模擬電子技術(shù)晶體管三極管應(yīng)用

1、模擬電子技術(shù)晶體管三極管應(yīng)用第1頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四1.3.1 三極管極性及材料的測(cè)試鑒別 1. BJT特性及參數(shù)測(cè)試 2. BJT極性、材料及管腳鑒別1.3.2 三極管技術(shù)參數(shù)1.3.3 三極管產(chǎn)品形態(tài) 1. 復(fù)合晶體管 2. 及孿生晶體管 3. 帶阻尼二極管及保護(hù)電阻的三極管 4. 晶體管陣列 5. 光電耦合器1.3.4 晶體管應(yīng)用基礎(chǔ) 1. 模擬應(yīng)用 2. 開(kāi)關(guān)應(yīng)用 3. 半導(dǎo)體器件及集成電路封裝第1章 晶體管(3)1.3 三極管技術(shù)參數(shù)及測(cè)試應(yīng)用總第三次課作業(yè) 1.10, 1.11第2頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四第3頁(yè)，共

2、11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四第4頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四第5頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四國(guó)產(chǎn)三極管型號(hào)由四部分組成:第一部分：電極數(shù)，以數(shù)字3表示。第二部分：材料和管子極性，以大寫字母A,B,C,D表示 A代表PNP鍺管，B代表NPN鍺管 C代表PNP硅管，D代表NPN硅管第三部分：頻率及功率功能，以大寫字母X,G,D,A,T X代表低頻小功率管，G代表高頻小功率管 D代表低頻大功率管，A代表高頻大功率管 T代表晶體閘流管(可控硅，SCR)。第四部分：參數(shù)規(guī)格，以數(shù)字字母表示。例如，3DG12表示硅材料NPN高頻

3、小功率三極管。BJT型號(hào)命名方法第6頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四日產(chǎn)晶體管型號(hào)開(kāi)頭的數(shù)字代表pn結(jié)數(shù)二極管以數(shù)字1開(kāi)頭，三極管以數(shù)字2開(kāi)頭2SC1815是日本產(chǎn)塑封小功率三極管；9012、9013是韓國(guó)產(chǎn)三極管，300倍9012為PNP管，9013為NPN管。常見(jiàn)BJT及其參數(shù)如下3DG12： NPN，=4070倍，300mA，50V，700mW fT=150MHz；2SC1815：NPN，100倍以上，150mA，60V，400mW；9013(NPN)，9012 (PNP)：300倍，100mA，50V，500mW第7頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四 1.3.3 三極管產(chǎn)品形態(tài) BJT產(chǎn)品形態(tài)很多，這里列出如下。 分立BJT 復(fù)合BJT 孿生BJT 帶阻尼帶保護(hù)的BJT BJT陣列 集成電路的單元細(xì)胞 BJT與LED組合為光電耦合器第8頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四第9頁(yè)，共11頁(yè)，2022年，5月20日，6點(diǎn)37分，星期四第10頁(yè)，共