Array制程與檢測介紹.ppt

1、Array制程與檢測介紹,上海天馬微電子有限公司,TFT-LCD簡介 1.何謂TFT-LCD： TFTThin Film Transistor 薄膜晶體管 LCDLiquid Crystal Display 液晶顯示器 2.應用：由于TFT-LCD具有體積小、重量輕、低輻射、低耗電量、全彩化等優(yōu)點 ，故已廣泛使用于各類顯示器材上,數碼相機,數碼攝錄影機,汽車導航顯示器,數碼影音光碟機,筆記型電腦,桌上型顯示器,液晶電視,解析度:顯示器上水平方向、垂直方向畫素(pixel)之數目,Cell工程,Module工程,TFT工程,Photo Process Resist Coating,Spin co

2、ating Slit (extrusion) coating,薄膜生長制程,PVD,利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應濕刻,將顯影后所產生的光阻圖案轉印到光阻下的材質上，形成由光刻技術定義的圖形.,刻蝕,利用等離子體電漿去除薄膜未被光阻覆蓋的部分干刻,Etching type,Substrate,Chemical Isotropic,Plasma Isotropic+Anisotropic,Wet etch,Dry etch,PR,PR,膜,膜,基板,基板,Isotropic,Anisotropic,Etchant等方向浸入造成Side Etch,Etching type selectio

3、n,PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch,干刻用氣體,反應方程：Cl2+SF6+SiSiF4+SiS2+其他 Cl2：Cl元素的供給源，刻蝕a-Si的主要氣體。 SF6：F元素的供給源，用來與a-Si發(fā)生反應，提高刻蝕速率。,a-Si的刻蝕,反應方程：SF6+HeSiN SiF4+SiS2 +其他 SF6：F元素的供給源。 He：使等離子體均一化,2.SiN的刻蝕,3.

4、PR灰化（Ashing）,反應方程：PR+O2 O2：利用等離子體方法去除PR,O2：有利于形成Taper角,濕刻,M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4）,HNO3+CH3COOH +H3PO4,Etching mode,Spray噴淋,Spray+Dip,Dip 浸入,Good taper shape,Faster Etching rate,AOI,3GB44unit=132GB,G Size,The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely,AOI Auto optical inspection,TEG prober and Tester,Array laser repair,After Striper,After laser repair,Inlayer repair(PEP1),Data from AOI,Example:,Metal,Al/ND:532nm,Defect type,Repair method,Metal residue,Metal residue,GC short,用Block laser 將殘留metal打掉,用Block la