實驗二 半導體存儲器原理實驗(信軟) (2)課件

計算機組成原理實驗1/25一、實驗目的三、實驗原理四、實驗連線五、實驗步驟實驗二

存儲器實驗二、實驗設備2/25一、實驗目的掌握半導體RAM6264的特性和使用方法。掌握6264存儲器的讀寫方法。按給定數(shù)據(jù)，完成實驗指導書中的存儲器讀寫操作。3/25三、實驗原理5/25RAM6264芯片外特性工作方式I/O輸入（控制）DIDO/OE/WE/CS非選擇XHIGH-ZXXH讀出HIGH-ZDOLHL寫入DIHIGH-ZHLL寫入DIHIGH-ZLLL選擇XHIGH-ZHHL6264功能表

存儲器實驗電路原理圖(圖3-5)數(shù)據(jù)輸入三態(tài)緩沖器門控信號

SWB（0有效）6/25AR地址A0～A7有效可尋址256個單元8Kx8數(shù)據(jù)總線掛在外部數(shù)據(jù)總線EXD0～EXD78位地址由AR給出地址值由LAD0-7顯示輸入數(shù)據(jù)由8位數(shù)據(jù)開關KD0～KD7提供三態(tài)門和外部總線相連外總線與內總線相連讀出數(shù)據(jù)由LZD0-7顯示地址鎖存AR控制信號

LDAR

（1有效）存儲器片選信號CE’（0有效）存儲器寫信號WE（1有效）存儲器讀信號WE（0有效）地址鎖存AR和數(shù)據(jù)寫入6264脈沖信號T3四、實驗連線仔細查看試驗箱，按以下步驟連線1）

MBUS連BUS22)EXJ1連BUS33)跳線器J22的T3連TS34)跳線器J16的SP連H23（撥在右邊）5)跳線器SWB、CE、WE、LDAR撥在左邊6)開關“運行控制”撥在“運行”7)開關“運行方式”撥在“單步”8)開關“總清”撥在“1”（無效狀態(tài)）7/25四、實驗連線-MBUS連BUS2/BUS69/25四、實驗連線-EXJ1連BUS310/25四、實驗連線-跳線器J22的T3連TS3J22的T3連TS311/25SWB、CE、WE、LDAR四個跳線器撥在左邊SWB跳線撥左邊13/25CE跳線撥左邊WE跳線撥左邊LDAR跳線撥左邊三個開關運行控制撥“運行”14/25運行方式撥“單步”總清撥“單步”四、實驗連線-連線及跳線完畢15/2517/25步驟2.8位地址的寫入調撥8位開關KD0-KD7為（00H），準備向AR送地址。三態(tài)緩沖器門控信號SWB=0（打開）。地址寄存器AR控制信號LDAR=1（打開）。存儲器片選信號CE’=1(片選無效）打入脈沖信號T3，將地址00H置入AR。18/25步驟2.8位地址的寫入(00H)打開三態(tài)門控制信號SWB=0通過8位開關KD0-KD7輸入00H按下“復位”鍵發(fā)出總清信號打開AR控制信號LDAR=1關閉片選信號CE’=1打入脈沖信號T3LAD0-LAD7顯示輸入地址00H19/25步驟3.8位數(shù)據(jù)的寫入調撥8位開關KD0-KD7為（11H），準備向AR送地址。數(shù)據(jù)輸入三態(tài)緩沖器門控信號SWB=0（打開）；地址寄存器AR控制信號LDAR=0（關閉）。存儲器片選信號CE’=0（片選有效）存儲器寫信號WE=1(寫數(shù)據(jù)）打入脈沖信號T3，將數(shù)據(jù)11H置入存儲器中的指定單元。21/25步驟4.向AR送入00H地址重復步驟2（不要發(fā)“復位”信號）。將00H地址送入AR，準備從該單元讀出先前寫入數(shù)據(jù)。22/25步驟4.再次向AR寫入8位地址(00H)打開三態(tài)門控制信號SWB=0通過8位開關KD0-KD7輸入00H打開AR控制信號LDAR=1關閉片選信號CE’=1打入脈沖信號T323/25步驟5.讀出存儲器00H地址中的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)輸入三態(tài)緩沖器門控信號SWB=1（關閉）；地址寄存器AR控制信號LDAR=0（關閉）。存儲器片選信號CE’=0（片選有效）存儲器寫信號WE=0(讀數(shù)據(jù)）25/25表3-2存儲器電路控制信號功能表控制信號寫地址寫內容讀內容SWB001LDAR100CE’100/WE010根據(jù)讀寫原理填寫表3-2。步驟6.填寫控制信號功能表26/25步驟6.記錄向存儲器寫入數(shù)據(jù)的操作過程1)按照指導書向存儲器地址為00H，01H，02H，03H，04H，05H的單元分別寫入數(shù)據(jù)：55H，33H，44H，66H，08H