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文檔簡介

1、Vbes及Vces測試及分析 主講1一、目的 介紹一種分析Vbes、Vces的方法。通過測Vbef及Vbcf，把三極管兩個互相牽連的PN結，分成兩個單獨的PN結來處理。2 二、 一般來說，Vbes大較多情況是基極引線孔有接觸電阻（底膜）造成。 1.氧化層，氧化層的作用，氧化層的顏色，底膜，開窗口后盡快擴散，蒸鋁，自然氧化層。3 2.示意圖（均以NPN管為例）43.引起Vbes大，接觸電阻大的其它原因：鋁層發(fā)黃，油污，球焊虛焊，引腳氧化引起虛焊，測試接觸不良。4.歐姆接觸，H2合金，500，10分，Vbef(300mA)1.4V（S9014）5同一只管子Vbef與Vbef的關系：1.P+N結（B

2、C結）If=Aq(Lp/p)（ni2/Nn）eqv/kt2.N+P結（EB結）If=Aq(Ln/n)（ni2/Np）eqv/kt3.PN結高阻區(qū)的雜質濃度愈小，正向電流愈大（Vf愈?。碚撋贤恢还茏覸bcfVbef.6四、晶體管雜質濃度的分布Nsc代表外延層含As(Sb)雜質濃度，是均勻摻雜，雜質濃度相等的M、N點形成發(fā)射結、集電結，兩曲線與X軸、Y軸圍成的面積代表摻雜總量。7 五、 Vces大較多情況與背面金屬化層相關，與裝片質量關系也很大。 1.背面金氧化之前要磨片（或噴砂），減薄，去除背面氧化層 共晶，金砷 Vi / Ni / AuGe / AuGeSb / Au 0.3 0.2 0.3 0.5 0.1 總厚1.5 0.2um 2.軟焊料 Vi/Ni/Ag Ti/Ni/Ag Cr/Ni/Ag Vi / Ni / Au 1.5um 0.03 0.8 0.3 總厚1.5 0.2um 3.導電膠 Vbcf與Vbef比較接近，Vces要大一些。 影響Vces的其它因素，裝片質量，焊料氧化，焊料少，e極鋁電極電阻，外延片夾層，雙段飽和，電阻率太高。8 六、則共3DD1

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