InP單晶材料生長方法

InP〔HEMT〕和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管〔HBT〕等方面。由于與InPInGaAs層的載流子溶度和電子遷移率格外高，超過與GaAsInPGHz有很大的應用前景。InP電集成電路〔OEIC〕40Gb/s工藝技術(shù)及深亞微米制造技術(shù)進展越來越顯示出起異乎尋常的特性，青睞。InP1.4eV能電池，并由于其具有高抗輻射性能被用于空間衛(wèi)星的太陽能電池。多晶的合成相比照較困難。但是人們還是制造了很多方法用以合成InPInP相轉(zhuǎn)為固相的相變過程，材料的相圖、熱導率、堆垛層錯能、分剪切應力、雜質(zhì)分凝等是打算單晶生長的關(guān)鍵因素。人們承受了多種方法來進展InPLEC、改進的LEC、壓力掌握LEC、VGF/VB及HB/HGFInPInP種潛能始終是InPLEC液封直拉〔LEC〕法始終是InP可以生長φ100～φ150mm的InPLECInP1968年MullinB2O3作為掩蓋劑用LECInP高的，因此不能像硅那樣直接承受CZ坩應加熱坩堝中的提拉開頭結(jié)晶。拉制過程中調(diào)整熔體溫度可以掌握晶體的直徑。的溫度就會漸漸上升，從而使晶體的直徑縮小。晶體離開熔體后，溫LEC進展自動化生長InPInPLEC勢。大量的工藝和理論爭論說明單晶生長中并不存在臨界放肩角的寸，需要選擇適宜的放肩角度以避開孿晶的產(chǎn)生，并使工藝成熟化。率的重要條件。在屢次試驗中覺察一般生長大直徑單晶時承受大于75°簡潔造成徑向溫度梯度不均勻，引起晶體生長不對稱，產(chǎn)生孿晶。在性影響不大，從一般理論意義上講，也有利于應力的釋放，一些數(shù)據(jù)說明在放肩時有向外生長孿晶的單晶位錯數(shù)量較少。180°平放肩使工藝過于臨界，適當承受在引晶時緩慢拉速〔2～4mm/h〕可以使工藝操作簡潔，并且B2O3晶體的上外表時緩慢流回到熔體中，不至于在晶體的肩部外表造成“剝皮”現(xiàn)象，也有利于削減應力積存。部生長的孿晶的產(chǎn)生幾率，更適宜＜100＞方向的單晶生長。這可能利于單晶生長。果而是多重綜合影響的結(jié)果，因此綜合考慮，綜合調(diào)整。因此，承受平放肩技術(shù)，調(diào)整徑向溫度梯度，晶體放肩角可到達75°以上，大大縮短了晶體生長的時間，增加了大直徑單晶的比例，90°。使晶體最大直142mm。改進的LEC為了減小傳統(tǒng)LECLEC〔熱罩〕TB－LEC堝B2O3加速了從熔體中生長出InP方開小口的方式可以抑制磷的離解〔4〕。壓力掌握LEC磷蒸氣壓掌握LEC技術(shù)又稱為VCZ〔