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ICS31.200微波半導(dǎo)體集成電路國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)IGB/T42836—2023本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分:標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起草。請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。本文件由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC78)歸口。本文件起草單位:中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、廣訊檢測(cè)(廣東)有限公司、安徽西瑪科電器有限公電子科技有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所、中國(guó)航天科工集團(tuán)第三十五研究所。1GB/T42836—2023微波半導(dǎo)體集成電路混頻器2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中,注日期的引用文本文件。GB/T4589.1半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范GB/T4937.3半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢GB/T4937.4半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第4部分:強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)(HAST)GB/T4937.11半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第11部分:快速溫度變化雙液槽法GB/T4937.13半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第13部分:鹽霧GB/T4937.14半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第14部分:引出端強(qiáng)度(引線牢固性)GB/T4937.15半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱GB/T4937.21半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第21部分:可焊性GB/T4937.23半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23部分:高溫工作壽命GB/T4937.24半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第24部分:加速耐濕-無(wú)偏HASTGB/T4937.26半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第26部分:靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試人GB/T4937.27半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第27部分:靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試機(jī)GB/T9178集成電路術(shù)語(yǔ)GB/T12750半導(dǎo)體器件集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)GB/T17573—1998半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分:總則GB/T19403.1半導(dǎo)體器件集成電路第11部分:第1篇:半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢(不包括混合電路)QB/T3811塑料打包帶SJ/T10147集成電路防靜電包裝管SJ/T11587電子產(chǎn)品防靜電包裝技術(shù)要求IEC60749-6半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第6部分:Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)IEC60749-8半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第8部分:密封(Semiconductordevices—Me-chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)IEC60749-9半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第9部分:標(biāo)志耐久性(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)2IEC60749-24半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第24部分:加速耐濕無(wú)偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoisturere-sistance-UnbiasedHAST)IEC60749-28半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第28部分:靜電放電(ESD)敏感度測(cè)試帶電模型(CDM)[Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part28:Electdischarge(ESD)sensitivitytesting—Chargeddevicemodel(CDM)]IEC60749-36半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第36部分:穩(wěn)態(tài)加速度(Semiconductorde-vices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)5技術(shù)要求動(dòng)態(tài)特性參數(shù)最小值最大值變頻損耗×本振/中頻隔離度×射頻/中頻隔離度×中頻/射頻隔離度×輸入ldB壓縮功率電平X電壓駐波比—×噪聲系數(shù)X雙音三階交調(diào)截點(diǎn)X鏡像頻率抑制度(適用時(shí))×射頻泄露×抗燒毀功率×注:“×”表示必備要求,“—”表示不要求。3GB/T42836—2023a)輸入或輸出電路功能框圖;c)推薦工作條件;d)工作溫度。a)相對(duì)濕度:25%~75%(適用時(shí));c)試驗(yàn)溫度:25℃±3℃。測(cè)試規(guī)定條件下的變頻損耗。Lc=Pk—P? (1)測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖1。4GB/T42836—2023RPP?被測(cè)衰減器2Pr——射頻輸入功率;P?——中頻輸出功率;應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的本振頻率和功率;b)將射頻信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值;c)改變射頻信號(hào)源的輸出功率,給被測(cè)混頻器射頻端口施加規(guī)定的射頻輸入功率(PR);d)從頻譜分析儀讀出輸出功率(Po),從而得出中頻端口的中頻輸出功率(P?);e)由公式(1)計(jì)算變頻損耗(Lc)。如果信號(hào)源自帶衰減器并且滿足測(cè)量要求,頻譜分析儀的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍滿足要求,可以省掉衰減b)測(cè)試儀器的頻率范圍應(yīng)滿足測(cè)試要求;c)測(cè)試儀器的量程應(yīng)滿足測(cè)試要求;f)當(dāng)操作靜電敏感器件時(shí),應(yīng)遵循GB/T17573—1998中第IX篇中的操作注意事項(xiàng);a)環(huán)境溫度;5b)本振頻率和功率;c)射頻頻率和功率。測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖2。R——射頻端口;I——中頻端口。GB/T42836—2023R被測(cè)R混頻器圖2變頻損耗測(cè)試原理框圖(網(wǎng)絡(luò)分析儀法)應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn);b)按圖2連接好測(cè)試系統(tǒng);c)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的本振頻率和功率;d)給被測(cè)混頻器射頻端施加規(guī)定的頻率和輸入功率;e)從網(wǎng)絡(luò)分析儀中讀取變頻損耗(Lc)。測(cè)試設(shè)備滿足下列要求:b)測(cè)試儀器的頻率范圍應(yīng)滿足測(cè)試要求;c)測(cè)試儀器的量程應(yīng)滿足測(cè)試要求;f)當(dāng)操作靜電敏感器件時(shí),應(yīng)遵循GB/T17573—1998中第IX篇中的操作注意事項(xiàng);見(jiàn)6.3.1.2.4。6GB/T42836—20236.3.2隔離度測(cè)試規(guī)定條件下的隔離度。6.3.2.2方法一6.3.2.2.1測(cè)試原理由公式(2)計(jì)算本振與中頻端隔離度:ISO?-1=P1—P…………(2)式中:ISOL-1——本振與中頻端隔離度,單位為分貝(dB);P——本振端口所施加的功率,單位為分貝毫瓦(dBm);P?——中頻端口輸出功率,單位為分貝毫瓦(dBm)。由公式(3)計(jì)算本振與射頻端隔離度:ISOL-R=PLPR……(3)式中:ISOL-r——本振與射頻端隔離度,單位為分貝(dB);P——本振端口所施加的功率,單位為分貝毫瓦(dBm);PR——射頻端口輸出功率,單位為分貝毫瓦(dBm)。由公式(4)計(jì)算射頻與中頻端隔離度:ISOR-1=PrP?式中:ISOR-1——射頻與中頻端隔離度,單位為分貝(dB);PR——射頻端口所施加的功率,單位為分貝毫瓦(dBm);P?——中頻端口射頻頻率下的輸出功率,單位為分貝毫瓦(dBm)。本振與中頻端隔離度的測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖3,本振與射頻端隔離度的測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖4,射頻與中頻端隔離度的測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖1。PP本振信號(hào)源衰減器1P衰減器2被測(cè)R頻譜分析儀匹配負(fù)載標(biāo)引符號(hào)說(shuō)明:PL——本振輸入功率;P?——中頻輸出功率;Po輸出功率。7GB/T42836—2023P被測(cè)PRRP匹配負(fù)載頻譜分析儀I——中頻端口;Pr——射頻輸出功率;圖4本振與射頻端隔離度測(cè)試原理框圖6.3.2.2.2.1本振與中頻端隔離度應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)將本振信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值;b)改變本振信號(hào)源的輸出功率,給被測(cè)混頻器本振端口施加規(guī)定的輸入功率(PL);c)從頻譜分析儀讀出輸出功率(Po),計(jì)算出中頻端口的輸出功率(P?);d)由公式(2)計(jì)算本振與中頻端隔離度(ISOL-1)。6.3.2.2.2.2本振與射頻端隔離度應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)將本振信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值;b)改變本振信號(hào)源的輸出功率,給被測(cè)混頻器本振端口施加規(guī)定的輸入功率(PL);c)從頻譜分析儀讀出輸出功率(Po),計(jì)算出射頻端口的輸出功率(PR);d)由公式(3)計(jì)算本振與射頻端隔離度(ISOL-r)。6.3.2.2.2.3射頻與中頻端隔離度應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的本振頻率和功率;b)將射頻信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值(與本振頻率不同);c)改變射頻信號(hào)源的輸出功率,使給被測(cè)混頻器射頻端口施加的輸入功率(Pr)達(dá)到規(guī)定值;d)從頻譜分析儀讀出射頻頻率下的輸出功率(Po),計(jì)算出中頻端口的射頻頻率下的輸出功率e)由公式(4)計(jì)算射頻與中頻端隔離度(ISOR-1)。析儀測(cè)試中頻端口的射頻頻率功率。8GB/T42836—2023測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖2。b)按圖2連接好測(cè)試系統(tǒng);d)從網(wǎng)絡(luò)分析儀中分別讀取ISO?-、ISO-R、ISOk-1。d)按6.3.1.2的規(guī)定測(cè)試變頻損耗Lc;9GB/T42836—2023值增大1dB,此時(shí)的射頻輸入功率即為輸入1dB壓縮功率電平。測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖2。應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn);b)按圖2連接好測(cè)試系統(tǒng);c)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的本振頻率和功率;e)給被測(cè)混頻器施加適當(dāng)?shù)纳漕l輸入功率;f)改變射頻輸入功率,用網(wǎng)絡(luò)分析儀顯示變頻損耗隨測(cè)試規(guī)定條件下的電壓駐波比。RL=P?P?…………(5)P?——接入被測(cè)混頻器時(shí)頻譜分析儀上讀出的功率,單位為分貝毫瓦(dBm)。GB/T42836—2023VSWR=(1+10-RL/20)/(1—10-RL/20)…………(6)式中:VSWR——電壓駐波比。射頻、中頻端電壓駐波比測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖5,本振端電壓駐波比測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖6。定向耦合器定向耦合器衰減器2頻譜分析儀射頻信號(hào)源匹配負(fù)載被測(cè)LL——本振端口;I/R——中頻/射頻端口;被測(cè)被測(cè)A匹配負(fù)載R混頻器1.定向耦合器衰減器本振信號(hào)源匹配負(fù)載I——中頻端口;圖6本振端電壓駐波比測(cè)試原理框圖a)將射頻信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值;c)從頻譜分析儀讀出功率(P?);d)接入被測(cè)混頻器,施加規(guī)定的本振頻率和功率;e)從頻譜分析儀讀出功率(P?);GB/T42836—2023c)從頻譜分析儀讀出功率(P?);e)由公式(5)計(jì)算回波損耗(RL);見(jiàn)6.3.1.2.5?;祛l器R/I網(wǎng)絡(luò)分析儀木振信號(hào)源L標(biāo)引符號(hào)說(shuō)明:L——本振端口;R/I——射頻/中頻端口;I/R——中頻/射頻端口。被測(cè)被測(cè)混頻器網(wǎng)絡(luò)分析儀匹配負(fù)載匹配負(fù)載RR——射頻端口;I——中頻端口。GB/T42836—2023a)對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn);b)按圖7連接好測(cè)試系統(tǒng);c)調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻率至規(guī)定值;d)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振頻率和功率;e)從網(wǎng)絡(luò)分析儀中讀取規(guī)定頻率下的射頻端、中頻端的回波損耗(RL)或電壓駐波比(VSWR)。a)對(duì)網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行校準(zhǔn);b)按圖8連接好測(cè)試系統(tǒng);c)調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)分析儀的頻率至規(guī)定值;d)從網(wǎng)絡(luò)分析儀中讀取規(guī)定頻率下的本振端的回波損耗(RL)或電壓駐波比(VSWR)。測(cè)試規(guī)定條件下的噪聲系數(shù)。當(dāng)被測(cè)混頻器射頻輸入端分別輸入兩個(gè)資用噪聲功率(熱態(tài)和冷態(tài))時(shí),混頻器的中頻輸出端可以NF=ENR—10lg(Y—1) (7)式中:NF——噪聲系數(shù),單位為分貝(dB);測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖9。GB/T42836—2023本振信號(hào)源衰減器1L被測(cè)R(可選)(AB冷噪聲發(fā)生器發(fā)生器(可選)精密可變衰減器I——中頻端口;a)將溫度調(diào)至規(guī)定值;b)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振頻率和功率;c)連接B和C兩點(diǎn),調(diào)節(jié)精密可變衰減器,使電平指示器的讀數(shù)為某一讀數(shù);d)記下電平指示器的讀數(shù);e)記錄衰減器的衰減值(Ac);f)斷開(kāi)B和C兩點(diǎn),并連接A和C兩點(diǎn),重新調(diào)節(jié)精密可變衰減器,使電平指示器的讀數(shù)與d)g)記錄衰減器的衰減值(Ah);h)由公式(8)計(jì)算Y系數(shù):Y=10(Ah-Ac/10)………(8)i)用公式(7)計(jì)算被測(cè)混頻器的噪聲系數(shù)(NF)。b)圖9中的精密可變衰減器的分辨率應(yīng)滿足測(cè)試要求。GB/T42836—2023測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖10?;祛l器木振信號(hào)源衰減器1L被測(cè)R噪聲分析儀混頻器濾波器(可選)衰減器2L——本振端口;R——射頻端口;I——中頻端口。圖10噪聲系數(shù)測(cè)試原理框圖(噪聲分析儀法)應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)按圖10連接測(cè)試系統(tǒng);b)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振頻率和功率;c)將噪聲分析儀的頻率調(diào)到規(guī)定值;d)從噪聲分析以上讀出噪聲系數(shù)。見(jiàn)6.3.1.2.3。測(cè)得的噪聲系數(shù)包括中頻端的濾波器、放大器和衰減器的噪聲,若對(duì)結(jié)果進(jìn)行修測(cè)試規(guī)定條件下的雙音三階交調(diào)截點(diǎn)。GB/T42836—2023IP?=D?—E…………(9)IP?——雙音三階交調(diào),單位為分貝(dB);D?——頻譜分析儀指示的三階交調(diào)產(chǎn)物輸出功率電平,單位為分貝毫瓦(dBm);不同三階交調(diào)頻E——頻譜分析儀指示的信號(hào)源1、信號(hào)源2的信號(hào)與本振信號(hào)混頻得到的中頻輸出信號(hào)功率電由公式(10)計(jì)算雙音三階交調(diào)截點(diǎn):P?(IP)——雙音三階交調(diào)截點(diǎn),單位為分貝毫瓦(dBm);PR——單一射頻輸入功率電平,單位為分貝毫瓦(dBm)。測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖11。信號(hào)源1衰減器1(可選)衰減器3(可選)R被測(cè)混頻器L哀減器2衰減器5信號(hào)源2標(biāo)引符號(hào)說(shuō)明:L——本振端口;I——中頻端口。圖11雙音三階交調(diào)截點(diǎn)測(cè)試原理框圖應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振功率;b)設(shè)定信號(hào)源1和信號(hào)源2的頻率分別為f?和f?,其頻率差為規(guī)定值;通過(guò)功率合成器后被測(cè)GB/T42836—2023混頻器輸入端的信號(hào)功率電平為規(guī)定值(各頻率分量輸入到混頻器的功率應(yīng)相等,除另有規(guī)定外,可設(shè)為1dB壓縮點(diǎn)輸入功率),單一信號(hào)功率的功率電平為PR;c)將頻譜分析儀的分辨率帶寬調(diào)到規(guī)定值,顯示f?和f?信號(hào)分別與本振信號(hào)混頻得到的中頻輸出信號(hào)功率電平(E);d)三階交調(diào)的頻率為2f?±f2、2f?±f?與本振頻率的差/和值;e)用頻譜分析儀讀出三階交調(diào)產(chǎn)物輸出功率電平(D?)(不同三階交調(diào)頻率幅度有差異時(shí),讀出幅度較大者);f)由公式(9)計(jì)算被測(cè)混頻器的雙音三階交調(diào)(IP?);g)由公式(10)計(jì)算被測(cè)混頻器的雙音三階交調(diào)截點(diǎn)(P3(IP))。見(jiàn)6.3.1.2.3。測(cè)試規(guī)定條件下的鏡像頻率抑制度。測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖1。由公式(11)計(jì)算鏡像頻率抑制度:式中:應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振頻率和功率;b)將射頻信號(hào)源的頻率調(diào)到規(guī)定值fs;c)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的射頻輸入功率,用頻譜分析儀測(cè)出輸出中頻信號(hào)幅度相對(duì)電平d)將射頻信號(hào)源的頻率置于鏡像頻率f;(與本振頻率fi.的差為中頻頻率,并且符合fi+fs=2f?),用頻譜分析儀測(cè)出鏡像中頻信號(hào)幅度相對(duì)電平(Ají);e)由公式(11)計(jì)算鏡像頻率抑制度(Rim)。GB/T42836—20236.3.7.2.4規(guī)定條件應(yīng)規(guī)定下列條件:a)環(huán)境溫度;b)本振頻率和功率;c)射頻頻率、鏡像頻率和功率。6.3.7.3.1測(cè)試原理測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖12。本振信號(hào)源衰減器1L被測(cè)混頻器R衰減器2射頻信號(hào)源同步掃描網(wǎng)絡(luò)分析儀標(biāo)引符號(hào)說(shuō)明:L——本振端口;I——中頻端口。圖12鏡像頻率抑制度測(cè)試原理框圖6.3.7.3.2測(cè)試程序應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振頻率和功率;b)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的射頻輸入功率,射頻信號(hào)源的掃描范圍包括射頻信號(hào)頻率和鏡像頻率;c)用網(wǎng)絡(luò)分析儀讀出所需中頻信號(hào)與鏡像中頻信號(hào)相對(duì)電平差即為鏡像頻率抑制度(Rim)。6.3.7.3.3測(cè)試設(shè)備要求見(jiàn)6.3.1.3.3。6.3.7.3.4規(guī)定條件見(jiàn)6.3.7.2.4。6.3.8射頻泄漏測(cè)試規(guī)定條件下的射頻泄漏。6.3.8.2測(cè)試原理測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖13。GB/T42836—2023衰減器2R被測(cè)混頻器[匹配終端指示器本振信號(hào)源衰減器1R——射頻端口;圖13射頻泄漏測(cè)試原理框圖a)按圖13連接測(cè)試系統(tǒng);b)監(jiān)測(cè)和檢查射頻泄漏的試驗(yàn)設(shè)備應(yīng)在規(guī)定中心頻率點(diǎn)上進(jìn)行校正;c)測(cè)試前將指示器校零,并排除其他測(cè)試設(shè)備的微波輻射對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響;d)給被測(cè)混頻器加上規(guī)定的本振功率;f)由指示器直接讀出混頻器泄漏的平均功率密度(Pa),單位為微瓦每平方厘米(μW/cm2)。測(cè)試規(guī)定條件下的抗燒毀功率。測(cè)試原理框圖見(jiàn)圖14。GB/T42836—2023本振信號(hào)源衰減器1被測(cè)PR衰減器2射頻信號(hào)源匹配負(fù)載R——射頻端口;PR——射頻輸入功率;P?——中頻輸出功率。圖14抗燒毀功率測(cè)試原理框圖應(yīng)按以下程序進(jìn)行測(cè)試:a)按圖14連接好測(cè)量系統(tǒng);b)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定本振頻率和功率;c)給被測(cè)混頻器施加規(guī)定的射頻功率(PksH)并同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí);e)按照6.3.1和6.3.2分別測(cè)試混頻器的變頻損耗和隔離度,應(yīng)達(dá)到規(guī)定的數(shù)值。應(yīng)規(guī)定下列條件:c)射頻頻率和功率;d)測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)度;e)要求的變頻損耗和隔離度數(shù)值。7檢驗(yàn)規(guī)則本文件規(guī)定的檢驗(yàn)分為:b)質(zhì)量一致性檢驗(yàn);GB/T42836—2023a)I類:該類的批符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組周期檢驗(yàn)要求。b)Ⅱ類:該類的批符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組和D組周期檢驗(yàn)要求。c)Ⅲ類:該類的批需進(jìn)行100%篩選,并符合A組和B組逐批檢驗(yàn)要求以及C組和D組周期檢A組檢驗(yàn)的抽樣按表2的規(guī)定進(jìn)行,B組、C組和D組檢驗(yàn)的抽樣按表3的規(guī)定進(jìn)行。表2A組抽樣要求分組批允許不合格品率(LTPD)°接收質(zhì)量限(AQL)I類Ⅲ類I類Ⅲ類AQLAQLⅡAQLA3aA3bA4aA4b7532335773233577ⅡⅡ—ⅡⅡⅡⅡ"批允許不合格品率,最大合格判定數(shù)為4。分組LTPD*I類Ⅲ類篩選等級(jí)AⅡ類和Ⅲ類篩選等級(jí)B和DB1B4bB5B8(不適用)555“批允許不合格品率,最大合格判定數(shù)為2。bLTPD指器件引出端數(shù),分配給至少4只器件。GB/T42836—20237.5檢驗(yàn)批構(gòu)成A3a和A3b分組試驗(yàn)。7.7質(zhì)量一致性檢驗(yàn)C組和D組檢驗(yàn)分別按表4、表5、表6和表7規(guī)定的檢驗(yàn)項(xiàng)目和順序進(jìn)行。適用時(shí),進(jìn)行A3、A3a和A3b分組試驗(yàn)。除另有規(guī)定外,試驗(yàn)在25℃下進(jìn)行。標(biāo)有(D)的試驗(yàn)是破壞性的。分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)試驗(yàn)條件極限值A(chǔ)1外部目檢見(jiàn)GB/T4937.3A325℃下靜態(tài)特性見(jiàn)5.1.1A3a最高工作溫度下靜態(tài)特性TA=TA(max)或Tc=Tc(max)極限值可與A3分組不同A3b最低工作溫度下靜態(tài)特性TA=TA(min)或Tc=Tc(min)極限值可與A3分組不同A425℃下動(dòng)態(tài)特性見(jiàn)5.1.2A4a最高工作溫度下動(dòng)態(tài)特性(不適用于I類)TA=TA(max)或Tc=Tc(max)極限值可與A4分組不同A4b最低工作溫度下動(dòng)態(tài)特性(不適用于I類)“TA=TA(min)或Te=Te(min)極限值可與A4分組不同注:TA為環(huán)境溫度,Tc為殼溫?!叭绻圃鞆S能定期證明2個(gè)極限溫度下的試驗(yàn)結(jié)果與25℃下的試驗(yàn)結(jié)果相關(guān),則可使用25℃下的結(jié)果。分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件尺寸可焊性(D)按規(guī)定(僅適用于空封器件)密封非空封器件和環(huán)氧封接的空封器件溫度快速變化隨后:·外部目檢·強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(HAST)見(jiàn)6.2、6.3按規(guī)定10次循環(huán),貯存溫度范圍130℃,85%(相對(duì)濕度),96h/110℃,85%(相對(duì)濕度),264h同A3分組和A4分組分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件壽命電測(cè)試見(jiàn)6.2、6.3最高工作溫度,時(shí)間:168h,偏置條件按詳細(xì)規(guī)范規(guī)定同A3分組和A4分組放行批證明記錄就B3、B4、B5和B8分組提供計(jì)數(shù)檢測(cè)結(jié)果分組檢驗(yàn)或試驗(yàn)引用標(biāo)準(zhǔn)條件尺寸GB/T4589.1C2cESD(D)人體模型(HBM)機(jī)械模型(MM)帶電模型(CDM)電測(cè)試GB/T4937.26GB/T4937.27IEC60749-28見(jiàn)6.2、6.3按規(guī)定按規(guī)定按規(guī)定同A3分組和A4分組引出端強(qiáng)度(D)GB/T4937.14按規(guī)定耐焊接熱GB/T4937.15按規(guī)定溫度循環(huán)a)空封器件溫度快速變化隨后:電測(cè)試(A3和A4)密封b)非空封器件和環(huán)氧封接的空封器件(D)溫度快速變化隨后:外部目檢強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱(HAST)電測(cè)試GB/T4937.11見(jiàn)6.2、6.3GB/T4937.11GB/T4937.3GB/T4937.4見(jiàn)6.2、6.3100次循環(huán),貯存溫度范圍同A3分組和A4分組按規(guī)定500次循環(huán),貯存溫度范圍130℃,85%(相對(duì)濕度),96h/110℃,85%(

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