半導(dǎo)體工藝技術(shù)

半導(dǎo)體制造工藝微電子學(xué)： Microelectronics微電子學(xué)——微型電子學(xué)核心——半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程

由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕硅片測試和封裝用掩膜版重復(fù)20-30次溝道長度為0.15微米的晶體管柵長為90納米的柵圖形照片

50m100m頭發(fā)絲粗細(xì)

30m1m1m(晶體管的大小)30~50m(皮膚細(xì)胞的大小)90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較N溝道MOS晶體管CMOS集成電路(互補(bǔ)型MOS集成電路)：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的95%以上。半導(dǎo)體制造工藝圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上摻雜：根據(jù)設(shè)計的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等制膜：制作各種材料的薄膜圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換：：光光刻刻光刻刻三三要要素素：：光刻刻膠膠、、掩掩膜膜版版和和光光刻刻機(jī)機(jī)光刻刻膠膠又又叫叫光光致致抗抗蝕蝕劑劑，，它它是是由由光光敏敏化化合合物物、、基基體體樹樹脂脂和和有有機(jī)機(jī)溶溶劑劑等等混混合合而而成成的的膠膠狀狀液液體體光刻刻膠膠受受到到特特定定波波長長光光線線的的作作用用后后，，導(dǎo)導(dǎo)致致其其化化學(xué)學(xué)結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)發(fā)發(fā)生生變變化化，，使使光光刻刻膠膠在在某某種種特特定定溶溶液液中中的的溶溶解解特特性性改改變變光刻刻正膠膠：：分辨辨率率高高，，在在超超大大規(guī)規(guī)模模集集成成電電路路工工藝藝中中，，一一般般只只采采用用正正膠膠負(fù)膠膠：：分辨辨率率差差，，適適于于加加工工線線寬寬≥≥3m的的線線條條正膠膠：：曝曝光光后后可可溶溶負(fù)膠膠：：曝曝光光后后不不可可溶溶圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換：：光光刻刻幾種種常常見見的的光光刻刻方方法法接觸觸式式光光刻刻：：分辨辨率率較較高高，，但但是是容容易易造造成成掩掩膜膜版版和和光光刻刻膠膠膜膜的的損損傷傷。。接近近式式曝曝光光：：在硅硅片片和和掩掩膜膜版版之之間間有有一一個個很很小小的的間間隙隙(10～～25m)，，可可以以大大大大減減小小掩掩膜膜版版的的損損傷傷，，分分辨辨率率較較低低投影影式式曝曝光光：：利用用透透鏡鏡或或反反射射鏡鏡將將掩掩膜膜版版上上的的圖圖形形投投影影到到襯襯底底上上的的曝曝光光方方法法，，目目前前用用的的最最多多的的曝曝光光方方式式三種種光光刻刻方方式式掩膜膜版版光學(xué)學(xué)系系統(tǒng)統(tǒng)光源源光刻刻膠膠硅片片接觸觸式式接近近式式投影影式式圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換：：光光刻刻超細(xì)細(xì)線線條條光光刻刻技技術(shù)術(shù)甚遠(yuǎn)遠(yuǎn)紫紫外外線線(EUV)電子子束束光光刻刻X射射線線離子子束束光光刻刻圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換：：刻刻蝕蝕技技術(shù)術(shù)濕法法刻刻蝕蝕：：利用用液液態(tài)態(tài)化化學(xué)學(xué)試試劑劑或或溶溶液液通通過過化化學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)進(jìn)進(jìn)行行刻刻蝕蝕的的方方法法干法法刻刻蝕蝕：：主要要指指利利用用低低壓壓放放電電產(chǎn)產(chǎn)生生的的等等離離子子體體中中的的離離子子或或游游離離基基(處處于于激激發(fā)發(fā)態(tài)態(tài)的的分分子子、、原原子子及及各各種種原原子子基基團(tuán)團(tuán)等等)與與材材料料發(fā)發(fā)生生化化學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)或或通通過過轟轟擊擊等等物物理理作作用用而而達(dá)達(dá)到到刻刻蝕蝕的的目目的的圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換換：：刻刻蝕蝕技技術(shù)術(shù)濕法法腐腐蝕蝕：：濕法法化化學(xué)學(xué)刻刻蝕蝕在在半半導(dǎo)導(dǎo)體體工工藝藝中中有有著著廣廣泛泛應(yīng)應(yīng)用用：：磨磨片片、、拋拋光光、、清清洗洗、、腐腐蝕蝕優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)是是選選擇擇性性好好、、重重復(fù)復(fù)性性好好、、生生產(chǎn)產(chǎn)效效率率高高、、設(shè)設(shè)備備簡簡單單、、成成本本低低缺點(diǎn)點(diǎn)是是鉆鉆蝕蝕嚴(yán)嚴(yán)重重、、對對圖圖形形的的控控制制性性較較差差干法法刻刻蝕蝕濺射射與與離離子子束束銑銑蝕蝕：：通過過高高能能惰惰性性氣氣體體離離子子的的物物理理轟轟擊擊作作用用刻刻蝕蝕，，各各向向異異性性性性好好，，但但選選擇擇性性較較差差等離離子子刻刻蝕蝕(PlasmaEtching)：：利用用放放電電產(chǎn)產(chǎn)生生的的游游離離基基與與材材料料發(fā)發(fā)生生化化學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)，，形形成成揮揮發(fā)發(fā)物物，，實(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)刻刻蝕蝕。。選選擇擇性性好好、、對對襯襯底底損損傷傷較較小小，，但但各各向向異異性性較較差差反應(yīng)應(yīng)離離子子刻刻蝕蝕(ReactiveIonEtching，，簡簡稱稱為為RIE)：：通過過活活性性離離子子對對襯襯底底的的物物理理轟轟擊擊和和化化學(xué)學(xué)反反應(yīng)應(yīng)雙雙重重作作用用刻刻蝕蝕。。具具有有濺濺射射刻刻蝕蝕和和等等離離子子刻刻蝕蝕兩兩者者的的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)，，同同時時兼兼有有各各向向異異性性和和選選擇擇性性好好的的優(yōu)優(yōu)點(diǎn)點(diǎn)。。目目前前，，RIE已已成成為為VLSI工工藝藝中中應(yīng)應(yīng)用用最最廣廣泛泛的的主主流流刻刻蝕蝕技技術(shù)術(shù)雜質(zhì)質(zhì)摻摻雜雜摻雜雜：：將需需要要的的雜雜質(zhì)質(zhì)摻摻入入特特定定的的半半導(dǎo)導(dǎo)體體區(qū)區(qū)域域中中，，以以達(dá)達(dá)到到改改變變半半導(dǎo)導(dǎo)體體電電學(xué)學(xué)性性質(zhì)質(zhì)，，形形成成PN結(jié)結(jié)、、電電阻阻、、歐歐姆姆接接觸觸磷(P)、、砷砷(As)————N型型硅硅硼(B)———P型硅摻雜工藝：：擴(kuò)散、離子子注入擴(kuò)散散替位式擴(kuò)散散：雜質(zhì)離離子占據(jù)硅硅原子的位位：Ⅲ、Ⅴ族元元素一般要在很很高的溫度度(950～1280℃)下下進(jìn)行磷、硼、砷砷等在二氧氧化硅層中中的擴(kuò)散系系數(shù)均遠(yuǎn)小小于在硅中中的擴(kuò)散系系數(shù)，可以以利用氧化化層作為雜雜質(zhì)擴(kuò)散的的掩蔽層間隙式擴(kuò)散散：雜質(zhì)離離子位于晶晶格間隙：：Na、K、、Fe、Cu、Au等元素素擴(kuò)散系數(shù)要要比替位式式擴(kuò)散大6～7個數(shù)數(shù)量級雜質(zhì)橫向擴(kuò)擴(kuò)散示意圖圖固態(tài)源擴(kuò)散散：如B2O3、P2O5、BN等利用液態(tài)源源進(jìn)行擴(kuò)散散的裝置示示意圖離子注入離子注入：：將具有很很高能量的的雜質(zhì)離子子射入半導(dǎo)導(dǎo)體襯底中中的摻雜技技術(shù)，摻雜雜深度由注注入雜質(zhì)離離子的能量量和質(zhì)量決決定，摻雜雜濃度由注注入雜質(zhì)離離子的數(shù)目目(劑量)決定摻雜的均勻勻性好溫度低：小小于600℃可以精確控控制雜質(zhì)分分布可以注入各各種各樣的的元素橫向擴(kuò)展比比擴(kuò)散要小小得多?？梢詫虾衔锇雽?dǎo)體體進(jìn)行摻雜雜離子注入系系統(tǒng)的原理理示意圖離子注入到到無定形靶靶中的高斯斯分布情況況退火火退火：也叫叫熱處理，，集成電路路工藝中所所有的在氮氮?dú)獾炔换罨顫姎夥罩兄羞M(jìn)行的熱熱處理過程程都可以稱稱為退火激活雜質(zhì)：：使不在晶晶格位置上上的離子運(yùn)運(yùn)動到晶格格位置，以以便具有電電活性，產(chǎn)產(chǎn)生自由載載流子，起起到雜質(zhì)的的作用消除損傷退火方式：：爐退火快速退火：：脈沖激光光法、掃描描電子束、、連續(xù)波激激光、非相相干寬帶頻頻光源(如如鹵光燈、、電弧燈、、石墨加熱熱器、紅外外設(shè)備等)氧化工藝氧化：制備備SiO2層SiO2的性質(zhì)及其其作用SiO2是一種十分分理想的電電絕緣材料料，它的化化學(xué)性質(zhì)非非常穩(wěn)定，，室溫下它它只與氫氟氟酸發(fā)生化化學(xué)反應(yīng)氧化硅層的的主要作用用在MOS電電路中作為為MOS器器件的絕緣緣柵介質(zhì)，，器件的組組成部分?jǐn)U散時的掩掩蔽層，離離子注入的的(有時與與光刻膠、、Si3N4層一起使用用)阻擋層層作為集成電電路的隔離離介質(zhì)材料料作為電容器器的絕緣介介質(zhì)材料作為多層金金屬互連層層之間的介介質(zhì)材料作為對器件件和電路進(jìn)進(jìn)行鈍化的的鈍化層材材料SiO2的制備方法法熱氧化法干氧氧化水蒸汽氧化化濕氧氧化干氧－濕氧氧－干氧(簡稱干濕濕干)氧化化法氫氧合成氧氧化化學(xué)氣相淀淀積法熱分解淀積積法濺射法進(jìn)行干氧和和濕氧氧化化的氧化爐爐示意圖化學(xué)汽相淀淀積(CVD)化學(xué)汽相淀淀積(ChemicalVaporDeposition)：通過氣態(tài)物物質(zhì)的化學(xué)學(xué)反應(yīng)在襯襯底上淀積積一層薄膜膜材料的過過程CVD技術(shù)術(shù)特點(diǎn)：具有淀積溫溫度低、薄薄膜成分和和厚度易于于控制、均均勻性和重重復(fù)性好、、臺階覆蓋蓋優(yōu)良、適適用范圍廣廣、設(shè)備簡簡單等一系系列優(yōu)點(diǎn)CVD方法法幾乎可以以淀積集成成電路工藝藝中所需要要的各種薄薄膜，例如如摻雜或不不摻雜的SiO2、多晶硅、、非晶硅、、氮化硅、、金屬(鎢鎢、鉬)等等化學(xué)汽相淀淀積(CVD)常壓化學(xué)汽汽相淀積(APCVD)低壓化學(xué)汽汽相淀積(LPCVD)等離子增強(qiáng)強(qiáng)化學(xué)汽相相淀積(PECVD)APCVD反應(yīng)器的的結(jié)構(gòu)示意意圖LPCVD反應(yīng)器的的結(jié)構(gòu)示意意圖平行板型PECVD反應(yīng)器的的結(jié)構(gòu)示意意圖化學(xué)汽相淀淀積(CVD)單晶硅的化化學(xué)汽相淀淀積(外延)：一般地，將將在單晶襯襯底上生長長單晶材料料的工藝叫叫做外延，，生長有外外延層的晶晶體片叫做做外延片二氧化硅的的化學(xué)汽相相淀積：可以作為金金屬化時的的介質(zhì)層，，而且還可可以作為離離子注入或或擴(kuò)散的掩掩蔽膜，甚甚至還可以以將摻磷、、硼或砷的的氧化物用用作擴(kuò)散源源低溫CVD氧化層：：低于500℃中等溫度淀淀積：500～800℃高溫淀積：：900℃℃左右化學(xué)汽相淀淀積(CVD)多晶硅的化化學(xué)汽相淀淀積：利用多晶硅硅替代金屬屬鋁作為MOS器件件的柵極是是MOS集集成電路技技術(shù)的重大大突破之一一，它比利利用金屬鋁鋁作為柵極極的MOS器件性能能得到很大大提高，而而且采用多多晶硅柵技技術(shù)可以實(shí)實(shí)現(xiàn)源漏區(qū)區(qū)自對準(zhǔn)離離子注入，，使MOS集成電路路的集成度度得到很大大提高。氮化硅的化化學(xué)汽相淀淀積：中等溫度(780～～820℃℃)的LPCVD或或低溫(300℃)PECVD方法法淀積物理氣相淀淀積(PVD)蒸發(fā)：在真空系統(tǒng)統(tǒng)中，金屬屬原子獲得得足夠的能能量后便可可以脫離金金屬表面的的束縛成為為蒸汽原子子，淀積在在晶片上。。按照能量量來源的不不同，有燈燈絲加熱蒸蒸發(fā)和電子子束蒸發(fā)兩兩種濺射：真空系統(tǒng)中中充入惰性性氣體，在在高壓電場場作用下，，氣體放電電形成的離離子被強(qiáng)電電場加速，，轟擊靶材材料，使靶靶原子逸出出并被濺射射到晶片上上蒸發(fā)原理圖圖半導(dǎo)體工藝藝圖形轉(zhuǎn)換：：光刻：接觸觸光刻、接接近光刻、、投影光刻刻、電子束束光刻刻蝕：干法法刻蝕、濕濕法刻蝕摻雜：離子注入退退火擴(kuò)散制膜：氧化：干氧氧氧化、濕濕氧氧化等等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸蒸發(fā)、濺射射集成電路制制造工藝20世紀(jì)60年代的的典型工藝藝20世紀(jì)70年代的的典型工藝藝20世紀(jì)80年代的的典型工藝藝N-wellCMOS工工藝熱氧化生成成SiO2；第一次光刻刻：打開N阱離子注注入窗口；；進(jìn)行N阱的的離子注入入與二次擴(kuò)擴(kuò)散；刻蝕氧化物物；1熱氧化生成成SiO2緩沖層；CVD淀積積Si3N4；第二次光刻刻：定義有有效溝道區(qū)區(qū)域；氮化硅刻蝕蝕；氧化層刻蝕蝕；2熱氧化生成成場氧；氮化硅刻蝕蝕；緩沖層刻蝕蝕；清洗表面；；閾值電壓調(diào)調(diào)整的離子子注入；柵氧生長；；3CVD淀積積N+多晶晶硅柵；第三次光刻刻：形成多多晶硅圖形形，定義柵柵極；4第四次光刻刻：打開N+區(qū)的離離子注入窗窗口；磷注入；5光刻膠掩蔽蔽條；第五次光刻刻：P+區(qū)區(qū)離子注入入；5光刻膠掩蔽蔽條；CVD淀積積SiO2；離子注入退退火；6第六次光刻刻：接觸孔孔刻蝕；7金屬Al淀淀積；第七次光刻刻：生成金金屬化圖形形；8課程設(shè)計作作業(yè)一課程設(shè)計作作業(yè)一形成N阱初始氧化淀積氮化硅硅層光刻1版，，定義出N阱反應(yīng)離子刻刻蝕氮化硅硅層N阱離子注注入，注磷磷形成P阱去掉光刻膠膠在N阱區(qū)生生長厚氧化化層，其它它區(qū)域被氮氮化硅層保保護(hù)而不會會被氧化去掉氮化硅硅層P阱離子注注入，注硼硼推阱去掉N阱區(qū)區(qū)的氧化層層退火驅(qū)入形成場隔離離區(qū)生長一層薄薄氧化層淀積一層氮氮化硅光刻場隔離離區(qū)，非隔隔離區(qū)被光光刻膠保護(hù)護(hù)起來反應(yīng)離子刻刻蝕氮化硅硅場區(qū)離子注注入熱生長厚的的場氧化層層去掉氮化硅硅層形成多晶硅硅柵生長柵氧化化層淀積多晶硅硅光刻多晶硅硅柵刻蝕多晶硅硅柵Salicide工工藝淀積多晶硅硅、刻蝕并并形成側(cè)壁壁氧化層；；淀積Ti或或Co等難難熔金屬RTP并選選擇腐蝕側(cè)側(cè)壁氧化層層上的金屬屬；最后形成Salicide結(jié)結(jié)構(gòu)形成硅化物物淀積氧化層層反應(yīng)離子刻刻蝕氧化層層，形成側(cè)側(cè)壁氧化層層淀積難熔金金屬Ti或或Co等低溫退火，，形成C-47相的的TiSi2或CoSi去掉氧化層層上的沒有有發(fā)生化學(xué)學(xué)反應(yīng)的Ti或Co高溫退火，，形成低阻阻穩(wěn)定的TiSi2或CoSi2形成N管源源漏區(qū)光刻，利用用光刻膠將將PMOS區(qū)保護(hù)起起來離子注入磷磷或砷，形形成N管源源漏區(qū)形成P管源源漏區(qū)光刻，利用用光刻膠將將NMOS區(qū)保護(hù)起起來離子注入硼硼，形成P管源漏區(qū)區(qū)形成接觸孔孔化學(xué)氣相淀淀積磷硅玻玻璃層退火和致密密光刻接觸孔孔版反應(yīng)離子刻刻蝕磷硅玻玻璃，形成成接觸孔形成第一層層金屬淀積金屬鎢鎢(W)，，形成鎢塞塞形成第一層層金屬淀積金屬層層，如Al-Si、、Al-Si-Cu合金等光刻第一層層金屬版，，定義出連連線圖形反應(yīng)離子刻刻蝕金屬層層，形成互互連圖形形成穿通接接觸孔化學(xué)氣相淀淀積PETEOS通過化學(xué)機(jī)機(jī)械拋光進(jìn)進(jìn)行平坦化化光刻穿通接接觸孔版反應(yīng)離子刻刻蝕絕緣層層，形成穿穿通接觸孔孔形成成第第二二層層金金屬屬淀積積金金屬屬層層，，如如Al-Si、、Al-Si-Cu合合金金等等光刻刻第第二二層層金金屬屬版版，，定定義義出出連連線線圖圖形形反應(yīng)應(yīng)離離子子刻刻蝕蝕，，形形成成第第二二層層金金屬屬互互連連圖圖形形合金金形成成鈍鈍化化層層在低低溫溫條條件件下下(小小于于300℃℃)淀淀積積氮氮化化硅硅光刻刻鈍鈍化化版版刻蝕蝕氮氮化化硅硅，，形形成成鈍鈍化化圖圖形形測試試、、封封裝裝，，完完成成集集成成電電路路的的制制造造工工藝藝CMOS集集成成電電路路一一般般采采用用(100)晶晶向向的的硅硅材材料料AA雙極極集集成成電電路路制制造造工工藝藝制作作埋埋層層初始始氧氧化化，，熱熱生生長長厚厚度度約約為為500～～1000nm的的氧氧化化層層光刻刻1#版版(埋埋層層版版)，，利利用用反反應(yīng)應(yīng)離離子子刻刻蝕蝕技技術(shù)術(shù)將將光光刻刻窗窗口口中中的的氧氧化化層層刻刻蝕蝕掉掉，，并并去去掉掉光光刻刻膠膠進(jìn)行行大大劑劑量量As+注入入并并退退火火，，形形成成n+埋層層雙極極集集成成電電路路工工藝藝生長長n型型外外延延層層利用用HF腐腐蝕蝕掉掉硅硅片片表表面面的的氧氧化化層層將硅硅片片放放入入外外延延爐爐中中進(jìn)進(jìn)行行外外延延，，外外延延層層的的厚厚度度和和摻摻雜雜濃濃度度一一般般由由器器件件的的用用途途決決定定形成成橫橫向向氧氧化化物物隔隔離離區(qū)區(qū)熱生生長長一一層層薄薄氧氧化化層層，，厚厚度度約約50nm淀積積一一層層氮氮化化硅硅，，厚厚度度約約100nm光刻刻2#版版(場場區(qū)區(qū)隔隔離離版版形成成橫橫向向氧氧化化物物隔隔離離區(qū)區(qū)利用用反反應(yīng)應(yīng)離離子子刻刻蝕蝕技技術(shù)術(shù)將將光光刻刻窗窗口口中中的的氮氮化化硅硅層層-氧氧化化層層以以及及一一半半的的場場氧氧化化層層刻刻蝕蝕掉掉進(jìn)行行硼硼離離子子注注入入形成成橫橫向向氧氧化化物物隔隔離離區(qū)區(qū)去掉掉光光刻刻膠膠，，把把硅硅片片放放入入氧氧化化爐爐氧氧化化，，形形成成厚厚的的場場氧氧化化層層隔隔離離區(qū)區(qū)去掉掉氮氮化化硅硅層層形成成基基區(qū)區(qū)光刻刻3#版版(基基區(qū)區(qū)版版)，，利利用用光光刻刻膠膠將將收收集集區(qū)區(qū)遮遮擋擋住住，，暴暴露露出出基基區(qū)區(qū)基區(qū)區(qū)離離子子注注入入硼硼形成成接接觸觸孔孔：：光刻刻4#版版(基基區(qū)區(qū)接接觸觸孔孔版版)進(jìn)行行大大劑劑量量硼硼離離子子注注入入刻蝕蝕掉掉接接觸觸孔孔中中的的氧氧化化層層形成成發(fā)發(fā)射射區(qū)區(qū)光刻刻5#版版(發(fā)發(fā)射射區(qū)區(qū)版版)，，利利用用光光刻刻膠膠將將基基極極接接觸觸孔孔保保護(hù)護(hù)起起來來，，暴暴露露出出發(fā)發(fā)射射極極和和集集電電極極接接觸觸孔孔進(jìn)行行低低能能量量、、高高劑劑量量的的砷砷離離子子注注入入，，形形成成發(fā)發(fā)射射區(qū)區(qū)和和集集電電區(qū)區(qū)金屬屬化化淀積積金金屬屬，，一一般般是是鋁鋁或或Al-Si、、Pt-Si合合金金等等光刻刻6#版版(連連線線版版)，，形形成成金金屬屬互互連連線線合金金：：使使Al與與接接觸觸孔孔中中的的硅硅形形成成良良好好的的歐歐姆姆接接觸觸，，一一般般是是在在450℃℃、、N2-H2氣氛氛下下處處理理20～～30分分鐘鐘形成成鈍鈍化化層層在低低溫溫條條件件下下(小小于于300℃℃)淀淀積積氮氮化化硅硅光刻刻7#版版(鈍鈍化化版版)刻蝕蝕氮氮化化硅硅，，形形成成鈍鈍化化圖圖形形隔離離技技術(shù)術(shù)PN結(jié)結(jié)隔隔離離場區(qū)區(qū)隔隔離離絕緣緣介介質(zhì)質(zhì)隔隔離離溝槽槽隔隔離離PN結(jié)結(jié)隔隔離離工工藝藝絕緣緣介介質(zhì)質(zhì)隔隔離離工工藝藝LOCOS隔隔離離工工藝藝LOCOS隔離工藝藝溝槽隔離離工藝接觸與互互連Al是目目前集成成電路工工藝中最最常用的的金屬互互連材料料,但但Al連連線也存存在一些些比較嚴(yán)嚴(yán)重的問問題電遷移嚴(yán)嚴(yán)重、電電阻率偏偏高、淺淺結(jié)穿透透等Cu連線線工藝有有望從根根本上解解決該問問題IBM、、Motorola等等已經(jīng)開開發(fā)成功功目前，互互連線已已經(jīng)占到到芯片總總面積的的70～～80%；且連連線的寬寬度越來來越窄，，電流密密度迅速速增加幾個概念念場區(qū)有源區(qū)柵結(jié)構(gòu)材材料Al-二二氧化硅硅結(jié)構(gòu)多晶硅-二氧化化硅結(jié)構(gòu)構(gòu)難熔金屬屬硅化物物/多晶晶硅-二二氧化硅硅結(jié)構(gòu)Salicide工藝藝淀積多晶晶硅、刻刻蝕并形形成側(cè)壁壁氧化層層；淀積Ti或Co等難熔熔金屬RTP并并選擇腐腐蝕側(cè)壁壁氧化層層上的金金屬；最后形成成Salicide結(jié)結(jié)構(gòu)封裝工藝藝流程各種封裝裝類型示意圖半導(dǎo)體工工藝小結(jié)結(jié)前工序圖形轉(zhuǎn)換換技術(shù)：：主要包包括光刻刻、刻蝕蝕等技術(shù)術(shù)薄膜制備備技術(shù)：：主要包包括外延延、氧化化、化學(xué)學(xué)氣相淀淀積、物物理氣相相淀積(如濺射射、蒸發(fā)發(fā))等等摻雜技術(shù)術(shù)：主要要包括擴(kuò)擴(kuò)散和離離子注入入等技術(shù)術(shù)半導(dǎo)體工工藝小結(jié)結(jié)后工序劃片封裝測試?yán)匣Y選半導(dǎo)體工工藝小結(jié)結(jié)輔助工序序超凈廠房房技術(shù)超純水、、高純氣氣體制備備技術(shù)光刻掩膜膜版制備備技術(shù)材料準(zhǔn)備備技術(shù)9、靜夜四無無鄰，荒居居舊業(yè)貧。。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、雨中黃葉葉樹，燈下下白頭人。。。04:39:5504:39:5504:3912/29/20224:39:55AM11、以以我我獨(dú)獨(dú)沈沈久久，，愧愧君君相相見見頻頻。。。。12月月-2204:39:5504:39Dec-2229-Dec-2212、故人江江海別，，幾度隔隔山川。。。04:39:5504:39:5504:39Thursday,December29,202213、乍見見翻疑疑夢，，相悲悲各問問年。。。12月月-2212月月-2204:39:5504:39:55December29,202214、他鄉(xiāng)生生白發(fā)，，舊國見見青山。。。29十十二月20224:39:55上午午04:39:5512月-2215、比不了得得就不比，，得不到的的就不要。。。。十二月224:39上上午12月-2204:39December29,202216、行動出成成果，工作作出財富。。。2022/12/294:39:5504:39:5529December202217、做做前前，，能能夠夠環(huán)環(huán)視視四四周周；；做做時時，，你你只只能能或或者者最最好好沿沿著著以以腳腳為為起起點(diǎn)點(diǎn)的的射射線線向向前前。。。。4:39:55上上午午4:39上上午午04:39:5512月月-229、沒有失失敗，只只有暫時時停止成成功！。。12月-2212月-22Thursday,December29,202210、很多事事情努力力了未必必有結(jié)果果，但是是不努力力卻什么么改變也也沒有。。。04:39:5504:39:5504:3912/29/20224:39:55AM11、成功就是是日復(fù)一日日那一點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)小小努力力的積累。。。12月-2204:39:5504:39Dec-2229-Dec-2212、世間間成事事，不不求其其絕對對圓滿滿，留留一份份不足足，可可得無無限完完美。。。04:39:5504:39:5504:39Thursday,December29,202213、不知香香積寺，，數(shù)里入入云峰。。。12月