GB/T 34479-2017硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34479—2017

硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

Specificationforalphanumericmarkingofsiliconwafers

2017-10-14發(fā)布2018-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T34479—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料有限公司浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張靜孫燕邊永智樓春蘭

:、、、。

Ⅰ

GB/T34479—2017

硅片字母數(shù)字標(biāo)志規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片或其他半導(dǎo)體晶片上字母數(shù)字標(biāo)志的編碼規(guī)范包括標(biāo)志的形狀和尺寸字母數(shù)

,、

字代碼的定義要求和字母數(shù)字錯碼檢驗方法等

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在硅片及其他晶片正面或背面的編碼標(biāo)志

。

注字母數(shù)字標(biāo)志及關(guān)聯(lián)信息存入數(shù)據(jù)庫可被簡單的自動光學(xué)字符讀數(shù)儀或人工進(jìn)行獨立快速識別確

:,(OCR)、,

保晶片制造商對晶片標(biāo)記的一致性

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

供應(yīng)商識別碼列表

SEMIAUX001(Listofvendoridentificationcodes)

自動光學(xué)字符讀數(shù)字符概述

SEMIAUX015(SEMIOCRcharacteroutlines)

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

字符間隔characterseparation

任意字符的相鄰邊界之間的水平距離

。

32

.

字符間距characterspacing

相鄰字符的字符中心線之間的水平距離

。

33

.

字符傾斜度characterskew

字符的基線與字符的窗口底部平行線之間的字符傾斜度

。

34

.

相鄰字符未對準(zhǔn)度charactermisalignment

Radj

同一行兩個相鄰字符的字符基線之間的垂直距離

。

35

.

行字符未對準(zhǔn)度linespacingmisalignment

Rline

同一行中最高和最低字符的基線之間的垂直距離

。

4標(biāo)志的形狀和尺寸

41寫入字符時可使用實線法或點陣法最小點陣尺寸應(yīng)為水平方向個點垂直方向個點如圖

.