標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 13387-1992 電子材料晶片參考面長度測量方法》是一項由中國發(fā)布的國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)定電子材料領(lǐng)域內(nèi)晶片參考面長度的測量原則、程序和要求，以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可比性。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體材料、集成電路基板等電子材料晶片參考面長度的測定。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

  1. 范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的對象為電子材料晶片，特別是其參考面上的長度測量。參考面通常指晶片加工或特性評估中作為基準(zhǔn)的平面。

  2. 術(shù)語和定義：對涉及的術(shù)語進(jìn)行了明確界定，如晶片、參考面、長度等基本概念，確保了在執(zhí)行測量時各方有統(tǒng)一的理解基礎(chǔ)。

  3. 測量原理：介紹了采用光學(xué)、電子顯微鏡或其他合適手段進(jìn)行長度測量的基本原理，這些方法需保證非接觸、高精度且不對晶片造成損傷。

  4. 測量設(shè)備：詳細(xì)說明了用于測量的儀器設(shè)備應(yīng)滿足的要求，包括但不限于分辨率、精度、重復(fù)性等技術(shù)指標(biāo)，確保測量工具的可靠性。

  5. 樣品制備與處理：規(guī)定了晶片在測量前的準(zhǔn)備步驟，如清潔、固定等，以避免外部因素干擾測量結(jié)果。

  6. 測量步驟：詳細(xì)闡述了測量過程中的具體操作步驟，包括如何定位參考點(diǎn)、選擇合適的測量區(qū)域、實施測量以及數(shù)據(jù)記錄等，確保測量流程的標(biāo)準(zhǔn)化。

  7. 數(shù)據(jù)處理與誤差分析：提供了數(shù)據(jù)處理的方法，如平均值計算、異常值剔除及測量誤差的評估準(zhǔn)則，幫助用戶正確分析測量結(jié)果并合理評估不確定性。

  8. 質(zhì)量控制：強(qiáng)調(diào)了實施質(zhì)量控制的重要性，建議通過定期校準(zhǔn)測量設(shè)備、比對實驗等方式來監(jiān)控和保證測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。

  9. 安全與環(huán)境保護(hù)：簡要提及了在測量過程中應(yīng)注意的安全措施和環(huán)境保護(hù)要求，確保操作人員安全及環(huán)境不受損害。


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  • 1992-02-19 頒布
  • 1992-10-01 實施
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UDC669.782-172-415：531.71H21中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T133877—92電子材料晶片參考面長度測量方法Testmethodformeasuringflatlengthonslicesofelectronicmaterials1992-02-19發(fā)布1992-10-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)電子材料晶片參考面長度測量方法GB/T13387-92Testmethodformeasuringflatlengthonslicesofelectronicmaterials主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子材料品片參考面長度的測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量各種直徑的硅拋光片、研磨片和切割片的參考面長度。i。也適用于測量砷化鏢、藍(lán)寶石和乳鏢石榴石等材料品片的參考面長度。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查）3方法提要利用光學(xué)投影儀，把品片參考面投影到顯示屏上，使參考面一端與顯示屏上的基準(zhǔn)點(diǎn)對準(zhǔn),記錄測微計讀數(shù)。然后調(diào)節(jié)載物臺，使參考面另一端與基準(zhǔn)點(diǎn)對準(zhǔn)，再次記錄測微計該數(shù)。兩次讀數(shù)之差即為晶片的參考面長度。4測量儀器4.1光學(xué)投影儀，由以下幾部分構(gòu)成4.1.1光學(xué)系統(tǒng)，放大倍數(shù)為20倍。4.1.2載物臺.X軸行程應(yīng)大于品片的參考面長度，Y軸行程為0～25mm，X軸測微計精度優(yōu)于2S：m4.1.3顯示屏，最小直徑為254mm?！?1.4輪廊板，由半透明材料制成,板上有兩條相互垂直的基準(zhǔn)線相交于中央，在垂直基準(zhǔn)線的中心上下,各有10個1mm間隔的刻度，

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