PtCo合金的光學(xué)_熱學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)

1、第 62 卷第 n期 19 99 年 11 月 中國(guó)激光 CH I NE SE J O U RNA LOFL ASERS Vol . A62 , N o . 11 N ovem ber , 1999 R c o 合金的光學(xué) 、 熱學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì) 關(guān) 周健荀坤沈德 芳浦天延 (中國(guó)科學(xué)院上海冶金 研究所 上海 2。050 ) (新加坡 國(guó)立大學(xué)電子 工程系 新加坡 1 19 620 ) 提要成功地制備了以t P c 。 合金膜為磁光層 的四層膜結(jié)構(gòu) 。 基于該結(jié)構(gòu)研究了各層厚度對(duì)克爾轉(zhuǎn) 角 、 反射率及品質(zhì)因子 的影響 , 給出了多層膜結(jié)構(gòu)的光學(xué)優(yōu)化結(jié)構(gòu) 。 通過(guò)熱學(xué)優(yōu)化 , 給出了適應(yīng)于該 體

2、系磁光記錄的可能最佳結(jié)構(gòu) 。 比較發(fā)現(xiàn) , 在考慮反射率的條件下 , 克爾轉(zhuǎn) 角的增強(qiáng)是以犧牲反射 率為代價(jià) 的 , 因此 , 選擇各層優(yōu)化厚度必須綜合考慮磁光層溫度 、 反射率 、 克爾轉(zhuǎn)角等熱 、 光學(xué)因素 。 最后 , 給出了可能 的熱 、 光學(xué)綜合優(yōu)化結(jié)構(gòu) 。 關(guān)鍵詞 Rc 。 合金 , 四層膜結(jié)構(gòu) , 熱 、 光學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì) ,克 爾轉(zhuǎn)角 1 引言 Rc 。 合金磁光材料因其在短波長(zhǎng)下蘊(yùn)藏著巨大的高密度儲(chǔ)存潛力 而日益為廣大磁光學(xué) 科技工作者所重視l , 。 最近 , 我們又用復(fù)合靶和合金靶直流濺射方法制備了磁光性能良好的 ptC o 合金薄膜 3 ,。 由于磁記錄材料的熱 、 光

3、學(xué)特性與其膜層結(jié)構(gòu)密切相關(guān) , 因此盤(pán)片結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)成為盤(pán) 片制備和 生產(chǎn)前必不可少的一 步 。 然而 , 目前關(guān)于R c o 合金結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面的工作往往側(cè)重于 光學(xué)方面的研究閣 。 有關(guān)R c o 合金的熱學(xué)優(yōu)化及熱 、 光學(xué)優(yōu)化兩者的關(guān)系的報(bào)道 尚未發(fā)現(xiàn) 。 本 文借助M axwe ll 方程和 P oyin gting 定理 , 基于M atlab 軟件對(duì)以 Pte o 合金膜為磁光層的多層膜 進(jìn)行了光學(xué)優(yōu)化 。 借助多層膜熱擴(kuò)散方程的數(shù)值計(jì)算對(duì)盤(pán)片進(jìn)行了熱學(xué)優(yōu)化 。 旨在通過(guò)兩種 優(yōu)化方法的比較 , 揭示兩者間的關(guān)系 。 最后 , 給出了可能的最佳層厚配置 。 2 多層膜制備及性能

4、用直流濺射的方法成功地制備了 AIN4o n m/Pt 7oe o3 o3on m/AIN 7 4 n m/A15 O n m/Glas s 的四 層結(jié)構(gòu) (如圖1) 。 其矯頑力為 2 9 0kA/m(如圖2) , 剩磁為 10 0 % , 克爾轉(zhuǎn)角為 0 . 17 0 。 濺射本底 真空為 3 火 1 0一 a P 。 濺射工作氣體為9 9 . 9 9 9 9%純度的A: 氣 。 襯底溫度由R電阻溫度計(jì)測(cè) 量 。 制備的t P c 。 膜成分配比由電子探針測(cè)定 。 厚度由經(jīng)臺(tái)階儀校正濺射速率和濺射時(shí)間來(lái)確 定 。 復(fù)克爾譜和復(fù)折射率由復(fù)旦 大 學(xué)自建的克爾譜儀和橢偏儀測(cè)量困 。 計(jì)算所用熱

5、 、 光學(xué)參數(shù) 見(jiàn)表 1 。 , 國(guó)家 自然科學(xué)基金(N o . 6 97 77016)資助項(xiàng)目 。 收稿日期 : 1 99 8 一 06 一 1 8 ; 收到修改稿日期 : 1 99 8 一 08 一2 4 國(guó) 激光 26 卷 加 e l 血 nt l 側(cè)姆宜卜坦m 知= 6 32 . 8 mn l 別姆r G as s u r 時(shí)一s u ro = 530 n m 人N Z s P t C o Z - IA N2 3 30 n m 1 . 2m m AZ 舍 創(chuàng). 么 z 從從 =29 0 k A/ . 11 . 一一了 了 一一 (3 26k 氏丫 丫丫 匕匕匕了 了 一 H / Ck怡

6、 圖 I R c o 四層膜的結(jié)構(gòu)示意圖 圖 Z R 7oc o3。 四層結(jié)構(gòu)磁帶磁光克爾回線 Fig . 1Pt C O q u ad r il ayser tr eu t ure Fgi . 2 M agn eto 一 o Pti e a lK e er lo oP o Pf t 7C 0 o 3 o q u adr il aye r s t r uc t u re 表 1 用于計(jì)算的熱 、 光學(xué)參數(shù) T a bl e 1hT e the r mal a n d o P t i ae l f aetor fo rae l eu l a ti no M a tet i a l hTi ekn

7、es s / n m R e f aer t i v i ve i n d ex Sp e e i f i e he at/J/e m 3 / d e gH e at eon d eu t i v i t y /J/ e m / d e g / s 1 . Gl 韶 S 2 . Al 3 . AIN 4 . Pt 7o C o3 o 5 . AIN 3 0 74 12 40 1 . 49 1 . 2 6 . 91 2 . 15 2 . 1 4 . 3云 2 . 15 0 . 0 20 2 . 4 0 . 015 0 . 225 0 . 0 15 , 口 門(mén) 了 UQL J 日 . . 110,

8、OOq乙 3 光學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化 3 . 1 多層膜的光吸收 激光照射下的M o 多層膜 中 , 光能如何分配直接關(guān)系到信息記錄性能的好壞 。 而光吸收和 光在各層中的分配情況又嚴(yán)重依賴(lài)于各層的厚度配置 。 有必要對(duì)層厚對(duì)光吸收的影響進(jìn)行分 析 。 如圖 l 所示 , 一束沿 : 軸方向傳輸?shù)钠矫嫫窆獯怪比肷涞蕉鄬幽っ嫔?。 運(yùn)用 Ma xwe l l 方 程和o P i y g n i t g n 矢量定理川 , 不難得出第 k層電矢量的幅值A(chǔ) l幻, 第 k層和k一1層界面反射率 幾( =月 1舌伙2毛, ) 。 月:毛, , 月2無(wú), 可表示為 通 1正, = ( ex p一i2、 nk+”

9、 /揚(yáng) ;(*+ 1) + 通2“ + ,ex p一 匯2二 k+ ” /久 。;(。+1) )片 1k, /(1+ 通2任,XI) 1 ( 無(wú)簇N 滋2k,= 仁( n“ ,一 , + 通 2k一, )/(1+ 7“k ,一 ,攤2k一, ) ex p一4。 k, /久 。:* (2) n王,卜, = n毛, 一 :卜,/n玉, + 、k一, 2 鎮(zhèn) k簇N + 1 假設(shè)入射光強(qiáng)為單位光強(qiáng) , A l+ N ” 應(yīng)取為 1 . 4 14 , N為多層膜層數(shù) 。 又由于基片上光的反射分量 為零 , 所以 A Z” 0 。 假定磁光層為各 向同性 , 根據(jù)文獻(xiàn) 8中的推導(dǎo)有 ,士2 = , 2

10、士 (3) 0* 。 = 0* + 。云、 一 Im / : ( nZ 一 l)一R e / 、 ( n Z 一 1) (4) , =( n+ + n一 )/2(5) F一R ,/20; (6) 這里的參數(shù)都是對(duì)磁光層而言的 。 d 為電導(dǎo)率張量 ,。 為介質(zhì) 的介電張量 , 鮮和 、一 分別為右旋和 左旋折射率 。 人為復(fù)克爾角 。 0*為克爾角 , 為平均折射率 , F 為品質(zhì)因子 , R 為反射率 。 通過(guò)測(cè) 定 11 期 周 健 等 : tP c 。 合金的光學(xué) 、 熱學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì) 的復(fù)克爾角 , 利 用(4 )一(6 )式 , 通過(guò)數(shù)值計(jì)算 , 不難得出磁光層的電導(dǎo)率張量 。 由(

11、3 )式可以得 出右旋和左旋折射率 。 代入(2 )式得右旋和左旋反射率 。 隨著各層厚度的變化 , 四層膜的反射 率 、 克爾轉(zhuǎn)角及品質(zhì)因子也會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化 。 3 . 2 各層層厚對(duì)盤(pán)片克爾轉(zhuǎn)角和反射率的影響 實(shí)際實(shí)驗(yàn)中必須有足夠 的反射光強(qiáng)來(lái)滿(mǎn)足讀出系統(tǒng) 中的道跟蹤和 聚焦功能要求 。 反射率 R 的值閉應(yīng))2 0% 。 必須注 意的是反射率太高會(huì)降低克爾轉(zhuǎn)角 , 影響記錄靈敏度 ; 同時(shí) , 大的反 射強(qiáng)度會(huì)引起激光噪聲反饋的增大 。 因此 , 應(yīng)該設(shè)法通過(guò)調(diào)節(jié)層厚等途徑來(lái)平衡這一沖突 , 把 反射率控制在 20%一30%之 間 。 選擇 Pt 7oeo3。 的結(jié)構(gòu)為 AIN(40

12、n m)/Pt ?。eo3。( 1 2 n m)/AIN(74 n m)/AI(Z : n m)/Gla s s(1 . 2m m) 。 利用( l)一(6) 式進(jìn)行數(shù)值計(jì)算得圖 3( a ) 。 該圖顯示 了盤(pán)片克 爾轉(zhuǎn)角和反射率隨l A 反射層厚度變化的曲線 。 隨 z : 增大 , 克爾轉(zhuǎn)角 氏從6 o急劇下降到一0 . 3 “ 并趨于穩(wěn)定 , 反射率從 2%增加到 2 0%并穩(wěn)定于2 0% 。 2 2 節(jié) 8 公 。 國(guó) 戶(hù)勺 n甘 .幾,且 . 0. 0 勺 nUnU 八U 20 40后08 0 2601龍01認(rèn) 61, 661乞6藝00 幾/n rn . 鑼衛(wèi) 心 扮 之 甘 三勺

13、 國(guó) . . . . . 二 l . . . 功功功 ( e) ) ) 加加加一一 : : : 義義義二三 _- 一 二二 . . .喃產(chǎn) “ 習(xí)山因匡亙口刀刀刀國(guó)匡亙立立 . 甘 之 心 圖 3 Fi g . 3 Z。/n們。 盤(pán)片克爾轉(zhuǎn) 角和反射率隨反射層厚度 二二二 1 11 1 1l. . . 門(mén)門(mén) . . . . . . . . . , , 致致夢(mèng)夢(mèng) . . . . . . . . . 一一 勺勺勺勺 . . . . . .J. . . O O O O O 洲洲廣廣義義義義義 ( 。 ) , 中間層厚度(b ) , 磁光層厚度(c )及增透層厚 度(d )的 變化 曲線 K e er

14、一rotation and ref leetivityvs theth iekne s s of the ref le etion lay er (a) , thieknes s of the inte rmed iate lay er (b) , thieknes s of themagnetielayer ( c ) a ndth ieknes sof the o v ereoat lay e r (d) 100 0 國(guó) 激光 26 卷 ( 1 . 2 mm) 。 計(jì)算得圖 3 ( c) 中的曲線 。 隨 z 刁 增大 , 克爾轉(zhuǎn)角 氏從o 0急劇上升到5 . 8 0 ( Z ; 一1 2

15、 n m)后迅 速下降到一0 . 7 0趨近穩(wěn) 定 ; 反射率 從8 5% 下降到 0 . 2%后又緩 慢增 加 , 并穩(wěn)定于 3 3% 。 Z 刁 為 30 n m 時(shí) , 克爾轉(zhuǎn)角 。* 為一 0 . 5 0, 反射率為 2 3% 。 故 30 n m 應(yīng)為 z ; 的最佳厚度 。 為了觀察增透層厚度 對(duì)盤(pán)片克爾轉(zhuǎn)角和反射率的影響 , 可以選擇R 7 0 c o 3。 的結(jié)構(gòu)為 I A N (Z 。n m)/p t7 oCo3。 (12 n m)/AIN(7 4 n m)/AI(3 0 n m)/Gla s s(1 . 2m m) 。 計(jì)算結(jié)果示于 圖 3 () 。 隨 增透層厚度 2 5

16、 增大 , 克爾轉(zhuǎn)角 氏在o 6 一1 . 5 0 間變化 , 反射率在 0 . 5% 3 3寫(xiě)間周期振蕩 。 2 5 為 40 n m 時(shí) , 克爾轉(zhuǎn)角 。* 最大 , 為 6 o , 但反射率幾乎最小 , 為 0 . 5% 。 2 5 為8 4 n m 時(shí) , 反射率為 2 2% , 克爾轉(zhuǎn)角 氏為一1 . 27 0 。 因此 , 2 5 的最佳厚度應(yīng)為8 4 n m 。 4 熱學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化 4 . 1 熱傳導(dǎo)和有限元技術(shù) 熱學(xué)上 , 高斯光束照射下的多層膜中的熱擴(kuò)散情況可以用如下熱擴(kuò)散方程來(lái)描述 C 。 (刃澆)Q( : , : , 藝) 一尤 。 甲 ZQ ( , , ; , t) =

17、夕(: ,z , t) (7) (刁/玉)Q( : ,z = 0 , t) 一夕Q(, ,: =0 , ) (8) Q(護(hù) , 之 = c o , t) = Q (尹= c o ,名, t) = 0 (9) 心(儼 ,名, t = 0) = f ( , , 名) (10) c 。 和K : 分別表示材料的比熱容和熱導(dǎo) ,夕為控 制熱從表面流出的熱流速率 , Q (: , : , O表示溫度 函數(shù) , f ( , , ; )為初始時(shí)刻的溫度分布函數(shù) , g(, ,:, O為單位時(shí)間單位體積通過(guò)的激光光能 。 這里 高斯光束的光強(qiáng)分布可以表示為 I(: , t) = Ioexp一 (: / : 。

18、)2 = p 。 (t)/ , 。2 )e x p一 ( , / ,。)2 (1 1) 其 中 尸。( t ) 為激光輸出功率 ,: 。 為激光強(qiáng)度降為1 0e /時(shí)的橫向位置 , 通常稱(chēng)為高斯半徑 。 為了提 高計(jì)算精度 , 作者采用差分法求解材料溫度隨時(shí)間的變化而用有限元技術(shù)閉來(lái)求解某一時(shí)刻 溫度場(chǎng)的空間分布 。 程序設(shè)計(jì)采用Ma t la b 語(yǔ)言實(shí)現(xiàn) 。 4 . 2 各層厚度對(duì)磁光層溫度的影響 這里不考慮增透層表面的熱流損失 。 選擇結(jié)構(gòu) AIN (z 。n m)/Pt 7oeo3 。( 1 4 n m)/AIN(74 n m)/ l A (3 0 n m)/l Ga s s l( .

19、 2m m) , 有限元方法進(jìn)行計(jì)算得圖 4(。) , 隨增透層 2 5 的增大 , 磁光層溫度 周期性降低 。 第一峰 的溫度為2 8 2 , 第二峰的溫度就降為2 3 8 , 因此要獲得好的磁光記錄 效果 , 必須選擇第一峰位的增透層厚度 4 0 n m 為最佳增透層厚度 。 選定增透層厚度為 4 0 nm , 選擇結(jié)構(gòu)為 : A IN (4 0 n m)/Pt 7oeo3。 (z ;n m)/AIN(7 4 n m)/AI(30 nm )/Gl as s (1 . 2m m ) , 計(jì)算得圖 4。 ) 。 隨增透層 z 月 的增大 , 磁光層溫度先急劇增大 , 到 12 n m 時(shí)又逐漸

20、下降 。 峰位溫度為 28 2 , 因此 , 熱學(xué)優(yōu)化的磁光層最佳厚度為1 2 n m 。 選定磁光層厚度為 12 n m , 選擇結(jié)構(gòu)為 : AIN(4 0 n m)/Pt 70 Co3。 (1 2 n m)/AIN(z 3n m)/AI(3 0 n m)/l Ga s s ( 1 . 2mm) , 計(jì)算得圖 4c ( ) 。 隨增透層 z 。 的增大 , 磁光層溫度周期性變化 , 而且第二 峰位溫度為 32 2 , 比第一峰位溫度2 8 3高出近 4 0 。 第一峰位為7 4 n m , 第二峰位為 21 0 nm 。 周期為 13 6 n m 。 因此要獲得好的磁光記錄效果 , 應(yīng)選擇第

21、二峰位溫度對(duì)應(yīng)的中間層厚度 21 0 n m 為最佳中間層厚度 。 但為使實(shí)驗(yàn)工藝簡(jiǎn)單 , 這里選擇7 4 n m為最佳中間層厚度 。 選定中間層厚度為 7 4 n m , 選擇結(jié)構(gòu)為 : AIN(40 nm )/Pt 7oeo3。 (1 2 n m)/AIN(7 4 n m)/A 一(2 2 n m)/Gla s s(1 . 2m m) , 計(jì)算得圖 4(d) 。 隨反射層 z : 的增大 , 磁光層溫度先急 劇 增大 , 到 30 n m 11 期 周 健 等 : tP C 。 合金 的光學(xué) 、 熱學(xué)結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì) 10 01 5 00 0 5 00 05 00 0 ,UqL Jg, .孟

22、l p心 . 目 。N“ 、認(rèn) O 一.-.-.-.-.-.-.-.-.一.一.一.-.一.-. - - . p八 刊 Z 昌 C: 戶(hù) 刁 3。 陣 5。/ 200卜 l! 二15 0 丫 b ) n甘n U 匕 口” ) 1 1 )卜 0102030405 06 07 0 麗麗 2 2 / n們門(mén) 5 0100150 200250 Z:/n n z 乙 了 / 一.、JO一. 飛 、兒 沈 一氣一 ,卜 J汗1卜J洛1 .山護(hù) .r 八 “nU八U八 n甘 八 甘O1 1 八 呂內(nèi) OJ 組 2 八 I IR 八 O, 口幾 29 2911,. p/(.閃 .s u 0 N.仙 么 01

23、1 )卜 p/(升Z _ 一 , ., . . . “ ( e ) .s u o閃“ 01 1 ) 卜 501 001502002503 0 0 入/n刀 1 1502002503 00 Z。/n m 卜 目引 性。 UC七曰 圖 4 圖盤(pán)片磁性層溫度 隨反射層厚度( 。 ) , 磁光層厚度(的 , 中間層厚度( 。 )及增透層厚度(d ) 的變化 曲線 Fig . 4T he temPerature o fmagn etie lay erv s theth iekne s s o f the ref leetor ( a ) , tlzieknes s of the m agnetie la

24、y er (b) , th iekness o fth e inte rmed iate Iay er (c) an dth iek n e s softheovere oat Iay e r (d) 時(shí)又緩慢下降并趨于穩(wěn)定 , 峰位溫度為 2 8 4 , z : 為 8 0 n m 時(shí)磁光層溫度仍然保持在 2 7 0以 上 。 因此要獲得好的磁光記錄效果 , 必須選擇峰位溫度對(duì)應(yīng)的反射層厚度 3 0 n m 為最佳反射 層厚度 。 因?yàn)?z : 在 3 0一5 0 n m 的范圍內(nèi) , 均能獲得 2 7 0以上的溫度 , 為簡(jiǎn)化制備工藝 , 反射 層的厚度一般取在這一范 圍 , 這在 T b

25、e FC。 為記錄層的盤(pán) 片中也是適用的 。 最后確定R 7 0co 3 。 的熱學(xué)最佳結(jié)構(gòu)為 : AIN(4 0 nm )/P t7oeo 3。 (x Z n m)/AIN(7 4 n m)/AI(3 0 n m)/Gla s s (2 . 2m m) 。 5 兩種優(yōu)化 結(jié)果的比較 對(duì)比圖 3(。)和圖4(。) 可知 , 調(diào)節(jié)反射層厚度 z : (3 0 n m一5 0 n m) , 雖然可以獲得合適的反 射率(2 0%) , 磁光層溫度為 25 0以上 , 但克爾轉(zhuǎn)角比較低(、一 0 . 3 “ ) 。 所以不宜通過(guò)調(diào)節(jié) 反射層厚度來(lái)增強(qiáng)克爾轉(zhuǎn)角 。 對(duì)比圖 3。 ) 和圖 4伍 ) 可知

26、 , 2 3 為 一 8 n m 時(shí) , 反射率為 22% , 克爾轉(zhuǎn)角 口 * 為一 1 . 27 0, 6m w 的記錄功率下磁光層溫度為 15 5 C ; 當(dāng) z 。 為 9 8 n m 時(shí) , 反射率為2 1 腸 , 克爾轉(zhuǎn)角 氏為o 1 , 6mw 的記錄功率下磁光層溫度為 21 5 。 R 7 0co 3。 的居里溫度為 25 0 , 數(shù)值計(jì)算結(jié)構(gòu)表明記錄功率 每增加 1mw , 磁光層溫度就增加 47C 。 因此 , 2 3 應(yīng)取9 8 n m 為最佳厚度 。 相應(yīng)結(jié)構(gòu)為I A N (4 0 n m)/Pt 7oCo3 。 (1 2 nm )/AIN(98 nm )/Al(30

27、n m)/Gla s s(1 . 2m m) 。 對(duì)比圖 3 ( e )和圖4( e )知 , 2 4 為 30 nm 時(shí) , 克爾轉(zhuǎn)角 。* 為一 0 . 5 0, 反射率為 2 3% , 6mw 記 錄功率下磁光層溫度為2 1 0 。 因此 , 取記錄功率為 7m w , z 。 為 3 0 n m 時(shí) , 可獲得較好的記錄 效果 。 相應(yīng)結(jié)構(gòu)為 AIN (40 n m)/Pt 7 oeo3。 (3 0 n m)/AIN(7 4 n m)/Al(3 0 n m)/Gla s s(1 . 2 mm) 。 可以通過(guò)對(duì)比圖 3(d ) 和圖 4(d ) 來(lái)說(shuō)明增透層厚度的調(diào)節(jié) 。 2 5 為 8

28、 4 n m 時(shí) , 反射 率為 1002 國(guó) 激光 62 卷 2 2% , 克爾轉(zhuǎn)角 。* 為一 1 . 27 0 , 記錄功率為 6m w時(shí) , 磁光層溫度為 2 0 5 。 此時(shí)可以較好地記 錄 。 相應(yīng)結(jié)構(gòu)為 AIN(8 4 n m)/Pt 7 oeo3 。( 1 2 n m)/AIN(74 nm )/AI(30 n m)/Gla ss (1 2mm) 。 比較熱學(xué)和光學(xué)優(yōu)化結(jié)果 , 不難得出如下結(jié)論 : (1 ) 考慮反射率影響的情況下 , 要獲得較 高的克爾轉(zhuǎn)角必須以犧牲反射率為代價(jià) ; (2 ) 在討論克爾轉(zhuǎn)角和反射率等光學(xué)因素的同時(shí)必 須 同時(shí)考慮磁光層溫度這一熱學(xué)要素 ; (

29、3 ) 考慮反射率 R 在2 0%一 3 0 %間克 爾轉(zhuǎn)角取得較大 值 , 磁光層溫度必 然低于熱學(xué)優(yōu)化結(jié)構(gòu)所對(duì)應(yīng)的磁光層溫度 。 通過(guò)在一定范圍( 3 mw 1 0 mw)內(nèi)提高激光寫(xiě)入功率的途徑可以獲得較好的記錄效果 。 致謝作者衷心感謝鄧劍盈碩士研究生在工作 中給予的大力支持 。 參考文獻(xiàn) IC一J . L in , G . L . G orma n . Ev aPor ate dC o Pt al lo yfilm sstron gPe rPend ie ula r m agnetiea nisotrO P y . A夕 夕1 . P h尹 . L ett . , 199 2 , 6

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32、 1 76 : 33 1 5S . H a shimoto , Y . o eh iai . Co/Pt and C o /Pdm u lti lay ersas m a助eto一oPtiealree ording materials . J . 對(duì)口g:以幼二 a耐 龍。g ne藝i c M ae tr . , 199 0 , 8 8 : 21 1 6K . X un , M . Li , J . Z h ou . T heP rePar sationof PtCo al Ioy f ilmb y sPutteringa PtC o a1loytarg et . TheFifth M agn

33、etie FilmN ation al Sy mpo sium , Zhejia ng , H a ngzhou , 199 8 . 9 9(inC h in ese ) 7 M . M a ns ur iPu r , G . A . N ev il leCo n nn ell , Jo s ePh W . Go ogm a n . L aser一indu eed loe a1 heatingof m ultilayers . A尹對(duì) O尹t . , 19 8 2 , 2 1(6) : 1 10611 14 8Xia nglingLiu , G on gqia ngLiu , S uigeng

34、 Gin . M agneto 一 OPtie al M ateriala nd M agneto一O Ptic a lDe vic e . e B ijing : e B ijingSeie ne ea n d T e ehno log yP r e s s , 1 990 . 24(inC h in e se ) 9RolfE . Hum m el, K a rl H . G u enthe r . H and ko okof 0Ptie alPr oPe rties . Volum e I . h T inFi lm s fo r OPtic al Coating . Lo ndon : C R CP res s, 1995 . 37 OPtimi ze dD e s i gn o f th e OPti ea l an dThe rma lSt rueture f or P