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文檔簡介

干膜技術資料第1頁/共21頁2023/4/42一、液體感光膠:

液體感光膠在印制線路板初期生產中,被許多廠家所采用。它具有極明顯的優(yōu)點即配制簡單、涂層薄、分辨率高和成本較低等。這些液體感光膠主體樹脂最初采用以骨膠、聚乙烯醇膠為主。前者的主要缺點是質量不穩(wěn)定,控制厚度困難,與基材銅箔的表面敷形程度不太理想;后者雖然敷形程度好,但其涂覆層的厚度難以均勻一致的進行控制。它們的分辨率卻是很高的,導線寬度與間距可以達到0.15-0.05mm。但由于受其涂布方法(手搖或涂布離心機)和涂層的非均勻性的限制,以及其抗蝕能力受室內環(huán)境的濕度影響較大,不適宜大批量印制電路板的生產。第2頁/共21頁2023/4/43二、光致抗蝕干膜:

光致抗蝕干膜是六十年代后期研制與開發(fā)出來的光成像原材料。由主體樹脂和光引發(fā)劑或光交聯劑組成。又根據感光材料的種類的不同,有的增加觸變劑、流平劑、填料等。此種材料的最大特點是分辨率高、抗蝕能力強、涂布均勻、感光層的厚度可制作成25μm、分辨率達到極限值為0.10mm。工序操作簡單易實現自動化生產,適合大批量印制電路板生產。但隨著組裝密度要求越來越高,印制電路圖形的導細更細和間距更窄。采用此類光致抗蝕干膜,要制造出0.10-0.076mm導線寬度就顯得更加困難。而且制作出更薄的光致抗蝕干膜,從加工手段分析是不太可能。所以,基干膜本身厚度與涂覆尺寸的收縮限制再提高是很困難的第3頁/共21頁2023/4/44三、濕法貼膜技術:

從成本分析,采用干膜法進行圖形轉移,生產中采用此法時間最長,而采用濕法貼膜技術,是最近幾年的事情。它是利用干膜水溶性特點,使膜面部分液體形式排擠基板表面留在缺陷處的氣泡并能填滿和粘著牢固,經濕影后確保細導線圖形的完整性和一致性。其實質是排擠基板面上與干膜間殘留的微氣泡,以免造成精細導線產生質量缺陷(缺口、針孔、斷線等)。其分辨率可達到0.08mm。但是這種工藝方法也不可能再繼續(xù)提高其分辨率。第4頁/共21頁2023/4/45四、陽極法電沉積光致抗蝕劑:

印制電路圖形的導線越來越細、孔徑越來越小及孔環(huán)越來越窄的發(fā)展趨勢永無停止,芯片間腳間距從1.27mm降到0.75-0.625mm甚至更小。實際上焊盤尺寸僅比孔徑大0.05mm;當孔中心距為1.25mm中間布線0.10mm三根導線,此時焊盤僅比孔徑大0.12mm。因此焊盤每邊比孔徑大0.06mm。這種規(guī)格要求的印制電路板無論是雙面、多層或SMT用印制電路板以及出現BGA板即球柵陣列一種組裝結構工藝。就BGA用的多層印制電路板板(外層導線寬度為0.10-0.12mm、內層導線寬度為0.10mm、間距為0.075mm),其電路圖形的轉移采用上述任何原材料都無法達到其技術指標。因此研制與開發(fā)更新型的光致抗蝕劑-陽極法電沉積光致抗蝕劑(ED法)其基本原理是將水溶性的有機酸化合物等溶于槽液內,形成帶有正、負荷的有機樹脂團,而把基板銅箔作為一個極性(類似電鍍一樣)進行“電鍍”即電泳,在銅的表面形成5-30μm光致抗蝕膜層,是可控制的。其分辨率可達到0.05-0.03mm。這種電路圖形轉移材料是很有發(fā)展前途的工藝方法。當然任何新型有圖形轉移材料都有它的局限性,隨著高科技的發(fā)展還會研制與開發(fā)更適合更佳的原材料。第5頁/共21頁2023/4/46干膜光致抗蝕的種類概述:干膜光致抗蝕劑產生于1968年,而在七十年代初發(fā)展起來的i種感光材料,我國于七十年代中期開始干膜的研制和應用,至今已有幾種產品用于印制電路板生產,由于干膜具有良好的工藝性能、優(yōu)良的成像性和耐化學藥品的性能,在圖形電鍍工藝中,它對于制造精密細導線、提高生產率、簡化工序、改善產品質量等方面起到了其它光致抗蝕劑所起不到的作用。應用干膜制造印制板有如下特點:

1.有較高的分辨率,一般線寬可做到0.1mm;

2.干膜應用在圖形電鍍工藝中,電鍍加厚在高而垂直的夾壁問進行,在鍍層厚度小于抗蝕劑厚度時,可以防止產生鍍層突延和防止去膜時抗蝕劑嵌入鍍層下面,保證線條精度;

3.干膜的厚度和組成一致,避免成像時的不連續(xù)性,可靠性高;

4.應用干膜,大大簡化了印制板制造工序,有利于實現機械化、自動化。第6頁/共21頁2023/4/47干膜光致抗蝕劑種類根據顯影和去膜的方法可把干膜分為三種類型:

1.溶劑型干膜

使用有機溶劑作顯影劑和去膜劑,例如用1.1.1三氯乙烷顯影,二氯甲烷去膜,這兩種溶劑遇火不燃燒。醋酸丁酯等有機溶劑也可用作顯影和去膜,但易燃燒,很不安全。溶劑型干膜是美國最早研制并投入大量生產的一種干膜,我國早期也研制過。它的優(yōu)點是技術成熟,工藝穩(wěn)定,耐酸耐堿,應用范圍廣。但是,使用這種干膜需要消耗大量的有機溶劑,需要價格昂貴的顯影和去膜設備及輔助裝置,生產成本高,溶劑有毒,污染環(huán)境,所以日趨以水溶性干膜所取代,僅在特殊要求時才使用。

2.水溶型干膜

它包括半水溶性和全水溶性兩種。半水溶性干膜顯影劑和去膜劑以水為主,并加有2~15%的有機溶劑。全水溶性的干膜顯影劑和去膜劑是堿的水溶液。半水溶性干膜成本較低,而全水溶性干膜的成本最低,毒性亦小。

3.干顯影或剝離型干膜

這種干膜不需用任何顯影溶劑,而是利用干膜的感光部分與未感光部分對聚酯薄膜表面和加工工件表面附著力的差別,在從曝光板上撕下聚酷薄膜時,未曝光的不需要的干膜隨聚酯薄膜剝離下來,在加工工件表面留下已曝光的干膜;由此得到所需要的干膜圖像。

根據干膜的用途,可把干膜分為抗蝕干膜、掩孔干膜和阻焊干膜,抗蝕干膜和掩孔干膜用作制造印制板圖像,而阻焊干膜是涂覆在印制板成品板的表面上,有選擇地保護印制板表面,以便在焊接元器件時,防止導線和焊盤問的短路、橋接,它也是印制板表面的永久性保護層,能起到防潮、防霉、防鹽霧等作用。由于阻焊干膜的成本高,并且在應用中需要昂貴的真空貼膜設備,因而被近年來飛速發(fā)展的液體感光阻焊劑所代替。第7頁/共21頁2023/4/48干膜光致抗蝕劑的結構、感光膠層的主要成分及作用干膜光致抗蝕劑的結構

干膜光致抗蝕劑由聚酯薄膜,光致抗蝕劑膜及聚乙烯保護膜三部分組成。聚酯薄膜是支撐感光膠層的載體,使之涂布成膜,厚度通常為25μm左右。聚酯薄膜在曝光之后顯影之前除去,防止曝光時氧氣向抗蝕劑層擴散,破壞游離基,引起感光度下降。聚乙烯膜是復蓋在感光膠層上的保護膜,防止灰塵等污物粘污干膜,避免在卷膜時,每層抗蝕劑膜之間相互粘連。聚乙烯膜一般厚度為25μm左右。光致抗蝕劑膜為干膜的主體,多為負性感光材料,其厚度視其用途不同,有若干種規(guī)格,最薄的可以是十幾個微米,最厚的可達100μm。

干膜光致抗蝕劑的制作是先把預先配制好的感光膠在高清潔度的條件下,在高精度的涂布機上涂覆于聚酯薄膜上,經烘道干燥并冷卻后,覆上聚乙烯保護膜,卷繞在一個輥芯上。★光致抗蝕劑膜層的主要成分及作用:我國大量用于生產的是全水溶性干膜,這里介紹的是全水溶性干膜感光膠層的組成。第8頁/共21頁2023/4/491)粘結劑(成膜樹脂)

作為光致抗蝕劑的成膜劑,使感光膠各組份粘結成膜,起抗蝕劑偽骨架作用,它在光致聚合過程中不參與化學反應。要求粘結劑具有較好的成膜性;與光致抗蝕劑的各組份有較好的互溶性;與加工金屬表面有較好的附著力;它很容易從金屬表面用堿溶液除去;有較好的抗蝕、抗電鍍、抗冷流、耐熱等性能。粘結劑通常是酯化或酰胺化的聚苯乙烯——順丁烯二酸酐樹脂(聚苯丁樹脂)。2)光聚合單體

它是光致抗蝕劑膠膜的主要組份,在光引發(fā)劑的存在下,經紫外光照射發(fā)生聚合反應,生成體型聚合物,感光部分不溶于顯影液,而未曝光部分可通過顯影除去,從而形成抗蝕圖像。多元醇烯酸酯類及甲基丙烯酸酯類是廣泛應用的聚合單體,例如季戊四醇三丙烯酸酯是較好的光聚合單體。3)光引發(fā)劑

在紫外光線照射下,光引發(fā)劑吸收紫外光的能量產生游離基,而游離基進一步引發(fā)光聚合單體交聯。干膜光致抗蝕劑通常使用安息香醚、叔丁基恿醌等作光引發(fā)劑。4)增塑劑

可增加干膜抗蝕劑的均勻性和柔韌性。三乙二醇雙醋酸脂可作為增塑劑。5)增粘劑

可增加干膜光致抗蝕劑與銅表面的化學結合力,防止因粘結不牢引起膠膜起翹、滲鍍等弊病。常用的增粘劑如苯并三氮唑。6)熱阻聚劑

在干膜的生產及應用過程中,很多步驟需要接受熱能,為阻止熱能對干膜的聚合作用加入熱阻聚劑。如甲氧基酚、對苯二酚等均可作為熱阻聚劑。7)色料

為使干膜呈現鮮艷的顏色,便于修版和檢查而添加色料。如加入孔雀石綠、蘇丹三等色料使干膜呈現鮮艷的綠色、蘭色等。8)溶劑

為溶解上述各組份必須使用溶劑。通常采用丙酮、酒精作溶劑。此外有些種類的干膜還加入光致變色劑,使之在曝光后增色或減色,以鑒別是否曝光,這種干膜又叫變色于膜。第9頁/共21頁2023/4/410什么是圖像轉移制造印制板過程中的一道工序就是將照相底版上的電路圖像轉移到覆銅箔層壓板上,形成一種抗蝕或抗電鍍的掩膜圖像??刮g圖像用于“印制蝕刻工藝”,即用保護性的抗蝕材料在覆銅箔層壓板上形成正相圖像,那些未被抗蝕劑保護的不需要的銅箔,在隨后的化學蝕刻工序中被去掉,蝕刻后去除抗蝕層,便得到所需的裸銅電路圖像。而抗電鍍圖像用于“圖形電鍍工藝”,即用保護性的抗蝕材料在覆銅層壓板上形成負相圖像,使所需要的圖像是銅表面,經過清潔、粗化等處理后,在其上電鍍銅或電鍍金屬保護層(錫鉛、錫鎳、錫、金等),然后去掉抗蝕層進行蝕刻,電鍍的金屬保護層在蝕刻工序中起抗蝕作用。以上兩種工藝過過程概括如下:第10頁/共21頁2023/4/411印制蝕刻工藝流程:下料→板面清潔處理→涂濕膜→曝光→顯影(貼干膜→曝光→顯影)→蝕刻→去膜→進入下工序畋形電鍍工藝過程概括如下:下料→鉆孔→孔金屬化→預鍍銅→板面清潔→涂濕膜→曝光→顯影(貼干膜→曝光→顯影)→形成負相圖象

→圖形鍍銅→圖形電鍍金屬抗蝕層→去膜→蝕刻→進入下工序圖像轉移有兩種方法,一種是網印圖像轉移,一種是光化學圖像轉移。網印圖像轉移比光化學圖像轉移成本低,在生產批量大的情況下更是如此,但是網印抗蝕印料通常只能制造大于或等于o.25mm的印制導線,而光化學圖像轉移所用的光致抗蝕劑朗制造分辨率高的清晰圖像。本章所述內容為后一種方法。光化學圖像轉移需要使用光致抗蝕劑,下面介紹有關光致抗蝕劑的一些基本知識

第11頁/共21頁2023/4/4121)光致抗蝕劑:用光化學方法獲得的,能抵抗住某種蝕刻液或電鍍溶液浸蝕的感光材料。

2)正性光致抗蝕劑:光照射部分分解(或軟化),曝光顯影之后,能把生產用照相底版上透明的部分從板面上除去。

3)負性光致抗蝕劑:光照射部分聚合(或交聯),曝光顯影之后,能把生產用照相底版上透明的部分保留在板面上。

4)光致抗蝕劑的分類:

按用途分為耐蝕刻抗蝕劑和耐電鍍抗蝕劑。

按顯影類型分為全水溶性抗蝕劑、半水溶性抗蝕劑和溶劑性抗蝕劑。

按物理狀態(tài)分為液體抗蝕劑和干膜抗蝕劑

按感光類型分為正性抗蝕劑和負性抗蝕劑。第12頁/共21頁2023/4/413液體光抗蝕劑(濕膜)液體光致抗蝕劑(簡稱濕膜)

液體光致抗蝕劑(也稱濕膜)是國外九十年代初發(fā)展的一種新型感光材料。隨著表面貼裝技術(SMT)和芯片組裝技術(CMT)的發(fā)展,對印制板導線精細程度的要求越來越高,仍使用傳統(tǒng)的干膜進行圖像轉移存在兩個問題。一是干膜感光層上面的那層相對較厚(約為25μm)的聚酯膜降低了分辨率,使精細導線的制作受到限制。二是覆銅箔板表面,諸如針孔、凹陷、劃傷及玻璃纖維造成的凹凸不平等微小缺陷,使貼膜時干膜與銅箔無法緊密結合,形成界面性氣泡,進而蝕刻時蝕刻液會從干膜底部滲入造成圖像的斷線、缺口,電鍍時電鍍溶液從干膜底部浸入造成滲鍍。影響了產品的合格率。為解決上述問題,開發(fā)了液體光致抗蝕劑。

液體光致抗蝕劑主要由高感光性樹脂、感光劑、色料、填料及少量溶劑組成。可用網印方式涂覆,用稀堿水溶液顯影,可抗酸性及弱堿性蝕刻液蝕刻,可抗酸性鍍銅、氟硼酸鍍錫鉛、酸性鍍鎳、微氰酸性鍍金等溶液的電鍍。其應用工藝流程為:

基板前處理→涂覆→烘烤→曝光→顯影→干燥→蝕刻或電鍍→去膜第13頁/共21頁2023/4/414基板前處理

如干膜一節(jié)所述的基板前處理的方法均可適用于液體光致抗蝕劑,但側重點與干膜有所區(qū)別?;迩疤幚碇饕墙鉀Q表面清潔度和表面粗糙度的問題。

液體光致抗蝕劑的粘合主要是通過化學鍵合反應來完成的。通常液體抗蝕劑是一種以丙烯酸鹽為基本成分的聚合物,它可能是通過其可自由移動的未聚合的丙烯酸基團與銅結合,為保證這種鍵合作用,銅表面必須新鮮、無氧化且呈未鍵合的自由狀態(tài),再通過適當粗化,增大表面積,便可得到優(yōu)良的粘附力。而干膜具有較高的粘度和較大程度的交聯,可移動的供化學鍵合利用的自由基團很少,主要是通過機械連接來完成其粘附過程。因此液體抗蝕劑側重要求銅箔表面的清潔度,而干膜抗蝕劑是側重要求銅箔表面的微觀粗糙度。第14頁/共21頁2023/4/415涂覆

根據不同的用途選用不同目數的網版進行涂覆,以得到不同厚度的抗蝕層。實踐表明:用于印制蝕刻工藝(如制作多層板內層圖像)可選用200目絲網,網印后膜的厚度12土2Mm。用于圖形電鍍工藝在選用150目一120目絲網,網印后膜的厚度為25土2μm,以使鍍層厚度不超過膜層厚度,防止由于鍍層突延壓住圖像邊緣處的抗蝕層,去膜時又去不掉,造成圖像邊緣不整齊。涂覆最好是在比印制板有效面積每邊大出5—7mm的范圍內進行,而不是整板涂覆,以有利于曝光時底版定位的牢度,因為底版定位膠帶若貼在膜層上,使用幾次后粘性便大大降低容易在曝光抽真空過程中產生底片偏移,特別是制作多層板內層圖像時,這種偏移不易發(fā)現,而是要當表面層做出圖像并蝕刻后方能看出,但此時已無法補救,產品只能報廢。涂覆后的板子必須上架,而且板與板之間要有一定距離,以保證下步烘烤中干燥的均勻、徹底。涂覆方式除了采用網印外,大規(guī)模生產的還可以來用幕簾涂布、滾涂或噴涂等方式涂覆。第15頁/共21頁2023/4/416烘烤

烘烤的溫度和時間,不同型號的液體光致抗蝕劑有不同的要求,可參照說明書和具體生產實踐來確定。烘烤方式有烘道和烘箱兩種。用烘箱時,烘箱一定要帶有鼓風和恒溫控制,以使各部位溫度比較均勻。烘烤時間應在烘箱達到設定溫度時開始計算??刂坪煤婵緶囟群蜁r間很重要。烘烤溫度過高或時間過長,將難于顯影和去除膜層,而烘烤溫度過低或時間過短,在曝光過程中底版會沾在抗蝕劑涂覆層上,揭下來時底版易受到損傷。

第16頁/共21頁2023/4/417曝光

液體光致抗蝕劑感光的有效波長為300—400nm,因此對干膜和液體光致阻焊劑進行曝光的設備亦可適用于濕膜曝光,曝光量100—300mJ/平方里米。

因為烘烤后膜層的硬度還不足1H,因此曝光對

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