![哈爾濱工業(yè)大學(xué)2023年春季電力電子技術(shù)考試試題_第1頁](http://file4.renrendoc.com/view/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c1.gif)
![哈爾濱工業(yè)大學(xué)2023年春季電力電子技術(shù)考試試題_第2頁](http://file4.renrendoc.com/view/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c2.gif)
![哈爾濱工業(yè)大學(xué)2023年春季電力電子技術(shù)考試試題_第3頁](http://file4.renrendoc.com/view/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c/cc1cb72c62769a2bcce80cc86045225c3.gif)
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哈爾濱工業(yè)大學(xué)2007年春季電力電子技術(shù)考試試題(注:卷面80分,平時(shí)成績20分)本題得分一、填空題(11小題,每空0.5分,共22分)1、電力電子學(xué)是由、和交叉而形成的邊緣學(xué)科。2、按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度,可以將電力電子器件分為以下三類;1)的電力電子器件被稱為半控型器件,這類器件主要是指及其大部分派生器件。2)的電力電子器件被稱為全控型器件,這類器件品種很多,目前常用的有和。3)的電力電子器件被稱為不可控器件,如。3、根據(jù)下面列出的電力電子器件參數(shù)的定義,在空格處填寫該參數(shù)的名稱。參數(shù)定義參數(shù)名稱GTR集電極電流與基極電流之比使IGBT能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓維持晶閘管導(dǎo)通所必需的最小陽極電流4、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中,開關(guān)速度最快的是_________,單管輸出功率最大的是_____________,在中小功率領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛的是___________。5、電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路一般應(yīng)具有電路與之間的電氣隔離環(huán)節(jié),一般采用光隔離,例如;或磁隔離,例如。6、緩沖電路又稱為吸收電路,緩沖電路可分為關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路。其中緩沖電路又稱為du/dt抑制電路,用于吸收器件的過電壓。緩沖電路又稱為di/dt抑制電路,用于抑制器件時(shí)的電流過沖和di/dt,減小器件的損耗。7、單相半波可控整流電路、單相橋式全控整流電路、三相半波可控整流電路和三相橋式全控整流電路,當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載和電感負(fù)載時(shí),晶閘管的控制角移相范圍分別是多少(用角度表示,如0°~180°)?負(fù)載單相半波單相橋式三相半波三相橋式電阻
阻感
(注:有續(xù)流二極管)
8、在單相全控橋式電阻-反電動(dòng)勢負(fù)載電路中,當(dāng)控制角α大于停止導(dǎo)電角δ時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角θ=_____________。當(dāng)控制角α小于停止導(dǎo)電角δ時(shí),且采用寬脈沖觸發(fā),則晶閘管的導(dǎo)通角θ=_____________。9、由于器件關(guān)斷過程比開通過程復(fù)雜得多,因此研究換流方式主要是研究器件的關(guān)斷方法。換流方式可分以下四種:,,,。10、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)運(yùn)用于電壓型逆變電路中,改變_可改變逆變器輸出電壓幅值;改變__可改變逆變器輸出電壓頻率;改變__可改變開關(guān)管的工作頻率。11、在SPWM控制電路中,根據(jù)載波和信號(hào)波是否同步及載波比的變化情況,PWM調(diào)制可分為與________兩種類型,采用________調(diào)制可以綜合二者的優(yōu)點(diǎn)。本題得分二、選擇題(5小題,每空0.5分,共3分)1、晶閘管穩(wěn)定導(dǎo)通的條件()A、晶閘管陽極電流大于晶閘管的擎住電流B、晶閘管陽極電流小于晶閘管的擎住電流C、晶閘管陽極電流大于晶閘管的維持電流D、晶閘管陽極電流小于晶閘管的維持電流2、某晶閘管,若其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓為500V,反向重復(fù)峰值電壓700V,則該晶閘管的額定電壓是()A500VB600VC700VD1200V3、()存在二次擊穿問題。A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFETE.IGBT4、下圖所示的是()的理想驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形。A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFETE.IGBT5、IGBT綜合了()和()的優(yōu)點(diǎn),因而具有良好的特性。A.SCRB.GTOC.GTRD.P.MOSFETF.電力二極管本題得分三、計(jì)算題(4小題,共20分)1、單相橋式全控整流電路,U2=200V,負(fù)載中R=2Ω,L值極大,反電勢E=120V。已知控制角的變化范圍是:0°~30°,考慮安全裕量(按1.5倍計(jì)算),確定晶閘管的額定電壓和額定電流。(4分)2、單相全控橋式變流電路工作在有源逆變狀態(tài)下,已知U2=200V,電動(dòng)機(jī)反電勢E=120V,負(fù)載中R=2Ω,L極大?;卮鹣铝袉栴}。(6分)(1)畫出變流電路的電路圖,并在圖中標(biāo)出在有源逆變初期電動(dòng)機(jī)反電勢的極性和變流電路輸出直流電壓的極性。(2)逆變角β應(yīng)限制在什么范圍內(nèi)?畫出β=60°時(shí)的和的波形。3、三相橋式全控整流電路,U2=100V,帶阻感負(fù)載,R=5Ω,L值極大,當(dāng)α=60°時(shí),回答下列問題。(4分)(注:后面有提示)(1)變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波?其中主要的是哪幾次?(2)求電路的輸入功率因數(shù)。(提示:有關(guān)電流波形及其傅立葉級(jí)數(shù))4、降壓斬波電路中,已知電源電壓E=16V,要求輸出負(fù)載電壓平均值Uo=12V,回答下列問題:(6分)(1)畫出用IGBT構(gòu)成的降壓斬波器的主電路原理圖,并推導(dǎo)出理想情況下輸入、輸出電壓的關(guān)系表達(dá)式。2)若采用脈沖寬度調(diào)制方式,設(shè)斬波周期T=1ms,求開通時(shí)間Ton?3)若采用脈沖頻率調(diào)制方式,設(shè)開通時(shí)間Ton=1ms,求斬波周期T?本題得分四、作圖題(4小題,共28分)1、對(duì)于三相全控橋式整流電路,阻感負(fù)載,L極大,回答下列問題:(6分)1)畫出該電路帶阻感負(fù)載時(shí)的電路圖。2)當(dāng)α=π/3時(shí),在下圖中畫出整流輸出電壓ud一個(gè)周期的波形(用陰影線表示),并在波頭上方標(biāo)出其余5個(gè)線電壓的名稱;若整流電路采用雙窄脈沖觸發(fā),在圖中波形上方的對(duì)應(yīng)位置畫出觸發(fā)脈沖,并標(biāo)明所對(duì)應(yīng)的器件號(hào)。2、由IGBT構(gòu)成的橋式可逆斬波電路,負(fù)載為直流電動(dòng)機(jī)。電源電壓E=200V,電機(jī)為正向電動(dòng)狀態(tài),反電勢EM=100V,電機(jī)電樞電阻R=5Ω,電樞電流平直連續(xù),平均值為2A,IGBT的開關(guān)頻率為10KHz。完成下題:(9分)1)畫出該橋式可逆斬波電路的電路圖。2)采用單極同頻控制方式時(shí),計(jì)算此時(shí)的控制占空比,器件的開關(guān)周期,及每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)導(dǎo)通的時(shí)間。3)根據(jù)前面計(jì)算得出的控制時(shí)間畫出V1~V4驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形,負(fù)載上電壓和電流的波形;3、下圖所示為一個(gè)三相橋式電壓型逆變電路。當(dāng)該電路采用輸出為方波的180°導(dǎo)電方式時(shí),試畫出V1-V6上驅(qū)動(dòng)電壓的波形及UUN'、UVN'和UWN'的波形。(6分)4、圖1所示的單相全橋逆變電路工作于雙極性PWM模式。設(shè)載波比N=9要求:(7分)1)在圖2中畫出1個(gè)調(diào)制信號(hào)波周期內(nèi)的開
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