材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-自測評第二、三章【精選文檔】

1、材料科學(xué)與工程基礎(chǔ)-自測評第二、三章【精選文檔】1. 材料是由物質(zhì)構(gòu)成的，因而物質(zhì)就是材料。 2. 材料是指用來制造某些有形物體的基本物質(zhì)。 3. 按照化學(xué)組成,可以把材料分為三種基本類型（A)金屬材料、硅酸鹽、有機高分子材料(B）陶瓷材料、高分子材料、鋼鐵（C）有機高分子材料、金屬材料、無機非金屬材料（D）有機材料、無機非金屬材料、金屬材料 C4在四個量子數(shù)中，ms是確定體系角動量在磁場方向的分量（ml）。 5在四個量子數(shù)中，ml決定電子自旋的方向（ms）。 6在四個量子數(shù)中，n是第一量子數(shù)，它決定體系的能量. 7在四個量子數(shù)中，l是第二量子數(shù)，它決定體系角動量和電子幾率分布的空間對稱性。

2、8原子中每個電子必須有獨自一組四個量子數(shù)。n,l，ml，ms 9泡利不相容原理、能量最低原則和洪特規(guī)則是電子在原子軌道中排列必須遵循的三個基本原則。10Na原子中11個電子的填充方式為1s22s22p53s2。1s22s22p63s1 11按照方框圖，N原子中5個價電子的填充方式為 2s 2p12Cu原子的價電子數(shù)是_3_個。 13S原子的價電子數(shù)是5個。1。晶體物質(zhì)的共同特點是都具有金屬鍵。 2 .金屬鍵既無方向性,也無飽和性。3. 共價鍵中兩個成鍵電子的自旋方向必須相反. 4. 元素的電負(fù)性是指元素的原子在化合物中把電子引向自己的能力。 5. 兩元素的電負(fù)性相等或接近，易形成離子鍵，不易形

3、成共價鍵。 6. 兩元素的電負(fù)性差較大，易形成離子鍵,不易形成共價鍵. 7. 離子鍵的基本特點是以離子而不是以原子為結(jié)合單元。8. 范德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性但無飽和性。 9. 范德華力既無方向性亦無飽和性，氫鍵有方向性和飽和性. 10. 絕大多數(shù)金屬均以金屬鍵方式結(jié)合,它的基本特點是電子共有化。 11共價鍵既有飽和性又有方向性. 12兩種元素電負(fù)性差值決定了混合鍵合中離子鍵的比例。 13范德華力包括取向力、色散力和氫鍵三種類型。 14原子的基本鍵合中不一定存在著電子交換。 15氫鍵具有方向性，但無飽和性. 16三種基本鍵合的結(jié)合強弱順序為金屬鍵離子鍵共價鍵。 17金屬鍵是由眾

4、多原子最(及次）外層電子釋放而形成的電子氣形成的，因而具有最高的鍵能. 1隨著兩個原子間距離減小，相互間的吸引力下降,排斥力增加。 2兩個原子處于平衡間距時，鍵能最大，能量最高. 3同一周期中，原子共價半徑隨價電子數(shù)的增加而增加。 （C0.771, N-0.70， O0。66, F-0.64)4同一族中，原子共價半徑隨價電子到原子核的距離增加而減小。 5正離子的半徑隨離子價數(shù)的增加而減小。 6. 原子半徑大小與其在晶體中配位數(shù)無關(guān)。 7. 所謂原子間的平衡距離或原子的平衡位置是吸引力與排斥力的合力最小的位置. 8. 共價鍵是由兩個或多個電負(fù)性相差不大的原子間通過共用電子對而形成的化學(xué)鍵。 ？

5、（只能是兩個原子間）9離子化合物的配位數(shù)取決于離子最有效的堆積。 10在氧化物中,O2-的配位數(shù)主要有4、6、12三種類型. 11金屬原子的配位數(shù)越大，近鄰的原子數(shù)越多，相互作用越強，原子半徑越小。 12金屬原子半徑隨配位數(shù)增加而增加。 13. 金屬半徑是原子間平衡間距的一半。（A），（B），（C），（D) A1當(dāng)中心原子的雜化軌道為sp3dx2時，其配位原子的空間排列為（A）四方錐形 (B）三方雙錐形 （C）八面體形 B2。 原子軌道雜化形成雜化軌道后,其軌道數(shù)目、空間分布和能級狀態(tài)均發(fā)生改變. 3. 雜化軌道是原子不同軌道線性組合后的新原子軌道,而分子軌道則是不同原子軌道線性組合成的新軌道

6、。 4軌道是由兩個d軌道線性組合而成,它們是 （A)dx2、dx2 （B)dx2y2、dx2y2 （C)dxy、dxy B5費米能級是對金屬中自由電子能級填充狀態(tài)的描述。 （T0K時）6費米能級是，在T0K時,金屬原子中電子被填充的最高能級，以下能級全滿，以上能級全空。 7按照費米分布函數(shù)，T0時，-,f(E）1/2 （A）EEF （B）EEF （C）EEF A8在固體的能帶理論中,能帶中最高能級與最低能級的能量差值即帶寬，取決于聚集的原子數(shù)目。 9能帶是許多原子聚集體中，由許多原子軌道組成的近似連續(xù)的能級帶。 ？ （原子軌道裂分的分子軌道）10。 價帶未填滿（A)絕緣體，（B）導(dǎo)體，(C)半

7、導(dǎo)體，（D） B11. 滿帶與空帶重疊 (A）絕緣體，（B)半導(dǎo)體，（C）導(dǎo)體，（D） C12. 滿帶與空帶不重疊 （A）絕緣體，（B）導(dǎo)體，（C）半導(dǎo)體，(D）A，C13. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距，間距大，帶寬大。 （A）,（B)，（C），（D） B14. 原子數(shù)目越多,分裂成的能帶寬度越大。 （A），（B），（C），（D） B15. 能帶寬度與原子數(shù)目無關(guān)，僅取決于原子間距,間距小，帶寬大。 （A）,（B），（C），（D） A1. 具有一定有序結(jié)構(gòu)的固態(tài)物質(zhì)就是晶體。 2. 同一晶面族的晶面形狀相同，面上原子密度相同，彼此相互平行. 3. 在實際應(yīng)用的工業(yè)金屬中都存在各向

8、異性. 4. 空間點陣相同的晶體，它們的晶體結(jié)構(gòu)不一定相同。 5. 空間點陣有種，它們每個點陣都代表一個原子。 6. 如果空間點陣中的每一個陣點只代表一個原子時,則空間點陣與晶體點陣是同一概念. 7. 由液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)的過程稱為凝固亦稱結(jié)晶。 8. 在立方晶系中點陣（晶格）常數(shù)通常是指_。a) 最近的原子間距， （B) 晶胞棱邊的長度， （C)棱邊之間的夾角B9. 空間點陣中每個陣點周圍具有等同的環(huán)境。 10. 空間點陣只可能有_種型式。(A)12，(B）14，（C)16，(D）18 B11. 空間點陣結(jié)構(gòu)中只可能劃分出_個晶系.（A）5,（B）6，（C）7,(D)8 C12. 晶格常數(shù)常用_

9、表示。（A）a,b,c；（B），,；(C）a，b，c和,；（D)都不是 C13. 晶胞中原子占有的體積分?jǐn)?shù)稱為 _。(A）配位數(shù)，（B）致密度，（C）點陣常數(shù)，（D）晶格常數(shù) B1. fcc密排面的堆垛順序是_。 （A)A BA B，（B）A BCD，（C）A BCA C2. fcc結(jié)構(gòu)的致密度為_。（A）0.62,(B）0.68，（C）0。74，（D)0。82 C 3. fcc結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是_。（A）6，（B）8，（C)10，（D）12 D4. fcc晶胞中原子數(shù)為_。（A）6，(B）4，（C）3，（D)2 B5. fcc晶胞中原子的半徑是_。 （A）21/2 a / 2， （B）21/2

10、a / 4， （C）31/2 a / 2， （D）31/2 a / 4 B 6. 以原子半徑R為單位,fcc晶體的點陣常數(shù)a是_。 (A)2 （2)1/2 R， (B）4 (2）1/2 R， (C）4 (3)1/2 R， （D)4 (3）1/2 R / 3 A7. bcc結(jié)構(gòu)的致密度為_.（A)0.62，（B）0。68，（C)0。74，（D）0。82 B8. bcc結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是_.（A）6,（B)8,(C)10，（D）12 B9. bcc晶胞中原子數(shù)為_。（A）6,(B）4，（C）3,（D）2 D10. bcc晶胞中原子的半徑是_。 （A)21/2 a / 2， （B）21/2 a / 4，

11、 （C）31/2 a / 4， (D）31/2 a / 2 C11. 以原子半徑R為單位，bcc晶體的點陣常數(shù)a是_。 （A）2 （2）1/2 R， （B）4 (2)1/2 R, （C）4 （3）1/2 R/2， （D)4 R / (3）1/2 D12. hcp密排面的堆垛順序是_. （A）A BA B，（B）A BCD，(C）A BCA A13. hcp結(jié)構(gòu)的致密度為_。（A)0.82，（B）0.74，（C)0.68，（D）0。62 B 14. hcp 結(jié)構(gòu)的配位數(shù)是_。(A)12,（B）10，（C）8，（D)6 A15. hcp晶胞中原子數(shù)為_。（A）3，（B）4,（C）5，（D）6 D

12、16. 在體心立方晶胞中，體心原子的坐標(biāo)是_。 （A）1/2，1/2,0; (B)1/2，0,1/2； （C)1/2,1/2，1/2； (D）0，1/2，1/2 C17. 在fcc晶胞中，八面體間隙中心的坐標(biāo)是_。 （A）1/2，1/2，0； (B）1/2,0,1/2； （C）0，1/2，1/2； （D）1/2，1/2,1/2 D18. 每個面心立方晶胞有個原子. 19. 密排六方晶胞共有十七個原子。 ABC1. 下圖為簡單立方點陣晶胞，其中ABC面的指數(shù)是_。（A)（111），（B）（110），（C）（101）,（D)(011） CABDC2. 下圖為簡單立方點陣晶胞,其中ABCD面的指數(shù)是

13、_。（A）(111)，(B)（110）,（C)（101),（D）（011） C ABDC3. 下圖為簡單立方點陣晶胞，AD的晶向指數(shù)是_.111（A) ，(B)110,（C）101,(D)011 A4. ABDC下圖為簡單立方點陣晶胞，A B的晶向指數(shù)是_.101（A）111，（B）100，(C） ,(D）001 C 5. ABDC下圖為簡單立方點陣晶胞，A C的晶向指數(shù)是_。(A)111，（B）110，（C）101，（D）010 D 6. 在下圖的簡單立方晶胞中,指數(shù)為(0 1 1）的晶面是_. （A）ADE,（B）CDE,（C）ACE，（D）CHFABDCHGFE C =CEG (F為原點

14、),以F為原點若X軸為FB,則C正確。7. 在下圖的簡單立方晶胞中，指數(shù)為（1 1 1）的晶面是_。ABDCHGFE(A）AFD，（B）ACH，(C）ACE，（D）CHE BEGB 乘負(fù)號(1,-1,1)， 原點為D，由于是晶面族,X軸方向變,可 （1, 1, 1）, 原點為F, BEGABDCHGFE8. 在下圖的簡單立方晶胞中，_的晶向指數(shù)為1 1 -1。 (A)AF，（B)HA，（C）CE,（D）FD D9. 在下圖的簡單立方晶胞中，_的晶向指數(shù)為1 1 0.ABDCHGFE （A）BG，（B）CH，（C）CE，(D）GE HAA ，F(xiàn)為原點可？ （ HA H為原點，A點坐標(biāo)為 1,-1

15、，0） 也可是 GB, G點為原點，B點坐標(biāo)為 1，-1,0 ）RPNAFDGCBEOyzxSM10. 在簡單立方晶胞中畫出的（12 1）晶面為_。(A）BGN，（B）BEM，(C）CFM，（D）AFN CRPNAFDGCBEOyzxSM11. 在簡單立方晶胞中畫出的2 2 -1晶向為_。(A）OS，（B)BR，（C）OR，(D）GSB 12. 在簡單立方晶胞中畫出的2 1 0晶向為_。（A）BS，（B）BR,（C)BQ，（D）BTQRPTNAFDGCBEOyzxSMAQRTPNAFDGCBEOyzxSM13. 在簡單立方晶胞中畫出的0 2 -1晶向為_。（A)BR，（B)BS,（C）BQ，（

16、D)BTD14. 畫出立方晶胞中具有下列指數(shù)（111）的晶面和指數(shù)111 的晶向,可以發(fā)現(xiàn)它們彼此_.（A）平行，（B）垂直，（C）既不平行也不垂直，(D) B 15. 晶面指數(shù)通常用晶面在晶軸上截距的互質(zhì)整數(shù)比來表示。 改正：晶面在晶軸上截距倒數(shù)的互質(zhì)整數(shù)比16. 晶面指數(shù)較高的晶面通常具有_的原子密度排列。 (A）較高， （B）較低，（C）居中 B1. 原子排列最密的晶面，其面間距_。 a) 最小， （B）最大， (C)居中B 2. 在fcc和bcc結(jié)構(gòu)中，一切相鄰的平行晶面間的距離可用公式：d = a /(h2+k2+l2）1/2 3. 晶面間距公式d=a/（h2+k2+l2)1/2適用

17、于_的一切晶面(h，k，l為密勒指數(shù))。(A）立方晶系所包含的三種點陣, （B)立方和四方所包含的各種點陣, （C)簡單立方點陣 C4. 若在晶格常數(shù)相同的條件下體心立方晶格的致密度，原子半徑都最小。 5. 面心立方與密排六方晶體結(jié)構(gòu)，其致密度、配位數(shù)、間隙大小都是相同的,密排面上的堆垛順序也是相同的。 6. 在下列堆積方式中，屬于最緊密堆積的是_。 （A） 體心立方， （B） 面心立方， （C) 簡單立方， (D) B7. 在下列堆積方式中，屬于最緊密堆積的是_。 （A） 簡單立方， （B) 體心立方， (C） 密排六方, (D) C8. 氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是_. （A）

18、5 ，（B） 6 ， (C） 4 ， (D） 8 C9. Al為面心立方結(jié)構(gòu)，其點陣常數(shù)為0.4049nm，其晶胞中原子體積是_。（A)0。04912 nm3，（B）0。06638 nm3，（C)0.04514 nm3,（D）0.05032 nm3 A10. Al的點陣常數(shù)為0.4049nm，其晶胞中原子體積是0.04912 nm3，其結(jié)構(gòu)為_。（A) 密排六方，（B) 體心立方，(C) 面心立方，（D)簡單立方 C11. Al為面心立方結(jié)構(gòu)，晶胞中原子體積是0。04912 nm3，其點陣常數(shù)為_。(A)0.3825 nm，（B)0.6634 nm，（C） 0。4523 nm，（D) 0.40

19、49nm D1. 面心立方結(jié)構(gòu)每個晶胞中八面體間隙數(shù)為_。 （A）4， (B）8, (C）2， （D)1 A2. 面心立方結(jié)構(gòu)每個晶胞中四面體間隙數(shù)為_。 （A）2， （B）4， （C)6, （D）8 D3. 面心立方結(jié)構(gòu)每個原子平均形成的八面體間隙數(shù)為_. （A)4， （B）3， （C）2， （D）1 D4. 面心立方結(jié)構(gòu)每個原子平均形成的四面體間隙數(shù)為_. （A）4, （B）3, （C）2, （D）1 C5. 體心立方結(jié)構(gòu)每個晶胞中八面體間隙數(shù)為_。 （A)4， （B）6， （C）8， （D）12 B 6. 體心立方結(jié)構(gòu)每個晶胞中四面體間隙數(shù)為_。 (A）4， （B）6， （C）8， (D

20、）12 D7. 體心立方結(jié)構(gòu)每個原子平均形成的八面體間隙數(shù)為_。 （A）1， （B）2， （C）3， （D）4 C8. 體心立方結(jié)構(gòu)每個原子平均形成的四面體間隙數(shù)為_。 （A）4, (B）6， （C)8， (D)12 B9. 每一個面心立方晶胞中有八面體間隙m個，四面體間隙n個，其中：(A）m=4，n=8, （B) m=6，n=8, （C） m=2，n=4 （D）m=4，n=12 A10. 每一個體心立方晶胞中有八面體間隙m個,四面體間隙n個，其中:（A)m=4,n=8, （B） m=6，n=8， （C） m=6，n=12 （D）m=8，n=12 C11. Fcc和bcc結(jié)構(gòu)中的八面體間隙均為

21、正八面體。 12. 面心立方結(jié)構(gòu)的總間隙體積比體心立方小. 13. 等徑球最緊密堆積時，四面體空隙的體積_八面體空隙的體積. (A) 大于， （B) 等于， （C） 小于, (D) C1. 二元相圖中三相平衡時溫度恒定，而平衡三相成分可變。 2. 在二元相圖中，LS1+ S2叫_轉(zhuǎn)變。 （A)共晶,（B）共析，（C）包晶 A3. 在二元相圖中，SS1+ S2稱為_轉(zhuǎn)變。 （A）共晶,(B)共析,（C）包晶 B4. 在二元相圖中,SLS1稱為_轉(zhuǎn)變。(A）共晶，(B）共析，(C）包晶 C5. 共晶線代表共晶反應(yīng)溫度其物理意義是_。（A） 無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度就發(fā)生共晶反應(yīng)， （B）

22、無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時，如剩余的液相具有共晶成分就發(fā)生共晶反應(yīng), ？表達不確切（C） 無論何種成分的液相冷卻至共晶溫度時，全部會變成具有共晶成分的液相而發(fā)生共晶反應(yīng) B A6. 共晶反應(yīng)發(fā)生在三相平衡的水平線上，可利用杠桿定理計算相組成物與組織組成物相對量，所以杠桿定理也可以在三相平衡區(qū)使用。 共晶反應(yīng)發(fā)生在三相平衡點，不能用. ？7. 根據(jù)相律，二元系三相平衡時自由度為0，即表明三相反應(yīng)是在恒溫下進行，三個平衡相的成分也是相同的，不可改變。 8. 所謂相,即是系統(tǒng)中具有均勻成份而且性質(zhì)相同并與其他部分有界面分開的部分。 9. 在界面兩側(cè)性質(zhì)發(fā)生突然變化的是兩個不同的相,否則是同一

23、相. 10. 用杠桿規(guī)則進行過程量的計算，得到的是_。（A） 累積量 （B） 瞬時量 (C) (D) A 11. 等壓條件下，二元合金中最大平衡相數(shù)為3。 12. 二元合金處于單相平衡時，自由度為2，這就是說溫度變化時，成份隨之變化. 13. 在熱力學(xué)平衡條件下，二元凝聚系統(tǒng)最多可以3相平衡共存,它們是一個固相、一個液相和一個氣相. 改正：兩個固相和一個液相。14. 相數(shù)即為系統(tǒng)內(nèi)性質(zhì)相同且均勻的部分的種類數(shù)。 （A），（B),（C),（D）A15. 自由度數(shù)是指相平衡系統(tǒng)中可獨立改變而不引起相變的變量數(shù)。（A）,（B）,（C），(D） ? A 在一定范圍內(nèi)改變,故B1. 點缺陷表現(xiàn)有兩種類型

24、:（A)置換原子、晶格間隙；(B） 空位、間隙原子；（C）空位、晶格間隙 B2. 晶體中存在著許多點缺陷,例如_. (A） 被激發(fā)的電子， （B）沉淀相粒子， （C）空位 C3. 柏格斯矢量是位錯的符號，它代表_.（A） 位錯線的方向, (B） 位錯線的運動方向， (C） 晶體的滑移方向 B C，應(yīng)為C4. 實際金屬中都存在著點缺陷,即使在熱力學(xué)平衡狀態(tài)下也是如此. 5. 柏格斯矢量就是滑移矢量。 6. 位錯線的運動方向總是垂直于位錯線. 去掉 ？該題有問題7. 空間點陣有種，它們每個點陣都代表一個原子。 8. 刃型位錯線與其柏氏矢量平行,且其運動方向垂直于該柏氏矢量，螺型位錯線與其柏氏矢量垂

25、直，且運動方向平行于該柏氏矢量。 9. 刃型位錯的柏氏矢量與位錯線平行，螺型位錯的柏氏矢量與位錯線垂直。 10. 晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而_。 (A） 增加， (B） 不變， (C) 降低， （D） A11. 屬于晶體中的熱缺陷有_。 （A）空位， (B) 非化學(xué)計量缺陷， （C) 雜質(zhì)缺陷， （D）12. 替代式固溶體中，d溶質(zhì)d溶劑. 13。 間隙式固溶體中,d溶質(zhì)/d溶劑0.59。 1. 擴散是原子在固體物質(zhì)內(nèi)部無規(guī)的運動產(chǎn)生定向遷移的過程。 ？2. 擴散的推動力是濃度梯度，所有擴散系統(tǒng)中，物質(zhì)都是由高濃度處向低濃度處擴散。 改正： 擴散也可以從低濃度向高濃度進行。（從自由能考

26、慮）3. 擴散系數(shù)一般表示為D=D0Exp(-Q/RT),顯然擴散激活能與擴散系數(shù)呈正比，Q值愈大，D值愈大。 ？ 不是正比4. 最常見的擴散機理是_。 （A)間隙擴散， (B） 空位擴散， (C） 易位擴散， （D） B5. 一般說來,擴散系數(shù)越大擴散通量也越大。 ？還有濃度差，（按照Fick第一定律,該表述應(yīng)是正確的)6. 菲克第一定律只適用于穩(wěn)態(tài)擴散,而菲克第二定律只適用于非穩(wěn)態(tài)擴散。 ？（按照教材的內(nèi)容，該表述應(yīng)是正確的）7. 穩(wěn)態(tài)擴散就是指擴散通量不隨時間變化僅隨距離變化的擴散。 8. 擴散通量是指單位時間通過任意單位面積的物質(zhì)量。 9. 金屬的自擴散的激活能應(yīng)等于_。（A) 空位的

27、形成能與遷移能的總和, （B） 空位的形成能, （C) 空位的遷移能 A10. 伴有濃度變化的擴散或者說與溶質(zhì)濃度梯度有關(guān)的擴散被稱為是_。 （A） 反應(yīng)擴散, （B) 互擴散， （C）自擴散 B ?確實有問題,題目的目的不明確.去掉11. 在擴散過程中，原子的流量直接正比于_。（A）溫度，(B)濃度梯度， （C）時間 B12. 原子越過能壘的激活能為Q，則擴散速率_。 （A) 隨Q增加而減小， (B） 隨Q增加而增加， （C) 與Q無關(guān) A13. 當(dāng)液體與固體的真實接觸角大于90度時，粗糙度愈大，就愈_潤濕. （A）容易， (B） 不易， （C) ， (D) B14. 當(dāng)液體與固體的真實接觸

28、角小于90度時,粗糙度愈大，就愈_潤濕。 (A) 容易， （B) 不易， （C） ，（D) A由于粗糙度涉及到,未講，建議去掉15. 溫度升高，熔體的表面張力一般將_. （A） 不變，(B) 減少,（C） 增加, （D) B16. 液體與固體的接觸角大于90。 （A）潤濕，（B）不潤濕，（C），（D) B17. 液體與固體的接觸角小于90。 （A）潤濕，（B）不潤濕，（C），（D）A1. Percent ionic character （A）離子的特點 ，（B)鍵的離子性結(jié)合比例,(C)，(D) B2. Energy Band （A）能級 ，(B）能隙,（C）能帶,（D） C3. Valenc

29、e band （A）價帶，（B)能帶，（C）價電子能級展寬成的能帶，（D) A,C4. Unit Cell (A)晶胞 ，（B）單位矢量，（C)，(D） Asolid solution （A）固溶體，（B)雜質(zhì)原子等均勻分布于基質(zhì)晶體的固體，（C）固體溶解液，（D）A,B?5. Ionic Bond（A）共價鍵，（B）次價鍵，（C）離子鍵，（D)氫鍵C6. Covalent Bond （A）氫鍵，（B）離子鍵，（C）次價鍵，（D）共價鍵D7. Equilibrium Spacing (A）平衡力，（B)平衡間距,(C)原子間斥力和引力相等的距離，(D）B,C8. Coordination Nu

30、mber (A)配位數(shù),（B)原子具有的第一鄰近原子數(shù),(C）價電子數(shù),（D）A，B9. Atomic Packing Factor （A）晶胞內(nèi)原子總體積與晶胞體積之比，（B）原子體積（C)致密度，(D）原子堆積因子 A，C，D10. Directional Indices （A）點陣,(B）晶體方向，（C）晶向指數(shù)，（D）晶向 C11. Miller indices （A)晶向指數(shù)，（B）晶面指數(shù)，(C）密勒指數(shù),（D） B,C12. interplanar spacing （A）晶面組中最近兩晶面間的距離，(B）晶面指數(shù),（C）原子間距，(D）晶面間距A， D8fcc （A）面心立方，(

31、B)密排六方,（C）體心立方，(D） A1. bcc （A)面心立方，（B）密排六方，（C）體心立方，（D） C2. hcp (A）面心立方，（B）密排六方，（C)體心立方，（D） B3. Point Defect （A）點陣,（B）體缺陷，（C）面缺陷，（D)點缺陷D4. Interfacial Defects （A）位錯，（B）點缺陷,（C)面缺陷，（D)體缺陷C5. Edge Dislocation （A）螺旋位錯，（B)刃位錯，（C）點缺陷,（D）B6. Screw Dislocation （A）棱位錯,（B）刃位錯，(C）螺旋位錯，（D）C7. Interstitial positi

32、on (A）間隙，（B）空位,（C）空隙,（D)空洞 A9。 vacancy （A)空洞,（B）空位,（C）空隙，（D）間隙B8. selfdiffusion （A）互擴散，（B）自擴散,(C)慢擴散，（D）B9. interdiffusion （A）互擴散,（B）自擴散，（C）慢擴散，（D）A10. Diffusion Coefficient （A）擴散作用，（B）擴散通量，（C）擴散系數(shù)，（D)擴散通道C10。 Diffusion Flux （A）擴散作用，（B）擴散通量，（C)擴散系數(shù)，（D)擴散能， B11. Contact Angle (A）三相交界處，自固液界面經(jīng)氣體至液氣界面的夾

33、角,（B)三相交界處,自固液界面經(jīng)固體內(nèi)部至液氣界面的夾角，(C）三相交界處，自固液界面經(jīng)液體內(nèi)部至液氣界面的夾角,(D）接觸角C, D1體心立方金屬晶體具有良好的塑性和韌性。 2面心立方金屬晶體具有較高的強度、硬度和熔點。 3CuZn合金為電子化合物,其電子濃度（價電子數(shù)/原子數(shù)）為 （A）21/14 （B）21/13 (C）21/12 A4鐵碳合金有六種組織結(jié)構(gòu)，它們是_、_、_、_、_、_。5鐵素體是碳溶解在鐵中的固溶體，C0。02. 6奧氏體是碳溶解在鐵中的固溶體，C%0。2. ? （C2%。）7珠光體是由鐵素體和滲碳體組成的共析混合物。 8滲碳體是鐵和碳的化合物，F(xiàn)e/C2/1. 9

34、從圖 347 可以知道，共析鋼在1420時的組織結(jié)構(gòu)是 （A）奧氏體鐵素體 （B）奧氏體液體 （C)鐵素體液體 B10鋼是碳含量低于2的鐵碳合金。 11鋁和紫銅都是面心立方晶體結(jié)構(gòu)。 12非晶態(tài)合金TTT曲線的右側(cè)為晶體結(jié)構(gòu)區(qū)域. 13在再結(jié)晶過程中，晶粒的尺寸隨再結(jié)晶溫度的升高和時間的延長而長大. 14當(dāng)金屬材料的塑性變形度大于10%時,再結(jié)晶所形成的是細(xì)晶粒. 15共析鋼中的碳含量為 （A）0。02180。77% （B）0.77 （C）0。772.11% (D）6。67% C B 為B16. 二次再結(jié)晶是大晶粒_,小晶粒_。 (A)長大、長大； （B) 變小、長大； (C) 長大、變??；

35、(D)A ？有問題， 去掉1在離子晶體中，當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在0.2250.414的范圍內(nèi)時，形成 （A)四面體配位 (B）八面體配位 （C）平面三角形配位 （D）立方體配位 A2在離子晶體中,當(dāng)正負(fù)離子半徑比值在0。7321。0的范圍內(nèi)時,形成 （A)簡單立方配位 （B）面心立方配位 （C）簡單立方或面心立方配位 C A （在等電荷時，面心立方離子晶體的正負(fù)離子為八面體配位，半徑比是0。414-0。732）3面心立方ZnS中的Zn原子位于由S原子構(gòu)成的_間隙中. (A）八面體 （B)四面體 （C）立方體 B4單晶硅為立方晶胞的共價晶體，每個晶胞中共有硅原子(A）6個 （B）8個 （C）4個 A B,是B5面心立方ZnS晶胞中的Zn原子和S原子數(shù)量分別為（A)4和4 （B）14和4 （C）8和4A6鈣鈦礦晶體CaTiO3屬于立方晶系，Ca2的配位數(shù)是12。 7尖晶石晶體屬于立方晶系，每個單位晶胞由相同體系的4個A塊和4個B塊所構(gòu)成,共有32個八面體間隙和64個四面體