光模塊-系列報告之二：AI算力時代光模塊新技術演進路徑

光模塊產(chǎn)品升級迭代路線：小型化、高速率、低功耗不斷升級。產(chǎn)品向高速率升級，驅動多種技術路線變革。4大模型時代帶來高算力需求，降低功耗將為超算廠商帶來競爭優(yōu)勢。CPO技術具有低功耗、高性能、高質(zhì)量、高傳輸?shù)膬?yōu)勢片（AISC）。CPO是將交換芯片和光引擎共同裝配在同一個Socketed（插槽）而CPO交換機通過共同封裝大幅度縮短電連接，功耗僅230W。CPO發(fā)展目前處于起步階段，未來市場空間廣闊。Optics2022-2030》、長城證券產(chǎn)業(yè)金融研究院CPO將有效解決高速高密度互聯(lián)傳輸。當前技術/產(chǎn)品進展器件等核心產(chǎn)品方面持續(xù)深耕通硅光模塊和CPO產(chǎn)品正在研發(fā)中積極開發(fā)下一代數(shù)據(jù)中心用硅光模塊以及下一代無線公司已經(jīng)加入多個國際標準組織參與NPO/CPO的技術加大硅光集成技術的研發(fā)投入力度，建立高水平的高器件、室內(nèi)光纜和線纜材料等橫向、縱向產(chǎn)業(yè)布局鈮酸鋰材料的研究已經(jīng)接近100年，可以劃分為三個階段：）：鈮酸鋰晶體具有光電效應多、性能可調(diào)控性強、物理化學性能穩(wěn)定、光透過范圍寬等特點。用熟鈮酸鋰方案雖有性能優(yōu)勢，但也存在不足。薄膜鈮酸鋰調(diào)制器不僅繼承了鈮酸鋰材料的性能優(yōu)勢，而且在體積、成本等方面有所改善。鈮酸鋰晶體市場穩(wěn)步增長，鈮酸鋰調(diào)制器2024年潛在市場規(guī)?；蚪賰|級。），），1相干光傳輸技術開始從骨干網(wǎng)下沉，鈮酸鋰調(diào)制器有望迎來較大的發(fā)展機遇。當前技術/產(chǎn)品進展硅光技術：具有集成度高、成本下降潛力大、波APD接收器術件光陣激器列制陣調(diào)器列合陣耦器列+++光陣激器列制陣調(diào)器列合陣耦器列+++片++測陣探測陣+++硅光方案具有集成度高、成本下降潛力大、波導傳輸性能優(yōu)異三大優(yōu)勢。硅光方案產(chǎn)業(yè)化面臨設計架構、制造工藝、封裝、配套器件等難題。硅光模塊市場空間廣闊，未來在高速光模塊市場占有率將達到60%以上。數(shù)據(jù)中心、5G承載網(wǎng)、光傳感等市場將為硅光打開增長空間。LPO：成本優(yōu)勢突出，滿足AI計算中心線短距、大相較DSP方案，LPO可大幅度減少系統(tǒng)功耗和時延，但只適用于短距傳輸。），4%印刷電路板光芯片LPO具有功耗低、低延遲、低成本、可熱插拔的優(yōu)勢。LPO技術適用于AI大模型預訓練。當前技術/產(chǎn)品進展2023Q1同比增速（%）同比增速（%）2023Q1300308.SZ2023Q12023Q1300394.SZ300502.SZ300548.SZ/-25.92%-28.62%301205.SZ300620.SZ-40.60%-49.68%-23.94%