影響在制備各種的電路保護(hù)產(chǎn)品時的加工性能和產(chǎn)品的質(zhì)量。本項目通過化學(xué)改性技術(shù)(表面改性，接支改性等)，配方技術(shù)(原料規(guī)格、配比、粒徑大小及分布等)來調(diào)控導(dǎo)電聚合物材料的流變、觸變、粘附等加工特性。并采用旋轉(zhuǎn)流變儀、毛細(xì)管流變儀等現(xiàn)代流變技術(shù)對導(dǎo)電聚合物材料加工性能優(yōu)化。（5）聚合物電壓誘變納米材料在集成電路封裝模架上的植入技術(shù)高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的基本創(chuàng)新點就在于將聚合物電壓誘變納米材料植入到封裝模架的電路之中。因此，根據(jù)集成電路的各類封裝型式，所開發(fā)的植入技術(shù)是本項目的關(guān)鍵技術(shù)。3.項目的技術(shù)創(chuàng)新點及先進(jìn)性（1）新穎的非線性導(dǎo)電高分子材料-聚合物電壓誘變納米材料據(jù)權(quán)威機(jī)關(guān)文獻(xiàn)檢索表明，國內(nèi)外尚未見聚合物電壓誘變納米材料的研究開發(fā)報告。本項目率先在國內(nèi)根據(jù)電子傳導(dǎo)的“量子力學(xué)隧道”原理，開發(fā)了新型的導(dǎo)電高分子材料－聚合物電壓誘變納米材料。具有獨特的非線性導(dǎo)電性。在電壓場誘導(dǎo)下實現(xiàn)電子以跳躍，隧道穿透的方式在材料基體中傳導(dǎo)，使得材料的導(dǎo)電性能在臨界電壓下會產(chǎn)生突變，從而賦予聚合物電壓誘變材料特殊的非線性導(dǎo)電性?？梢蕴岣咂潆妷赫T變的靈敏度，穩(wěn)定度和對信號的保真度等關(guān)鍵的電學(xué)特性。傳統(tǒng)的過電壓保護(hù)產(chǎn)品（如可變電阻和齊納二極管，TVS等）是由金屬氧化物材料或半導(dǎo)體硅材料制成。由于這些材料介電性能，加工性能的局限性，使之都具有很高的電容值，在高頻電路中會引起數(shù)字信號的失真。因此，無法用于高頻電路的保護(hù)。本項目率先在國內(nèi)利用聚合物電壓誘變材料的非線性導(dǎo)電特性，研制了保護(hù)電路免于過載電壓的損傷或靜電放電損失的產(chǎn)品。充分地利用了聚合物易成型加工、介電常數(shù)低的特性，聚合物ESD抑制器在作用機(jī)理，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，電學(xué)特性等方面都有創(chuàng)新。與傳統(tǒng)的過電壓保護(hù)產(chǎn)品相比，由聚合物電壓誘變材料制成的ESD抑制器體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，具有極低電容、低漏電流、快速響應(yīng)時間等特性。其中，最突出的特性是具有極低的電容值，比由陶瓷材料制成的多層可變電阻ESD抑制器的電容低1000－10000倍，比由半導(dǎo)體材料制成的二極管型ESD抑制器的電容低80－200倍。從而可大大地提高高速數(shù)字電路信號傳輸?shù)谋Ｕ娑取Ｍㄟ^對不同材料技術(shù)制成的ESD抑制器的測試，圖3描述了它們在信號保真度方面的對比。由圖可見，多層可變電阻的660pF電容造成了相當(dāng)大的失真，以致于波形甚至無法達(dá)到信號工作電壓。即便是TVS10pF的電容值也足以引起巨大的波形失真。它減少了電平保持時間并使前沿和后沿的形狀大為改變。而采用電容值為0.05pF的聚合物ESD抑制器時，數(shù)據(jù)波形通過時沒有失真。圖3各種ESD抑制器在信號保真度方面的對比圖（2）新型的集成電路保護(hù)技術(shù)和產(chǎn)品本項目開發(fā)的高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品，即，在IC芯片的封裝電路中植入由聚合物電壓誘變納米材料組成的保護(hù)電路?？蓪⒓呻娐吩目笶SD能力提高6倍以上，使集成電路元件可直接抵抗各種人體ESD(HBM),機(jī)器ESD(MM)的危害。可減少芯片安裝處理過程中遭受ESD損壞率。本項目技術(shù)還對集成電路塊的所有I/O線路進(jìn)行了保護(hù)。不需在電路板（PCB）上安裝分體的ESD抑制器元件來保護(hù)集成電路塊的安全，大大地減少了電路中被動元件的使用數(shù)量。有助于設(shè)計人員縮減印刷電路板（PCB）空間,為電子產(chǎn)品微型化提供新的契機(jī)。同時，被動元件的使用數(shù)量使用數(shù)量的減少，可大大節(jié)省庫存，安裝等制造成本，降低系統(tǒng)總成本。因此這一技術(shù)的開發(fā)，將為整個電路保護(hù)工業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。4.項目的知識產(chǎn)權(quán)本項目團(tuán)隊成員在非線性導(dǎo)電高分子材料的應(yīng)用方面有著豐富的經(jīng)驗，在非線性導(dǎo)電高分子材料電路保護(hù)應(yīng)用領(lǐng)域，已獲得兩項國家專利。本項目為PolymartInternational,LLC獨立開發(fā)的創(chuàng)新技術(shù)，關(guān)于高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品和技術(shù)的專利已申請美國發(fā)明專利。國內(nèi)目前尚無相關(guān)文獻(xiàn)、專利和研究開發(fā)活動的報導(dǎo)。在材料配方及其制造工藝上作了重大的創(chuàng)新，與國外相關(guān)專利有著十分明顯的差異，目前正在申請國家專利，具有完全自主的知識產(chǎn)權(quán)。三．市場預(yù)測半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)包括芯片設(shè)計業(yè)、芯片制造業(yè)、電路封裝業(yè)、支撐業(yè)和服務(wù)業(yè)。封裝測試業(yè)是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主體，前幾年其銷售收入一直占產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模的70%以上。據(jù)Isuppli提供的數(shù)據(jù)，世界IC產(chǎn)業(yè)經(jīng)過2001年的下跌30%之后，2004年的增長率恢復(fù)到17%，2005年—2010年預(yù)計平均年增長12.5%。2005年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模為2357億美元，到2010年將達(dá)到4247億美元。2010年，世界集成電路芯片的產(chǎn)量達(dá)3800億塊。2005-2008年，我國半導(dǎo)體集成電路行業(yè)持續(xù)穩(wěn)態(tài)發(fā)展，產(chǎn)量由2005年的265.78億塊增至2008年的417.15萬塊，年平均產(chǎn)量增速為16.21%。其中，大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路近4年也以17.41%的年平均水平快速增長，截止2008年大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路共生產(chǎn)163.31億塊，占到半導(dǎo)體集成電路總生產(chǎn)量的39.15%。到2009,年我國已有65條至70條芯片生產(chǎn)線.我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)量達(dá)到700億塊，滿足國內(nèi)30%的市場需求。實現(xiàn)銷售收入約3000億元，2011年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入將突破3000億元，達(dá)到3415.44億元。表1集成電路行業(yè)的發(fā)展趨勢年份200020012003200420052011世界IC銷售(億美元)208214571784208823574247增長31.60%-30%13.90%17%12.90%12.50%中國IC市場規(guī)模(億元)97512601638213026458072增長78%29.20%30%30%30%25-30%中國/世界6%10.50%11.10%12.30%13.60%22.90%中國集成電路產(chǎn)量(億元)1831913985237063415增長120%4.30%108%31.40%35%33.10%未來5年，雖然中國集成電路市場發(fā)展速度將逐漸減緩，但其發(fā)展速度仍將高于全球市場，預(yù)計2011-2015年中國集成電路市場的復(fù)合增長率在5%左右，超過世界的年均增長率。2011年，中國集成電路市場規(guī)模將突破萬億元大關(guān)，達(dá)到10954億元，約占世界集成電路市場份額的10%，國外媒體報道，到2012年，中國將成為僅次于美國的全球第二大半導(dǎo)體市場。2009年我國IC設(shè)計業(yè)、芯片制造業(yè)、封裝與測試業(yè)的銷售額分別為690億元、870億元、1440億元，分別占全年總銷售額的23%、29%、48%。集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到優(yōu)化，形成基本合理的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。芯片制造業(yè)的大生產(chǎn)技術(shù)達(dá)到12英寸，12英寸部分關(guān)鍵技術(shù)裝備、材料取得突破并進(jìn)入生產(chǎn)線應(yīng)用。90～65nm;封裝測試業(yè)進(jìn)入國際主流領(lǐng)域，實現(xiàn)系統(tǒng)封裝(SiP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等新型封裝形式的規(guī)模生產(chǎn)能力。近幾年來，一方面擁有著成熟的技術(shù)與經(jīng)營策略經(jīng)驗的世界半導(dǎo)體封裝測試廠近年來不斷向內(nèi)地轉(zhuǎn)移，另一方面內(nèi)地的封裝測試業(yè)上游IC設(shè)計、制造公司同步發(fā)展，芯片廠8英寸、12英寸生產(chǎn)線的不斷擴(kuò)建，內(nèi)外因素的雙重影響都給內(nèi)地封裝測試業(yè)帶來了很好的發(fā)展機(jī)遇。2007年我國集成電路總產(chǎn)量占世界集成電路市場的7.54%。其中集成電路封裝測試業(yè)增長最快，增長26.4%；份額最大，占全行業(yè)銷售額的50.2%。未來國內(nèi)半導(dǎo)體封裝業(yè)仍將保持穩(wěn)定快速發(fā)展的勢頭，預(yù)計到2011年，國內(nèi)集成電路封裝量規(guī)模將達(dá)到718.64億塊，其5年間的年均復(fù)合增長率將達(dá)到26.8%。隨著Freescale、Intel、ST、Renesas、Spansion、Infineon、Sansumg、Fairchild、NS等眾多國際大型半導(dǎo)體企業(yè)來華建立封裝測試基地，國內(nèi)封裝測試行業(yè)的產(chǎn)量和銷售額大幅增長，目前國內(nèi)具有一定規(guī)模的集成電路封裝測試企業(yè)已超過70家，其中年封裝量超過10億塊的企業(yè)超過20家。2008年國內(nèi)集成電路總封裝能力超過500億塊。到2008年其銷售收入規(guī)模達(dá)到618.91億元。目前，全球引線框架形式的封裝占全部集成電路封裝的80%，盡管非引線框架形式的封裝今后將急速發(fā)展，但預(yù)計今后引線框架形式的封裝將長期維持現(xiàn)有數(shù)量。SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)表明,2008年全球引線框架市場規(guī)模為30億美元。隨著我們的世界進(jìn)入到信息時代，電子產(chǎn)品的總趨勢是小型化與多功能化發(fā)展潮流，新型元器件呈現(xiàn)微型化、復(fù)合化、高頻化、高性能化等趨勢。因此，對高速IC芯片進(jìn)行直接ESD保護(hù)技術(shù)的需求日益劇增，而傳統(tǒng)的陶瓷，半導(dǎo)體硅材料為基礎(chǔ)的技術(shù)已不適合，本項目開發(fā)的非線性導(dǎo)電聚合物材料因其高敏性，低電容，易加工性，使得直接對IC元件的ESD保護(hù)的需求得以滿足。由于95％的集成電路芯片都需要靜電放電保護(hù)。因此，高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用市場需求巨大，前景無限。初步保守地估計，其潛在的市場價值高達(dá)50-70億元。而給整個電子工業(yè)所帶來的經(jīng)濟(jì)效益和巨大的社會效益，包括芯片損毀率降低，減少ESD防護(hù)設(shè)備，節(jié)省ESD抑制器的安裝，儲存費用，節(jié)省PCB板面等，可超過550億。項目的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化可以形成新一代的集成電路保護(hù)產(chǎn)業(yè)。其市場規(guī)模可望超過450億人民幣。市場市場總規(guī)模

（億片）高抗靜電ＩＣ封裝塊市場份額（%）高抗靜電ＩＣ封裝塊市場規(guī)模（億片）高抗靜電ＩＣ封裝塊市場規(guī)模（億元）世界IC銷售38005%181453中國ＩＣ產(chǎn)量7185%3485國內(nèi)ＩＣ封裝量5005%2460四、項目實施方案項目實施計劃任務(wù)工期開始結(jié)束第一階段聚合物電壓誘變納米材料的實驗室制備及性能評估140days10/1/20104/14/2011公司辦公及實驗室建設(shè)3mons10/1/201012/23/2010聚合物電壓誘變納米材料配方原料采購2mons10/1/201011/25/2010聚合物電壓誘變納米材料的原料篩選，1mon12/24/20101/20/2011聚合物電壓誘變材料的制造工藝優(yōu)化1mon1/21/20112/17/2011聚合物電壓誘變材料的性能表征1mon2/18/20113/17/2011申報材料及生產(chǎn)工藝發(fā)明專利1mon3/18/20114/14/2011第二階段高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的設(shè)計及樣品制作330days4/15/20117/19/2012聯(lián)系潛在目標(biāo)客戶，選定應(yīng)用產(chǎn)品2mons4/15/20116/9/2011高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的優(yōu)化設(shè)計15days6/10/20116/30/2011申報產(chǎn)品專利1mon7/1/20117/28/2011原材料及部件采購2mons7/1/20118/25/2011采購IC封裝實驗設(shè)備2mons7/1/20118/25/2011高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的樣品制作2mons8/26/201110/20/2011高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品制造工藝設(shè)計15days10/21/201111/10/2011樣品品的電性能測試1mon11/11/201112/8/2011產(chǎn)品設(shè)計改進(jìn)2mons12/9/20112/2/2012行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)論證6mons2/3/20127/19/2012第三階段產(chǎn)品的客戶試用和定型96days?12/9/20114/20/2012提供實驗室樣品供目標(biāo)客戶評估15days12/9/201112/29/2011通過聚合物ESD抑制器用戶報告2mons12/30/20112/23/2012根據(jù)用戶報告進(jìn)行產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計2mons2/24/20124/19/2012產(chǎn)品定型1day?4/20/20124/20/2012第四階段：建立產(chǎn)品的批量生產(chǎn)能力290days4/15/20115/24/2012采購及安裝聚合物誘變納米材料生產(chǎn)設(shè)備2mons4/15/20116/9/2011聚合物誘變納米材料試生產(chǎn)15days6/10/20116/30/2011采購及安裝高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備5mons11/11/20113/29/2012建立外協(xié)加工體系5mons11/11/20113/29/2012高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品試生產(chǎn)1mon3/30/20124/26/2012建立生產(chǎn)管理體系1mon4/27/20125/24/2012建立質(zhì)量管理體系15days4/27/20125/17/2012第五階段：市場銷售及擴(kuò)展120days7/20/20121/3/2013建立銷售網(wǎng)3mons7/20/201210/11/2012批量生產(chǎn)3mons10/12/20121/3/2013產(chǎn)品銷售0days1/3/20131/3/20131．技術(shù)方案（1）開發(fā)聚合物電壓誘變納米材料-ESD保護(hù)核心技術(shù)采用電子傳導(dǎo)的量子力學(xué)隧道理論，群子統(tǒng)計理論，研究材料內(nèi)部各種填料粒子的堆砌形態(tài)，顆粒大小及分布,聚合物材料物理性能，化學(xué)性能對非線性導(dǎo)電機(jī)理的影響最后，建立聚合物電壓誘變納米材料形態(tài)結(jié)構(gòu)與電性能之間的關(guān)系，用有限元分析的方法建立描述此類聚合物材料非線性導(dǎo)電行為的理論模型。通過對材料內(nèi)部各種填料粒子的堆砌形態(tài)，顆粒大小及分布,表面特性的設(shè)計，采用各種制備工藝(如物理混煉，化學(xué)交聯(lián)，局部聚合，表面處理，篩分等)制備出結(jié)構(gòu)各異的聚合物電壓誘變納米材料。采用多種無機(jī)物粒子按粒徑分級、經(jīng)表面處理后，與導(dǎo)電填料，半導(dǎo)體粒子和熱塑性彈性體在高剪切場中復(fù)合而形成相互交替的貫穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)形態(tài)，在導(dǎo)電粒子間形成納米級的狹小間隙，從而為電子的“量子力學(xué)隧道”效應(yīng)創(chuàng)造條件，實現(xiàn)適合集成電路應(yīng)用所需要的非線性導(dǎo)電特性。篩選出適合于制造高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的聚合物電壓誘變納米材料配方。對聚合物電壓誘變納米材料的流變性能，觸變性能進(jìn)行系統(tǒng)的研究，為應(yīng)用加工條件的優(yōu)化提供基本數(shù)據(jù)。設(shè)計并建立一套實驗方法來測量聚合物電壓誘變納米材料的電性能行為(如介電性能，常態(tài)導(dǎo)電率，通路導(dǎo)電率，臨界電壓等)以及各種電場(靜電放電，電性快速暫態(tài)，閃電，雷擊等)對這些電性能的影響。（2）聚合物電壓誘變納米材料在集成電路封裝模架上的植入技術(shù)研究采用精密光刻，絲印，模壓，交聯(lián)固化等一系列物理化學(xué)技術(shù)，將聚合物電壓誘變納米材料植入集成電路封裝塊中。（3）設(shè)計具有超高抗ESD性能的新型集成電路封裝模架采用3DCAD設(shè)計，F(xiàn)EA分析模擬技術(shù)進(jìn)行產(chǎn)品的設(shè)計。采用FMEA對產(chǎn)品的各項性能進(jìn)行失效模式分析，以保證所設(shè)計產(chǎn)品的可靠性得以強(qiáng)調(diào)。采用QFD對用戶需求和現(xiàn)有能力進(jìn)行分析，以保證設(shè)計的可用性，可實現(xiàn)性。（4）研制超高抗ESD性能的新型集成電路封裝產(chǎn)品。在項目建立的產(chǎn)品實驗室或通過協(xié)作單位，根據(jù)目前IC封裝技術(shù)特點，系統(tǒng)地開發(fā)適合DIP雙列直插式封裝，QFP塑料方型扁平式封裝，PFP塑料扁平組件式封裝，PGA插針網(wǎng)格陣列封裝，BGA球柵陣列封裝工藝的產(chǎn)品系列樣品。（5）研究和建立高抗靜電集成電路封裝模架的性能測試方法和標(biāo)準(zhǔn)。開展對聚合物電壓誘變納米材料的導(dǎo)電機(jī)理、結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系的系統(tǒng)實驗研究和理論探索。目前將已開發(fā)的電壓誘變聚合物材料直接用于集成電路封裝，在電性能，加工性能等方面都存在很多挑戰(zhàn)，本項目將通過對材料結(jié)構(gòu)的設(shè)計，采用正交統(tǒng)計實驗技術(shù)和納米材料，來系統(tǒng)的開發(fā)具有各種性能特征的新型聚合物電壓誘變納米材料配方，以優(yōu)化聚合物電壓誘變納米材料的可加工性。進(jìn)一步地改進(jìn)已開發(fā)成功的電壓誘變聚合物材料的優(yōu)異特性，如，介電性能高，常態(tài)導(dǎo)電率高，通路導(dǎo)電率低，臨界電壓低，切變速度快等。根據(jù)實際應(yīng)用的要求，本項目研制的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品下列具有的典型技術(shù)指標(biāo)，見表2。表2技術(shù)高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品指標(biāo)產(chǎn)品特性技術(shù)指標(biāo)電容值0.07-0.2pF信號保真度對信號的保真度好，可用于運(yùn)行速度為3－5Gbps的通訊線路的ESD保護(hù)漏電流在正常工作狀態(tài)下，漏電流低于1.0nA切換時間小于1納秒工作電壓12V，24V箝位電壓100-200V雙向性在電壓誘導(dǎo)下，可雙向?qū)ㄑh(huán)脈沖壽命可承受ESD脈沖大于500次其技術(shù)性能特點如下：①低電容值本項目所研制的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品電容值低于0.07pF，對信號的保真度好，可用于運(yùn)行速度為3－5Gbps的通訊線路的ESD保護(hù)。②漏電流本項目所研制的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品在常態(tài)下具有很低的漏電流，因此，對線路數(shù)字信號的質(zhì)量干擾很小。對電路信號的透明性好。同時能延長電池的壽命。③快速反應(yīng)時間本項目所研制的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品具有極快的切換時間，比傳統(tǒng)的多層可變電阻ESD抑制器快2倍。因此，特別適合用于保護(hù)電子器件免遭由人體產(chǎn)生的ESD脈沖的破壞。④多次ESD保護(hù)所制成的的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品可承受多次ESD脈沖。因此可以長期為電路提供保護(hù)，不用更換。箝制電壓，啟動電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)的在經(jīng)受500次ESD脈沖后的變化不超過10％。⑤全線保護(hù)所研制的高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品可為集成電路芯片的所有引腳線路同時提供ESD保護(hù)。因此，可大大提高保護(hù)范圍，并節(jié)省電路板的占用空間。2.項目執(zhí)行方案（1）工作場所建設(shè)為達(dá)到本項目的總體目標(biāo)，項目團(tuán)隊需要建立下列基礎(chǔ)研究設(shè)施，以便開展材料研發(fā)，產(chǎn)品設(shè)計，及樣品制造工作，批量生產(chǎn)。需1年完成。非線性導(dǎo)電性能測試，ESD測試實驗室配套公用設(shè)施及生產(chǎn)設(shè)備。表3工作場地要求（一期）序號名稱用途面積（M2）1材料生產(chǎn)車間聚合物電壓誘變納米材料的生產(chǎn)10002產(chǎn)品設(shè)計室產(chǎn)品設(shè)計5003辦公室行政5004生產(chǎn)車間生產(chǎn)60005配套車間生產(chǎn)20006性能測試實驗室非線性導(dǎo)電性能測試，抗ESD測試等5007倉庫原料和產(chǎn)品15008其他10009合計12000(2)生產(chǎn)設(shè)備的采購及原材料的供應(yīng)所需的主要設(shè)備、原料將在國內(nèi)市場采購。少量關(guān)鍵設(shè)備、原料可能需要進(jìn)口。此項工作需3-6個月完成。所需的部分主體設(shè)備列入下表：表4主體設(shè)備一覽表名稱型號供應(yīng)渠道真空混合機(jī)SY-HM150國產(chǎn)或進(jìn)口絕緣封裝設(shè)備國產(chǎn)自動絲印機(jī)3244國產(chǎn)或進(jìn)口輥筒式壓片設(shè)備LZ－12S國產(chǎn)或進(jìn)口全熱風(fēng)回流焊機(jī)TR360國產(chǎn)電鍍設(shè)備國產(chǎn)數(shù)控鉆床國產(chǎn)或進(jìn)口方塊切割鋸J51120/ZF國產(chǎn)或進(jìn)口毛細(xì)管流變儀Instron國產(chǎn)混煉機(jī)HL-200國產(chǎn)或進(jìn)口液壓平板機(jī)GT-7014國產(chǎn)旋轉(zhuǎn)黏度計NDJ-79國產(chǎn)ESD脈沖器NS61000-2K國產(chǎn)兆歐表EST120國產(chǎn)存儲示波器TDS684B國產(chǎn)或進(jìn)口溫度沖擊試驗箱WDS國產(chǎn)高溫試驗箱WG國產(chǎn)金相顯微鏡國產(chǎn)或進(jìn)口表面電阻率測量儀LP2000國產(chǎn)或進(jìn)口電路板曝光設(shè)備SS－9A國產(chǎn)或進(jìn)口電路板刻蝕設(shè)備X－302國產(chǎn)ESD實驗臺ESDD國產(chǎn)雙螺桿擠出機(jī)SHJ-36國產(chǎn)表5生產(chǎn)原料一覽表名稱購買途徑聚合物樹脂國產(chǎn)或進(jìn)口玻纖填充環(huán)氧樹脂板FR4國產(chǎn)聚合物涂料國產(chǎn)或進(jìn)口化學(xué)添加劑國產(chǎn)或進(jìn)口化學(xué)反應(yīng)劑國產(chǎn)或進(jìn)口錫國產(chǎn)不銹鋼國產(chǎn)銅國產(chǎn)鎳國產(chǎn)導(dǎo)電陶瓷國產(chǎn)或進(jìn)口鈉米半導(dǎo)體材料國產(chǎn)或進(jìn)口無機(jī)填料國產(chǎn)表面活化劑國產(chǎn)或進(jìn)口塑料包封料國產(chǎn)或進(jìn)口3.市場推廣方案對集成電路封裝工業(yè)來說，高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品是一個全新的思路，本項目的目標(biāo)之一就是在行業(yè)內(nèi)推廣這一電路保護(hù)的新技術(shù)和由此衍生出來的一系列產(chǎn)品的應(yīng)用。本項目計劃采取以下促銷的方式和策略：1）鎖定目標(biāo)用戶－有針對性的開辟市場項目初期，研究在國內(nèi)的集成電路封裝工業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)的產(chǎn)品及工藝，向這些企業(yè)宣傳高抗靜電集成電路封裝技術(shù)及產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點，以及可為企業(yè)帶來的利潤。提供講座，演示，培訓(xùn)等方式，讓目標(biāo)用戶的設(shè)計工程師們熟悉聚合物電壓誘變納米材料的電學(xué)特性和高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的工作原理及特性。為項目產(chǎn)品今后在市場的銷售打下基礎(chǔ)。目前,已查明的IC封裝測試企業(yè)有108家。其中，世界上10大IC封裝代工場為：表6世界上10大IC封裝代工場

總部營收（ＭＭ）增長率日月光集團(tuán)中國臺灣258233%Amkor美國210022%矽品中國臺灣133847%STATSChipPAC新加坡115781%南茂中國臺灣48294%力成中國臺灣347

UTAC新加坡325

京元中國臺灣318

CARSEM馬來西亞26414%超豐中國臺灣21641%2）參加學(xué)術(shù)活動–吸引業(yè)界的關(guān)注通過參加學(xué)術(shù)會議，電子技術(shù)產(chǎn)品展銷會[如中國（上海）國際電子工業(yè)展覽會、全國電子產(chǎn)品展覽會等]、在專業(yè)雜志上發(fā)表文章推廣的應(yīng)用，介紹聚合物電壓誘變納米材料的電學(xué)特性和高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品，充分向業(yè)界展示這種新產(chǎn)品的獨特優(yōu)勢。3）共同開發(fā)產(chǎn)品——充分利用商業(yè)協(xié)作在保密原則下，利用本項目所開發(fā)的高抗靜電集成電路封裝技術(shù)平臺，與目標(biāo)用戶的研發(fā)部門聯(lián)合開發(fā)產(chǎn)品應(yīng)用，以滿足客戶的具體需求為目標(biāo),參與用戶的新產(chǎn)品設(shè)計過程,使我們的產(chǎn)品性能滿足他們設(shè)計要求。選擇其中3-5家的最常見的封裝形式，有針對性地設(shè)計產(chǎn)品，制造樣品，提供給這些潛在用戶評估試用。有使企業(yè)的集成電路封裝塊能滿足并超過嚴(yán)格的國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的ESD要求的同時享有高保真的優(yōu)良品質(zhì)。4)尋求外協(xié)資源——為早日產(chǎn)業(yè)化作鋪墊利用PolymartInternational,LLC所建立外協(xié)資源的基礎(chǔ)，充分地利用有限的開發(fā)資金，通過對外協(xié)作，盡早實現(xiàn)高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化。使本公司成為事先批準(zhǔn)的合格供貨商。國際市場上，引線框架及材料主要由日本韓國歐洲廠商供貨，新光、住友、三井、豐山等大制造商獨占全球70％左右的引線框架市場。表7世界主要引線框架及材料供應(yīng)商WorldwideleadframemarketshareSupplierRankRevenues$MMarketshareSumitomo145515.30%Mitsui233011.10%Samsung32518.40%Hitachi42207.40%Shinko52187.30%Possell62206.70%ASM71234.10%DaiNippon81033.50%Dynacraftindustry9913.10%Poongsan10903.00%我國內(nèi)引線框架生產(chǎn)企業(yè)主要集中在長三角、珠三角，隨著國外大封裝測試廠家在中國境內(nèi)投資辦廠，國內(nèi)引線框架的需求也將有迅速增長。目前，在國內(nèi)從事半導(dǎo)體引線框架生產(chǎn)的企業(yè)主要有17家：新光電氣工業(yè)(無錫)有限公司、日里電線(蘇州)精工有限公司、三井高科技(上海、天津、東莞)電子有限公司、濟(jì)南晶恒山田電子精密科技有限公司、東莞長安品質(zhì)電子制造廠、先進(jìn)半導(dǎo)體物料科技有限公司、柏獅電子(香港)有限公司、順德工業(yè)有限公司、中山復(fù)盛機(jī)電有限公司、銅陵豐山三佳微電子有限公司、廣州豐江微電子有限公司、寧波康強(qiáng)電子股份有限公司、廈門永紅電子有限公司、無錫華晶利達(dá)電子有限公司、寧波華龍電子股份有限公司、寧波東盛集成電路元件有限公司、浙江華科電子有限公司。其中，獨資企業(yè)7家，合資企業(yè)4家，內(nèi)資企業(yè)6家。以上企業(yè)主要從事半導(dǎo)體引線框架、精密模具和其他電子設(shè)備、電子元器件的設(shè)計、制造和銷售，實屬國內(nèi)領(lǐng)先。國內(nèi)引線框架主要供應(yīng)企業(yè)銷售額介紹如下：表8國內(nèi)引線框架主要供應(yīng)企業(yè)生產(chǎn)廠家企業(yè)性質(zhì)2006年銷售額2007年銷售額2008銷售額ASMHONGKONG55333萬元66399萬元59759萬元POSSEHLGEMANY-CHINA67200萬元80640萬元74995萬元POONGSANSANJJIACHINA25000萬元28000萬元31000萬元MITSUIHIGHJAP45000萬元YONGHONGCHINA15000萬元20000萬元22000萬元FUSHENGTAIWAN13200萬元15840萬元14731萬元SHINKOJAP558422萬元626647萬元626602萬元YONGHONGCHINA63000萬元70000萬元76000萬元FULLRIVERTAIWAN8415萬元10098萬元9391萬元YAMADACHINA4519萬5423萬5364萬SDITAIWAN44166萬元53000萬元49290萬元SumitomoCHINA141000萬元169200萬元160740萬元HUALONGCHINA38800萬元45600萬元51000萬元5）與OEM制造商聯(lián)手——打造更大市場空間與OEM建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，通過公司的應(yīng)用工程師積極參與OEM的新產(chǎn)品研發(fā)過程，植入他們的新產(chǎn)品電路，從而使本產(chǎn)品成為OEM設(shè)計中的法定元件，達(dá)到直接向電子產(chǎn)品的OEM銷售本公司的產(chǎn)品，已查明國際集成電路行業(yè)的14家晶圓生產(chǎn)企業(yè)、18家主要封裝廠和近400家集成電路設(shè)計企業(yè)。其主要代表企業(yè)有：表9國際10大晶圓生產(chǎn)企業(yè)公司名稱國家(地區(qū))銷售額(億美元)TSMC臺積電臺灣82.2UMC聯(lián)電臺灣28.2SMIC中芯國際中國大陸11.7CHARTERED特許新加坡11.3IBM美國8.32MAGNACHIP韓國3.96VANGURD臺灣3.54DONGBUANAM韓國3.47HHNEC中國大陸3.05JAZZ美國2.1X-FAB德國2.08漢磊臺灣1.17先進(jìn)半導(dǎo)體中國大陸1.16Tower以色列1.02表10國內(nèi)主要晶圓生產(chǎn)企業(yè)公司名稱地區(qū)中芯國際上海上海華虹NEC電子有限公司上海上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司上海華潤微電子江蘇上海先進(jìn)半導(dǎo)體上海和艦科技（蘇州）有限公司江蘇BCD（新進(jìn)半導(dǎo)體）制造有限公司上海方正微電子有限公司廣東中寧微電子公司浙江南通綠山集成電路有限公司江蘇納科（常州）微電子有限公司江蘇珠海南科集成電子有限公司廣東康福超能半導(dǎo)體（北京）有限公司北京科希-硅技半導(dǎo)體技術(shù)第一有限公司遼寧光電子(大連)有限公司遼寧西安西岳電子技術(shù)有限公司陜西吉林華微電子股份有限公司吉林丹東安順微電子有限公司遼寧福建福順微電子福建杭州立昂浙江杭州士蘭集成電路浙江表11國際主要IC設(shè)計公司

公司名稱國家(地區(qū))銷售額(百萬)Qualcomm高通美國2510NVIDIA美國1835Broadcom博通美國1595Xilinx賽靈思美國1265MediaTek瑞麗科技臺灣1170ATI加拿大1135SanDisk正達(dá)美國930Altera美國830Marvell邁威爾科技美國780Conexant科勝訊美國650表12國內(nèi)主要IC設(shè)計公司公司名稱地區(qū)銷售額(萬)大唐微電子技術(shù)有限公司北京74969杭州士蘭微電子有限公司浙江50883珠海炬力集成電路設(shè)計有限公司廣東45995中國華大集成電路設(shè)計有限公司北京45438北京中星微電子有限公司北京42000紹興芯谷科技有限公司浙江25270杭州友旺電子有限公司浙江24678無錫華潤矽科微電子有限公司江蘇22830上海華虹集成電路設(shè)計有限公司上海19106北京希格瑪晶華微電子有限公司北京173674.其它問題的解決方案聚合物電壓誘變材料的制備過程中無有害氣體、副產(chǎn)品和廢料排放，不需添置特殊的“三廢處理”設(shè)施。高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的電鍍工藝，光刻工藝擬將通過外協(xié)來完成。其廢水處理方法將按照現(xiàn)行的行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)來實施。五．項目投資預(yù)算本項目擬將建成以國際先進(jìn)設(shè)備為主體的聚合物電壓誘變納米材料研究室和生產(chǎn)線，高抗靜電集成電路封裝技術(shù)研究室，非線性電性能檢測實驗室，高抗靜電集成電路封裝產(chǎn)品研發(fā)設(shè)計中心。建立產(chǎn)品技術(shù)的市場推廣體系。項目計劃總投資2.1億元人民幣，需要土地90畝（其中生產(chǎn)用地70畝，配套用地20畝），項目投資分兩期。項目總投資時間約為四年。項目