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EUV光刻機(jī)DUV光刻機(jī)也能造出7nm芯片，但同EUV光刻機(jī)相比，二者還是有著不小的差距。在光源、光路系統(tǒng)與鏡頭三大方面，二者有著很大的不同首先，二者發(fā)光原理不同DUV光刻機(jī)光源為準(zhǔn)分子激光，而EUV光刻機(jī)則是激光激發(fā)等離子來(lái)發(fā)射EUV光子。通過(guò)不同方式，二者發(fā)出的光源也不同。其中，DUV光刻機(jī)的波長(zhǎng)能達(dá)到193納米，而EUV光源的波長(zhǎng)則為13.5納米。二者之間的差距十分明顯，波長(zhǎng)越短，所能實(shí)現(xiàn)的分辨率越高。這讓EUV光刻機(jī)能夠承擔(dān)高精度芯片的生產(chǎn)任務(wù)。其次，二者的光路系統(tǒng)有著明顯的差異。DUV光路主要利用光的折射原理。其中，浸沒(méi)式光刻機(jī)會(huì)在投影透鏡與晶圓之間，填入去離子水，使得193nm的光波等效至134nm；而干法光刻機(jī)則不會(huì)如此，其介質(zhì)為空氣。而EUV光刻機(jī)則是利用的光的反射原理，內(nèi)部必須為真空操作。這是因?yàn)?，EUV光刻機(jī)的光源極易被介質(zhì)吸收，只要真空才能最大程度保證光源能量不被損失。最后，EUV光刻機(jī)鏡頭難度更大。目前，ASML的EUV光刻機(jī)的光學(xué)模組，需要依賴于德國(guó)蔡司，其他供應(yīng)商難以擔(dān)起此重任。為盡可能保證EUV光源能量不被損失，反射透鏡對(duì)光學(xué)精度的要求極高，并且反射透鏡表面還要鍍有采用Mo/Si的多層膜結(jié)構(gòu)。綜合來(lái)看，EUV光刻機(jī)的制造難度頗高，這使得EUV光刻機(jī)產(chǎn)能較低，價(jià)格也十分昂貴。但因?yàn)镋UV光刻機(jī)分辨率較DUV光刻機(jī)高出14倍，因此受到臺(tái)積電、三星等廠商的爭(zhēng)搶。而且，DUV光刻機(jī)雖然也能制造7nm芯片，但要經(jīng)過(guò)多次曝光，這會(huì)使得成本飆升，良品率也難以控制，而EUV光刻機(jī)則沒(méi)有這樣的煩惱。/s?id=16
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