太陽能電池片生產(chǎn)工藝流程ppt課件.ppt

1、四、生產(chǎn)工藝介紹,晶體硅太陽能電池工藝流程如下：,生產(chǎn)工藝-清洗和表面腐蝕,生產(chǎn)工藝-制絨,表面絨面化,由于硅片用P型（100）硅片，可利用氫氧化鈉溶液對單晶硅片進(jìn)行各向異性腐蝕的特點(diǎn)來制備絨面。當(dāng)各向異性因子10時(shí)（所謂各向異性因子就是（100）面與（111）面單晶硅腐蝕速率之比），可以得到整齊均勻的金字塔形的角錐體組成的絨面。絨面具有受光面積大，反射率低的特點(diǎn)?？商岣邌尉Ч杼栯姵氐亩搪冯娏?，從而提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率。,金字塔形角錐體的表面積S0等于四個(gè)邊長為a正三角形S之和 由此可見有絨面的受光面積比光面提高了倍即1.732倍。,絨面受光面積,當(dāng)一束強(qiáng)度為E0的光投射到圖中的A點(diǎn)，

2、產(chǎn)生反射光1和進(jìn)入硅中的折射光2。反射光1可以繼續(xù)投射到另一方錐的B點(diǎn)，產(chǎn)生二次反射光3和進(jìn)入半導(dǎo)體的折射光4；而對光面電池就不產(chǎn)生這第二次的入射。經(jīng)計(jì)算可知還有11%的二次反射光可能進(jìn)行第三次反射和折射，由此可算得絨面的反射率為9.04%。,絨面反射率,生產(chǎn)工藝-擴(kuò)散,生產(chǎn)工藝-表面成膜,等離子化學(xué)氣相沉積(PEVCD),PEVCD被使用來在硅片上沉積氮化硅材料，是在300-900的溫度下通過化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生Si3N4的過程。典型的化學(xué)反應(yīng)為： SiH4 + NH3 Si3N4 + NH3 + N2 多晶硅太陽電池廣泛使用PECVD淀積SiN ,由于PECVD淀積SiN時(shí),不光是生長SiN作為減

3、反射膜,同時(shí)生成了大量的原子氫,這些氫原子能對多晶硅片具有表面鈍化和體鈍化的雙重作用,可用于大批量生產(chǎn)高效多晶硅太陽電池,為上世紀(jì)末多晶硅太陽電池的產(chǎn)量超過單晶硅太陽電池立下汗馬功勞。隨著PECVD在多晶硅太陽電池成功,引起人們將PECVD用于單晶硅太陽電池作表面鈍化的愿望。,生產(chǎn)工藝-制備電極（1）,生產(chǎn)工藝-制背電極（2）,生產(chǎn)工藝-背表面鈍化,五、生產(chǎn)設(shè)備清洗設(shè)備,生產(chǎn)設(shè)備擴(kuò)散爐,生產(chǎn)設(shè)備刻蝕,生產(chǎn)設(shè)備PECVD,生產(chǎn)設(shè)備測試儀,生產(chǎn)設(shè)備烘干爐,生產(chǎn)設(shè)備快燒爐,五、生產(chǎn)環(huán)境及其它,太陽能電池生產(chǎn)最主要的材料是單晶硅片或多晶硅片。 其它輔料包括: 化學(xué)液（ NaOH 、IPA、乙醇、銘酸、HF） 特氣（CF4、SiH4、NH3） 大宗氣體（CDA、N2、O2） 水（PCW、DI） 單晶硅的制絨工藝：是通過NaOH和乙醇反應(yīng)，在硅片上形成減反織構(gòu)，增強(qiáng)電池對光線的吸收能力。 多晶硅的制絨工藝：是加入鉻酸和氫氟酸，利用鉻酸的強(qiáng)氧化性將切割后硅片上的污物清除，并產(chǎn)生SiO2和C2O3，達(dá)到在硅片上形成減反織