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1、第一章1. 絕緣電阻是施加于絕緣體上的兩個(gè)導(dǎo)體之間的直流電壓與流過絕緣體的泄露電流之比。絕緣電阻包括體積電阻和表面電阻。體積電阻是施加的直流電壓與通過絕緣體內(nèi)部電流之比;表面電阻是施加的直流電壓與通過絕緣體表面的電流之比。體積電阻率是絕緣體內(nèi)部的直流電場(chǎng)強(qiáng)度與體內(nèi)泄露電流密度之比(單位立方體的絕緣電阻值);表面電阻率是絕緣體表面層的直流電場(chǎng)強(qiáng)度與通過表面層的電流線密度之比(實(shí)際上是正方形面積內(nèi)的表面電阻)。2.試樣的預(yù)處理?xiàng)l件試樣表面應(yīng)無外來的污染,沒有損傷,并要清除試樣上的殘余電荷。用酒精清洗試樣,或?qū)⒃嚇臃胖迷跐穸群艽蟮沫h(huán)境中片刻,可將試樣表面上的電荷基本清除。3.影響絕緣電阻的因素:1)
2、溫度:T上升R(v下降)(離子電導(dǎo)為主體)(2)濕度:%上升R(v下降)所以材料吸濕后,要先進(jìn)行烘干在進(jìn)行使用(3)電場(chǎng)E不高,一般R(v)與E無關(guān)(線性材料) 高場(chǎng)強(qiáng)是E上升R(v下降)(非線性材料) 電壓升高時(shí),絕緣體中有缺陷,也會(huì)導(dǎo)致絕緣電阻下降 (4)輻射:劑量上升R(v下降) (5)交聯(lián):無影響,高溫下交聯(lián)擊穿強(qiáng)度高4. 二電極與三電極的不同:二電極結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但無法將體積電流與表面電流分開,存在邊緣效應(yīng);適用于薄膜材料的測(cè)試。三電極系統(tǒng)由測(cè)量電極、保護(hù)電極和高壓電極三部分組成??梢詫Ⅲw積電流與表面電流分開,消除了邊緣效應(yīng),均化電場(chǎng);適用于高頻下,存在T型干擾網(wǎng)絡(luò)。5. 電極間隙g不能
3、太小,一方面為了使沿電極周長(zhǎng)間隙g的相對(duì)誤差不致太大;另一方面是為了減少體積電流的影響。6.測(cè)量絕緣電阻的方法:1、直測(cè)法(1)歐姆表法;特點(diǎn):最方便;適用于靈敏度不高的場(chǎng)合,例如,現(xiàn)場(chǎng)的測(cè)試。測(cè)量范圍為0-100M歐姆(2)檢流計(jì)法特點(diǎn):靈敏度高。電壓范圍100-1000V ;檢測(cè)電流10-10A/mm;最大電阻1012。適用于工廠產(chǎn)品測(cè)試。(3)高阻計(jì)法;檢測(cè)電流最小10-10A,檢測(cè)電阻大于1017;適用于絕緣材料的測(cè)試。2、比較法(1)電橋法,優(yōu)點(diǎn):實(shí)驗(yàn)結(jié)果與試驗(yàn)電壓無關(guān),準(zhǔn)確度最高,可測(cè)電阻1014,量程廣。缺點(diǎn):需要人為調(diào)節(jié),比較麻煩,操作不方便,在工程上為廣泛應(yīng)用。(2)電流比較
4、法,設(shè)備與檢流法相同,測(cè)試過程、原理、公式不同,精度高。適用于產(chǎn)品絕緣的檢測(cè)。3、充放電法(1)充電法:優(yōu)點(diǎn):與高阻計(jì)法比,提高測(cè)試靈敏度,滿足更高絕緣電阻的測(cè)試,充放電法是目前為止測(cè)量絕緣電阻“最靈敏”的一種方法,可達(dá)到1019;(2)自放電法測(cè)量線路簡(jiǎn)單。適用于試樣的電容已知的試樣。7.分析圖(P25):良好的絕緣中,吸收電流隨加電壓時(shí)間下降很快,最后穩(wěn)定的電流也很小,如圖曲線1所示;而受潮或有缺陷的絕緣體,吸收電流變化很慢,穩(wěn)定的電流值也比較大,如曲線2所示;為簡(jiǎn)化試驗(yàn),用I15和I60的比值來表示吸收比,通常吸收比大,說明絕緣良好。但對(duì)于非極性的絕緣材料,I15電流已經(jīng)很小,穩(wěn)定電流更
5、小,而且吸收比也不大,但不能認(rèn)為絕緣是不好的。第二章1. 相對(duì)介電常數(shù)是在同一電極結(jié)構(gòu)中,電極周圍充滿介質(zhì)時(shí)的電容Cx與周圍是真空似的電容C0之比。介質(zhì)損耗因數(shù)是樣品在施加電壓時(shí)所消耗的有功功率與無功功率的比值。影響相對(duì)介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的因素:1)電壓幅值:一般,無關(guān)。若夾層有雜質(zhì),高場(chǎng)強(qiáng)下都會(huì)增大。若有氣泡,超過起始放電電壓后,都會(huì)增大。2)頻率:低頻r大,高頻r?。籸變化大時(shí),tan出現(xiàn)最大值。3)溫度:T升高,r增大,但很高時(shí)降低;低溫時(shí),r變化大時(shí),tan出現(xiàn)最大值,溫度很高時(shí)隨溫度指數(shù)增大。對(duì)于并聯(lián)等效阻抗 對(duì)于串聯(lián)等效阻抗 tan=wRsCs 對(duì)于tan兩者完全等效,即 得到
6、 ,2.高壓西林電橋原理:西林電橋的兩個(gè)高壓橋臂,分別有試樣Zx及無損耗的標(biāo)準(zhǔn)電容器CN組成;兩個(gè)低壓橋臂分別由無感電阻R3及無感電阻R4與電容C4并聯(lián)組成。平衡條件:YxY4=Y3YN3.電流比變壓器電橋:又稱電感比例橋臂電橋,電橋除了試樣盒標(biāo)準(zhǔn)電容器各為一個(gè)橋臂之外,還有兩個(gè)橋臂是由電感組成。根據(jù)使用條件的不同,電感橋臂可與平衡指示器回路耦合,稱為電流比變壓器電橋;電感橋臂亦可與電橋的電源耦合,稱為電壓比變壓器電橋。4.諧振法測(cè)量電容:由一個(gè)電感線圈L和一個(gè)調(diào)諧電容組成,測(cè)量試樣的電容CP時(shí)是根據(jù)諧振回路的諧振條件求得的。諧振兩次,第一次諧振電容讀數(shù)為Ci,第二次諧振電容為Co,試樣的電容
7、為Cp=CoCi。5.品質(zhì)因數(shù): 表示一個(gè)儲(chǔ)能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路中所儲(chǔ)能量同每周期損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo)。與介質(zhì)損耗因素成倒數(shù)關(guān)系。6. 強(qiáng)電場(chǎng)干擾下,可采取哪些方法測(cè)量,各有什么特點(diǎn):措施:屏蔽:在試品的測(cè)試的系統(tǒng)和干擾源之間使用,由于場(chǎng)地空間限制,只在實(shí)驗(yàn)室使用移相法: 缺點(diǎn):需要專門的移相器,接線復(fù)雜,測(cè)量時(shí)間長(zhǎng),場(chǎng)地使用受限倒相法:正、反兩次測(cè)量取平均值(精度要求不高)優(yōu)點(diǎn):接線簡(jiǎn)單,速度快,缺點(diǎn):準(zhǔn)確度低,干擾強(qiáng)烈是更低。7.介電譜:復(fù)介電常數(shù)隨頻率的變化曲線(介電頻譜),或隨溫度的變化曲線(介電溫譜)。第三章1.電氣擊穿:在電場(chǎng)作用下絕緣材料或結(jié)構(gòu)瞬間失去絕緣
8、特性,造成電極間短路。介電強(qiáng)度是指材料能承受而不遭到破壞的最高電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng),對(duì)于平板樣品EB=UB/d。在氣體或液體中,電極之間發(fā)生放電,當(dāng)放電至少有一部分是沿著固體材料表面時(shí),稱為閃絡(luò)。通常試樣表面發(fā)生閃絡(luò)后,還可以恢復(fù)絕緣特性。2.試樣厚度的選?。喝绻?,擊穿電壓超過試驗(yàn)變壓器的額定電壓,或表面閃絡(luò)難以解決,這時(shí)可以將試樣削薄,但試樣表面應(yīng)保持光潔,對(duì)于紙或薄膜材料,將多層疊加一起,施加一定的壓力壓緊。這樣可以減少因弱點(diǎn)存在而造成擊穿場(chǎng)強(qiáng)的分散。測(cè)量厚度時(shí),一般在沿通過擊穿點(diǎn)的直徑上測(cè)三點(diǎn)取平均值,這時(shí)試樣的厚度必須是均勻的。否則,則以擊穿點(diǎn)的厚度來計(jì)算擊穿場(chǎng)強(qiáng)。3.工頻電壓下的介電強(qiáng)度測(cè)量
9、:升壓方式:1)快速升壓,電壓從零上升至擊穿電壓所經(jīng)歷的時(shí)間為1020s,2)20s逐級(jí)升壓,每級(jí)停留20s,3)慢速升壓,從快速升壓的擊穿電壓的40%,緩慢升壓,4)60s逐級(jí)升壓,每級(jí)停留60s,5)極慢升壓,從快速升壓的擊穿電壓的40%,極慢升壓。升壓速度慢,電壓作用時(shí)間長(zhǎng),測(cè)得的擊穿電壓更低,試驗(yàn)結(jié)果更可靠。4.調(diào)壓器原理及優(yōu)缺點(diǎn):1)自耦調(diào)壓器:輸入輸出共用一個(gè)線圈,通過滑動(dòng)觸點(diǎn)來調(diào)節(jié)電壓。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,體積小,漏抗小而且價(jià)格便宜;但觸點(diǎn)再移動(dòng)的過程中會(huì)出現(xiàn)火花,適用于千伏安以下。2)移圈調(diào)壓器:是靠移動(dòng)短路線圈改變其他兩個(gè)線圈的漏磁通,從而改變兩個(gè)線圈上的電壓分配來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓??侩姶篷詈?/p>
10、而無機(jī)械觸點(diǎn),調(diào)壓過程無火花出現(xiàn),容量大;但漏抗較大,波形易畸變。5.保護(hù)電阻:目的是當(dāng)試樣擊穿或閃絡(luò)時(shí),限制流過變壓器的電流并使變壓器高壓端點(diǎn)位變化緩慢,改善由此產(chǎn)生的脈沖在高壓繞組間的分布和消除可能出現(xiàn)的振蕩,另一方面也要避免試驗(yàn)在電阻上產(chǎn)生過大的電壓降和擊穿時(shí)過載釋放器有足夠大的電流,從而能夠在幾個(gè)電壓周期內(nèi)切斷電源。一般選用0.10.5/V。6.沖擊電壓下的介電強(qiáng)度:各種高壓電氣設(shè)備在運(yùn)行中,難免要遭受大氣過電壓和操作過電壓,為了檢驗(yàn)這些設(shè)備承受這種過電壓的能力,需要進(jìn)行沖擊電壓下的介電強(qiáng)度試驗(yàn)。常用的兩種:模擬雷電沖擊波(大氣過電壓的沖擊波),模擬操作過電壓的沖擊波(包括短路開關(guān)動(dòng)作
11、等產(chǎn)生的沖擊波)。大氣過電壓的沖擊波,1.2/50s波頭:1.2±30%s,通過沖擊波峰值0.3和0.9兩點(diǎn)直線,與時(shí)間軸交點(diǎn)O和峰值平行線交點(diǎn)D之間的時(shí)間間隔Tf;波尾: 50±2%s,沖擊波峰值下降到峰值一半時(shí)與O之間的時(shí)間間隔Tt。操作過電壓的沖擊波:事故短路、開關(guān)動(dòng)作等產(chǎn)生的沖擊波,250/2500s,波頭: 250±20%s,從零開始上升到峰值的時(shí)間;波尾: 2500±20%s,從零峰值始下降到峰值一半時(shí)的時(shí)間間隔。7.實(shí)驗(yàn)室的屏蔽:分為靜電屏蔽、磁屏蔽以及電磁屏蔽三種,屏蔽的目的是隔離屏蔽室內(nèi)外的靜電場(chǎng)、磁場(chǎng)和電磁場(chǎng),不讓內(nèi)部干擾外部,防止外
12、部干擾內(nèi)部。8. 試驗(yàn)室的接地:工作接地:使電路中各點(diǎn)電位固定,使各部位絕緣承受的電壓不變,并沒有浮動(dòng)電位出現(xiàn)。保護(hù)接地:將不帶電的金屬體接地,以免這些物體直接觸及高電位或本身出現(xiàn)感應(yīng)電壓而造成危險(xiǎn)。第四章1. 局部放電:在電場(chǎng)作用下,絕緣中局部區(qū)域發(fā)生電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到擊穿場(chǎng)強(qiáng)并發(fā)生放電,但絕緣內(nèi)部仍然保持絕緣性能的現(xiàn)象。發(fā)生在絕緣體表面的稱表面局部放電,發(fā)生在導(dǎo)體邊緣而周圍是氣體的,稱為電暈。2.局部放電的特征:局部放電是指發(fā)生在電極之間但并未貫穿電極的放電,局部放電是一種復(fù)雜的物理過程除了伴隨著電荷的轉(zhuǎn)移和電能的損耗之外,還會(huì)產(chǎn)生電磁輻射、超聲波、光、熱以及新的生成物等。最明顯的是反映到試品施
13、加電壓的兩端,有微弱的脈沖電壓出現(xiàn)。3.導(dǎo)致局部放電的因素:1)電極系統(tǒng)不對(duì)稱。2)介質(zhì)不均勻。3)絕緣體中含有氣泡或其他雜質(zhì)。4.局部放電的基本表征參數(shù):用以描述每一次放電的特征參數(shù):1)視在放電電荷:在絕緣體中發(fā)生局部放電時(shí),絕緣體上施加電壓的兩端出現(xiàn)的脈動(dòng)電荷。2)放電量:氣泡中每一次放電發(fā)生的電荷交換所消耗的能量。3)放電相位:各次放電都發(fā)生在外加電壓作用下,每次放電所在的外加電壓的相位。前后連續(xù)放電的相位差,可代表前后兩次放電的時(shí)間間隔。5.累計(jì)表征參數(shù):在一定測(cè)量時(shí)間內(nèi)累計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。1)放電重復(fù)頻率:在測(cè)量時(shí)間內(nèi),每秒鐘放電次數(shù)的平均值。2)平均放電電流:設(shè)測(cè)量時(shí)間T內(nèi)出現(xiàn)m次放
14、電,各次相應(yīng)的視在放電電荷為q1,q2.,則平均放電電流為I=i=1mqi/T。3)放電功率: I=i=1mutiqi/T。這個(gè)參數(shù)綜合表征了放電量、放電次數(shù)以及放電時(shí)的外加電壓瞬時(shí)值。6.電測(cè)法分析:根據(jù)放電時(shí)在放電處會(huì)產(chǎn)生電荷交換,于是在一個(gè)與之相連的回路中就會(huì)產(chǎn)生脈沖電流,通過測(cè)量此脈沖電流來測(cè)量局部放電的方法稱為脈沖電流法(ERA)。原理:絕緣體某一區(qū)域發(fā)生局部放電時(shí),絕緣體的兩端會(huì)出現(xiàn)瞬變電荷,用一個(gè)耦合的電容器CK和檢測(cè)阻抗Z與試品連接成一個(gè)回路?;芈愤B接方式有直測(cè)法和平衡法。后者把檢測(cè)阻抗分為Za,Zb兩個(gè)部分,并在其中點(diǎn)接地,無論哪個(gè)方法在檢測(cè)阻抗兩端采集到的ud總是與試品的視
15、在放電電荷q存在一定的關(guān)系。隔離變壓器:在一次和二次兩個(gè)繞組之間附加兩層金屬屏蔽層,并和繞組末端相連接;隔離高頻干擾。調(diào)壓器:使電壓從零開始上升到規(guī)定值。試驗(yàn)變壓器:把低電壓升高為試驗(yàn)所用的高電壓的升壓變壓器。與一般試驗(yàn)變壓器不同在于其本身不發(fā)生局部放電,或放電量小于被測(cè)試品允許放電量的一半。濾波器:低壓濾波器用來濾掉從電源進(jìn)來的高頻干擾及調(diào)壓器產(chǎn)生的高次諧波;高壓濾波器用來進(jìn)一步阻塞電源進(jìn)來的高頻干擾,阻礙試驗(yàn)變壓器本身產(chǎn)生的局部放電信號(hào),阻塞試品的局部放電信號(hào)通過試驗(yàn)變壓器的入口電容,以免被測(cè)信號(hào)旁路而降低測(cè)量的靈敏度。保護(hù)電阻:用來限制萬一變壓器負(fù)載短路時(shí)的電流,改善負(fù)載短路時(shí)產(chǎn)生的過電壓在變壓器繞組上的電位分布。耦合電容器:把試品的放電信號(hào)耦合到檢測(cè)阻抗上來,承受工頻高壓,使檢測(cè)阻抗上的工頻電壓降很小,以保證人身及儀器安全。檢測(cè)阻抗:采樣元件,檢測(cè)脈沖電壓,測(cè)出局部放電的視
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