標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 13387-2009 硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法》相比于《GB/T 13387-1992 電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法》,主要在以下幾個(gè)方面進(jìn)行了更新和調(diào)整:

  1. 適用范圍擴(kuò)展:2009版標(biāo)準(zhǔn)不僅適用于硅晶片,還涵蓋了其他電子材料晶片的參考面長(zhǎng)度測(cè)量,這表明標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用領(lǐng)域得到了拓寬,以適應(yīng)電子材料技術(shù)的發(fā)展和多樣化需求。

  2. 測(cè)量技術(shù)和方法更新:鑒于科技進(jìn)步,新標(biāo)準(zhǔn)引入了更先進(jìn)的測(cè)量技術(shù)和方法,可能包括高精度光學(xué)測(cè)量、掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)量等現(xiàn)代技術(shù),以提高測(cè)量精度和效率。這些更新旨在跟上材料科學(xué)與計(jì)量技術(shù)的最新進(jìn)展。

  3. 定義和術(shù)語(yǔ)標(biāo)準(zhǔn)化:2009版標(biāo)準(zhǔn)對(duì)相關(guān)定義和術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了修訂和完善,確保了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的一致性,便于國(guó)際交流與合作,同時(shí)也提高了標(biāo)準(zhǔn)的清晰度和可操作性。

  4. 精度要求提升:考慮到電子行業(yè)對(duì)尺寸精確度的更高要求,新標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測(cè)量精度提出了更嚴(yán)格的規(guī)定,確保測(cè)量結(jié)果的可靠性和重復(fù)性,滿足高端制造的需求。

  5. 校驗(yàn)與質(zhì)量控制:增加了關(guān)于測(cè)量設(shè)備的校準(zhǔn)、維護(hù)以及質(zhì)量控制方面的內(nèi)容,強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)測(cè)量過(guò)程中保持高標(biāo)準(zhǔn)的質(zhì)量管理,以減少誤差來(lái)源,提升測(cè)量數(shù)據(jù)的可信度。

  6. 環(huán)境條件規(guī)定:可能對(duì)測(cè)量時(shí)的環(huán)境條件(如溫度、濕度、潔凈度等)給出了更具體的要求,因?yàn)檫@些因素都可能影響到測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。

  7. 樣品處理和制備指導(dǎo):提供了更加詳細(xì)的操作指南,包括樣品的選取、處理和制備方法,以保證測(cè)量過(guò)程中的樣品一致性及減少潛在的損壞風(fēng)險(xiǎn)。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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GB/T 13387-2009硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛29.045

犎80

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅/犜13387—2009

代替GB/T13387—1992

硅及其他電子材料晶片

參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犳犾犪狋犾犲狀犵狋犺狑犪犳犲狉狊狅犳

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20091030發(fā)布20100601實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

犌犅/犜13387—2009

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF6710705《硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF6710705相比主要有如下變化:

———標(biāo)準(zhǔn)編寫格式按GB/T1.1要求進(jìn)行編寫;

———增加了前言內(nèi)容。

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13387—1992《電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T13387—1992相比主要有如下變化:

———細(xì)化了測(cè)量范圍的內(nèi)容,如該方法中涉及的公英制單位等;

———增加了該方法的局限性內(nèi)容;

———增加了部分術(shù)語(yǔ),定義了測(cè)量中用到的偏移;

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn);

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣改為抽樣章節(jié);

———將校準(zhǔn)和測(cè)量分為兩章分別敘述;

———精密度采用了SEMIMF6710705中多個(gè)實(shí)驗(yàn)室間的評(píng)價(jià),并附有較詳細(xì)的說(shuō)明。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

———GB/T13387—1992。

書(shū)

犌犅/犜13387—2009

硅及其他電子材料晶片

參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

1目的

1.1基準(zhǔn)面長(zhǎng)度對(duì)于半導(dǎo)體加工過(guò)程中使用材料的適應(yīng)性是一項(xiàng)重要的參數(shù)。

1.2晶片自動(dòng)操作設(shè)備被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造業(yè)中,它們是通過(guò)晶片主參考面識(shí)別和定位獲得正確

的對(duì)準(zhǔn)。

2范圍

2.1本標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了對(duì)晶片邊緣平直部分長(zhǎng)度的確認(rèn)方法。

2.2本標(biāo)準(zhǔn)用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長(zhǎng)度小于等于65mm的電學(xué)材料。本標(biāo)準(zhǔn)僅對(duì)硅片精度

進(jìn)行確認(rèn),預(yù)期精度不因材料而改變。

2.3本標(biāo)準(zhǔn)適用于仲裁測(cè)量,當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測(cè)能夠獲得的精度時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)也

可用于常規(guī)驗(yàn)收測(cè)量。

2.4本標(biāo)準(zhǔn)與表面光潔度無(wú)關(guān)。

2.5任何直徑的晶片,包括76.2mm和更小直徑的晶片,參考面長(zhǎng)度單位應(yīng)該使用公制為計(jì)量單位,

而英制單位的數(shù)值僅供參考。

2.6本標(biāo)準(zhǔn)不涉及安全問(wèn)題,即使有也與標(biāo)準(zhǔn)的使用相聯(lián)系。標(biāo)準(zhǔn)使用前,建立合適的安全和保障措

施以及確定規(guī)章制度的應(yīng)用范圍是標(biāo)準(zhǔn)使用者的責(zé)任。

3局限性

3.1切片后的一些工序如倒角和化學(xué)腐蝕都有可能降低參考面區(qū)域邊緣部分的清晰度。

3.2測(cè)微計(jì)測(cè)量時(shí)旋轉(zhuǎn)螺桿的倒退可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的讀數(shù)。

3.3測(cè)量期間樣品在投影儀顯示屏上圖像聚焦不清晰可能引入誤差。

3.4投影儀的光學(xué)系統(tǒng)有時(shí)可能存在圖像反轉(zhuǎn)功能,導(dǎo)致呈現(xiàn)的圖像與本標(biāo)準(zhǔn)所述狀態(tài)相反。

4規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有

的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

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