熟悉常用工具和電子元

認(rèn)識(shí)電子元件2009-10-15電子協(xié)會(huì)吳林恒熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!主要內(nèi)容二極管三極管DT9205數(shù)字萬用表集成芯片熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!二極管

常見二極管熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!二極管工作原理晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。p-n結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!PN節(jié)的形成熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!

3.2.2

PN結(jié)的單向?qū)щ娦援?dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。

(1)PN結(jié)加正向電壓時(shí)PN結(jié)加正向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況低電阻大的正向擴(kuò)散電流PN結(jié)的伏安特性熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!

3.2.2

PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

(3)PN結(jié)V-I特性表達(dá)式其中PN結(jié)的伏安特性IS——反向飽和電流VT——溫度的電壓當(dāng)量且在常溫下（T=300K）熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!

3.2.3

PN結(jié)的反向擊穿當(dāng)PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿。熱擊穿——不可逆雪崩擊穿齊納擊穿電擊穿——可逆熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!

3.2.4

PN結(jié)的電容效應(yīng)(2)擴(kuò)散電容CD擴(kuò)散電容示意圖{end}熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!

2.4.2應(yīng)用舉例1.二極管的靜態(tài)工作情況分析理想模型（R=10k）（1）VDD=10V時(shí)恒壓模型（硅二極管典型值）折線模型（硅二極管典型值）設(shè)（2）VDD=1V時(shí)（自看）熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁!常見二極管介紹整流二極管發(fā)光二極管紅外對(duì)管穩(wěn)壓二級(jí)管熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁!簡單電路熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁!光電傳輸系統(tǒng)熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁!常見三極管熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第14頁!半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。三極管的結(jié)構(gòu)簡介(a)NPN型管結(jié)構(gòu)示意圖(b)PNP型管結(jié)構(gòu)示意圖(c)NPN管的電路符號(hào)(d)PNP管的電路符號(hào)熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第15頁!小電路——感光器R熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第16頁!集成芯片熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第17頁!集成芯片引腳熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第18頁!二極管二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode);它只往一個(gè)方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個(gè)零件號(hào)接合的2個(gè)端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動(dòng)或不流動(dòng)的性質(zhì)。晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第19頁!PN結(jié)的形成及特性1PN結(jié)的形成2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?PN結(jié)的反向擊穿4PN結(jié)的電容效應(yīng)熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第20頁!

在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程:

因濃度差空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場

內(nèi)電場促使少子漂移

內(nèi)電場阻止多子擴(kuò)散

最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第21頁!PN結(jié)的伏安特性

2.2.2

PN結(jié)的單向?qū)щ娦援?dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；反之稱為加反向電壓，簡稱反偏。

(2)PN結(jié)加反向電壓時(shí)PN結(jié)加反向電壓時(shí)的導(dǎo)電情況高電阻很小的反向漂移電流

在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個(gè)電流也稱為反向飽和電流。熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第22頁!

PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。

由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｊ煜こＳ霉ぞ吆碗娮釉?4頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第23頁!

3.2.4

PN結(jié)的電容效應(yīng)

(1)勢(shì)壘電容CB勢(shì)壘電容示意圖熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第24頁!

2.4.1二極管V-I特性的建模1.理想模型3.折線模型2.恒壓降模型熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第25頁!二極管的特性單向?qū)ǚ€(wěn)壓特性熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第26頁!整流電路（a）電路圖（b）vs和vo的波形熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第27頁!紅外對(duì)管A熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第28頁!穩(wěn)壓管注意：反向接三端穩(wěn)壓管熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第29頁!(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管熟悉常用工具和電子元共34頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第30頁!三極管的三種組態(tài)共集電極接法，集電極作為公共電極，用CC表示。共基極接法，基極作為公共電極，用CB表示；共發(fā)