華為2011硬件筆試題

1、華為華為 2011 年硬件筆試題年硬件筆試題 一、 單選題一、 單選題 1、 下列關(guān)于異或運算的式子中，不正確的是（ D ） A、A A=0 B、A1=/A C、A0=A D、/A/A=1 2、以下的調(diào)制方式中，哪種不屬于幅度調(diào)制（ C C ） A、AM B、VSB C、FSK D、DSB 3、下列各門電路中， （ D D ）的輸出端可直接相連，實現(xiàn)線與。 A、一般 TTL 與非門 B、一般 TTL 或非門 C、一般 CMOS 與非門 D、集電極開路 TTL 與非門 4、下列哪種數(shù)據(jù)編碼方式具有糾錯能力（ B B ） A、奇偶校驗 B、循環(huán)冗余 C、Hamming 碼 D、NRZ 5、如下圖所

2、示的信號應(yīng)該在（ B B ）位置測試。 6、一個電源空載電壓為 3.3V，接上 3負載電壓降為 3V，則該電源的內(nèi)阻是（ C C ） A、3.3 B、3 C、0.3 D、30 7、場效應(yīng)管是電壓控制器件，它的特點是（ A A ） A、輸入電阻極高 B、輸出電阻極高 C、輸入電阻低 D、輸出電阻低 8、穩(wěn)定輸出電流采用（ A A ）負反饋 A、電流 B、電壓 C、電阻 D、以上都不是 9、下面哪一代 80X86 微處理器是 32 位機（ A A ） A、80386/80486 B、8086/8088/80286 C、8080/8085 D、以上都不是 10、并聯(lián)一個合適的電容可以提高感性負載的功

3、率因數(shù)。并聯(lián)電容后，電路的總電流會（ A A ） A、減小 B、不變 C、增大 11、8051 單片機如采用 12MHz 晶體做外部振蕩器，其時鐘周期為（ E E ） A、0.25us B、0.5 us C、2 us D、1 us E、1/12 us 12、8051 單片機是( D D )位單片機 、4 B、32 C、16 D、8 13、如下圖所示，當(dāng) VI=0.3V 時，VO 為邏輯（ B B ） ，當(dāng) VI=2.1V 時，VO 為邏輯（ ） A、0，0 B、0，1 C、0，0 D、1，0 14、相同尺寸和匝數(shù)的空心線圈電感（ D D ）有鐵心線圈的電感 A、不定于 B、等于 C、大于 D、

4、小于 15、欲得到 D 觸發(fā)器的功能，以下諸圖中唯有圖（ B B ）是正確的。 16 下列各邏輯電平中數(shù)據(jù)信號擺幅最小的是（ D D ） A、TTL B、LVTTL C、CMOS D、LVDS E、ECL 17、以太網(wǎng)媒體訪問控制技術(shù) CSMA/CD 的機制是（ D D ） A、按優(yōu)先級分配帶寬 B、預(yù)約帶寬 C、循環(huán)使用帶寬 D、爭用帶寬 18、 差分放大電路的等效差模輸入信號是兩個輸入信號的 （ B B ） ， 等效共模輸入信號是兩個輸入信號的 （ ） A、差、乘積 B、差、平均值 C、和、平均值 D、差、差 19、下圖電路原已穩(wěn)定，t=0 時開關(guān) S 閉合，S 閉合后的 UL（）值為(

5、C C ) A、V B、100V C、0V D、以上都不是 20、下圖為 8051 單片機的 write cycle，關(guān)于單片機地址鎖存信號，以下正確的說法是（ D D ） A、地址鎖存信號在 write cycle 過程中可以高低電平變化多次 B、地址鎖存信號在鎖存過程中把地址 A0:A7,A8:A15 同時鎖存； C、地址鎖存信號在位置 2 鎖存地址信號； D、地址鎖存信號在位置 3 鎖存地址信號； 21、對于沒有直流分量的正弦波，其電壓的有效值是峰值的（ C C ）倍 A、2 B、1.414 C、0.707 D、0.354 22、請計算右圖中的電阻 RL 的電流（ D D ） A、0.5

6、A B、1A C、1.5A D、2A 23、輸入至少（ A A ）位數(shù)字量的 D/A 轉(zhuǎn)換器分辨率可達到萬分之一； A、14 B、8 C、13 D、100 24、單穩(wěn)態(tài)電路的延遲時間跟電路本身參數(shù)有關(guān)，跟觸發(fā)脈沖寬度（ C C ） A、兩倍關(guān)系 B、三倍關(guān)系 C、無關(guān) D、有關(guān) 25、采用高速緩存 cache 的目的是（ D D ） A、擴大主存容量 B、提高 CPU 運行速度 C、提高總線速度 D、提高主存速度 26、組合邏輯電路中，若某個變量通過不同途徑到達輸出端，由于每條路徑上的延遲時間不同，到達終點 的時間就有先后，這種現(xiàn)象稱為（ D D ） A、冒險 B、同步 C、異步 D、競爭 2

7、7、以下哪個電路在單一輸入信號變化的情況下不會產(chǎn)生組合邏輯的競爭冒險得的現(xiàn)象（ D D ） 28、集電極開路的 TTL 與非門很容易實現(xiàn)（ B B ）功能 A、線非 B、線與 C、線段 D、振蕩 29、下面關(guān)于計數(shù)器的描述，正確的是（ C C ） A、異步清零功能又稱異步置位功能 B、異步清零需要在計數(shù)脈沖到來時進行 C、同步置數(shù)需要在計數(shù)脈沖到來時進行 D、如果同步置數(shù)輸入端 Dn=0，則它的功能和異步清零完全一樣 30、在異步通信方式中，通常采用（ B B ）來校驗錯誤 A、循環(huán)冗余校驗碼 B、奇偶校驗碼 C、海明校驗碼 D、多種校驗方式的組合 31、以下哪一種存儲器屬于非易失性存儲器（

8、A A ） A、FLASH B、SDRAM C、SRAM D、DDR 32、十進制數(shù) 157 轉(zhuǎn)換成 13 進制數(shù)結(jié)果為（ B B ） A、C2 B、C1 C、D2 D、D1 33、日光燈電路接于 f=50Hz，V=220VD 電源上，日光燈的功率為 40W，電流為 0.66A，求功率因數(shù)（ C C ） A、0.15 B、0.46 C、0.27 D、0.5 34、一個放大器輸入電阻越大，對輸入信號的影響則（ B B ） ，輸出電阻越小，對輸出信號的影響則（ ） A、大、小 B、小、小 C、小、大 D、大、大 35、關(guān)于單片機的說法正確的是（ B B ） A、單片機的硬件復(fù)位為低電平復(fù)位 B、單

9、片機上電后必須復(fù)位后才能進入正常的用戶模式 C、單片機軟復(fù)位會重置片內(nèi)所有寄存器 D、單片機的中斷優(yōu)先級固定不可以設(shè)置 36、數(shù)字通訊系統(tǒng)中，有效性用（ D D ） A、輸出信噪比 B、誤碼率 C、誤比特率 D 傳輸速率 37、四位的 DAC，基準(zhǔn)電壓為 8V，輸入二進制 D3D2D1D0 為 1101，其輸出電壓為（ C C ） A、4V B、5.5V C、6.5V D、7V 38、某線路中，驅(qū)動器的輸出內(nèi)阻為 25 歐姆，傳輸線的特征阻抗為 50 歐姆，假如采用始端匹配，則匹配 電阻的值比較合理的為（ D D ） A、100 歐姆 B、70 歐姆 C、33 歐姆 D、22 歐姆 39、如下

10、真值表所反映的邏輯功能電路是（ D D ） A、數(shù)據(jù)分配器 B、4 位二進制計數(shù)器 C、數(shù)據(jù)選擇器 D、2/4 譯碼器 40、下列關(guān)于譯碼器描述錯誤的是（ A A ） A、譯碼器輸出容易出現(xiàn)競爭冒險，可作為時序電路的時鐘端 B、譯碼電路為組合邏輯電路 C、當(dāng)用于嵌入式處理的地址譯碼時，主要要從高位地址開始譯碼 二、 分析題二、 分析題 試用試用 74138 譯碼器（如下圖）和少量的門邏輯實現(xiàn)邏輯函數(shù)：譯碼器（如下圖）和少量的門邏輯實現(xiàn)邏輯函數(shù)：P1=（AB）C /（ABC） ，） ， P2=AB+AC+BC。輸入變量。輸入變量 A,B,C 分別接分別接 74138 譯碼器的輸入端譯碼器的輸入端

11、 A2、A1、A0。 分析：首先令分析：首先令 CBAm = 0 000 ， CBAm = 1 001 ， CBAm = 2 010 ， BCAm = 3 011 ， CBAm = 4 100 ， CBAm = 5 101 ， CABm = 6 110 ， ABCm = 7 111 。 因為 A+A=1， 所以 P2 =AB+AC+BC =AB（C+C）+AC（B+B）+BC（A+A） =ABC+ABC+ ABC+ABC+ABC+ ABC = ABC+ABC+ABC+ ABC =m7+m6+m5+m3 所以邏輯函數(shù)所以邏輯函數(shù) P2 的電路用下圖中的的電路用下圖中的 Z2 表示。表示。 同理：同理： Z1= A B C+A B C+ A B C= m1+m2+m4 Z3= A B + C = A B C+A B C+ A B C+A B C+ A B C = m0+m1+m4+m2+m6 此外，此外